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文檔簡介

1、【走向高考】2015屆高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí)(選修3-1)配套課后強化作業(yè)一、選擇題1(2013江蘇調(diào)研)具有下列電子層結(jié)構(gòu)的原子,其對應(yīng)元素一定屬于同一周期的是()A兩種原子的電子層上全部都是s電子B3p能級上只有一個空軌道的原子和3p能級上只有一個未成對電子的原子C最外層電子排布為2s22p6的原子和最外層電子排布為2s22p6的離子D原子核外M層上的s能級和p能級都填滿了電子,而d軌道上尚未有電子的兩種原子解析:此題考查核外電子排布與元素在周期表中位置判斷的關(guān)系。A項中電子層上全部為s電子的有H(1s1),He(1s2),Li(1s22s1),Be(1s22s2),不一定在同一周期;B項中3p

2、能級只有一個空軌道的為1s22s22p63s23p2,只有一個未成對電子的為1s22s22p63s23p1或1s22s22p63s23p5,一定在同一周期;C項中最外層為2s22p6的原子為Ne,離子為2s22p6,可能為陽離子,也可能為陰離子,若為陽離子,則不在同一周期,若為陰離子,則在同一周期;D項電子排布可能為1s22s22p63s23p6或1s22s22p63s23p64s1或1s22s22p63s23p64s2,不一定在同一周期。答案:B2(2013四川卷4)短周期主族元素W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大,W、X原子的最外層電子數(shù)之比為4:3,Z原子比X原子的核外電子數(shù)多4。下列說法

3、正確的是()AW、Y、Z的電負(fù)性大小順序一定是ZYWBW、X、Y、Z的原子半徑大小順序可能是WXYZCY、Z形成的分子的空間構(gòu)型可能是正四面體DWY2分子中鍵與鍵的數(shù)目之比是2:1解析:根據(jù)所給信息和原子的結(jié)構(gòu)推斷出具體的元素,然后根據(jù)具體的元素及其化合物性質(zhì)進行解答。因為原子的最外層電子數(shù)不超過8個,且W、X為主族元素,故W、X的最外層電子數(shù)分別為4和3;結(jié)合Z的電子數(shù)比X多4且W、X、Y、Z原子序數(shù)依次增大可知,W為C元素,則X為Al元素,Z為Cl元素,Y為Si、P、S三種元素中的一種。A.若Y為Si元素,則電負(fù)性ClCSi。B.因為C元素在第二周期,其余三種元素在第三周期,故原子半徑XY

4、ZW。C.若Y為Si元素,SiCl4的空間構(gòu)型為正四面體。D.CS2分子的結(jié)構(gòu)式為S=C=S,一個分子中含有兩個鍵和兩個鍵。答案:C3(2013牛欄山一中高三化學(xué)模擬)元素X、Y、Z的原子序數(shù)之和為36,X、Y在同一周期,X與Z2具有相同的核外電子層結(jié)構(gòu)。下列推測不正確的是()A同周期元素中X的金屬性最強B原子半徑:XY,離子半徑:XZ2C同族元素中Z的氫化物的穩(wěn)定性最高D同周期元素中Y的最高價含氧酸的酸性最強解析:依題意知X為11Na、Z為8O、Y為17Cl。同周期(第三周期中)X(Na)的金屬性最強,A正確。同周期元素從左向右原子半徑減小,原子半徑X(Na)Y(Cl);電子層結(jié)構(gòu)相同的離子

5、,離子半徑隨核電荷數(shù)的增加而減小,離子半徑X(Na)NaLiBNaMg2Al3CMg2NaFDClFF解析:A項,同一主族元素,原子半徑從上到下越來越大;B項,核外電子排布相同的離子,核電荷數(shù)越大,半徑越?。籆項,同理,應(yīng)為Mg2 NaF,F(xiàn)比F多一個電子,故半徑大小為FF。答案:C5下列表達方式或說法正確的是()ACO2的分子模型示意圖:B某元素原子的軌道表示式:Cpp鍵電子云模型:D乙烯分子的球棍模型:解析:A項,CO2為直線形分子,錯誤。B項,不符合洪特規(guī)則,錯誤。D項為比例模型,錯誤。答案:C6(2013陜西模擬)下列說法中正確的是()A第三周期所包含的元素中鈉的原子半徑最小B鈉的第一

