線性電子電路試題

1、浙江省2003年4月高等教育自學(xué)考試線性電子電路試題課程代碼：02340一、填空題(每空1分，共20分)1.利用晶體二極管的_和_特性，可以構(gòu)成整流、穩(wěn)壓、限幅等各種功能電路。2.半導(dǎo)體中，由濃度差引起非平衡載流子運(yùn)動(dòng)，形成_電流，由外加電場引起載流子運(yùn)動(dòng)形成_電流。3.已知某晶體三極管的VBE=0.7V,VCE=1.0V,則該管工作在區(qū)，由_材料制造。4.晶體管工作在放大狀態(tài)時(shí)，其發(fā)射結(jié)的結(jié)電容主要是_電容，集電結(jié)的結(jié)電容主要是_電容。5.通常將反型層稱為增強(qiáng)型MOS管的源區(qū)和漏區(qū)之間的_溝道，其中由_形成的溝道稱為N溝道。6.場效應(yīng)管工作在非飽和區(qū)時(shí)，其ID和VDS之間呈_關(guān)系，故又稱該區(qū)

2、為_。7.在晶體管放大器中，即能放大電壓也能放大電流的是_組態(tài)放大電路；可以放大電壓但不能放大電流的是_組態(tài)放大電路。8.放大電路的失真分為_和_兩大類。9.放大電路中，引入直流負(fù)反饋的作用是_，引入交流負(fù)反饋的目的是改善放大器的_。10.深度負(fù)反饋條件是_，此時(shí)反饋放大器的增益近似等于_。二、單項(xiàng)選擇題(在每小題的四個(gè)備選答案中，選出一個(gè)正確答案，并將正確答案的序號(hào)填在題干的括號(hào)內(nèi)。每小題2分，共20分)1.當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流(      )漂移電流。A.大于      

3、; B.小于       C.等于       D.近似等于2.當(dāng)P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體相接觸時(shí)，在P型和N型半導(dǎo)體交界處，形成一個(gè)區(qū)域，下列的哪種名稱不能描述該區(qū)域?(      )A.阻擋層       B.耗盡層       C.空間電荷區(qū)     &#

4、160; D.突變層3.有四個(gè)晶體三極管：已知它們的電流放大系數(shù)及穿透電流ICEO的值，使用時(shí)選用哪個(gè)更合適?(      )A.=200,ICEO=10A      B.=10,ICEO=0.1AC.=50,ICEO=0.1A      D.=100,ICEO=10A4.常溫下，某晶體三極管在ICQ=1mA處，rbe=1.6K，=50,則 等于(      )。A.200  

5、     B.300       C.400       D.5005.某場效應(yīng)管的IDSS為6mA，而IDQ自漏極流出，大小為8mA，則該管是(      )。A.P溝道結(jié)型管       B.耗盡型PMOS管C.耗盡型NMOS管       D.增強(qiáng)型PMOS管6.

6、場效應(yīng)管工作在放大狀態(tài)時(shí)，其靜態(tài)工作點(diǎn)應(yīng)設(shè)置在輸出特性曲線的(      )。A.非飽和區(qū)       B.飽和區(qū)       C.截止區(qū)       D.擊穿區(qū)7.具有相同參數(shù)的相同放大電路的兩級放大器，在組成它的各個(gè)單級放大器的截止頻率處，總的電壓放大倍數(shù)下降(      )。A.3dB  &#

7、160;    B.6dB       C.20dB       D.9dB8.集成運(yùn)算放大器實(shí)質(zhì)上是一種(      )。A.交流放大器      B.高電壓增益的交流放大器C.高電壓增益的直接耦合放大器      D.高增益的高頻放大器9.多級負(fù)反饋放大電路容易引起自激振蕩的原因是( 

8、     )。A.各級電路的參數(shù)很分散      B.回路增益| |大C.閉環(huán)增益大      D.放大器的級數(shù)少10.負(fù)反饋可以改善放大器的性能，下述哪種說法不準(zhǔn)確?(      )A.減少放大器增益       B.改變輸入電阻       C.改變輸出電阻  &#

