自貢IGBT項目策劃方案_模板范本

1、CMC·泓域咨詢 /自貢IGBT項目策劃方案自貢IGBT項目策劃方案xx集團有限公司目錄第一章 項目總論10一、 項目名稱及投資人10二、 編制原則10三、 編制依據(jù)10四、 編制范圍及內(nèi)容11五、 項目建設(shè)背景11六、 深化改革擴大開放積蓄發(fā)展新動能12七、 結(jié)論分析13主要經(jīng)濟指標一覽表15第二章 建設(shè)單位基本情況18一、 公司基本信息18二、 公司簡介18三、 公司競爭優(yōu)勢19四、 公司主要財務(wù)數(shù)據(jù)21公司合并資產(chǎn)負債表主要數(shù)據(jù)21公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)21五、 核心人員介紹22六、 經(jīng)營宗旨23七、 公司發(fā)展規(guī)劃23第三章 項目投資背景分析25一、 模塊封裝為核心競爭力之一，

2、適用于各種高電壓場景25二、 IGBT結(jié)構(gòu)不斷升級，協(xié)同第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新26三、 主動服務(wù)國家戰(zhàn)略融入新發(fā)展格局30四、 項目實施的必要性32第四章 行業(yè)發(fā)展分析34一、 制造工藝正從8英寸晶圓朝向12英寸升級迭代34二、 電動化+數(shù)字互聯(lián)帶動功率模擬芯片、控制芯片、傳感器需求提升35三、 家電行業(yè)是IGBT器件的穩(wěn)定市場36第五章 建筑物技術(shù)方案38一、 項目工程設(shè)計總體要求38二、 建設(shè)方案39三、 建筑工程建設(shè)指標42建筑工程投資一覽表43第六章 產(chǎn)品方案與建設(shè)規(guī)劃44一、 建設(shè)規(guī)模及主要建設(shè)內(nèi)容44二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領(lǐng)44產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表45第七章 選址方案分析46一、

3、項目選址原則46二、 建設(shè)區(qū)基本情況46三、 大力培育創(chuàng)新驅(qū)動新優(yōu)勢51四、 打造產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展新高地53五、 優(yōu)化完善基礎(chǔ)設(shè)施新布局56第八章 運營模式59一、 公司經(jīng)營宗旨59二、 公司的目標、主要職責59三、 各部門職責及權(quán)限60四、 財務(wù)會計制度63五、 新能源應(yīng)用驅(qū)動IGBT快速增長66六、 國內(nèi)IGBT企業(yè)實現(xiàn)0-1突破，緊抓缺貨朝下國產(chǎn)化機遇69七、 工控領(lǐng)域及電源行業(yè)支撐IGBT穩(wěn)定發(fā)展71八、 新能源發(fā)電為IGBT帶來持續(xù)發(fā)展動力72第九章 法人治理74一、 股東權(quán)利及義務(wù)74二、 董事76三、 高級管理人員80四、 監(jiān)事82第十章 SWOT分析84一、 優(yōu)勢分析（S）84二、

4、 劣勢分析（W）86三、 機會分析（O）86四、 威脅分析（T）88第十一章 工藝技術(shù)設(shè)計及設(shè)備選型方案96一、 企業(yè)技術(shù)研發(fā)分析96二、 項目技術(shù)工藝分析99三、 質(zhì)量管理100四、 設(shè)備選型方案101主要設(shè)備購置一覽表101第十二章 進度實施計劃103一、 項目進度安排103項目實施進度計劃一覽表103二、 項目實施保障措施104第十三章 原材料及成品管理105一、 項目建設(shè)期原輔材料供應(yīng)情況105二、 項目運營期原輔材料供應(yīng)及質(zhì)量管理105第十四章 節(jié)能可行性分析107一、 項目節(jié)能概述107二、 能源消費種類和數(shù)量分析108能耗分析一覽表108三、 項目節(jié)能措施109四、 節(jié)能綜合評價

5、111第十五章 投資方案分析112一、 編制說明112二、 建設(shè)投資112建筑工程投資一覽表113主要設(shè)備購置一覽表114建設(shè)投資估算表115三、 建設(shè)期利息116建設(shè)期利息估算表116固定資產(chǎn)投資估算表117四、 流動資金118流動資金估算表118五、 項目總投資119總投資及構(gòu)成一覽表120六、 資金籌措與投資計劃120項目投資計劃與資金籌措一覽表121第十六章 項目經(jīng)濟效益評價122一、 基本假設(shè)及基礎(chǔ)參數(shù)選取122二、 經(jīng)濟評價財務(wù)測算122營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表122綜合總成本費用估算表124利潤及利潤分配表126三、 項目盈利能力分析126項目投資現(xiàn)金流量表128四、

6、財務(wù)生存能力分析129五、 償債能力分析129借款還本付息計劃表131六、 經(jīng)濟評價結(jié)論131第十七章 項目招標、投標分析132一、 項目招標依據(jù)132二、 項目招標范圍132三、 招標要求132四、 招標組織方式133五、 招標信息發(fā)布134第十八章 總結(jié)分析136第十九章 附表138主要經(jīng)濟指標一覽表138建設(shè)投資估算表139建設(shè)期利息估算表140固定資產(chǎn)投資估算表141流動資金估算表141總投資及構(gòu)成一覽表142項目投資計劃與資金籌措一覽表143營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表144綜合總成本費用估算表145利潤及利潤分配表146項目投資現(xiàn)金流量表147借款還本付息計劃表148報告說明

7、IGBT擁有柵極G（Gate）、集電極C（Collector）和發(fā)射極E（Emitter），其開通和關(guān)斷由柵極和發(fā)射極間的電壓UGE決定；在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通。IGBT結(jié)合了TMOSFET與與TBJT的優(yōu)勢。IGBT結(jié)合了MOSFET與BJT的優(yōu)點，既有MOSFET的開關(guān)速度快，輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動電路簡單、開關(guān)損耗小的優(yōu)點，又有BJT導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點，此外為了提升IGBT耐壓，減小拖尾電流，結(jié)構(gòu)相對復(fù)雜。IGBT被各類下游市場廣泛使用，是電力電子領(lǐng)域較為理想的開關(guān)器件。根據(jù)謹慎財務(wù)估算

8、，項目總投資13094.08萬元，其中：建設(shè)投資10622.60萬元，占項目總投資的81.13%；建設(shè)期利息247.85萬元，占項目總投資的1.89%；流動資金2223.63萬元，占項目總投資的16.98%。項目正常運營每年營業(yè)收入25200.00萬元，綜合總成本費用21476.70萬元，凈利潤2714.95萬元，財務(wù)內(nèi)部收益率14.17%，財務(wù)凈現(xiàn)值1626.90萬元，全部投資回收期6.77年。本期項目具有較強的財務(wù)盈利能力，其財務(wù)凈現(xiàn)值良好，投資回收期合理。第三代半導(dǎo)體物理特性相較于iSi在工作頻率、抗高溫和抗高壓具備較強的優(yōu)勢。半導(dǎo)體材料領(lǐng)域至今經(jīng)歷了多個發(fā)展階段，相較而言，第三代半導(dǎo)體

