曝光機(jī)要點(diǎn)技術(shù)

1、團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge with F Full heartull heart1Team、Speed、QualityText C 報(bào)告者報(bào)告者: :沐俊應(yīng)沐俊應(yīng) 日日 期期:2010.01.28:2010.01.28曝光機(jī)要素技術(shù)曝光機(jī)要素技術(shù)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge with F Full heartull heart2Team、Speed、Quality 曝光過程簡介曝光過程簡介 曝光曝光Recipe詳細(xì)項(xiàng)目詳細(xì)項(xiàng)目 曝光工藝要素曝光工藝要素內(nèi)內(nèi) 容容 團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)

2、隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge with F Full heartull heart3Team、Speed、Quality曝光曝光過程簡介過程簡介LDPAStage進(jìn)進(jìn)入Gap調(diào)調(diào)整Align曝光Stage排出ULD u曝光曝光Cycle顯影機(jī)曝光機(jī)Loader洗凈機(jī)CoaterBMBGRPSUnloaderPost bake團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge with F Full heartull heart4Team、Speed、Quality曝光曝光過程簡介過程簡介uPA過程先在CP (Cooling

3、 Plate)上進(jìn)行PA (Pre-alignment)再用精密Robot將基板轉(zhuǎn)移到曝光stage上CP Stage上有CP/異物感知Sensor (Scan)/ PA三個(gè)功能團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge with F Full heartull heart5Team、Speed、Quality曝光曝光過程簡介過程簡介uGap控制Gap檢出開始位置：glass與 mask之間的gap:700Gap 控制后，誤差范圍:10以內(nèi)露光Gap:100300um團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge

4、with F Full heartull heart6Team、Speed、Quality曝光曝光過程簡介過程簡介uAlignment根據(jù)Photo Mask和 Glass的 Alignment Mark圖像，計(jì)算Mark的相對位置移動Alignment Stage或Photo Mask的位置補(bǔ)正使Mask Mark中心與Glass Mark中心相吻合。 C Challenge with hallenge with F Full heartull heart7橢圓 Mirror :對Lamp的光進(jìn)行集光超高壓 水銀 Lamp平面 Mirror2平面 Mirror1:改變光的路徑平面 Mirro

5、r3球面 Mirror :用平行光調(diào)整路徑MaskGlassFly eye lens: 使照度, 光均一化超高壓 水銀 Lamp : 16KW , 對波長為 365nm_PR有反應(yīng)的波長帶橢圓 Mirror : 集中Lamp的光 用平面 Mirror反射平面 Mirror1, 2, 3 : 使光的路徑發(fā)生改變 用球面Mirror進(jìn)行反射Fly eye lens : 使照度和光變均一球面Mirror : 用平行光調(diào)整光的路徑uUV光路系統(tǒng)光路系統(tǒng)曝光曝光過程簡介過程簡介 C Challenge with hallenge with F Full heartull heart8uUV Lamp管理

6、管理曝光曝光過程簡介過程簡介項(xiàng)項(xiàng)目目定功率定功率 ModeMode定照度定照度 ModeMode電壓電壓vs. vs. 照度照度 ModeMode 說說明明為了將電壓維持在一定程度，補(bǔ)正照度的mode為了將照度維持在一定程度，補(bǔ)正電壓的mode曝光曝光時(shí)間時(shí)間隨著時(shí)間的推移，曝光時(shí)間變長曝光時(shí)間一定，但電壓達(dá)到限定值時(shí)，變成定電壓Mode優(yōu)優(yōu)點(diǎn)點(diǎn)因?yàn)槭褂靡欢ǖ碾妷海虼薼amp使用壽命相對長曝光量無改變要求的話，曝光時(shí)間是相對固定的缺點(diǎn)缺點(diǎn)為了得到固定的曝光量，需要連續(xù)不斷地延長曝光時(shí)間，因此導(dǎo)致tact time延長為了得到固定的曝光量，需要提高電壓，因此lamp的壽命不會長Time照度功率