9、160;    D.改善噪聲系數(shù)三、簡答題(每小題5分，共15分)1.       設(shè)二極管為理想，試判斷圖三(1)電路中，各二極管是否導(dǎo)通，并求VAO的值。2.       設(shè)圖三(2)所示電路中三極管為硅管，=50，試通過估算判斷它的靜態(tài)工作點(diǎn)位于哪個(gè)區(qū)?3.       在圖三(3)所示電路中，已知MOS管的,VGs(th)=1.0V,試求IDQ,VGSQ,VDSQ的值。四、分析計(jì)

10、算題(每小題9分，共45分)1.放大器電路如圖四(1)所示，已知場效應(yīng)管的gm=2ms,rds忽略不計(jì)，所有電容對交流呈短路。求：(1)電壓放大倍數(shù)Av；(2)輸入電阻Ri和輸出電阻Ro；(3)只考慮CD的影響，求低端轉(zhuǎn)折頻率fL的值。2.差動(dòng)放大電路如圖四(2)所示，已知IEE=1mA，所有管子特性相同，=100,=0,|VA|=100V，求：(1)差模輸入電阻Rid和差模輸出電阻Rod；(2)差模電壓放大倍數(shù)Ad=o/(i1-i2)；(3)由T3管構(gòu)成的恒流源的等效內(nèi)阻ro3.3.電路如圖四(3)所示。(1)采用01輸出時(shí)，該電路屬于何種類型與極性的反饋放大電路?(2)采用02輸出時(shí)，該電

11、路屬于何種類型與極性的反饋放大電路?(3)假設(shè)為深度負(fù)反饋，試求第2種情況下的電壓增益Af=o2/i.4.運(yùn)放電路如圖四(4)所示，各運(yùn)放均為理想，試求(1)03和o(t)及02和03的關(guān)系；(2)寫出o(t)和s(t)之間的關(guān)系式。5  電路如圖四(5)所示，所有運(yùn)放均為理想且最大輸出電壓為±12V，設(shè)i1=i2=0V時(shí)，o=+12V(1)當(dāng)i1=-10V，i2=0V時(shí)，經(jīng)過多少時(shí)間，o由+12V跳變?yōu)?12V?(2)o變成-12V后，i2由0V變?yōu)?15V，求再經(jīng)過多少時(shí)間，o由-12V跳變?yōu)?12V?(3)說明A1、A2各為什么單元電路。 浙江省2003年7

12、月高等教育自學(xué)考試線性電子電路試題課程代碼：02340一、填空題(每小題2分，共20分)1.雜質(zhì)半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是由_產(chǎn)生的，少數(shù)載流子是由_產(chǎn)生的。2.一般而言，擊穿電壓在6V以下的屬于_擊穿，6V以上的主要是_擊穿。3.三極管工作在放大區(qū)時(shí)，各電極之間的電流關(guān)系是IC=_IB，IE=_IC.4.根據(jù)外加電壓的不同，晶體三極管的輸出特性曲線族可劃分為放大區(qū)、區(qū)、飽和區(qū)和_區(qū)。5.已知場效應(yīng)管VGS(th)=4V，當(dāng)VGS=6V時(shí)，ID=1mA，試寫出飽和區(qū)轉(zhuǎn)移特性的表達(dá)式ID=_，當(dāng)VGS=3V時(shí)，ID=_。6.在JFET中，溝道的導(dǎo)電能力受VGS和VDS的控制與MOS管類似，不同的是這

13、種控制是通過改變PN結(jié)_中的_來實(shí)現(xiàn)的。7.放大器中的線性失真可分為_失真和_失真兩類。8.直接耦合放大電路中因溫度變化引起的漂移稱為_。采用電容耦合方式是否存在這種現(xiàn)象?_。9.若希望減小放大電路從信號(hào)源索取的電流，則可采用_負(fù)反饋；若希望負(fù)載變化時(shí)輸出電壓穩(wěn)定，則應(yīng)引入_負(fù)反饋。10.若引入反饋減弱了輸入信號(hào)的作用，使放大倍數(shù)_，這樣的反饋稱為_。二、單項(xiàng)選擇題(在每小題的四個(gè)備選答案中，選出一個(gè)正確答案，并將正確答案的序號(hào)填在題干的括號(hào)內(nèi)。每小題2分，共20分)1.當(dāng)PN結(jié)反向工作時(shí)，其結(jié)電容主要是(     )。  A.勢壘電容

14、0;      B.擴(kuò)散電容  C.平板電容       D.勢壘和擴(kuò)散電容并存2.溫度升高時(shí)，晶體二極管的VD(on)將(     )。  A.增大         B.減小  C.不變         D.近似不變3.晶體管的混合型等效電路模型在下列哪種情