9、在工作頻率、抗高溫和抗高壓等方面更具優(yōu)勢。第一代半導(dǎo)體材料主要包括硅（Si）和鍺（Ge），于20世紀40年代開始登上舞臺，目前主要應(yīng)用于大規(guī)模集成電路中。但硅材料的禁帶寬度窄、電子遷移率低，且屬于間接帶隙結(jié)構(gòu)，在光電子器件和高頻高功率器件的應(yīng)用上存在較大瓶頸，因此其性能已難以滿足高功率和高頻器件的需求。綜上所述，本項目能夠充分利用現(xiàn)有設(shè)施，屬于投資合理、見效快、回報高項目；擬建項目交通條件好；供電供水條件好，因而其建設(shè)條件有明顯優(yōu)勢。項目符合國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略思想，有利于行業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整。本報告基于可信的公開資料，參考行業(yè)研究模型，旨在對項目進行合理的邏輯分析研究。本報告僅作為投資參考或作為參考范

10、文模板用途。第一章 項目總論一、 項目名稱及投資人（一）項目名稱自貢IGBT項目（二）項目投資人xx集團有限公司（三）建設(shè)地點本期項目選址位于xx。二、 編制原則為實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的目標，報告確定按如下原則編制：1、認真貫徹國家和地方產(chǎn)業(yè)發(fā)展的總體思路：資源綜合利用、節(jié)約能源、提高社會效益和經(jīng)濟效益。2、嚴格執(zhí)行國家、地方及主管部門制定的環(huán)保、職業(yè)安全衛(wèi)生、消防和節(jié)能設(shè)計規(guī)定、規(guī)范及標準。3、積極采用新工藝、新技術(shù)，在保證產(chǎn)品質(zhì)量的同時，力求節(jié)能降耗。4、堅持可持續(xù)發(fā)展原則。三、 編制依據(jù)1、中國制造2025；2、促進中小企業(yè)發(fā)展規(guī)劃；3、中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2

11、035年遠景目標綱要；4、關(guān)于實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展的相關(guān)政策；5、項目建設(shè)單位提供的相關(guān)技術(shù)參數(shù)；6、相關(guān)產(chǎn)業(yè)調(diào)研、市場分析等公開信息。四、 編制范圍及內(nèi)容1、對項目提出的背景、建設(shè)必要性、市場前景分析；2、對產(chǎn)品方案、工藝流程、技術(shù)水平進行論述，確定建設(shè)規(guī)模；3、對項目建設(shè)條件、場地、原料供應(yīng)及交通運輸條件的評價；4、對項目的總圖運輸、公用工程等技術(shù)方案進行研究；5、對項目消防、環(huán)境保護、勞動安全衛(wèi)生和節(jié)能措施的評價；6、對項目實施進度和勞動定員的確定；7、投資估算和資金籌措和經(jīng)濟效益評價；8、提出本項目的研究工作結(jié)論。五、 項目建設(shè)背景高密度、高可靠性、更好的集成散熱功能是IGBT未來發(fā)

12、展趨勢。英飛凌作為全球IGBT龍頭企業(yè)，產(chǎn)品技術(shù)已成為本土廠商的對標。截至2021年，英飛凌產(chǎn)品已迭代至第七代。其中，第五代與第六代均屬于第四代的優(yōu)化版（第五代屬于大功率版第四代，第六代屬于高頻版第四代）。IGBT器件需要承受高電壓和大電流，對于穩(wěn)定性、可靠性要求較高。未來，IGBT會朝著更小尺寸、更大晶圓、更薄厚度發(fā)展，并通過成本、功率密度、結(jié)溫、可靠性等方面的提升來實現(xiàn)整個芯片結(jié)束的進步。此外，IGBT模塊的未來趨勢也將朝著更高的熱導(dǎo)率材料、更厚的覆銅層、更好的集成散熱功能和更高的可靠性發(fā)展。六、 深化改革擴大開放積蓄發(fā)展新動能高標準編制建設(shè)新時代深化改革擴大開放示范城市總體方案，落實經(jīng)濟

13、、社會等重點領(lǐng)域改革部署要求，加快老工業(yè)基地改革創(chuàng)新和轉(zhuǎn)型升級，探索新時代推動高質(zhì)量發(fā)展、建設(shè)現(xiàn)代化經(jīng)濟體系的新路徑。聚力要素市場化配置改革。圍繞建設(shè)高標準市場體系，統(tǒng)籌推進財稅、金融、產(chǎn)權(quán)制度等經(jīng)濟領(lǐng)域重點改革。探索建立健全城鄉(xiāng)統(tǒng)一的建設(shè)用地市場，落實城鄉(xiāng)建設(shè)用地增減掛鉤節(jié)余指標在區(qū)域內(nèi)調(diào)劑、探索與長三角地區(qū)跨區(qū)域交易政策。爭取國家或省上授權(quán)、委托行使用地審批權(quán)。探索工業(yè)項目標準地出讓。探索土地用途轉(zhuǎn)用模式，推進城鎮(zhèn)低效用地再開發(fā)，探索混合產(chǎn)業(yè)用地供給和點狀供地模式，允許不同產(chǎn)業(yè)用地類型依法合理轉(zhuǎn)換。健全統(tǒng)一規(guī)范的人力資源市場體系，推動人力資源資本化。推動跨地區(qū)跨部門間數(shù)據(jù)交換共享。完善財政

14、金融互動政策體系，建立健全金融有效支持實體經(jīng)濟的體制機制，培育區(qū)域性金融要素交易市場和金融中介服務(wù)體系，增強金融普惠性，提高直接融資比重。推進能源、公用事業(yè)等行業(yè)競爭性環(huán)節(jié)市場化改革。持續(xù)深化低空空域協(xié)同管理改革。深化資源開發(fā)利益共享機制，加大資源開發(fā)就地轉(zhuǎn)化力度。構(gòu)建現(xiàn)代化統(tǒng)計體系。更大力度推進高水平開放合作。高標準建設(shè)四川自貿(mào)試驗區(qū)協(xié)同改革先行區(qū)，全面參與川渝自貿(mào)試驗區(qū)協(xié)同開放示范區(qū)建設(shè)。高水平建設(shè)國家外貿(mào)轉(zhuǎn)型升級基地。加強開放口岸、園區(qū)和開放能力建設(shè)。創(chuàng)建綜合保稅區(qū)和保稅物流中心（B型）。推動自貢南鐵路物流基地申建國家二類鐵路口岸。高質(zhì)量建設(shè)國家文化出口基地，構(gòu)建“基地總部+文創(chuàng)園區(qū)+特

15、色小鎮(zhèn)”產(chǎn)業(yè)模式，加強與進博會、西博會等重大平臺合作，拓展與川渝兩地的國際友城合作，做精“環(huán)球燈會”等一批國際燈展平臺，提升自貢彩燈國際旅游品牌影響力，推動更多優(yōu)秀文化產(chǎn)品、名優(yōu)特新商品和服務(wù)“借燈出?！弊呦蚴澜?，打造招商引資、擴大開放的重要平臺，為落實“一帶一路”倡議、促進民心相通貢獻自貢力量。七、 結(jié)論分析（一）項目選址本期項目選址位于xx，占地面積約34.00畝。（二）建設(shè)規(guī)模與產(chǎn)品方案項目正常運營后，可形成年產(chǎn)xx個IGBT的生產(chǎn)能力。（三）項目實施進度本期項目建設(shè)期限規(guī)劃24個月。（四）投資估算本期項目總投資包括建設(shè)投資、建設(shè)期利息和流動資金。根據(jù)謹慎財務(wù)估算，項目總投資13094.