7、Time功率照度曝光量曝光量= =照度照度時(shí)間時(shí)間團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge with F Full heartull heart9Team、Speed、Quality用Border Shutter控制露光Area用Border Shutter減小Gray Zone遮光遮光 Area光光 AreaAperture X2Aperture X1Aperture Y1Aperture Y2AREA shutterGlass光的 擴(kuò)散成分Gray Zone 形成Border shutter光u曝光曝光Area控制控制曝光曝光過程簡介過程簡介團(tuán)隊(duì)

8、、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge with F Full heartull heart10Team、Speed、QualityPhoto InitiatorMonomer+ O II R-C-R” 光引光引發(fā)劑發(fā)劑曝光曝光(hv) O II R-C + R”光引光引發(fā)劑發(fā)劑的的RadicalRadical化化光引光引發(fā)劑發(fā)劑的的RadicalRadical基基團(tuán)團(tuán)RCCHOCH2nmonomermonomerRRCCHOCH2nX-Linked PolymerX-Linked PolymerONNCH3CH3OI-369NNNOOCl3CCl3C

9、TAZ-PPCH3SOCH3CH3NOI-907SC2H5C2H5ODETX-SONNCH3CH3OI-369NNNOOCl3CCl3CTAZ-PPCH3SOCH3CH3NOI-907SC2H5C2H5ODETX-Su光化學(xué)反應(yīng)光化學(xué)反應(yīng)曝光曝光過程簡介過程簡介團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge with F Full heartull heart11Team、Speed、Quality曝光曝光 Recipe 詳細(xì)項(xiàng)目詳細(xì)項(xiàng)目(1)Data名Process Data 名File管理的名稱與 sequence信息的輸入comment製品輸入關(guān)于產(chǎn)

10、品 Code,產(chǎn)品的Cell size的信息Photo Mask 名輸入Photo Mask的信息(2)曝光 mode露光 SequenceFirst曝光與Alignment曝光的選擇. First 曝光制作BM基板時(shí)使用. 沒有Alignment mark , Pre alignment 時(shí)，決定BM的位置精度 Alignment 曝光RGB 曝光時(shí)使用. BM基板mark與基準(zhǔn)Mask進(jìn)行對位 (3) 基板信息輸入基板Size和基板厚度信息. Glass基板 Size以此信息為基礎(chǔ)，決定Pre alignment sensor 移動位置, Glass基板膜厚Gap sensor位置.團(tuán)隊(duì)、

11、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge with F Full heartull heart12Team、Speed、Quality曝光曝光 Recipe 詳細(xì)項(xiàng)目詳細(xì)項(xiàng)目(4)曝光信息曝光 mode積算與時(shí)間的選擇 . 如選擇積算，則會測定lamp照度, 計(jì)算曝光時(shí)間control shutter，使其達(dá)到已輸入的曝光量選擇時(shí)間的話，會按照輸入的時(shí)間讓shutter移動 定照度曝光，最初會使用一定程度的電壓，如果照度降低的話會再提高電壓曝光量輸入曝光 energy . Alignment gap輸入基板與Mask的 Gap. 曝光 gapGap窄的話，

12、pattern會明顯, 但容易引起異物與Mask fume引起的接觸性不良Gap寬的話，pattern會皺起來，但Mask fume引起的不良會變少.Gap tolerance (5) AlignmentFirst 曝光時(shí)Offset x進(jìn)行Mask mark位置登陸時(shí)，不使用。Offset y制作基準(zhǔn)Mask時(shí)，利用位置精度的差異. Offset 團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge with F Full heartull heart13Team、Speed、Quality反射Alignment mark確認(rèn)用的顯微鏡光源方向. 透過Posi