15、況下才能應(yīng)用?(     )  A.小信號(hào)，管子處在飽和區(qū)     B.大信號(hào)，管子處在放大區(qū)  C.小信號(hào)，管子處在放大區(qū)     D.大信號(hào)，管子處在飽和區(qū)4.某晶體三極管的iB從20A變化到40A時(shí)，對應(yīng)的iC從2mA變化到5mA，則該管的等于(     )。  A.100         B.150  C.20

16、0          D.3005.P溝道增強(qiáng)型MOS管工作在飽和區(qū)的條件是(     )。  A.VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th)     B.VGS>V GS(th),VDS<VGS-VGS(th)   C.VGS<VGS(th),VDS>VGS-VGS(th)     D.VGS<VGS(th),V

17、DS<VGS-VGS(th) 6.當(dāng)場效應(yīng)管工作在(     )區(qū)且限制VDS為小值時(shí)，可作為阻值受VGS控制的線性電阻器。  A.飽和       B.截止  C.非飽和       D.擊穿7.在差動(dòng)放大電路中，共模輸入信號(hào)等于兩個(gè)輸入信號(hào)的(     )。  A.和值        B.

18、差值  C.迭加        D.平均值8.多級放大電路放大倍數(shù)的波特圖是(     )。  A.各級波特圖的疊加      B.各級波特圖的乘積  C.各級波特圖中通頻帶最窄者    D.各級波特圖中通頻帶最寬者9.已知某一放大器的A=100，現(xiàn)要求引入反饋以后增益Af=10，問反饋系數(shù)kf應(yīng)為多少?(     )  A.0

19、.01        B.0.05  C.0.09        D.0.10三、簡答題(每小題5分，共15分)1.如圖三(1)所示電路中的二極管為理想，試畫出電路的傳輸特性曲線(v0vi的關(guān)系曲線)，并寫出分析過程。2.設(shè)圖三(2)所示電路中的三極管為硅管，=50，試通過估算判斷它的靜態(tài)工作點(diǎn)位于哪個(gè)區(qū)?3.圖三(3)所示電路中，設(shè)兩管特性相同，T1管的(W/L)是T2管的5倍，=1000cm2/V·S，Cox=3×10-8

20、F/cm2，(W/L)1=10,VGS(th)=2V，求ID2的值。四、分析計(jì)算題(每小題9分，共45分)1.放大電路如圖四(1)所示，已知晶體管的=50,bb=0，電容對交流短路，be=5.2k，ce忽略不計(jì)。試求：(1)放大電路的輸入電阻Ri和輸出電阻R0；(2)電壓增益Av和源電壓增益Avs.2.圖四(2)是高輸入阻抗型場效應(yīng)管差分放大電路，用作高阻型集成運(yùn)放的輸入級。已知gm=2ms，RL=10k，求：(1)差模電壓增益Avd；(2)共模電壓增益Avc，共模抑制比KCMR.3.反饋放大電路的交流通路如圖四(3)所示，試：(1)判別級間反饋的類型；(2)設(shè)滿足深度負(fù)反饋條件，計(jì)算源電壓增

21、益Avfs=v0/vs.4.理想運(yùn)放電路如圖四(4)所示，求v01、v02、v03的值。5.遲滯電壓比較器電路如圖四(5)所示，已知穩(wěn)壓管的VZ=6.3V，VD(on)=0.7V，運(yùn)放的最大輸出電壓為±10V，VREF=3V，試：通過分析，畫出比較特性(v0vi)曲線。浙江省2004年4月高等教育自學(xué)考試線性電子電路試題課程代碼：02340一、填空題(每小題2分，共20分)1.半導(dǎo)體中，由濃度差引起非平衡載流子運(yùn)動(dòng)，形成_電流，由外電場引起載流子運(yùn)動(dòng)，形成_電流。2.PN結(jié)具有電容特性，正偏時(shí)以_電容為主，反偏時(shí)以_電容為主。3.晶體三極管的ICBO是指_極開路的情況下，_的電流。4