16、08萬元，其中：建設(shè)投資10622.60萬元，占項目總投資的81.13%；建設(shè)期利息247.85萬元，占項目總投資的1.89%；流動資金2223.63萬元，占項目總投資的16.98%。（五）資金籌措項目總投資13094.08萬元，根據(jù)資金籌措方案，xx集團有限公司計劃自籌資金（資本金）8035.86萬元。根據(jù)謹慎財務(wù)測算，本期工程項目申請銀行借款總額5058.22萬元。（六）經(jīng)濟評價1、項目達產(chǎn)年預(yù)期營業(yè)收入（SP）：25200.00萬元。2、年綜合總成本費用（TC）：21476.70萬元。3、項目達產(chǎn)年凈利潤（NP）：2714.95萬元。4、財務(wù)內(nèi)部收益率（FIRR）：14.17%。5、全部

17、投資回收期（Pt）：6.77年（含建設(shè)期24個月）。6、達產(chǎn)年盈虧平衡點（BEP）：11448.74萬元（產(chǎn)值）。（七）社會效益項目建設(shè)符合國家產(chǎn)業(yè)政策，具有前瞻性；項目產(chǎn)品技術(shù)及工藝成熟，達到大批量生產(chǎn)的條件，且項目產(chǎn)品性能優(yōu)越，是推廣型產(chǎn)品；項目產(chǎn)品采用了目前國內(nèi)最先進的工藝技術(shù)方案；項目設(shè)施對環(huán)境的影響經(jīng)評價分析是可行的；根據(jù)項目財務(wù)評價分析，經(jīng)濟效益好，在財務(wù)方面是充分可行的。本項目實施后，可滿足國內(nèi)市場需求，增加國家及地方財政收入，帶動產(chǎn)業(yè)升級發(fā)展，為社會提供更多的就業(yè)機會。另外，由于本項目環(huán)保治理手段完善，不會對周邊環(huán)境產(chǎn)生不利影響。因此，本項目建設(shè)具有良好的社會效益。（八）主要經(jīng)

18、濟技術(shù)指標主要經(jīng)濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積22667.00約34.00畝1.1總建筑面積44388.121.2基底面積14053.541.3投資強度萬元/畝307.702總投資萬元13094.082.1建設(shè)投資萬元10622.602.1.1工程費用萬元9309.612.1.2其他費用萬元1062.112.1.3預(yù)備費萬元250.882.2建設(shè)期利息萬元247.852.3流動資金萬元2223.633資金籌措萬元13094.083.1自籌資金萬元8035.863.2銀行貸款萬元5058.224營業(yè)收入萬元25200.00正常運營年份5總成本費用萬元21476.70"&qu

19、ot;6利潤總額萬元3619.94""7凈利潤萬元2714.95""8所得稅萬元904.99""9增值稅萬元861.26""10稅金及附加萬元103.36""11納稅總額萬元1869.61""12工業(yè)增加值萬元6588.05""13盈虧平衡點萬元11448.74產(chǎn)值14回收期年6.7715內(nèi)部收益率14.17%所得稅后16財務(wù)凈現(xiàn)值萬元1626.90所得稅后第二章 建設(shè)單位基本情況一、 公司基本信息1、公司名稱：xx集團有限公司2、法定代表人：吳xx3、注

20、冊資本：630萬元4、統(tǒng)一社會信用代碼：xxxxxxxxxxxxx5、登記機關(guān)：xxx市場監(jiān)督管理局6、成立日期：2012-12-47、營業(yè)期限：2012-12-4至無固定期限8、注冊地址：xx市xx區(qū)xx9、經(jīng)營范圍：從事IGBT相關(guān)業(yè)務(wù)（企業(yè)依法自主選擇經(jīng)營項目，開展經(jīng)營活動；依法須經(jīng)批準的項目，經(jīng)相關(guān)部門批準后依批準的內(nèi)容開展經(jīng)營活動；不得從事本市產(chǎn)業(yè)政策禁止和限制類項目的經(jīng)營活動。）二、 公司簡介面對宏觀經(jīng)濟增速放緩、結(jié)構(gòu)調(diào)整的新常態(tài)，公司在企業(yè)法人治理機構(gòu)、企業(yè)文化、質(zhì)量管理體系等方面著力探索，提升企業(yè)綜合實力，配合產(chǎn)業(yè)供給側(cè)結(jié)構(gòu)改革。同時，公司注重履行社會責任所帶來的發(fā)展機遇，積極

21、踐行“責任、人本、和諧、感恩”的核心價值觀。多年來，公司一直堅持堅持以誠信經(jīng)營來贏得信任。公司秉承“以人為本、品質(zhì)為本”的發(fā)展理念，倡導(dǎo)“誠信尊重”的企業(yè)情懷；堅持“品質(zhì)營造未來，細節(jié)決定成敗”為質(zhì)量方針；以“真誠服務(wù)贏得市場，以優(yōu)質(zhì)品質(zhì)謀求發(fā)展”的營銷思路；以科學發(fā)展觀縱觀全局，爭取實現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)軍、技術(shù)領(lǐng)先、產(chǎn)品領(lǐng)跑的發(fā)展目標。 三、 公司競爭優(yōu)勢（一）工藝技術(shù)優(yōu)勢公司一直注重技術(shù)進步和工藝創(chuàng)新，通過引入國際先進的設(shè)備，不斷加大自主技術(shù)研發(fā)和工藝改進力度，形成較強的工藝技術(shù)優(yōu)勢。公司根據(jù)客戶受托產(chǎn)品的品種和特點，制定相應(yīng)的工藝技術(shù)參數(shù)，以滿足客戶需求，已經(jīng)積累了豐富的工藝技術(shù)。經(jīng)過多年的技術(shù)改

22、造和工藝研發(fā)，公司已經(jīng)建立了豐富完整的產(chǎn)品生產(chǎn)線，配備了行業(yè)先進的設(shè)備，形成了門類齊全、品種豐富的工藝，可為客戶提供一體化綜合服務(wù)。（二）節(jié)能環(huán)保和清潔生產(chǎn)優(yōu)勢公司圍繞清潔生產(chǎn)、綠色環(huán)保的生產(chǎn)理念，依托科技創(chuàng)新，注重從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和工藝技術(shù)的優(yōu)化來減少三廢排放，實現(xiàn)污染的源頭和過程控制，通過引進智能化設(shè)備和采用自動化管理系統(tǒng)保障清潔生產(chǎn)，提高三廢末端治理水平，保障環(huán)境績效。經(jīng)過持續(xù)加大環(huán)保投入，公司已在節(jié)能減排和清潔生產(chǎn)方面形成了較為明顯的競爭優(yōu)勢。（三）智能生產(chǎn)優(yōu)勢近年來，公司著重打造 “智慧工廠”，通過建立生產(chǎn)信息化管理系統(tǒng)和自動輸送系統(tǒng)，將企業(yè)的決策管理層、生產(chǎn)執(zhí)行層和設(shè)備運作層進行有機整合

