半導(dǎo)體量子結(jié)構(gòu)的生長方式

1、學(xué)校代碼: 學(xué) 號(hào):科研訓(xùn)練報(bào)告題 目：半導(dǎo)體量子結(jié)構(gòu)的生長方式 學(xué)生姓名：學(xué)院：理學(xué)院班級(jí)：指導(dǎo)教師：2012年09月12日一、國內(nèi)外研究進(jìn)展及研究意義1.1 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀和發(fā)展動(dòng)態(tài) 半導(dǎo)體量子結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)方式有三種，包括量子點(diǎn)、量子線，量子點(diǎn)三種方式，量 子點(diǎn)是在把導(dǎo)帶電子、價(jià)帶空穴及激子在三個(gè)空間方向上束縛住的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)。 美國科學(xué)家首度利用光將膠狀 (colloidal) 半導(dǎo)體量子點(diǎn) (quantum dot) 磁化，且其生 命周期遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過先前的記錄。 這個(gè)結(jié)果除了能激發(fā)更多基礎(chǔ)研究， 對(duì)于同時(shí)利用自旋 與電荷的自旋電子元件 (spintronics) 領(lǐng)域，也是一項(xiàng)重大的進(jìn)展。

2、直到目前， 半導(dǎo)體只能在相當(dāng)?shù)蜏叵鲁尸F(xiàn)磁性， 原因是磁化半導(dǎo)體納米微粒需要 靠激子(exciton)之間的磁性交互作用，但此作用的強(qiáng)度在30 K附近就不足以對(duì)抗熱 效應(yīng)。最近，華盛頓大學(xué)的 Daniel Gamelin 等人制造出摻雜的納米微晶，它們的量子 局限效應(yīng) (quantum confinement effect) 使激子具有很大的磁性交互作用，且生命周 期可長達(dá)100 ns，比先前的記錄200皮秒(picosecond, ps) 高出很多。研究人員利 用光將激子注入膠狀納米微晶中，產(chǎn)生相當(dāng)強(qiáng)的光誘發(fā)磁化(light-i nduced magnetization) 現(xiàn)象。華大團(tuán)隊(duì)成功的

3、關(guān)鍵在于以磁性錳離子取代鎘化硒(CdSe)半導(dǎo)體納米微晶中的部份鎘離子。這些懸浮在膠狀溶液中的微晶大小不到10 nm照光時(shí)內(nèi)部產(chǎn)生的強(qiáng)大磁場可將錳離子的自旋完全排正。 Gamelin 表示，排正的過程非?？?，此效應(yīng)在低溫 時(shí)非常強(qiáng)，且可維持到室溫。這要?dú)w功于第一次在研究中被觀察到的高溫磁激子 (excitonic magnetic polaron, EMP) 。上述團(tuán)隊(duì)舍棄以傳統(tǒng)的分子束磊晶法(MBE)，而改用新的化學(xué)方法直接合成磁性 半導(dǎo)體量子點(diǎn)。Gamelin解釋，由于摻質(zhì)-載子間的交互作用夠強(qiáng)，EMP急定性因而增 強(qiáng)超過100倍，所以才能在300 K下觀察到磁化效應(yīng)。美國科學(xué)家開發(fā)出一種

4、新型的電子膠 (electronic glue) ，能將個(gè)別的納米晶體 (nanocrystals) 連接在一起。這種電子膠還能用來制作大面積的電子元件和光伏 (photovoltaics) 元件。利用旋轉(zhuǎn)或浸泡涂布 (dip coating) 和噴墨印刷等溶液類制程來制作大面積太陽 電池，例如便宜的屋頂太陽能面板， 是高成本效益的方法。 不過這些技術(shù)必須讓半導(dǎo) 體溶解，以方便做為墨水 (ink) 使用。半導(dǎo)體納米微晶是微小的半導(dǎo)體塊狀物，是制 作此類墨水的理想材料。然而， 在納米微晶表面由龐大、 絕緣有機(jī)分子組成的表面配位基， 會(huì)阻隔納米晶 體間的電荷轉(zhuǎn)移， 造成印刷陣列內(nèi)的個(gè)別納米微晶彼此