22、.已知某三極管VBE=0.7V，VCE=0.3V，則該管工作在_區(qū)，是由_材料制造的。5.MOS管作為開關(guān)應(yīng)用時(shí)，其工作狀態(tài)應(yīng)在_和_之間轉(zhuǎn)換。6.就VGS而言，增強(qiáng)型MOS管是_極性的，而耗盡型MOS管是_極性的。7.多級直接耦合放大電路的兩個(gè)主要問題是_和_。8.放大器輸入信號(hào)為單一頻率正弦波，輸出為非正弦波，這種失真稱為_失真，這時(shí)輸出信號(hào)中將產(chǎn)生_頻率成份。9.反饋量來自放大電路的輸出電壓，而又以電流信號(hào)的形式迭加到放大電路的輸入端，稱此種類型的負(fù)反饋是_。這種反饋可以使放大電路的輸入電阻_。10.設(shè)計(jì)一個(gè)負(fù)反饋放大電路，若要穩(wěn)定輸出電壓，應(yīng)引入_負(fù)反饋，若要穩(wěn)定輸出電流應(yīng)引入_負(fù)反饋

23、。二、單項(xiàng)選擇題(在每小題的四個(gè)備選答案中，選出一個(gè)正確答案，并將正確答案的序號(hào)填在題干的括號(hào)內(nèi)。每小題2分，共20分)1.當(dāng)半導(dǎo)體二極管的反向擊穿電壓小于6V，主要發(fā)生何種擊穿現(xiàn)象?(     )A.雪崩擊穿      B.齊納擊穿C.熱擊穿       D.碰撞擊穿2.一個(gè)硅二極管在正向電壓VD=0.6V時(shí)，正向電流ID為10mA，若VD增大到0.66V(即增加10%)，則電流ID(   &#

24、160; )。A.約為11mA(也增加10%)B.約為20mA(增大1倍)C.約為100mA(增大到原先的10倍)D.仍為10mA(基本不變)3.如果將放大電路中的晶體三極管的基極和發(fā)射極短路，則(     )。A.管子深飽和      B.發(fā)射結(jié)反偏C.管子截止      D.集電結(jié)燒壞4.測得某放大電路中的三極管三個(gè)管腳對地電位分別是2V、2.3V、5V，則可判斷該管的材料和類型是(    

25、)。A.硅、NPN      B.硅、PNPC.鍺、NPN      D.鍺、PNP5.場效應(yīng)管是一種(     )。A.電壓控制器件      B.電流控制器件C.雙極型器件       D.少子工作的器件6.若場效應(yīng)管的偏置電壓VGSQ=1V，則該管不可能是一個(gè)(   

26、60; )。A.P溝道結(jié)型管      B.N溝道結(jié)型管C.P溝道耗盡型MOS管    D.N溝道增強(qiáng)型MOS管7.需設(shè)計(jì)一只單級晶體管放大器，要求輸入電阻很大，輸出電阻小，請選擇(     )。A.共射放大       B.共基放大C.共集放大       D.共源放大8.電容耦合放大電路(  &

27、#160;  )。A.只能放大直流信號(hào)B.只能放大緩變信號(hào)C.只能放大交變信號(hào)D.既能放大直流信號(hào)又能放大交流信號(hào)9.要得到一個(gè)由電流控制的電壓源，應(yīng)選(     )負(fù)反饋形式。A.電壓串聯(lián)       B.電壓并聯(lián)C.電流串聯(lián)       D.電流并聯(lián)10.深度負(fù)反饋電路的放大器增益取決于反饋系數(shù)，與基本放大器的放大倍數(shù)無關(guān)，但基本放大器(     )。A.可以去掉

28、       B.不能去掉 C.不一定        D.并不重要三、簡答題(每小題5分，共15分)1.已知晶體三極管的靜態(tài)工作電流ICQ=1mA，VA=100V，=100，=100，試畫出低頻小信號(hào)混合型等效電路，并求出gm，rbe 、rce的值。2.電路如圖三(2)所示，設(shè)MOS管的Cox(w/l)=40A/V2，VGS(th)=-1V，試求V0和ID的值。3.一電流源電路如圖三(3)所示，設(shè)T1，T2管參數(shù)相同，=100，VBE=-0.6V