23、，搭建完整的現(xiàn)代化生產(chǎn)平臺，智能系統(tǒng)的建設(shè)有利于公司的訂單管理和工藝流程的優(yōu)化，在確保滿足客戶的各類功能性需求的同時縮短了產(chǎn)品交付期，提高了公司的競爭力，增強了對客戶的服務(wù)能力。（四）區(qū)位優(yōu)勢公司地處產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)，在集中供氣、供電、供熱、供水以及廢水集中處理方面積累了豐富的經(jīng)驗，能源配套優(yōu)勢明顯。產(chǎn)業(yè)集群效應(yīng)和配套資源優(yōu)勢使公司在市場拓展、技術(shù)創(chuàng)新以及環(huán)保治理等方面具有獨特的競爭優(yōu)勢。（五）經(jīng)營管理優(yōu)勢公司擁有一支敬業(yè)務(wù)實的經(jīng)營管理團隊，主要高級管理人員長期專注于印染行業(yè)，對行業(yè)具有深刻的洞察和理解，對行業(yè)的發(fā)展動態(tài)有著較為準確的把握，對產(chǎn)品趨勢具有良好的市場前瞻能力。公司通過自主培養(yǎng)和外部引進

24、等方式，建立了一支團結(jié)進取的核心管理團隊，形成了穩(wěn)定高效的核心管理架構(gòu)。公司管理團隊對公司的品牌建設(shè)、營銷網(wǎng)絡(luò)管理、人才管理等均有深入的理解，能夠及時根據(jù)客戶需求和市場變化對公司戰(zhàn)略和業(yè)務(wù)進行調(diào)整，為公司穩(wěn)健、快速發(fā)展提供了有力保障。四、 公司主要財務(wù)數(shù)據(jù)公司合并資產(chǎn)負債表主要數(shù)據(jù)項目2020年12月2019年12月2018年12月資產(chǎn)總額4455.083564.063341.31負債總額2651.362121.091988.52股東權(quán)益合計1803.721442.981352.79公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)項目2020年度2019年度2018年度營業(yè)收入10207.758166.207655.8

25、1營業(yè)利潤1963.341570.671472.50利潤總額1625.791300.631219.34凈利潤1219.34951.09877.92歸屬于母公司所有者的凈利潤1219.34951.09877.92五、 核心人員介紹1、吳xx，中國國籍，1977年出生，本科學歷。2018年9月至今歷任公司辦公室主任，2017年8月至今任公司監(jiān)事。2、賀xx，1974年出生，研究生學歷。2002年6月至2006年8月就職于xxx有限責任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限責任公司銷售部副經(jīng)理。2011年3月至今歷任公司監(jiān)事、銷售部副部長、部長；2019年8月至今任公司監(jiān)事會主席。3、謝

26、xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1958年出生，本科學歷，高級經(jīng)濟師職稱。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事長；2002年6月至2011年4月任xxx有限責任公司董事長；2016年11月至今任xxx有限公司董事、經(jīng)理；2019年3月至今任公司董事。4、劉xx，1957年出生，大專學歷。1994年5月至2002年6月就職于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限責任公司董事。2018年3月至今任公司董事。5、薛xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1970年出生，碩士研究生學歷。2012年4月至今任xxx有限公司監(jiān)事。2018年8月至今任公司獨立董事。6、楊xx，

27、中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1971年出生，本科學歷，中級會計師職稱。2002年6月至2011年4月任xxx有限責任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限責任公司財務(wù)經(jīng)理。2017年3月至今任公司董事、副總經(jīng)理、財務(wù)總監(jiān)。7、黃xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1959年出生，大專學歷，高級工程師職稱。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技術(shù)顧問；2004年8月至2011年3月任xxx有限責任公司總工程師。2018年3月至今任公司董事、副總經(jīng)理、總工程師。8、黃xx，中國國籍，1976年出生，本科學歷。2003年5月至2011年9月任xxx有限責任公司執(zhí)行董事

28、、總經(jīng)理；2003年11月至2011年3月任xxx有限責任公司執(zhí)行董事、總經(jīng)理；2004年4月至2011年9月任xxx有限責任公司執(zhí)行董事、總經(jīng)理。2018年3月起至今任公司董事長、總經(jīng)理。六、 經(jīng)營宗旨依據(jù)有關(guān)法律、法規(guī)，自主開展各項業(yè)務(wù)，務(wù)實創(chuàng)新，開拓進取，不斷提高產(chǎn)品質(zhì)量和服務(wù)質(zhì)量，改善經(jīng)營管理，促進企業(yè)持續(xù)、穩(wěn)定、健康發(fā)展，努力實現(xiàn)股東利益的最大化，促進行業(yè)的快速發(fā)展。七、 公司發(fā)展規(guī)劃（一）戰(zhàn)略目標與發(fā)展規(guī)劃公司致力于為多產(chǎn)業(yè)的多領(lǐng)域客戶提供高質(zhì)量產(chǎn)品、技術(shù)服務(wù)與整體解決方案，為成為百億級產(chǎn)業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)而努力奮斗。（二）措施及實施效果公司立足于本行業(yè)，以先進的技術(shù)和高品質(zhì)的產(chǎn)品滿足產(chǎn)品

29、日益提升的質(zhì)量標準和技術(shù)進步要求，為國內(nèi)外生產(chǎn)商率先提供多種產(chǎn)品，為提升轉(zhuǎn)換率和品質(zhì)保證以及成本降低持續(xù)做出貢獻，同時通過與產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)質(zhì)客戶緊密合作，為公司帶來穩(wěn)定的業(yè)務(wù)增長和持續(xù)的收益。公司通過產(chǎn)品和商業(yè)模式的不斷創(chuàng)新以及與產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)深度融合，建立創(chuàng)新引領(lǐng)、合作共贏的模式，再造行業(yè)新格局。（三）未來規(guī)劃采取的措施公司始終秉持提供性價比最優(yōu)的產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)的理念，充分發(fā)揮公司在技術(shù)以及膜工藝技術(shù)的扎實基礎(chǔ)及創(chuàng)新能力，為成為百億級產(chǎn)業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)而努力奮斗。在近期的三至五年，公司聚焦于產(chǎn)業(yè)的研發(fā)、智能制造和銷售，在消費升級帶來的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整所需的領(lǐng)域積極布局。致力于為多產(chǎn)業(yè)的多領(lǐng)域客戶提供中高端技術(shù)服

