EMI傳導(dǎo)與輻射超標(biāo)整改方案

1、傳導(dǎo)與輻射超標(biāo)整改方案開尖電源電磁干擾的產(chǎn)生機(jī)理及其傳播途徑功率開尖器件的高額開尖動(dòng)作是導(dǎo)致開尖電源產(chǎn)生電磁干擾(emi)的主要原因。開尖頻率的提高一方面減小了 電源的體積和重量，另一方面也導(dǎo)致了更為嚴(yán)重的emi問題。開尖電源工作時(shí)，其內(nèi)部的電壓和電流波形都是在 非常短的時(shí)間內(nèi)上升和下降的，因此，開尖電源本身是一個(gè)噪聲發(fā)生源。開尖電源產(chǎn)生的干擾，按噪聲干擾源種類來分，可分為尖峰干擾和諧波干擾兩種；若按耦合通路來分，可分為傳 導(dǎo)干擾和輻射干擾兩種。使電源產(chǎn)生的干擾不至于對(duì)電子系統(tǒng)和電網(wǎng)造成危害的根本辦法是削弱噪聲發(fā)生源，或者 切斷電源噪聲和電子系統(tǒng)、電網(wǎng)之間的耦合途徑?，F(xiàn)在按噪聲干擾源來分別說明

2、：1 、二極管的反向恢復(fù)時(shí)間弓I起的干擾交流輸入電壓經(jīng)功率二極管整流橋變?yōu)檎颐}動(dòng)電壓，經(jīng)電容平滑后變?yōu)橹绷?，但電容電流的波形不是正弦波而是脈沖波。由電流波形可知，電流中含有高次諧波。大量電流諧波分量流入電網(wǎng)造成對(duì)電網(wǎng)的諧 波污染。另外，由于電流是脈沖波，使電源輸入功率因數(shù)降低。高頻整流回路中的整流二極管正向?qū)〞r(shí)有較大的正向電流流過，在其受反偏電壓而轉(zhuǎn)向截止時(shí)，由于pn結(jié)中有較多的載流子積累，因而在載流子消失之前的一段時(shí)間里，電流會(huì)反向流動(dòng)，致使載流子消失 的反向恢復(fù)電流急劇減少而發(fā)生很大的電流變化(di/dt)。2 、開尖管工作時(shí)產(chǎn)生的諧波干擾功率開尖管在導(dǎo)通時(shí)流過較大的脈沖電流。例如正激

3、型、推挽型和橋式變 換器的輸入電流波形在阻性負(fù)載時(shí)近似為矩形波，其中含有豐富的高次諧波分量。當(dāng)采用零電流、零電壓開尖時(shí)，這種諧波干擾將會(huì) 很小。另外，功率開尖管在截止期間，高頻變壓器繞組漏感引起的電流突變，也會(huì)產(chǎn)生尖峰干擾。3、交流輸入回路產(chǎn)生的干擾無工頻變壓器的開尖電源輸入端整流管在反向恢復(fù)期間會(huì)引起高頻衰減振蕩產(chǎn)生干 擾。開尖電源產(chǎn)生的尖峰干擾和諧波干擾能量，通過開尖電源的輸入輸出線傳播出去而形成的干擾稱之為傳導(dǎo)干 擾；而諧波和寄生振蕩的能量，通過輸入輸出線傳播時(shí)，都會(huì)在空間產(chǎn)生電場(chǎng)和磁場(chǎng)。這種通過電磁輻射產(chǎn)生的 干擾稱為輻射干擾。4 、其他原因元器件的寄生參數(shù)，開尖電源的原理圖設(shè)計(jì)不夠完