29、。若要使IC2=1mA，VC212V，且R1=R2，試確定電阻R1、R2的最大允許值。四、分析計(jì)算題(每小題9分，共45分)1.放大電路如圖四(1)所示，已知三極管的=80,rbe=2.2k，求(1)放大器的輸入電阻Ri；(2)從射極輸出時(shí)的Au2和R02；(3)從集電極輸出時(shí)的Au1和R01。2.放大電路如圖四(2)所示，設(shè)各管的=100，VBE=0.7V，=200。試(1)求T2管的靜態(tài)工作點(diǎn)(ICQ2、VCQ2)；(2)估算放大器的電壓增益Av；(3)求放大器輸出電阻R0。3.放大電路如圖四(3)所示，所有電容對交流視作短路，(1)判斷級間反饋的類型和極性。(2)計(jì)算在深負(fù)反饋條件下，源

30、電壓增益Avfs=v0/vS的表達(dá)式。(3)若要求電路參數(shù)變化時(shí)，電壓放大倍數(shù)基本不變，如何改接反饋電阻RF?并予以說明。4.理想運(yùn)放組成的電路如圖四(4)所示，試求輸出電壓v0與輸入電壓vi的關(guān)系式，并說明A1、A2實(shí)現(xiàn)的功能。5.遲滯比較器電路如圖四(5)所示，二極管為理想器件，(1)畫出比較特性；(2)設(shè)vi=6sint(V)，畫出輸出波形。(畫二個(gè)周期)浙江省2004年7月高等教育自學(xué)考試線性電子電路試題課程代碼：02340一、填空題(每小題1分，共10分)1.半導(dǎo)體是依靠_和空穴兩種載流子導(dǎo)電的。2.PN結(jié)中的反向擊穿現(xiàn)象按物理機(jī)制可分為_和齊納擊穿兩大類。3.當(dāng)晶體三極管工作在發(fā)射

31、結(jié)加_、集電結(jié)加反偏的模式時(shí)，它呈現(xiàn)的主要特性是正向受控作用。4.若測得晶體管的三個(gè)電極電位分別是-5V，-4.7V，-2V，則該管類型是_。5.場效應(yīng)管的飽和區(qū)又稱放大區(qū)，它是溝道_后所對應(yīng)的工作區(qū)。6.MOS管分為_種類型。7.三種基本組態(tài)晶體管放大電路中，共集組態(tài)具有輸入電阻高、輸出電阻_的特點(diǎn)。8.在直接耦合多級放大器中存在著需要解決的兩個(gè)問題：一是級間電平的配合；二是克服_的有害影響。9.放大電路中，要穩(wěn)定輸出電壓，應(yīng)引入_負(fù)反饋。10.反饋放大器是一個(gè)由基本放大器和_構(gòu)成的閉合環(huán)路。二、單項(xiàng)選擇題(在每小題的四個(gè)備選答案中，選出一個(gè)正確答案，并將正確答案的序號(hào)填在題干的括號(hào)內(nèi)。每小

32、題2分，共30分)1. 雜質(zhì)半導(dǎo)體中多數(shù)載流子濃度(      )。A. 與摻雜濃度和溫度無關(guān)         B. 只與摻雜濃度有關(guān)C. 只與溫度有關(guān)                 D. 與摻雜濃度和溫度都有關(guān)2. 半導(dǎo)體二極管是溫度的敏感器件，當(dāng)溫度增加時(shí)，其參數(shù)IS和VD(on)都將發(fā)生變化，試選擇正

33、確答案。(      )。A. IS上升，VD(on)下降              B. IS上升，VD(on)上升C. IS下降，VD(on)下降              D. IS下降，VD(on)上升3. 隨著溫度的升高，晶體三極管的(   

34、0;  )將變小。A.               B. VBE(on)            C. ICBO            D. ICEO4. 晶體管的輸出特性曲線分為四個(gè)區(qū)，請選擇哪個(gè)區(qū)具有基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)?( 

35、60;    )A. 飽和區(qū)              B. 放大區(qū)              C. 截止區(qū)              D. 擊穿區(qū)5. N溝道耗盡型MOS管工作在

36、非飽和區(qū)的條件是(      )。A. VGS>VGS(th), VDS>VGS-VGS(th)B. VGS>VGS(th), VDS<VGS-VGS(th)C. VGS<VGS(th), VDS>VGS-VGS(th)D. VGS<VGS(th), VDS<VGS-VGS(th)6. 以下場效應(yīng)管中哪個(gè)的襯底必須接在電路中的最高電位上?(      )A. P溝道JFET管      &

37、#160;         B. N溝道DMOS管              C. N溝道EMOS管                D. P溝道EMOS管7. 設(shè)計(jì)一只單級放大器，要求輸入阻抗小，輸出阻抗大，請選擇(  