30、務(wù)與整體解決方案。在未來的五至十年，以蓬勃發(fā)展的中國市場為核心，利用中國“一帶一路”發(fā)展機遇，利用獨立創(chuàng)新、聯(lián)合開發(fā)、并購和收購等多種方法，掌握國際領(lǐng)先的技術(shù)，使得公司真正成為國際領(lǐng)先的創(chuàng)新型企業(yè)。第三章 項目投資背景分析一、 模塊封裝為核心競爭力之一，適用于各種高電壓場景IGBT根據(jù)使用電壓范圍可分為低壓、中壓和高壓IGBT。按照使用電壓范圍，可以將IGBT分為低壓、中壓和高壓三大類產(chǎn)品，不同電壓范圍對應(yīng)著不同的應(yīng)用場景。低壓通常為1200V以下，主要用于低消耗的消費電子和太陽能逆變器領(lǐng)域；中壓通常為1200V2500V，主要用于新能源汽車、風力發(fā)電等領(lǐng)域；高壓通常為2500V以上，主要用于

31、高壓大電流的高鐵、動車、智能電網(wǎng)、工業(yè)電機等領(lǐng)域。IGBT根據(jù)封裝形式可分為IGBT分立器件、IGBT模塊以及IPM。從封裝形式上來看，IGBT可以分為IGBT分立器件、IGBT模塊和IPM三大類產(chǎn)品。IGBT分立器件指一個IGBT單管和一個反向并聯(lián)二極管組成的器件；IGBT模組指將多個（兩個及以上）IGBT芯片和二極管芯片以絕緣方式組裝到DBC基板上，并進行模塊化封裝；IPM則指將功率器件（主要為IGBT）和驅(qū)動電路、過壓和過流保護電流、溫度監(jiān)視和超溫保護電路等外圍電路集成再一起生產(chǎn)的一種組合型器件。IGBT。模塊的封裝工藝主要分為焊接式和壓接式。IGBT在工作過程中或產(chǎn)生一定的損耗，當每個

32、IGBT芯片在工作過程中產(chǎn)生的損耗只集中在1平方厘米左右的面積向外傳播時，這樣的高熱流密度對器件的安全有效工作而言則成為一個巨大的挑戰(zhàn)，所以，IGBT需要依靠一定的封裝形式以便進行散熱，從而保證產(chǎn)品可靠性。IGBT模塊的封裝工藝主要分為焊接式與壓接式。高壓IGBT模塊一般以標準焊接式封裝為主，中低壓IGBT模塊則多采用壓接式封裝工藝。壓接式IGBT結(jié)構(gòu)與焊接式IGBT結(jié)構(gòu)差別較大，且壓接式IGBT封裝結(jié)構(gòu)還可細分為凸臺式和彈簧式，彈簧式壓接型封裝結(jié)構(gòu)的專利由ABB公司持有，東芝、Westcode、Dynex等公司則采用凸臺式封裝結(jié)構(gòu)。二、 IGBT結(jié)構(gòu)不斷升級，協(xié)同第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新IGBT

33、是一個電路開關(guān)，透過開關(guān)控制改變電壓。IGBT（絕緣柵雙極型晶體管，InsulatedGateBipolarTransistor）是一個三端器件，也是重要的分立器件分支，屬于分立器件中的全控型器件，可以同時控制開通與關(guān)斷，具有自關(guān)斷的特征，即是一個非通即斷的開關(guān)。IGBT擁有柵極G（Gate）、集電極C（Collector）和發(fā)射極E（Emitter），其開通和關(guān)斷由柵極和發(fā)射極間的電壓UGE決定；在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通。IGBT結(jié)合了TMOSFET與與TBJT的優(yōu)勢。IGBT結(jié)合了MOSFET與BJT的優(yōu)點，既有M

34、OSFET的開關(guān)速度快，輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動電路簡單、開關(guān)損耗小的優(yōu)點，又有BJT導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點，此外為了提升IGBT耐壓，減小拖尾電流，結(jié)構(gòu)相對復(fù)雜。IGBT被各類下游市場廣泛使用，是電力電子領(lǐng)域較為理想的開關(guān)器件。IGBT工藝與設(shè)計難度高，產(chǎn)品生命周期長。IGBT芯片結(jié)構(gòu)分為正面（Emitterside）和背面（Collectoerside）。從80年代初到現(xiàn)在，IGBT正面技術(shù)從平面柵（Planar）迭代至溝槽柵(Trench)，并演變?yōu)槲喜郏∕icroPatternTrench）；背面技術(shù)從穿通型（PT,PunchThrough）迭代至非穿通型（NPT,

35、NonPunchThrough），再演變?yōu)閳鼋刂剐停‵S,FieldStop）。技術(shù)的迭代對改善IGBT的開關(guān)性能和提升通態(tài)降壓等性能上具有較大幫助，但是實現(xiàn)這些技術(shù)對于工藝有著相當高的要求，尤其是薄片工藝（8英寸以上的硅片當減薄至100200um后極易破碎）以及背面工藝（因正面金屬熔點的限制，所以背面退火激活的難度大），這也是導(dǎo)致IGBT迭代速度較慢。此外，IGBT產(chǎn)品具有生命周期長的特點，以英飛凌IGBT產(chǎn)品為例，該產(chǎn)品已迭代至第七代，但其發(fā)布于2000年代初的第三代IGBT芯片技術(shù)在3300V、4500V、6500V等高壓應(yīng)用領(lǐng)域依舊占據(jù)主導(dǎo)地位，其發(fā)布于2007年的第四代IGBT則依舊

36、為目前使用最廣泛的IGBT芯片技術(shù)，其IGBT4產(chǎn)品的收入增長趨勢甚至持續(xù)到了第15年。高密度、高可靠性、更好的集成散熱功能是IGBT未來發(fā)展趨勢。英飛凌作為全球IGBT龍頭企業(yè)，產(chǎn)品技術(shù)已成為本土廠商的對標。截至2021年，英飛凌產(chǎn)品已迭代至第七代。其中，第五代與第六代均屬于第四代的優(yōu)化版（第五代屬于大功率版第四代，第六代屬于高頻版第四代）。IGBT器件需要承受高電壓和大電流，對于穩(wěn)定性、可靠性要求較高。未來，IGBT會朝著更小尺寸、更大晶圓、更薄厚度發(fā)展，并通過成本、功率密度、結(jié)溫、可靠性等方面的提升來實現(xiàn)整個芯片結(jié)束的進步。此外，IGBT模塊的未來趨勢也將朝著更高的熱導(dǎo)率材料、更厚的覆銅

37、層、更好的集成散熱功能和更高的可靠性發(fā)展。第三代半導(dǎo)體物理特性相較于iSi在工作頻率、抗高溫和抗高壓具備較強的優(yōu)勢。半導(dǎo)體材料領(lǐng)域至今經(jīng)歷了多個發(fā)展階段，相較而言，第三代半導(dǎo)體在工作頻率、抗高溫和抗高壓等方面更具優(yōu)勢。第一代半導(dǎo)體材料主要包括硅（Si）和鍺（Ge），于20世紀40年代開始登上舞臺，目前主要應(yīng)用于大規(guī)模集成電路中。但硅材料的禁帶寬度窄、電子遷移率低，且屬于間接帶隙結(jié)構(gòu)，在光電子器件和高頻高功率器件的應(yīng)用上存在較大瓶頸，因此其性能已難以滿足高功率和高頻器件的需求。新材料推進新產(chǎn)品發(fā)展，高壓高頻領(lǐng)域適用SiC。碳化硅在絕緣破壞電場界強度為硅的10倍，因此SiC可以以低電阻、薄膜厚的漂