5、連結(jié)不佳， 這點(diǎn)大大降低了納 米微晶在太陽電池和其它的元件上的應(yīng)用。最近，芝加哥大學(xué)的 Dmitri Talapin 等人開發(fā)出一種新的化學(xué)材料，能讓個(gè)別 納米微晶以強(qiáng)連結(jié)的方式相互結(jié)合成陣列，克服了前述的問題。 Talapin 表示，他們 的方法提供一個(gè)材料設(shè)計(jì)的多功能的平臺(tái)，將會(huì)對(duì)電子元件、光伏元件和熱電 (thermoelectrics) 元件的制作帶來沖擊。另外，此方法提高全溶液 (all-solution) 元件制作的可能性， 讓此材料在連續(xù)式滾筒 (roll-to-roll) 制程的應(yīng)用上增添不少吸 引力，例如薄膜太陽能電池的制作。研究人員使用一種名為復(fù)合金屬硫化物 (metal

6、chalcogenide complex) 的材料， 來將膠體狀的納米晶體相互黏合。 其配位基較先前使用的有機(jī)配位基更為穩(wěn)定、 堅(jiān)固， 而且不會(huì)改變納米晶體的化學(xué)性質(zhì)， 還可讓納米晶體間的電荷轉(zhuǎn)移更有效率。 Talapin 等人確實(shí)觀察到系統(tǒng)中的導(dǎo)電率有增加的趨勢。目前，該團(tuán)隊(duì)正在研究如何在實(shí)際應(yīng)用上使用納米晶體的連接技術(shù)， 并且調(diào)查除 了金屬硫化物材料外，是否還有其它合適的材料。芝加哥大學(xué)已授權(quán) Evident Technologies 公 司 在 熱 電 應(yīng) 用 上 采 用 此 技 術(shù) 。 詳 見 Science DOI: 10.1126/science.1170524 。此外，膠狀半導(dǎo)體

7、量子點(diǎn)與軟式微影術(shù) (soft lithography) 及噴墨印刷術(shù) (in-jet printing)等常見的制程相容。 Gamelin 認(rèn)為膠體可望成為納米科技在各種元件應(yīng)用上的新工具箱。量子點(diǎn)的應(yīng)用非常廣泛， 因?yàn)樗鼈兛刂频某叽?L 反過來控制了當(dāng)晶體被短波光照 時(shí)發(fā)射光的波長，這些短波光在半導(dǎo)體帶隙兩端產(chǎn)生電子 - 空穴對(duì)。量子點(diǎn)在溶液中 生長，然后以優(yōu)美方式被包裹， 首先保護(hù)半導(dǎo)體晶體不與水環(huán)境接觸， 然后進(jìn)一步包 裹并將這個(gè)熒光標(biāo)記連接到想要的組織類型上。半導(dǎo)體 (InAs) 量子點(diǎn)在一些特定類型激光上有獨(dú)特的應(yīng)用。 激光被廣泛應(yīng)用于通 信、音響器材制造，如CD播放機(jī)。這些在通信

8、方面的應(yīng)用同樣基于發(fā)射譜的可調(diào)諧 性，即通過調(diào)節(jié)尺寸 L 來調(diào)節(jié)發(fā)射譜。然而，這些量子點(diǎn)要并入激光器的異質(zhì)結(jié)中， 以使電子從結(jié)的一邊注入， 空穴從 另一邊注入。所以這些量子點(diǎn)是被電“泵入”到一個(gè)不穩(wěn)定的電子態(tài)，和前面的應(yīng)用 完全一樣， 這個(gè)電子態(tài)將輻射光子。 這就是所謂的注入式激光器， 在工業(yè)中有很多應(yīng) 用。但是問題是：怎樣在異質(zhì) PN結(jié)中生產(chǎn)量子點(diǎn)。答案是應(yīng)用外延薄膜生長技術(shù)： 在超高真空室中使用分子束外延生長設(shè)備在單晶 基片上外延生長薄膜，在具有應(yīng)力的 GaAs(IOO)方向上外延生長的In GaAs量子阱結(jié) 構(gòu)可以自組裝 InAs 量子點(diǎn)。這是外延生長 InAs 量子點(diǎn)的一個(gè)例子 4 。

9、外延生長意味著材料在超高真空的條件下以合適的沉積速率和合適的基體溫度 按照與基體相同的晶格持續(xù)地沉積生長。 即使化學(xué)組分改變外延性也會(huì)一直保持， 但 在生長層中會(huì)有應(yīng)力存在。例如，在GaAs基片上生長GaAs時(shí)向Ga束中加入一些In， 如果In的含量不是很大，可以得到一個(gè)完美的InGaAs晶體層，只是有輕微的應(yīng)力。將 In 加入生長層的效果，從電學(xué)的角度看，是減少局部的帶隙能量Eg， GaAs和 InGaAs 的交替層產(chǎn)生一個(gè)方形波帶隙調(diào)制，這就叫做量子阱結(jié)構(gòu)。電子會(huì)被隔離 在層中，層的帶隙更小 ( 降低的導(dǎo)帶邊 ) 。這些電子在二維能帶中，因?yàn)?InGaAs 層的 厚度很小， 所以會(huì)提高遷移