38、    )。A. 共射放大              B. 共基放大              C.共集放大               D. 共源放大8. 差分放大器中

39、，用恒流源替代射極電阻Re是為了(      )。A. 提高Avd            B. 提高Avc         C. 提高KCMR              D. 提高Rod9. 交流負(fù)反饋是指(  

40、;    )。A. 只存在于電容耦合電路中的負(fù)反饋              B. 交流通路中的負(fù)反饋              C. 放大正弦波信號(hào)時(shí)才有的負(fù)反饋D. 變壓器耦合電路中的負(fù)反饋 10. 負(fù)反饋放大電路中，若滿足深度負(fù)反饋條件，則反饋信號(hào)和輸入信號(hào)之間應(yīng)滿足(   

41、;   )。A.  f> i             B.  f i            C.  f< i            D.  f=1/ i11. 純凈半導(dǎo)體中加入+3價(jià)元素后

42、，將形成(      )。A. 電子型半導(dǎo)體              B. 空穴型半導(dǎo)體              C. 雜質(zhì)半導(dǎo)體             

43、   D. 本征半導(dǎo)體12. PNP型晶體三極管工作在截止區(qū)的條件是(      )。A. VBE>0,VCB>0      B. VBE>0,VCB<0C. VBE<0,VCB>0      D. VBE<0,VCB<013. 若已知MOS場效應(yīng)晶體管的IDSS=10mA,VGS(th)=-4V，VGSQ=-2V。則IDQ為(  

44、0;   )。A. 1.5mA              B. 2.0mA              C. 2.5mA              D. 3.0mA14. 理想差分放大器由單端

45、輸出改為雙端輸出時(shí)，其共模抑制比應(yīng)為(      )。A. 無窮大                  B. 為單端輸出時(shí)的一半C. 為單端輸出的2倍         D. 零 15. 對于電壓并聯(lián)負(fù)反饋而言，下列哪個(gè)回答是正確的?(      )。A

46、. 輸入電阻變大，輸出電阻變大B. 輸入電阻變大，輸出電阻變小C. 輸入電阻變小，輸出電阻變大D. 輸入電阻變小，輸出電阻變小三、簡答題(每小題5分，共15分)1判斷圖三(1)電路中各二極管是否導(dǎo)通，并求VAO的值。設(shè)二極管正向?qū)▔航禐?.7V。 2.圖三(2)所示為兩級放大電路，若忽略管子的基極電流，>>1,|VBE(on)|=0.7V,求Ic1,Vc1和Ic2的值。3.圖三(3)所示為某場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性，請說明其屬于何溝道、何種類型?并指出它的VGS(th)或VGS(off)等于何值?(圖中iD的假定正向?yàn)榱鬟M(jìn)漏極)四、分析計(jì)算題(每小題9分，共45分)1.放大電

47、路如圖四(1)所示，已知ICQ=1mA,=100,rbb=0,|VA|=，電容對交流短路，試求：(1)輸入電阻Ri和輸出電阻Ro；(2)電壓增益Av和源電壓增益Avs。2.差分放大電路如圖四(2)所示，已知T1,T2參數(shù)對稱，=100,rbb=0，I=2mA求：(1)T1的靜態(tài)工作點(diǎn)(ICQ1、VCQ1)； (2)差模電壓增益Avd的值；(3)共模抑制比KCMR的值。 3.反饋放大電路的交流通路如圖四(3)所示，試：(1)判別級間反饋的類型；(2)設(shè)電路滿足深度負(fù)反饋條件，計(jì)算電壓增益Avf=vo/vi 4.電路如圖四(4)所示，運(yùn)放A是理想的，已知R2=5k，R3=1k，

48、C1=47F，R1=0.83k(1)若輸入為中頻正弦交流信號(hào)，求中頻增益Avi=vo/vi的值；(2)電路的下限截止頻率fL=? 5.電路如圖四(5)所示，圖中二極管和運(yùn)放均為理想，試通過分析，繪出vovi的關(guān)系曲線，要求寫出分析過程。 浙江省2005年4月高等教育自學(xué)考試線性電子電路試題課程代碼：02340一、填空題(每小題2分，共20分)1.P型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子為_，少數(shù)載流子為_。2.PN結(jié)的反向擊穿有_和_兩種擊穿。3.三極管工作在飽和狀態(tài)時(shí)，其發(fā)射結(jié)_，集電結(jié)_。4.當(dāng)某三極管VBE=0.7V，VCE=0.3V，則該管工作在_區(qū)，集電極電流和基極電流關(guān)系是_。5