13、 resist的情況下，利用發(fā)射光（因?yàn)榛迨墙饘倩澹〢lignment 臨界值設(shè)定Alignment mark檢出的 oscilloscope檢出范圍. Alignment 曝光時(shí)torreranceBM的 Alignment mark與 Mask Alignment mark間距離的允許值Pitch tolerancePhoto Mask的 Alignment mark允許值開始位置Gap 允許值BM的 Alignment mark與 Photo Mask的alignment mark的error 允許值Offset x改善BM 基板上位置間隔的正確度Offset yOffset 反射A

14、lignment mark確認(rèn)用的顯微鏡光源方向. 透過Posi resist的情況下，利用發(fā)射光（因?yàn)榛迨墙饘倩澹〢lignment 臨界值設(shè)定Alignment mark檢出的 oscilloscope檢出范圍. 曝光曝光 Recipe 詳細(xì)項(xiàng)目詳細(xì)項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge with F Full heartull heart14Team、Speed、Quality(6)光學(xué) 檢出Photo Mask 檢出 side 自動設(shè)定Glass 基板 檢出 sidePA照明 設(shè)定檢出光量(7)其他Loading 時(shí)間設(shè)置曝光前 冷

15、卻時(shí)間Loader上的停滯時(shí)間 曝光前 停滯時(shí)間Mask加熱時(shí)間Mask膨脹 安全用加熱shot基板處理 時(shí)間 Mask膨脹 安全用dummy shot 間隔曝光曝光 Recipe 詳細(xì)項(xiàng)目詳細(xì)項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge with F Full heartull heart15Team、Speed、Quality1) 17” model1) 17” model的的 曝光曝光 Offset Offset Review Station (Stage Review Station (Stage 移移動動坐坐標(biāo)標(biāo)基準(zhǔn)基準(zhǔn)) )2) 19”

16、model2) 19” model的曝光的曝光 Offset Offset Review Station (StageReview Station (Stage移動坐標(biāo)基準(zhǔn)移動坐標(biāo)基準(zhǔn)) )曝光機(jī)內(nèi)部（stage坐標(biāo)）曝光機(jī)內(nèi)部（stage坐標(biāo)）曝光工藝要素技術(shù)曝光工藝要素技術(shù) Offset調(diào)整調(diào)整團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge with F Full heartull heart16Team、Speed、QualityTP是表示是表示Glass基板內(nèi)基板內(nèi)Cell 的配置的特性值的配置的特性值. -與 TFT基板 Assay時(shí) Cell

17、位置要一致. - Cell 位置偏離時(shí) 有光 Leak 不良 Issue發(fā)生.CellCell形形態(tài)態(tài)及及 T P MarT P Mark k 位置位置T P Mark T P Mark 形形態(tài)態(tài)GlassGlass內(nèi)內(nèi) 所有所有 CellCell光 LeakNormal曝光工藝要素技術(shù)曝光工藝要素技術(shù) Total Pitch團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge with F Full heartull heart17Team、Speed、QualityTotal pitch是由 Photo Mask和基板膨脹差異產(chǎn)生的，在BM曝光機(jī)里要補(bǔ)正to

18、tal pitch和歪曲，使之與品質(zhì)規(guī)格一致。23.022.523.5曝光工藝要素技術(shù)曝光工藝要素技術(shù)Total Pitch團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge with F Full heartull heart18Team、Speed、Quality時(shí)間時(shí)間maskTMask加熱時(shí)間加熱時(shí)間曝光機(jī)溫度管理項(xiàng)目主要為CP、Stage、Chamber、Mask的溫度固定Mask溫度，調(diào)整CP/Stage/Chamber溫度，使TP值達(dá)到水平曝光前，會對mask進(jìn)行加熱至穩(wěn)定溫度，確保曝光過程中Mask不升溫。曝光工藝要素技術(shù)曝光工藝要素技術(shù) To