6、電離能比鎂的第一電離能大C在所有元素中,氟的電負(fù)性最大D電子云示意圖中的每個小黑點都表示一個電子解析:同一周期,從左到右,原子半徑逐漸減小,第三周期所包含的元素中鈉的原子半徑最大,A錯誤;同一周期,從左到右,雖然有個別特殊的,但總體上元素第一電離能是逐漸增大的,鈉的第一電離能比鎂的第一電離能小,B錯誤;電負(fù)性就是以氟作為標(biāo)準(zhǔn)的,氟的電負(fù)性最大是正確的;電子云示意圖中的小黑點的疏密代表電子在這一區(qū)域出現(xiàn)機會的大小,D不對。答案:C7電負(fù)性的大小也可以作為判斷元素金屬性和非金屬性強弱的尺度。下列關(guān)于電負(fù)性的變化規(guī)律正確的是()A周期表從左到右,元素的電負(fù)性逐漸變大B周期表從上到下,元素的電負(fù)性逐漸

7、變大C電負(fù)性越大,金屬性越強D電負(fù)性越小,非金屬性越強答案:A8(2013盤錦模擬)下表列出了某短周期元素R的各級電離能數(shù)據(jù)(用I1、I2表示,單位為kJmol1)。下列關(guān)于元素R的判斷中一定正確的是()I1I2I3I4R7401 5007 70010 500R的最高正價為3價R元素位于元素周期表中第A族R元素第一電離能大于同周期相鄰元素R元素基態(tài)原子的電子排布式為1s22s2ABCD答案:B9在下面的電子結(jié)構(gòu)中,第一電離能最小的原子可能是()Ans2np3Bns2np5Cns2np4Dns2np6解析:從選項中可以看出:ns2np3、ns2np4、ns2np5、ns2np6屬于同周期元素,且

8、原子序數(shù)依次增大,原子半徑逐漸減小,第一電離能有逐漸增大的趨勢。從原子核外電子排布式來看,A、D項分別達到半充滿和全充滿狀態(tài),穩(wěn)定性較高,第一電離能也較大,排除A、D項;C項易失去一個電子,形成1價陽離子達到半充滿狀態(tài),所以選C。答案:C10(2013安徽卷7)我國科學(xué)家研制出一種催化劑,能在室溫下高效催化空氣中甲醛的氧化,其反應(yīng)如下:HCHOO2CO2H2O。下列有關(guān)說法正確的是()A該反應(yīng)為吸熱反應(yīng)BCO2分子中的化學(xué)鍵為非極性鍵CHCHO分子中既含鍵又含鍵D每生成1.8 g H2O消耗2.24 L O2解析:從題給信息入手分析,結(jié)合原子成鍵特點,在準(zhǔn)確理解相關(guān)概念的前提下進行判斷。A通過

9、分析化學(xué)方程式可知,該反應(yīng)等同于甲醛的燃燒,屬于放熱反應(yīng)。B.CO2的結(jié)構(gòu)式為O=C=O,可見CO2中的共價鍵是由不同元素的原子形成的,屬于極性鍵。C.甲醛中碳原子采取sp2雜化,有三個等同的sp2雜化軌道伸向平面三角形的三個頂點,分別形成3個鍵,一個未參加雜化的p軌道與O原子的2p軌道形成鍵。D.根據(jù)題給化學(xué)方程式可知,每生成1.8 g水消耗0.1 mol氧氣,但由于題中并沒有給出溫度和壓強,所以不能確定氧氣的體積一定為2.24 L。答案:C點撥:知識:吸熱、放熱反應(yīng),化學(xué)鍵類型,原子雜化、鍵和鍵的特點,氣體摩爾體積等。能力:考查在新情境下靈活應(yīng)用上述知識解決新問題的能力。試題難度:中等。1