10、率， 載流子會(huì)在遠(yuǎn)離施主離子電荷的區(qū)域集中， 同時(shí)施主 離子電荷會(huì)散射它們，使遷移率變得更低。如果加入 In 的含量提高，會(huì)使局部的應(yīng)力升高，從而使量子點(diǎn)情形出現(xiàn)，最后 外延性將不會(huì)進(jìn)行， 而會(huì)在局部有 InAs 出現(xiàn)。這些就是自組裝的 InAs 量子點(diǎn)， 它們 的尺寸 ( 或其發(fā)射光譜 ) 在生產(chǎn)過程中可以通過沉積條件的細(xì)節(jié)加以控制。這是分子束外延(MBE技術(shù)制造量子點(diǎn)的先進(jìn)方法，稱做局部偏離外延性法。用 這種方法使激光器的效率大大提高，因?yàn)榱孔狱c(diǎn)有原子一樣非常窄的光發(fā)射范圍。1.2 研究意義人們采用自組織方法生長納米量子點(diǎn)的初衷之一 , 則是設(shè)制并制作量子點(diǎn)激發(fā) 器。因此, 材料物理學(xué)家們

11、在采用這種方法 , 生長各類高質(zhì)量量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的同時(shí) , 便 開始進(jìn)行了這方面的研究探索 , 并獲得了初步進(jìn)展?，F(xiàn)就其中的兩種加以簡單介紹。垂直腔面發(fā)射激光器 ( VCSEL)圖 11 是由 H. Saito 等人 5 采用自組織生長制作的量子點(diǎn)垂直腔面發(fā)射激光器 ( QDVCSEL) 。其襯底是 GaAs( 100) 基片 , 襯底上的分布型布喇格反射鏡 ( DBR) 多 層膜, 在襯底側(cè)是 18 周期 , 在表面?zhèn)仁?14 周期, 中間是 10 個(gè)周期的 In015Ga015As 量子點(diǎn)有源區(qū)。采用這種結(jié)構(gòu)和利用蝕刻技術(shù)制備了25Lm2 的面發(fā)射激光器。圖 12示出了室溫條件下的電流 - 光

12、輸出特性和振蕩光譜。在連續(xù)狀態(tài)其閾值電流為32mA,振蕩波長為962nm由于采用這種結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了室溫下的連續(xù)振蕩,因而表明采用S-K 模式自組織生長的量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)是可以應(yīng)用于激光器制作的。對(duì)于垂直共振腔面發(fā)射激光器而言 , 激光振蕩波長由共振器的共振波長所決定。 因此, 可以利用電流注入來評(píng)價(jià)從端面的發(fā)光特性 , 并揭示其振蕩機(jī)理。 圖 13 示出了 集層量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的EL譜，圖中的垂直點(diǎn)線是垂直共振器的共振峰。由圖可以清楚看 出, 隨著注入電流的增加 , 其發(fā)光強(qiáng)度亦明顯增加 , 并出現(xiàn)譜峰藍(lán)移現(xiàn)象。 這種譜峰 藍(lán)移行為起因于 , 由于注入電流的增加 , 引起了電子在高能級(jí)間的躍遷所導(dǎo)致。Anod

13、e W-p-DBREF=tnGaA* dotWetting Icy er4i丁 DER三三Act/v» region圖I 山自組織生怏形成的垂直腔面發(fā)射瀕光器Musa ilze 25x25 um°0 10 2D 30 40 50Ci/rr®nt (mA)? MCL3O£5nft 315 mA CWRT970900 9S0 1000 105U 11QOWavelength (nm)8 6 4 2dn) lnd.3Q啟 63o1Wavelength (nm)陽12任宇益論't -的朮錨出待忤圖3集娛吊f訕結(jié)構(gòu)的肚持杵In As/ GaAs量子點(diǎn)激光器