38、移層實現(xiàn)高耐壓，意味著相同的耐壓產(chǎn)品SiC的面積會比Si還要小，比如900VSiC-MOSFET的面積是Si-MOSFET的1/35。因此，硅基的SJ-MOSFET只有900V左右的產(chǎn)品，SiC可以做到1700V以上且低導(dǎo)通電阻。Si為了改善高耐壓化所帶來的導(dǎo)通電阻增大主要采用IGBT結(jié)構(gòu)，但由于其存在開關(guān)損耗大產(chǎn)生發(fā)熱、高頻驅(qū)動受到限制等問題，所以需借由改變材料提升產(chǎn)品性能。SiC在MOSFET的結(jié)構(gòu)就可實現(xiàn)高耐壓，因此可同時實現(xiàn)高耐壓、低導(dǎo)通電阻、高速，即使在1200V或更高的擊穿電壓下也可以制造高速MOSFET結(jié)構(gòu)。SiCMTOSFET具備一定優(yōu)勢，但成本較高。就器件類型而言，SiCMO

39、SFET與SiMOSFET相似。但是，SiC是一種寬帶隙（WBG）材料，其特性允許這些器件在與IGBT相同的高功率水平下運行，同時仍然能夠以高頻率進行開關(guān)。這些特性可轉(zhuǎn)化為系統(tǒng)優(yōu)勢，包括更高的功率密度、更高的效率和更低的熱耗散。然而，受制于制造成本和產(chǎn)品良率影響，SiC產(chǎn)品價格較高。由于Si越是高耐壓的組件、每單位面積的導(dǎo)通電阻變高(以耐壓的約22.5倍增加)，因此600V以上的電壓則主要使用IGBT。但是IGBT是藉由注入少數(shù)載子之正孔于漂移層內(nèi)，比MOSFET可降低導(dǎo)通電阻，另一方面由于少數(shù)載子的累積，斷開時產(chǎn)生尾電流、造成開關(guān)的損耗。SiC由于漂移層的電阻比Si組件低，不須使用傳導(dǎo)度調(diào)變

40、，可用高速組件構(gòu)造之MOSFET以兼顧高耐壓與低電阻，可實現(xiàn)開關(guān)損耗的大幅削減與冷卻器的小型化。SiC在制造和應(yīng)用方面又面臨很高的技術(shù)要求，因此SiCMosfet價格較SiIGBT高。根據(jù)功率器件的特性，不同功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域各有不同。雖然IGBT結(jié)合了MOSFET與BJT的優(yōu)勢，但三者根據(jù)各自的器件性能優(yōu)勢，都有適合的應(yīng)用領(lǐng)域。BJT更強調(diào)工作功率，MOSFET更強調(diào)工作頻率，IGBT則是工作功率與頻率兼具。BJT因其成本優(yōu)勢，常被用于低功率低頻率應(yīng)用市場，MOSFET適用于中功率高頻率應(yīng)用市場，IGBT適用于高功率中頻率應(yīng)用市場。高功率密度的IGBT在性能、可靠性等方面將繼續(xù)發(fā)展，因此在較

41、長一段時間內(nèi)仍會是汽車電動化的主流器件。SiC組件具有高壓、高頻和高效率的優(yōu)勢，在縮小體積的同時提高了效率，相關(guān)產(chǎn)品則主要用于高壓高頻領(lǐng)域。部分IGBT廠商已開始布局SiC產(chǎn)業(yè)。SiC具有較大發(fā)展?jié)摿?，已吸引多家功率器件廠商進行布局。英飛凌于2018年收購德國廠商Siltectra，彌補自身晶體切割工藝，又于2018年12月與Cree簽署長期協(xié)議，保證自身光伏逆變器和新能源汽車領(lǐng)域的產(chǎn)品供應(yīng)，旗下CoolSiC系列產(chǎn)品已走入量產(chǎn)。2019年，意法半導(dǎo)體與Cree簽署價值2.5億美元的長單協(xié)議，且收購了瑞典SiC晶圓廠商NorstelAB，以滿足汽車和工業(yè)客戶對MOSFET與二極管的需求。202

42、1年，意法半導(dǎo)體宣布造出8英寸SiC晶圓。此外，斯達半導(dǎo)、華潤微、等本土廠商也已在SiC領(lǐng)域布局。三、 主動服務(wù)國家戰(zhàn)略融入新發(fā)展格局全面落實成渝地區(qū)雙城經(jīng)濟圈建設(shè)規(guī)劃綱要及省委相關(guān)部署要求，深化實施“一干多支”發(fā)展戰(zhàn)略，強化區(qū)域協(xié)同，增強內(nèi)生力量，著力提升在融入新發(fā)展格局中的嵌入度、貢獻度和價值鏈地位。對接雙核加強協(xié)作。緊密對接成渝國家中心城市國際化進程，加強開放、通道、產(chǎn)業(yè)、科技、金融、人才等領(lǐng)域協(xié)作。主動承接制造業(yè)、區(qū)域性專業(yè)市場等產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移和物流基地等功能疏解，對接共享醫(yī)療和教育等優(yōu)質(zhì)公共服務(wù)資源，主動融入科技創(chuàng)新中心及相關(guān)平臺建設(shè)。主動接受雙核國際門戶樞紐輻射帶動，加強與成都青白江鐵路

43、港、重慶港等協(xié)同發(fā)展，打造西部陸海新通道和長江經(jīng)濟帶物流樞紐重要節(jié)點城市。協(xié)同推動南翼跨越。高質(zhì)量落實國家賦予共建川南渝西融合發(fā)展試驗區(qū)、協(xié)同建設(shè)承接產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移創(chuàng)新發(fā)展示范區(qū)任務(wù)，探索建立重大政策協(xié)同、重點領(lǐng)域協(xié)作、市場主體聯(lián)動機制，深化川南一體化、內(nèi)自同城化，推動南翼跨越，形成戰(zhàn)略疊加、政策集成、功能集合優(yōu)勢。共建川南渝西融合發(fā)展試驗區(qū)，重點在規(guī)劃管理、土地管理、經(jīng)濟區(qū)與行政區(qū)適度分離等領(lǐng)域探索試驗。協(xié)同建設(shè)承接產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移創(chuàng)新發(fā)展示范區(qū)，承接?xùn)|部地區(qū)和境外產(chǎn)業(yè)鏈整體轉(zhuǎn)移、關(guān)聯(lián)產(chǎn)業(yè)協(xié)同轉(zhuǎn)移，著力延伸產(chǎn)業(yè)鏈、提升價值鏈。協(xié)同爭取國家制定差異化承接產(chǎn)業(yè)引導(dǎo)目錄和轉(zhuǎn)移項目庫。推動布局“一區(qū)多片”產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移