19、tal Pitch團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge with F Full heartull heart19Team、Speed、Quality1Shot1Shot2Shot2Shot3Shot3Shot (0,0)(0,0)6Shot6Shot5Shot5Shot4Shot4Shot基準(zhǔn)點(diǎn)及原點(diǎn)基準(zhǔn)點(diǎn)及原點(diǎn)TP SpecTP Spec1Cell1Cell2Cell2Cell3Cell3Cell6Cell6Cell5Cell5Cell4Cell4Cell各各4 4邊設(shè)計(jì)值對邊設(shè)計(jì)值對比比: : 3.53.5各各 CellCell別別 4poi

20、nt 4point 設(shè)計(jì)值對設(shè)計(jì)值對比比 : : 3.03.0 3.03.0測定原點(diǎn)測定基準(zhǔn)線曝光工藝要素技術(shù)曝光工藝要素技術(shù)Shot位置偏差位置偏差團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge with F Full heartull heart20Team、Speed、Qualityshot1shot2shot3shot6shot5shot4Shot位置偏差的應(yīng)對措施 - Stage Offset調(diào)整（ Stage位置調(diào)整（100um大幅調(diào)整）：對glass各個(gè)Panel的中心坐標(biāo)進(jìn)行修改，從而改變panel間相對位置shot1shot2shot3s

21、hot6shot5shot4曝光工藝要素技術(shù)曝光工藝要素技術(shù)Shot位置偏差位置偏差團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge with F Full heartull heart21Team、Speed、Quality從Glass Edge到 BM 邊緣的距離, 從Glass上面 可看到整個(gè)Shot 的模樣. - 位置精度偏離可能引起與TFT 基板 Assay 時(shí) Cell位置發(fā)生偏離的現(xiàn)象. - 各號機(jī)間發(fā)生200um 以上的差異時(shí) 在BGR, PS 曝光機(jī)中 Alignment Error 多發(fā), 各號機(jī)間偏差較大時(shí)會發(fā)生BGR Miss Ali

22、gn.H1H2V1V2H: HorizontalH: HorizontalV: VerticalV: VerticalSpecSpecH HV V一般0.4mm0.4mmLine 進(jìn)行時(shí)0.3mm0.3mm各號機(jī)間偏差0.15mm0.15mm曝光工藝要素技術(shù)曝光工藝要素技術(shù)位置精度位置精度團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge with F Full heartull heart22Team、Speed、Quality只需調(diào)節(jié)Shot1的Offset，使得位置精度達(dá)到規(guī)格要求。曝光工藝要素技術(shù)曝光工藝要素技術(shù)位置精度位置精度團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速

23、度、品質(zhì) C Challenge with hallenge with F Full heartull heart23Team、Speed、Quality BM CD作用為區(qū)隔BGR之間的領(lǐng)域 光不透過的領(lǐng)域 - BM 領(lǐng)域 ( CD )寬度 會影響到色度 (Chromaticity)因此 設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)應(yīng)考慮到此問題. BM CD 領(lǐng)域的大小可能會引起B(yǎng)GR Overlay 及 光Leak不良的發(fā)生. BM CD (Critical Dimension)BM CD (Critical Dimension)實(shí)際實(shí)際 BM Pattern BM Pattern 及及 SEMSEM圖圖片片 曝光工藝要

24、素技術(shù)曝光工藝要素技術(shù)CD團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge with F Full heartull heart24Team、Speed、Quality一般比起Gap，更多的是調(diào)整曝光量，使BM, RGB 所有值均與設(shè)定值一致?？紤]到Tact time在調(diào)整曝光量后，通過變更顯影時(shí)間來調(diào)整線幅。28293026曝光量高101112131415167090110130150170190線幅（m）露光量(mj）露光量vs.線幅曝光工藝要素技術(shù)曝光工藝要素技術(shù)CD團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge

25、with F Full heartull heart25Team、Speed、QualityResistResist200um200um250um250um300um300um350um350umYB-782YB-78282.782.784.987.690.4YG-782YG-78279.282.282.285.588.7YR-783YR-78380.9838387.189.6200 um200 um250 um250 um300 um300 um350 um350 umBLUBLUGRNGRNREDRED曝光工藝要素技術(shù)曝光工藝要素技術(shù)CD團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challen

26、ge with hallenge with F Full heartull heart26Team、Speed、QualityResistResist40mJ40mJ70mJ70mJ100mJ100mJ130mJ130mJYB-782YB-78292.3 94.2 94.3 94.7 YG-783YG-78389.3 89.0 89.3 90.1 YR-784YR-78488.6 89.7 88.3 91.1 90mJ90mJ110mJ110mJ130mJ130mJ150mJ150mJBLUBLUGRNGRNREDREDRGB Resist RGB Resist 都在都在 90mJ90mJ以上

27、以上時(shí)時(shí) Pattern Pattern 狀態(tài)狀態(tài)良好良好. . 只是只是 BLUBLU的情的情況況 在在130mJ130mJ以下以下時(shí)時(shí) EdgeEdge線線 呈呈現(xiàn)現(xiàn)不均一的模不均一的模樣樣曝光工藝要素技術(shù)曝光工藝要素技術(shù)CD團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge with F Full heartull heart27Team、Speed、Quality 管理Pattern在 BM 上是否穩(wěn)定. Pattern向一方位置傾斜時(shí) 發(fā)生漏光或者與旁邊的Pattern重疊，成為Mura曝光工藝要素技術(shù)曝光工藝要素技術(shù)BGR Pattern Over

28、lay 團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge with F Full heartull heart28Team、Speed、Quality 3 SHOT4 SHOT2 SHOT1 SHOT- - 曝光機(jī)曝光機(jī) ShotShot別別 角落角落 4 4部分部分測測定定 -利用利用 Review ImageReview Image X50X50在在測測定地點(diǎn)定地點(diǎn) Margin Margin測測定定較較少部分少部分BGR Pattern Overlay BGR Pattern Overlay 測測定位置及方法定位置及方法曝光工藝要素技術(shù)曝光工藝要素技術(shù)

29、BGR Pattern Overlay 團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge with F Full heartull heart29Team、Speed、Quality通過stage offset調(diào)整, 修正OverlayAB曝光工藝要素技術(shù)曝光工藝要素技術(shù)BGR Pattern Overlay 團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge with F Full heartull heart30Team、Speed、QualityABBAABBA23CABBA23.5CGlass 中心22.5C曝光工藝

30、要素技術(shù)曝光工藝要素技術(shù)BGR Pattern Overlay 通過溫度調(diào)整, 修正Overlay團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge with F Full heartull heart31Team、Speed、Quality1) 1) 曝光機(jī)的光曝光機(jī)的光譜譜波長(nm)光相對強(qiáng)度(%)波長(nm)光相對強(qiáng)度 (%)300mm400mm 300mm400mm 基板用基板用lenslens200mm200mm 200mm200mm 基板用基板用lenslens2) 2) 曝光量及照度曝光量及照度實(shí)測值實(shí)測值區(qū)區(qū)分分設(shè)設(shè)定定值值實(shí)測值實(shí)測值Fil

31、terFilter-無UV-31UV-33UV-35曝光量曝光量(mJ/cm(mJ/cm2 2) )5055.950.849.242.4100108.597.494.681.3150160.3144.7139.8122.1照度照度-19.317.216.714.3300mm400mm 300mm400mm 基板用基板用LENSLENS區(qū)區(qū)分分設(shè)設(shè)定定值值實(shí)測值實(shí)測值FilterFilter-無UV-31UV-33UV-35曝光量曝光量(mJ/cm(mJ/cm2 2) )5052.847.946.640.7100103.093.391.879.2150151.1138.3134.1117.3照度