14、Y. Sugiyama 等人采用MBE以自組織方式在GaAs( 100)襯底上制備了 InAs量 子點(diǎn),其高度為5nm,直徑為20nm為了提高光增益,共制作了三層量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)。 300K下的PL譜證實(shí),在1113Lm附近觀測到了來自于基態(tài)能級(jí)的發(fā)光,其峰值半寬 為80meV這個(gè)較寬的發(fā)光峰起因于量子點(diǎn)的尺寸與組分的不均勻性。圖14是量子點(diǎn)層數(shù)N=1和共振器長度為L= 300Lm的激光器的EL譜。很顯然,由 于量子點(diǎn)的離散能級(jí)，在EL譜中出現(xiàn)了明顯離散的譜峰。其中長波長側(cè)的譜峰與基 態(tài)能級(jí)相對(duì)應(yīng),一直觀測到第三個(gè)激發(fā)態(tài)能級(jí),最短波長的譜峰是來自于InAs浸潤層。由圖還可以看出，由于高激發(fā)態(tài)能級(jí)的簡

15、并度比低激發(fā)態(tài)能級(jí)的大，所以隨著注入電流的增加，高激發(fā)態(tài)能級(jí)將具有更強(qiáng)的發(fā)光效率。圖15示出了具有不同量子點(diǎn)層數(shù)(N)和共振器長度(L)激光器的EL譜。由圖可見，當(dāng)量子點(diǎn)層數(shù)N= 1,共振器 長度L從300Lm變化到900Lm時(shí)，激光振蕩的能級(jí)從浸潤層移到第三激發(fā)態(tài)能級(jí)。對(duì)于共振器長度L= 900Lm的激光器，當(dāng)量子點(diǎn)層數(shù)由N=1增加到N= 3時(shí)，其光增益 明顯增大，其激光振蕩從第三激發(fā)態(tài)移向了第二激發(fā)態(tài)能級(jí)。對(duì)于量子點(diǎn)層數(shù)N=3和共振器長度L=900Lm的激光器，可實(shí)現(xiàn)室溫下的連續(xù)振蕩。8fdr00Ou2 12?一sum- Jdyoo 1000 noo 1200wavelength.閻口單層

16、量子戊激光器的EL譜900100011001200is 畏(tini)800圖is貝有不冋屋于山數(shù)和共振器托嗖機(jī)光器HEL譜1.3主要參考文獻(xiàn)1 彭英才等真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào).1996, 16:1852 彭英才 半導(dǎo)體量子點(diǎn)的自組織生長及其應(yīng)用.半導(dǎo)體雜志，1999,(03)3 莊乾東，李晉閩，曾一平,潘量,孔梅影,林蘭英InGaAs/GaAs垂直對(duì)準(zhǔn)量子點(diǎn)超晶格的正入射紅外吸收.紅外與毫米波學(xué)報(bào)，1998,(06)4 Saito H, et al. Appl.Phys. lett., 1996,69:314056 西研一等 . 應(yīng)用物理 (日) , 1998,67: 7937 彭英才.固體電子

17、學(xué)研究與進(jìn)展 , 1997,17:165二、研究內(nèi)容及方案2.1 研究內(nèi)容將以極化為特征 具有豐富功能特性的介電氧化物材料通過外延薄膜的方式，在 半導(dǎo)體GaN上制備介電氧化物/GaN集成薄膜，其多功能一體化與界面耦合效應(yīng)可推 動(dòng)電子系統(tǒng)單片集成化的進(jìn)一步發(fā)展。 然而，由于 2 類材料物理化學(xué)性質(zhì)的巨大差異， 在 GaN 上生長介電薄膜會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重的相容性生長問題采用激光分子束外延技術(shù) (LMBE),通過彈性應(yīng)變的TiO2的緩沖層來減小晶格失配度，降低介電薄膜生長溫度， 控制界面應(yīng)變釋放而產(chǎn)生的失配位錯(cuò)， 提高了介電薄膜外延質(zhì)量 ; 通過低溫外延生長 MgO阻擋層，形成穩(wěn)定的氧化物/GaN界面，阻