44、集中承接地。采取“總部+基地”“一區(qū)多園”“飛地園區(qū)”等合作模式共建跨區(qū)域產(chǎn)業(yè)園區(qū)。探索完善信息對接、權(quán)益分享、稅收分成、財政協(xié)同投入、經(jīng)濟統(tǒng)計分算等合作共贏機制。推動設(shè)立產(chǎn)業(yè)投資基金。做強縣域經(jīng)濟和園區(qū)支撐。堅持把縣域經(jīng)濟、園區(qū)建設(shè)作為融入新發(fā)展格局的重要支撐，厚植經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展根基。打造經(jīng)濟腹地重要支點。堅定落實省委打造支撐國內(nèi)大循環(huán)經(jīng)濟腹地的要求，全面促進消費，拓展投資空間，努力探索擴大內(nèi)需的有效路徑。四、 項目實施的必要性（一）現(xiàn)有產(chǎn)能已無法滿足公司業(yè)務(wù)發(fā)展需求作為行業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)，公司已建立良好的品牌形象和較高的市場知名度，產(chǎn)品銷售形勢良好，產(chǎn)銷率超過 100%。預(yù)計未來幾年公司的銷售

45、規(guī)模仍將保持快速增長。隨著業(yè)務(wù)發(fā)展，公司現(xiàn)有廠房、設(shè)備資源已不能滿足不斷增長的市場需求。公司通過優(yōu)化生產(chǎn)流程、強化管理等手段，不斷挖掘產(chǎn)能潛力，但仍難以從根本上緩解產(chǎn)能不足問題。通過本次項目的建設(shè)，公司將有效克服產(chǎn)能不足對公司發(fā)展的制約，為公司把握市場機遇奠定基礎(chǔ)。（二）公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級的需要隨著制造業(yè)智能化、自動化產(chǎn)業(yè)升級，公司產(chǎn)品的性能也需要不斷優(yōu)化升級。公司只有以技術(shù)創(chuàng)新和市場開發(fā)為驅(qū)動，不斷研發(fā)新產(chǎn)品，提升產(chǎn)品精密化程度，將產(chǎn)品質(zhì)量水平提升到同類產(chǎn)品的領(lǐng)先水準，提高生產(chǎn)的靈活性和適應(yīng)性，契合關(guān)鍵零部件國產(chǎn)化的需求，才能在與國外企業(yè)的競爭中獲得優(yōu)勢，保持公司在領(lǐng)域的國內(nèi)領(lǐng)先地位。第四章

46、行業(yè)發(fā)展分析一、 制造工藝正從8英寸晶圓朝向12英寸升級迭代以特色工藝需要工藝與設(shè)計的積累，海外企業(yè)以MIDM為主。功率半導(dǎo)體主要以特色工藝為主，器件的技術(shù)迭代像邏輯、存儲芯片依靠尺寸的縮小，因此特色工藝的要求更多需要行業(yè)的積累與know-how，包括工藝、產(chǎn)品、服務(wù)、平臺等多個維度；功率器件產(chǎn)品性能與應(yīng)用場景密切相關(guān)，導(dǎo)致平臺多、產(chǎn)品類型多，因此更注重工藝的成熟度和穩(wěn)定性，工藝平臺的多樣性。在這樣的背景下，由于IDM可以按需生產(chǎn)不同電性功能的功率器件，加速技術(shù)及應(yīng)用積累，在深度及廣度上覆蓋客戶不同的需求，因此IGBT海外的企業(yè)大多的生產(chǎn)模式以IDM為主，國內(nèi)相比海外發(fā)展較晚，因此催生出Fab

47、less找代工廠生產(chǎn)的模式，專業(yè)化分工加速對海外的追趕。代表IDM型IGBT廠商包括英飛凌、瑞薩、Vishay、羅姆、安森美、富士電機、士蘭微、華微電子等；Fabless型IGBT廠商包括斯達半導(dǎo)、新潔能、宏微科技等。IGBT代工廠則包括高塔、華虹、東部高科等廠商。IGBT主要采用成熟制程，目前生產(chǎn)大多以以88英寸晶圓為主。IGBT產(chǎn)品對產(chǎn)線工藝依賴性較強，目前國際IGBT大廠主要采用8英寸生產(chǎn)線。為進一步提升產(chǎn)品性能與可靠性，IGBT制造廠正積極布局可用于12英寸晶圓的相關(guān)工藝。英飛凌作為IGBT龍頭企業(yè)，已于2018年推出以12英寸晶圓生產(chǎn)的IGBT器件。同時，斯達半導(dǎo)12英寸IGBT產(chǎn)能

48、也已實現(xiàn)量產(chǎn)。未來，隨著各家IGBT廠商工藝的進步，IGBT產(chǎn)品也將轉(zhuǎn)向12英寸晶圓，并采用更先進的制程。IGBT需求增長擴廠計劃持續(xù)推進，朝向300mm（12英寸）晶圓發(fā)展。英飛凌2021年9月公告其位于奧地利菲拉赫的300毫米薄晶圓功率半導(dǎo)體芯片工廠正式啟動運營，隨著數(shù)字化和電氣化進程的加快，公司預(yù)計未來幾年全球?qū)β拾雽?dǎo)體器件的需求將持續(xù)增長，因此當前正是新增產(chǎn)能的最好時機。2021年3月東芝公告準備開工建設(shè)300mm晶圓制造廠，由于功率器件是控制和降低汽車、工業(yè)和其他電氣設(shè)備功耗的重要部件，公司預(yù)計電動汽車、工廠自動化和可再生能源領(lǐng)域的增長將繼續(xù)推動功率器件的需求增長。2020年12月

49、士蘭微12英寸芯片生產(chǎn)線項目由廈門士蘭集科微電子有限公司負責實施運營，第一條12英寸產(chǎn)線，總投資70億元，工藝線寬90納米，計劃月產(chǎn)8萬片。本次投產(chǎn)的產(chǎn)線就是其中的一期項目，總投資50億元，規(guī)劃月產(chǎn)能4萬片；項目二期將繼續(xù)投資20億元，規(guī)劃新增月產(chǎn)能4萬片。第二條12英寸生產(chǎn)線預(yù)計總投資100億元，將建設(shè)工藝線寬65納米至90納米的12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線。二、 電動化+數(shù)字互聯(lián)帶動功率模擬芯片、控制芯片、傳感器需求提升半導(dǎo)體是汽車發(fā)展趨勢（電驅(qū)化、數(shù)字互聯(lián)）的核心。汽車在電動化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化的發(fā)展過程中，半導(dǎo)體是發(fā)展的核心支撐。1）電驅(qū)化（電動化），電動與混動汽車的發(fā)展要求動力傳動系統(tǒng)向