32、照度-31.829.028.124.5200mm200mm200mm200mm基板用基板用LENSLENS303nm303nmj-Line 3j-Line 31313334nm334nmi-Linei-Lineh-Lineh-Lineg-Lineg-Line無filter無filter曝光工藝要素技術(shù)曝光工藝要素技術(shù)曝光對曝光對 PS的的 影響影響團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge with F Full heartull heart32Team、Speed、Quality3) 3) 波波長長 vs. PS vs. PS 高度高度未使用曝光工藝

33、要素技術(shù)曝光工藝要素技術(shù)曝光對曝光對 PS的的 影響影響團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge with F Full heartull heart33Team、Speed、Quality4) 4) 顯顯影后影后 PS PS 形象形象未使用未使用照度使用Filter曝光工藝要素技術(shù)曝光工藝要素技術(shù)曝光對曝光對 PS的的 影響影響團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge with F Full heartull heart34Team、Speed、Quality Air Bubble Air Bubble

34、原因原因 : Assay: Assay時(shí)時(shí) 液晶不足液晶不足 C/F C/F 基板和基板和 TFT TFT 基板之基板之間間形成空形成空間間 PS PS 高度比基準(zhǔn)高度高高度比基準(zhǔn)高度高時(shí)時(shí) 措施措施 : : 減減少少Coater Coater 吐出量吐出量 縮縮短曝光短曝光 Gap Gap Post-Bake Post-Bake 再再進(jìn)進(jìn)行行 重力不良重力不良 原因原因: Assay: Assay時(shí)時(shí) 液晶量液晶量過過多多 C/F C/F 基板和基板和 TFT TFT 基板之基板之間間 SwellingSwelling引起引起. . PS PS 高度比基準(zhǔn)高度低高度比基準(zhǔn)高度低 措施措施:

35、: 增加增加Coater Coater 吐出量吐出量 拉大拉大 曝光曝光GapGap 由由PS Height PS Height 變化引起的變化引起的 液晶不良的發(fā)生液晶不良的發(fā)生 曝光工藝要素技術(shù)曝光工藝要素技術(shù) PS高度及高度及Size團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge with F Full heartull heart35Team、Speed、Quality1 12 23 34 45 56 67 78 89 91111121210100.2m0.4mTop DxBottom Dx PS PS 高度高度 測測定方法定方法 在在Blue &

36、amp; Red Pattern BaseBlue & Red Pattern Base上上測測定定PS PS 高度高度 PS Size PS Size 測測定方法定方法 計(jì)計(jì)算算PS PS 高度高度 結(jié)結(jié)合高度合高度%進(jìn)進(jìn)行行Size Size 測測定定 PS PS 高度及高度及 Size Size 測測定位置定位置 PS PS 測測定位置定位置 按照按照 CellCell別別 存在差存在差異異 Cell Cell 多多 -每每 Cell 1 PointCell 1 Point Cell Cell 小小 - - 每每Cell 23 Point Cell 23 Point Cell C

37、ell 工程工程 Recipe Recipe 協(xié)議協(xié)議 預(yù)預(yù)定定 曝光工藝要素技術(shù)曝光工藝要素技術(shù) PS高度及高度及Size團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì)團(tuán)隊(duì)、速度、品質(zhì) C Challenge with hallenge with F Full heartull heart36Team、Speed、Quality 根據(jù)根據(jù)PS PS 位置精度位置精度 有可能影有可能影響響PS PS 高度的高度的變變化化 作作為為支持支持 TFT / CFTFT / CF的的 隔隔墊墊物物 如位置不準(zhǔn)確如位置不準(zhǔn)確 會會使使TFT TFT 信信號號 LINELINE發(fā)發(fā)生生問題問題3 SHOT4 SHOT2 SHOT1 SHOTY : 29.753umX : 18.753um PS PS 位置位置 測測定定 位置位置 曝光機(jī)曝光機(jī) ShotShot別別 測測定角落定角落 4 4部分部分 PS PS 位置位置 測測定定