18、擋后續(xù)高溫生長產(chǎn)生的擴(kuò)散反應(yīng)；最 終采 用TiO2/MgO組合緩沖層控制介電/GaN集成薄膜生長取向、界面擴(kuò)散，降低集成 薄膜的界面態(tài)密度，保護(hù) GaN半導(dǎo)體材料的性能所建立的界面可控的相容性生長方 法，為相關(guān)集成器件的研發(fā)提供了一條可行的新途徑。2.2 研究方案氧化物介電材料具有鐵電、壓電、熱釋電、高介電、非線性光學(xué)等多種性能， 在電阻、電容、電感、微波電路元件以及其他無源電子器件中有重要和廣泛的應(yīng) 用半導(dǎo)體材料具有電子輸運(yùn)特性， 是微電子和光電子工業(yè)的基礎(chǔ)材料， 成為各種有源 電子器件的支撐主體近年來， 電子信息系統(tǒng)的微小型化和單片化的需求， 不斷促進(jìn)了 電子材料的薄膜化和電子器件的片式化

19、的快速發(fā)展。 為此，將功能氧化物材料與半導(dǎo) 體材料通過固態(tài)薄膜的形式生長在一起， 形成介電半導(dǎo)體集成結(jié)構(gòu)， 利用這種集成薄 膜的一體化特性，可將介電無源器件與半導(dǎo)體有源器件集成，實(shí)現(xiàn)有源 無源的多功 能集成化和模塊化， 增強(qiáng)集約化的系統(tǒng)功能， 促進(jìn)電子系統(tǒng)小型化和單片化。 另一方 面，在介電半導(dǎo)體集成薄膜中， 可利用介電材料大的極化和由于界面晶格失配引入的 大的界面應(yīng)變，來調(diào)控半導(dǎo)體的輸運(yùn)特性 ( 載流子濃度和遷移率等 )，有可能通過界 面誘導(dǎo)和耦合出現(xiàn)新的性能，為新型電子器件的制備提供新的自由度。所以介電與 半導(dǎo)體集成，無論在科學(xué)意義上，還是在器件應(yīng)用上，都具有十分重要的研究意義。由于介電半

20、導(dǎo)體集成薄膜的生長和性能研究有極大的科學(xué)研究價(jià)值和重要的應(yīng) 用前景 ，所以已逐漸引起了包括美國 DOE 和 DAPA 等國內(nèi)外一些研究機(jī)構(gòu)的關(guān)注和 資助 ，并在理論和實(shí)驗(yàn)方面進(jìn)行了探索 。采用緩沖層的方法在 GaN 半導(dǎo)體上制備 氧化物外 延薄膜是一種可行的方法，如 Penn State 大學(xué)在 GaN 上采用 TiO2 作 為緩沖層制備了外延的多鐵 BiFeO3 薄膜，但過厚的緩沖層影響了介電與半導(dǎo)體性能 的相互作用 。在我們最近開展的研究中 ，采用激光分子束外延 ( L-MBE) 方法 ， 可實(shí)現(xiàn)在原子尺度上介電 / 半導(dǎo)體集成薄膜的可控生長 ，用納米厚度的 TiO2 誘導(dǎo) 生長了高 質(zhì)量

21、的介電薄膜 SrTiO3 ，但進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn)界面仍然存在一定的反應(yīng)擴(kuò) 散 。一般來講 ，緩沖層材料必須要 滿足以下條件 : 與基片和薄膜的晶格失配 均較小 ； 緩沖層在熱力學(xué)上處于穩(wěn)定狀態(tài) ，能與膜和基片形 成穩(wěn)定接觸 ； 電學(xué)性能應(yīng)達(dá)到相應(yīng)器件的要求。采用激光分子束外延 （ Laser-Molecular BeamEpitaxy） 方法在 GaN 襯底上生 長 SrTiO 3介電氧化物薄膜和 MgO ，TiO2 緩沖層 。實(shí)驗(yàn)中使用中電集團(tuán) 55 所通過 金屬有機(jī)物氣相沉積（MOCV方法在c取向藍(lán)寶石基片上生長的2卩mGaN厚膜和 AIGaN/ GaN異質(zhì)結(jié)作為襯底，采用固相燒結(jié)的STO，M

22、gO, Ti02陶瓷作為靶材。 激光器為德國LAMBDA PHYSIK公司生產(chǎn)的Compex 20 1 KrF準(zhǔn)分子激光器（脈沖 寬度為30 ns、波長為248nm）。實(shí)驗(yàn)中采用頻率范圍為15 Hz ,能量100150 mJ的脈沖激光轟擊陶瓷靶面進(jìn)行薄膜制備。采用反射式高能電子衍射（RHEED原位 實(shí)時(shí)監(jiān)測氧化物薄膜的外延生長過程 ,并通過與計(jì)算機(jī)相連的 CCD 相機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)采 集和圖像處理 。采用英國BEDE公司生產(chǎn)的BEDED1型四圓衍射儀對(duì)在GaN襯底上制備的氧化 物薄膜生長取向以及外延關(guān)系進(jìn)行分析。 采用 ESCALAB MK-II 能譜分析儀進(jìn)行深度 剖析的 X 射線光電子能譜分析儀