10、1(2013銀川模擬)現(xiàn)有四種元素的基態(tài)原子的電子排布式如下:1s22s22p63s23p41s22s22p63s23p31s22s22p31s22s22p5則下列有關(guān)比較中正確的是()A第一電離能:B原子半徑:C電負(fù)性:D最高正化合價:解析:四種元素分別為S、P、N、F,第一電離能FN,PS,NP,所以A項正確。原子半徑NF,故B項錯誤。電負(fù)性SP,即,故C項錯誤。F無正化合價,N、S、P最高正化合價分別為5、6、5價,故應(yīng)為,D項錯誤。答案:A12幾種短周期元素的原子半徑及主要化合價如下表:元素代號XYZW原子半徑/pm1601437066主要化合價235、3、32下列敘述正確的是()AX

11、、Y元素的金屬性XAl,A項錯誤;N2和O2在放電的條件下生成NO,B項錯誤;Al的最高價氧化物對應(yīng)的水化物為Al(OH)3,不能溶于稀氨水,C項錯誤;NH3在純氧中燃燒,發(fā)生反應(yīng):4NH33O2=2N26H2O,O2將N2從NH3中置換出來,D項正確。答案:D13A 、B、C、D四種元素,已知A元素是地殼中含量最高的元素;B元素為金屬元素,它的原子核外K、L層上電子數(shù)之和等于M、N層電子數(shù)之和;C元素是第3周期第一電離能最小的元素;D元素在第3周期中第一電離能最大。下列有關(guān)敘述錯誤的是()A四種元素A、B、C、D分別為O、Ca、Na、ArB元素A、B、C兩兩組成的化合物可為CaO、CaO2、

12、Na2O、Na2O2等C元素A、C簡單離子的半徑大小關(guān)系為AC解析:自然界中含量最高的元素為氧;由題意知B元素K層和L層電子數(shù)之和為10,則M層為8個,N層為2個,故B元素為鈣;C元素是第3周期第一電離能最小的元素,為鈉元素;第三周期中第一電離能最大的元素為氬。選項C中,A的簡單離子(O2)和C的簡單離子(Na)具有相同的電子層結(jié)構(gòu),根據(jù)“序大徑小”的規(guī)律知r(O2)r(Na)。答案:C14下列說法錯誤的是()Ans電子的能量不一定高于(n1)p電子的能量B6C的電子排布式1s22s22p違反了洪特規(guī)則C電子排布式(21Sc)1s22s22p63s23p63d3違反了能量最低原理D電子排布式(

13、22Ti)1s22s22p63s23p10違反了泡利原理答案:A二、非選擇題15(2013江蘇模擬)有四種短周期元素它們的結(jié)構(gòu)、性質(zhì)等信息如下表所述:元素結(jié)構(gòu)、性質(zhì)等信息A是短周期中(除稀有氣體外)原子半徑最大的元素,該元素的某種合金是原子反應(yīng)堆的導(dǎo)熱劑BB與A同周期,其最高價氧化物的水化物呈兩性C元素的氣態(tài)氫化物極易溶于水,可用作制冷劑D是海水中除氫、氧元素外含量最多的元素,其單質(zhì)或化合物也是自來水生產(chǎn)過程中常用的消毒殺菌劑請根據(jù)表中信息填寫:(1)A原子的核外電子排布式為_。(2)B元素在周期表中的位置是_;離子半徑:B_A(填“大于”或“小于”)。(3)C原子的電子排布圖是_,其原子核外

14、有_個未成對電子,能量最高的電子為_軌道上的電子,其軌道呈_形。(4)D原子的電子排布式為_,D的結(jié)構(gòu)示意圖是_。(5)B的最高價氧化物對應(yīng)的水化物與A的最高價氧化物對應(yīng)的水化物反應(yīng)的化學(xué)方程式為_;B的最高價氧化物對應(yīng)的水化物與D的氫化物的水溶液反應(yīng)的化學(xué)方程式為_。解析:根據(jù)題中信息可推出:A為Na,B為Al,C為N,D為Cl。(1)A為Na,其核外電子排布式為1s22s22p63s1。(2)B為Al,其在元素周期表中的位置為第3周期第A族,Na與Al3的核外電子排布相同,核電荷數(shù):Al3大于Na,故r(Al3)_(填化學(xué)式),原因是_。(2)X的基態(tài)原子的電子排布圖是_,另一電子排布圖不

