多晶硅基礎(chǔ)知識(shí)點(diǎn)

1、大為（100mm）.2. 探針絕緣性，一探針（包括連接彈簧和外部引線）與任何其他探針或裝置任 一部分之間絕緣電阻大于（109 Q）o3. 對于P型單晶，在（6）倍熔區(qū)處讀取電阻率值，該值即為樣品的基硼電阻率 值。4. 對于N型單晶，在（8）倍熔區(qū)處讀取電阻率值，該值即為樣品的基磷電阻率 值。5. 熱探筆上所用的電阻絲的功率一般只需（1015W）.6. 冷熱探筆法一般適用于室溫電阻率在（1000Q .Cm）以下的硅單晶。7. 整流法一般適用于室溫電阻率在（11000Q .Cm）的硅單晶。8. 單晶在測試過程中應(yīng)保證環(huán)境溫度（232C）,溫度（W 65%，（電磁屏蔽, 無強(qiáng)光照射）。9. 四探針恒

2、流源的光流范圍為（10-110-6A）,穩(wěn)定度優(yōu)于（土 0.05%）。四、簡答題1. 國標(biāo)中太陽能級與電子級產(chǎn)品等級的劃分基磷電阻率（Q.cm）基硼電阻率（Q.cm）N型少數(shù)載流子壽命（血）國標(biāo)電子級一級為00馮000500國標(biāo)電子級二級紹00總000300國標(biāo)電子級三級支00100000太陽能級一級羽00海0000太陽能級二級紹020050太陽能級三級總0100302. 物理性能檢測中樣品制備的事故判斷處理及預(yù)防1為避免機(jī)械對人造成傷害，上班前，按規(guī)定穿戴好勞保用品，使用酸堿時(shí),穿戴好防護(hù)用品，在通風(fēng)良好的條件下操作。2. 若發(fā)現(xiàn)機(jī)器電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)聲音異常，應(yīng)立即停止進(jìn)行檢查，正常后即可投入使用。

3、3. 若酸堿液濺在皮膚上，立即用大量清水沖洗。4使用耐酸手套前要檢查是否完好。5鉆取樣品時(shí)，若出現(xiàn)松動(dòng)，應(yīng)立即停機(jī)，緊固后方可進(jìn)行加工，手動(dòng)進(jìn)刀時(shí)， 一般按照均勻進(jìn)給的原則進(jìn)行，以免用力過猛造成事故。3. 物理性能檢測中區(qū)熔制備硅單晶的控制要點(diǎn)1. 在裝爐時(shí)，原料棒及籽晶要做到安放平整、對中、穩(wěn)定可靠。2. 在對磷檢爐操作過程中，通入氬氣時(shí)要控制號氬氣的閥門，流量由小到大，逐 步接近工藝規(guī)定值。3. 熔接時(shí)，要選擇合適的功率，升溫不能過急，注意熔區(qū)在感應(yīng)線圈中的位置是 否得當(dāng)。4. 初始拉速不能由零突越至拉制速度，應(yīng)緩慢增大。5. 選擇適當(dāng)?shù)墓┝纤俣?，確保熔區(qū)體積不變，熔區(qū)稍微飽滿為好。6.

4、在單晶生長過程中，要控制好硅熔區(qū)，避免熔區(qū)流垮，同時(shí)盡力保持拉制棒材 直徑的均勻性。7. 在進(jìn)行收尾工作時(shí)，控制好速度，不能過快，以免產(chǎn)生位錯(cuò)。4. 簡述物理性能檢測的工藝流程圖/用大型切斷機(jī)切取溫圈氧化夾層片（線 1）產(chǎn)品取樣樣品退火用大型切斷機(jī)對樣品進(jìn)行切斷（線 2）線1腐蝕清洗送檢測崗位檢測線2_ k用大型切斷機(jī)對樣棒進(jìn)行去應(yīng)力切割- *取硅芯層和生長層棒樣-腐蝕清洗區(qū)熔 檢測導(dǎo)電類型檢測樣品電阻率-檢測樣品少子壽命對單晶棒樣進(jìn)行紅外樣片切割k對切割片樣進(jìn)行研磨拋光、制備成紅外樣將紅外樣片送質(zhì)監(jiān)進(jìn)行后續(xù)檢測5. 單晶硅中間隙氧樣品要求：(1) 樣品的厚度范圍為0.04 cm 0.4 cm

5、 ;(2) 單晶硅樣片，樣片經(jīng)雙面研磨拋光。(3) 加工后樣片的兩個(gè)面應(yīng)盡可能平行，所成角度小于1(4) 其厚度差應(yīng)小于等于0.5%,(5) 表面平整度應(yīng)小于所測雜質(zhì)譜帶最大吸收處波長的1/4。樣品 表面不應(yīng)有氧化層。5.四探針法測量電阻率的測準(zhǔn)條件有哪些？(1) 樣品的幾何尺寸必須近似滿足半無限大，具體的說即樣品的厚 度必須大于3倍針距，探針頭中任一探針離樣品邊緣的最近距離不得 小于3倍針距(縱向、橫斷面電阻率測試的選擇均由此而來)。(2) 測量區(qū)域的電阻率應(yīng)是均勻的，為此針距不宜過大，一般采用12mn左右的針距較適宜。(3) 四根探針應(yīng)處于同一平面的同一直線上，為此要求四根探針嚴(yán)格的排成一

6、直線，還要求樣品表面平整。(4) 四探針與試樣應(yīng)有良好的歐姆接觸，為此探針應(yīng)當(dāng)比較尖，與 樣品的接觸點(diǎn)應(yīng)是半球形，使電流成放射狀發(fā)散(或匯攏)，且接觸半徑應(yīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于針距，一般要求接觸半徑不大于 50 微米左右，針頭應(yīng)有一定壓力，一般取2X 9.8N較適宜。（5）電流通過樣品不應(yīng)引起樣品的電導(dǎo)率發(fā)生變化。 干擾因素：1）陷阱效應(yīng)影響：室溫下的硅和低溫下的鍺，載流子陷阱會(huì)產(chǎn)生影 響。如果試樣中存在電子或空穴陷阱，脈沖光停止后，非平衡少數(shù)載 流子將保持較高濃度并維持相當(dāng)長時(shí)間， 光電導(dǎo)衰減曲線會(huì)出現(xiàn)一條 長長的尾巴。在這段衰減曲線上進(jìn)行測量將錯(cuò)誤的導(dǎo)致壽命值增大。2）表面復(fù)合影響：表面如果處理不好，會(huì)影響少子壽命3）注入量的影響：測量時(shí)試樣電導(dǎo)率條幅必須很小，這樣試樣上電 勢差的衰減才等價(jià)于光生載流子的衰減。4）光生伏特效應(yīng)的影響：試樣電阻率不均勻會(huì)產(chǎn)生衰減信號扭曲的 光電壓光生伏特效應(yīng)。5）光源波長的影響：光生載流子大幅度衰減會(huì)影響曲線的形狀，尤 其在衰減初期使用脈沖光時(shí)，這種現(xiàn)象會(huì)更為顯著。6）電場的影響：如果少數(shù)載流子被電流產(chǎn)生的電場掃描出試樣的一 端，少數(shù)載流子就不會(huì)形成衰減曲線。7）溫度的影響：半導(dǎo)體中雜質(zhì)的復(fù)合特性受溫度強(qiáng)烈影響，控制測 量時(shí)的溫度非常重要，在相同的溫度下進(jìn)行測量才能進(jìn)行比較。8）雜質(zhì)復(fù)合中心的影響：不同的雜質(zhì)中心具有不同的復(fù)合特性，當(dāng) 試