50、電氣化邁進，其中由電池、電機、電控組成的三電系統(tǒng)主要以功率半導(dǎo)體為主，包含IGBT、MOSFET等。2）數(shù)字互聯(lián)（智能化、網(wǎng)聯(lián)化），智能化發(fā)展帶動具備AI計算能力的主控芯片市場規(guī)模快速成長；此外智能與網(wǎng)聯(lián)相輔相成，核心都是加強人車交互，除了加強計算能力的主控芯片外，傳感器、存儲也是核心的汽車半導(dǎo)體，包含自動化駕駛的實現(xiàn)使傳感器需求提升、數(shù)據(jù)量的增加帶動存儲的數(shù)量和容量的需求提升。汽車半導(dǎo)體絕對值在增長，從分類中功率半導(dǎo)體價值量增加幅度最大。新能源汽車相比傳統(tǒng)燃油車，新能源車中的功率半導(dǎo)體價值量提升幅度較大。按照傳統(tǒng)燃油車半導(dǎo)體價值量417美元計算，功率半導(dǎo)體單車價值量達到87.6美元，按照FH

51、EV、PHEV、BEV單車半導(dǎo)體價值量834美元計算，功率半導(dǎo)體單車價值量達到458.7美元，價值量增加四倍多。三、 家電行業(yè)是IGBT器件的穩(wěn)定市場變頻空調(diào)、冰箱、洗衣機的核心控制部件是變頻控制器，它承擔了電機驅(qū)動、PFC功率校正以及相關(guān)執(zhí)行器件的變頻控制功能。而變頻控制器很重要的一環(huán)就是IPM模塊，IPM將功率器件芯片（IGBT+FRD或高壓MOSFET）、控制IC和無源元件等這些元器件高密度貼裝封裝在一起，通過IPM，MCU就能直接高效地控制驅(qū)動電機，配合白家電實現(xiàn)低能耗、小尺寸、輕重量及高可靠性的要求。中國作為全球最大的家電市場和生產(chǎn)基地，IPM的應(yīng)用潛力十分強勁。以空調(diào)行業(yè)為例，根據(jù)

52、產(chǎn)業(yè)在線的數(shù)據(jù)，2020年我國變頻空調(diào)銷量達7485萬臺，同比增長10.02%，并且未來變頻空調(diào)有望在空調(diào)市場進一步滲透，面向變頻空調(diào)應(yīng)用的IGBT的市場空間將十分廣闊。同時，作為變頻白色家電的另外兩大市場，變頻冰箱和變頻洗衣機市場增速顯著。2020年，中國變頻冰箱銷量為2507萬臺，同比增長26.38%，中國變頻洗衣機銷量為2627萬臺，同比增長0.91%。第五章 建筑物技術(shù)方案一、 項目工程設(shè)計總體要求（一）總圖布置原則1、強調(diào)“以人為本”的設(shè)計思想，處理好人與建筑、人與環(huán)境、人與交通、人與空間以及人與人之間的關(guān)系。從總體上統(tǒng)籌考慮建筑、道路、綠化空間之間的和諧，創(chuàng)造一個宜于生產(chǎn)的環(huán)境空間

53、。2、合理配置自然資源，優(yōu)化用地結(jié)構(gòu)，配套建設(shè)各項目設(shè)施。3、工程內(nèi)容、建筑面積和建筑結(jié)構(gòu)應(yīng)適應(yīng)工藝布置要求，滿足生產(chǎn)使用功能要求。4、因地制宜，充分利用地形地質(zhì)條件，合理改造利用地形，減少土石方工程量，重視保護生態(tài)環(huán)境，增強景觀效果。5、工程方案在滿足使用功能、確保質(zhì)量的前提下，力求降低造價，節(jié)約建設(shè)資金。6、建筑風格與區(qū)域建筑風格吻合，與周邊各建筑色彩協(xié)調(diào)一致。7、貫徹環(huán)保、安全、衛(wèi)生、綠化、消防、節(jié)能、節(jié)約用地的設(shè)計原則。（二）總體規(guī)劃原則1、總平面布置的指導(dǎo)原則是合理布局，節(jié)約用地，適當預(yù)留發(fā)展余地。廠區(qū)布置工藝物料流向順暢，道路、管網(wǎng)連接順暢。建筑物布局按建筑設(shè)計防火規(guī)范進行，滿足生

54、產(chǎn)、交通、防火的各種要求。2、本項目總圖布置按功能分區(qū)，分為生產(chǎn)區(qū)、動力區(qū)和辦公生活區(qū)。既滿足生產(chǎn)工藝要求，又能美化環(huán)境。3、按照廠區(qū)整體規(guī)劃，廠區(qū)圍墻采用鐵藝圍墻。全廠設(shè)計兩個出入口，廠區(qū)道路為環(huán)形，主干道寬度為9m，次干道寬度為6m，聯(lián)系各出入口形成順暢的運輸和消防通道。4、本項目在廠區(qū)內(nèi)道路兩旁，建（構(gòu)）筑物周圍充分進行綠化，并在廠區(qū)空地及入口處重點綠化，種植適宜生長的樹木和花卉，創(chuàng)造文明生產(chǎn)環(huán)境。二、 建設(shè)方案（一）建筑結(jié)構(gòu)及基礎(chǔ)設(shè)計本期工程項目主體工程結(jié)構(gòu)采用全現(xiàn)澆鋼筋混凝土梁板，框架結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)采用樁基基礎(chǔ)，鋼筋混凝土條形基礎(chǔ)?；A(chǔ)工程設(shè)計：根據(jù)工程地質(zhì)條件，荷載較小的建（構(gòu)）筑物采用

55、天然地基，荷載較大的建（構(gòu)）筑物采用人工挖孔現(xiàn)灌澆柱樁。（二）車間廠房、辦公及其它用房設(shè)計1、車間廠房設(shè)計：采用鋼屋架結(jié)構(gòu)，屋面采用彩鋼板，墻體采用彩鋼夾芯板，基礎(chǔ)采用鋼筋混凝土基礎(chǔ)。2、辦公用房設(shè)計：采用現(xiàn)澆鋼筋混凝土框架結(jié)構(gòu)，多孔磚非承重墻體，屋面為現(xiàn)澆鋼筋混凝土框架結(jié)構(gòu)，基礎(chǔ)為鋼筋混凝土基礎(chǔ)。3、其它用房設(shè)計：采用磚混結(jié)構(gòu)，承重型墻體，基礎(chǔ)采用墻下條形基礎(chǔ)。（三）墻體及墻面設(shè)計1、墻體設(shè)計：外墻體均用標準多孔粘土磚實砌，內(nèi)墻均用巖棉彩鋼板。2、墻面設(shè)計：生產(chǎn)車間的外墻墻面采用水泥砂漿抹面，刷外墻涂料，內(nèi)墻面為乳膠漆墻面。辦公樓等根據(jù)使用要求適當提高裝飾標準。腐蝕性樓地面、地坪以及有防火要求的樓地面采用特殊地面做法。依據(jù)建設(shè)部、國家建材局關(guān)于建筑采用使用的規(guī)定，框架填充墻采用加氣混凝土空心砌塊墻體，磚混結(jié)構(gòu)承重墻地上及地下部分采用燒結(jié)實心頁巖磚。（四）屋面防水及門窗設(shè)計1、屋面設(shè)計：屋面采用大跨度輕鋼屋面，高分子卷材防水面層，上人屋面加裝保護層。2、屋面防水設(shè)計：現(xiàn)澆鋼筋混凝土