15、能作為基態(tài)原子的電子排布圖是因為它不符合_(填序號)。A能量最低原理 B泡利原理C洪特規(guī)則(3)以上五種元素中,_(填元素符號)元素第一電離能最大。(4)由以上某種元素與氫元素組成的三角錐形分子E和由以上某種元素組成的直線形分子G反應(yīng),生成兩種直線形分子L和M(組成E、G、L、M分子的元素原子序數(shù)均小于10),反應(yīng)如圖所示,試寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式是_。答案:(1)NH3PH3氮元素的非金屬性(或電負(fù)性)比磷強(或者是NH鍵的鍵長比PH的短)(2)C(3)Ne(4)2NH33F2=6HFN219(2013全國課標(biāo)37)硅是重要的半導(dǎo)體材料,構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)。回答下列問題:(1)基態(tài)Si

16、原子中,電子占據(jù)的最高能層符號為_,該能層具有的原子軌道數(shù)為_、電子數(shù)為_。(2)硅主要以硅酸鹽、_等化合物的形式存在于地殼中。(3)單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體,其中原子與原子之間以_相結(jié)合,其晶胞中共有8個原子,其中在面心位置貢獻_個原子。(4)單質(zhì)硅可通過甲硅烷(SiH4)分解反應(yīng)來制備。工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為_。(5)碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示,簡要分析和解釋下列有關(guān)事實:化學(xué)鍵CCCHCOSiSiSiHSiO鍵能/(kJmol1)356413336226318452硅與碳同族,也有系列氫化物,但硅烷在種類和數(shù)量上都遠(yuǎn)

17、不如烷烴多,原因是_。SiH4的穩(wěn)定性小于CH4,更易生成氧化物,原因是_。(6)在硅酸鹽中,SiO四面體如下圖(a)通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖(b)為一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根;其中Si原子的雜化形式為_,Si與O的原子數(shù)之比為_,化學(xué)式為_。解析:(1)Si的原子序數(shù)為14,則核外電子數(shù)為14,電子排布式為1s22s22p63s23p2,依據(jù)核外電子能量排布原理,電子由離核近的區(qū)域依次由里向外排布,所以電子占據(jù)的最高能層符號為M,該能層具有的原子軌道為s、p、d軌道,共計9個原子軌道,電子數(shù)為4。(2)硅元素在地殼中的含量居第二位,自然界中硅元素

18、主要以硅酸鹽和二氧化硅的形式存在,無游離態(tài)的硅。(3)結(jié)合金剛石的晶體結(jié)構(gòu),單質(zhì)硅屬于原子晶體,每個硅原子和四個硅原子以共價鍵結(jié)合成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。晶胞結(jié)構(gòu)為面心立方晶胞,在面心上有6個硅原子,每個硅原子為兩個晶胞共有,所以一個晶胞中在面心位置對該晶胞貢獻3個硅原子。(4)反應(yīng)的化學(xué)方程式可依據(jù)原子守恒寫出。Mg2Si和NH4Cl反應(yīng)的產(chǎn)物為SiH4、MgCl2、NH3,反應(yīng)的化學(xué)方程式為Mg2Si4NH4Cl=SiH44NH32MgCl2。(5)依據(jù)圖表中鍵能數(shù)據(jù)分析,CC鍵、CH鍵鍵能大,難斷裂;SiSi鍵、SiH鍵鍵能較小,易斷裂,導(dǎo)致長鏈硅烷難以生成。SiH4穩(wěn)定性小于CH4,更易生成氧化物,是因為CH鍵鍵能大于CO鍵的,CH鍵比CO鍵穩(wěn)定。SiH鍵鍵能遠(yuǎn)小于SiO鍵的,不穩(wěn)定,傾向于形成穩(wěn)定性更強的SiO鍵。(6)依據(jù)圖(a)可知,SiO的結(jié)構(gòu)類似于甲烷分子的結(jié)構(gòu),為正四面體結(jié)構(gòu),Si原子的雜化形式和甲烷分子中碳原子的雜化形式相同,為sp3雜化;圖(b)是一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根,每個結(jié)構(gòu)單元中兩個氧原子與另外兩個結(jié)構(gòu)單元頂角共用,所以每個結(jié)構(gòu)單元含有1個Si原子、3個氧原子,Si原子和

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