49、.場效應(yīng)管的導(dǎo)電過程僅僅取決于_載流子的運(yùn)動(dòng)；因而它又稱做_器件。6.在場效應(yīng)管放大電路中，就VGS而言，_型MOS管是單極性的，而_型MOS管可以是雙極性的。7.放大器的失真分為_失真和_失真兩大類。8.在相同條件下，阻容耦合放大電路的零點(diǎn)漂移_，而直接耦合放大電路的零點(diǎn)漂移_。9.共發(fā)射極放大電路輸出電壓Uo與輸入電壓Ui的相位關(guān)系是_，共基極放大電路輸出電壓Uo與輸入電壓Ui的相位關(guān)系是_。10.設(shè)計(jì)一個(gè)負(fù)反饋放大電路，要使輸入電阻增大應(yīng)引入_型負(fù)反饋，若要穩(wěn)定輸出電壓應(yīng)引入_型負(fù)反饋。二、單項(xiàng)選擇題(在每小題的四個(gè)備選答案中，選出一個(gè)正確答案，并將正確答案的序號(hào)填在題干的括號(hào)內(nèi)。每小題

50、2分，共20分)1.雜質(zhì)半導(dǎo)體中少數(shù)載流子濃度(      )。A.只與溫度有關(guān)                      B.取決于摻雜濃度，幾乎與溫度無關(guān)C.與溫度無關(guān)              

51、          D.與摻雜濃度和溫度都無關(guān)2.判別晶體管是否工作在飽和狀態(tài)，最簡單的是測量(      )。A.IB                            &#

52、160;   B.VCEC.VBE                               D.IC3.若三極管的發(fā)射極電流為1mA，基極電流為20A，則集電極電流為(      )mA。A.0.98  &

53、#160;                           B.1.02C.1.2                     &

54、#160;         D.0.84.場效應(yīng)管是(      )器件。A.電流控制電流                      B.電流控制電壓C.電壓控制電流        

55、;              D.電壓控制電壓5.在差動(dòng)式放大電路中，共模輸入信號(hào)等于兩個(gè)輸入端信號(hào)的(      )。A.和值                        &#

56、160;     B.差值C.平均值                            D.乘積值6.由PNP管組成的共射放大電路，若測得VCEQ=-VCC,-VCC為電源電壓，則可判斷該三極管處于(      )。A.放大狀態(tài)

57、0;                         B.飽和狀態(tài)C.截止?fàn)顟B(tài)                       

58、60;  D.擊穿狀態(tài)7.希望放大器具有大的輸入電阻和穩(wěn)定的輸出電流，應(yīng)引入(      )負(fù)反饋。A.電壓串聯(lián)                          B.電壓并聯(lián)C.電流串聯(lián)        

59、60;                 D.電流并聯(lián)8.共集電極電路信號(hào)從(      )。A.基極輸入，集電極輸出              B.發(fā)射極輸入，集電極輸出C.基極輸入，發(fā)射極輸出     

60、60;        D.發(fā)射極輸入，基極輸出9.集成運(yùn)算放大電路的輸入級通常采用(      )電路。A.共集電極放大                      B.共發(fā)射極放大C.差動(dòng)放大      

61、60;                   D.共基極放大三、簡答題(每小題5分，共15分)1.試分析圖三(1)所示各電路是否能夠放大正弦交流信號(hào)，簡述理由。設(shè)圖中所有電容對交流信號(hào)均可視為短路。 2.電路如圖三(2)所示，已知MOS管的nCox()=250A/V2,VGs(th)=2.0V,試求ID,VGS,VDS的值。 3.圖三(3)所示為某場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性，請說明其屬于何溝道、何種類型?并指出它的VGS(th)或VGS(off)等于何值?(圖中iD的假定正向?yàn)榱鬟M(jìn)漏極) 四、分析計(jì)算題(每小題9分，共45分)1.電路如圖四(1)所示，晶體管的80，rbe=1k。（1）求出Q點(diǎn)；（2）分別求出RL和RL3k時(shí)電路的和Ri；（3）求出Ro。 2.放大電路如圖