23、獲取多層薄膜化學(xué)成分的深度分布 ,以確定不同緩 沖層對(duì)界面擴(kuò)散的阻擋作用 。此外,本研究還通過半導(dǎo)體載流子輸運(yùn)特性和 界面態(tài) 密度測試研究了不同緩沖層對(duì)集成薄膜電學(xué)性能的影響。 其中,半導(dǎo)體載流子輸運(yùn)特 性使用自行搭建的變溫霍爾效應(yīng)儀器系統(tǒng)進(jìn)行測試 ,該系統(tǒng)包含可換向永磁磁鐵 、 SV12 變溫恒溫器 、 CVM200 電輸運(yùn)性質(zhì)測試儀 、霍爾探頭等設(shè)備 。采用 HP4 155B半導(dǎo)體參數(shù)測試儀測量集成薄膜漏電流特性。三、研究計(jì)劃第 1 周第 2周：查閱各種相關(guān)資料, 將各種設(shè)備準(zhǔn)備完畢, 為接下來的工作 做好充分的準(zhǔn)備。第 3 周第 10 周：做實(shí)驗(yàn),在不懂得時(shí)候咨詢老師,以及查閱各種書籍,

24、上 網(wǎng)詢問或者運(yùn)用各種手段將其弄懂。第 11 周第 13周：寫論文,將實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行整理,并將實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行總結(jié), 在實(shí)驗(yàn)報(bào)告上明確的寫出。四、預(yù)期研究結(jié)果采用激光分子束方法研究了 STO 薄膜在 GaN 半導(dǎo)體基底上的生長行為 ,通過 對(duì)緩沖層 的設(shè)計(jì)和制備,實(shí)現(xiàn)了 STO 介電氧化物薄膜在 GaN 半導(dǎo)體上的外延生長的同時(shí)，保護(hù)了 GaN 的半導(dǎo)體特性(1) 大晶格失配和界面擴(kuò)散 2方面因素降低了在GaN半導(dǎo)體上直接生長的STO 薄膜晶體質(zhì)量，破壞了 GaN 的半導(dǎo)體性能。利用TiO2緩沖層降低了 STO與 GaN直接生長的晶格失配度，將STC薄膜生長 溫度降低了 200E，通過控制TiO2厚

25、度可以調(diào)節(jié)應(yīng)變釋放產(chǎn)生的失配位錯(cuò)分布，提 高STO薄膜外延質(zhì)量。(3)通過低溫外延生長MgC阻擋層，形成穩(wěn)定的氧化物/ GaN界面，阻擋了后續(xù) 高溫生長產(chǎn)生的擴(kuò)散反應(yīng)。最終提出了采用TiO2/ MgOfe合緩沖層實(shí)現(xiàn)STO介電薄膜與GaN的外延生長、 界面擴(kuò)散 ，保護(hù) GaN 基半導(dǎo)體材料的性能 ，建立了界面可控的相容性生長方法， 為相關(guān)集成器件的研發(fā)提供了材料制備方法 。本科生科研訓(xùn)練綜合成績?cè)u(píng)價(jià)表學(xué)生姓名張俊勇學(xué)號(hào)2009209060341班級(jí)電科09-2學(xué) 院理學(xué)院專業(yè)電子信息科學(xué)與技術(shù)題目半導(dǎo)體量子結(jié)構(gòu)的生長方式成績組成評(píng)價(jià)內(nèi)容得分平時(shí)成績（30 分）出勤、紀(jì)律、平時(shí)表現(xiàn)等報(bào)告成績（50 分）綜合運(yùn)用知識(shí)的能力、應(yīng)用文獻(xiàn)資料和外文的能力、研究方案的設(shè)計(jì)能力、報(bào)告撰寫水平等答辯成績（20 分）自述的內(nèi)容、語言、條理性和總體效果，回答問題的準(zhǔn) 確性、完整性等總分（100分）綜合評(píng)定成績（五級(jí)分制）：科研訓(xùn)練綜合評(píng)語：（根據(jù)學(xué)生能力水平、報(bào)告撰寫質(zhì)量、學(xué)生在科研訓(xùn)練實(shí)施過程中的學(xué)習(xí)態(tài)