4、美，印刷線路板(pcb )走線通常采用手工布置，具有很大 的隨意性，pcb的近場(chǎng)干擾大，并且印刷板上器件的安裝、放置，以及方位的不合理都會(huì)造成emi干擾。這增加了 pcb分布參數(shù)的提取和近場(chǎng)干擾估計(jì)的難度。flyback0.15 mhz架構(gòu)noise在頻譜上的反應(yīng)處產(chǎn)生的振蕩是開尖頻率的3次諧波引起的干擾。0.2 mhz 處產(chǎn)生的振蕩是開尖頻率的4次諧波和mosfet振蕩2( 190.5khz )基波的迭加，引起的干擾；所以這部分較強(qiáng)0.25 mhz處產(chǎn)生的振蕩是開尖頻率的5次諧波引起的干擾；0.35 mhz處產(chǎn)生的振蕩是開尖頻率的7次諧波引起的干擾；0.39 mhz處產(chǎn)生的振蕩是開尖頻率的8

5、次諧波和mosfet振蕩2 ( 190.5khz )基波的迭加引起的干擾；1. 31 mhz處產(chǎn)生的振蕩是diode振蕩1 ( 1.31 mhz )的基波引起的干擾；3.3 mhz處產(chǎn)生的振蕩是mosfet振蕩1 (3.3mhz )的基波引起的干擾；開尖管、整流二極管的振蕩會(huì)產(chǎn)生較強(qiáng)的干擾設(shè)計(jì)開尖電源時(shí)防止emi的措施：1. 把噪音電路節(jié)點(diǎn)的pcb銅箔面積最大限度地減?。蝗玳_尖管的漏極、集電極，初次級(jí)繞組的節(jié)點(diǎn)， 等。2. 使輸入和輸出端遠(yuǎn)離噪音元件，如變壓器線包，變壓器磁芯，開尖管的散熱片，等等。3.使噪音元件（如未遮蔽的變壓器線包，未遮蔽的變壓器磁芯，和開尖管，等等）遠(yuǎn)離外殼邊緣，因?yàn)樵谡?/p>

6、常操作 下外殼邊緣很可能靠近外面的接地線。4. 如果變壓器沒有使用電場(chǎng)屏蔽，要保持屏蔽體和散熱片遠(yuǎn)離變壓器。5. 盡量減小以下電流環(huán)的面積：次級(jí)（輸出）整流器，初級(jí)開尖功率器件，柵極（基極）驅(qū)動(dòng)線路，輔助 整流器。6. 不要將門極（基極）的驅(qū)動(dòng)返饋環(huán)路和初級(jí)開尖電路或輔助整流電路混在一起。7. 調(diào)整優(yōu)化阻尼電阻值，使它在開尖的死區(qū)時(shí)間里不產(chǎn)生振鈴響聲。8. 防止emi濾波電感飽和。9. 使拐彎節(jié)點(diǎn)和次級(jí)電路的元件遠(yuǎn)離初級(jí)電路的屏蔽體或者開尖管的散熱片。10. 保持初級(jí)電路的擺動(dòng)的節(jié)點(diǎn)和元件本體遠(yuǎn)離屏蔽或者散熱片。11 使高頻輸入的emi濾波器靠近輸入電纜或者連接器端。12. 保持高頻輸出的em

7、i濾波器靠近輸出電線端子。13. 使emi濾波器對(duì)面的pcb板的銅箔和元件本體之間保持一定距離。14. 在輔助線圈的整流器的線路上放一些電阻。15. 在磁棒線圈上并聯(lián)阻尼電阻。16. 在輸出rf濾波器兩端并聯(lián)阻尼電阻。17. 在pcb設(shè)計(jì)時(shí)允許放1 nf/ 500 v陶瓷電容器或者還可以是一串電阻，跨接在變壓器的初級(jí)的靜端和輔助繞組之間。18. 保持emi濾波器遠(yuǎn)離功率變壓器；尤其是避免定位在繞包的端部。19. 在pcb面積足夠的情況下，可在pcb留下放屏蔽繞組用的腳位和放rc阻尼器的位置，rc阻尼器可跨接 在屏蔽繞組兩端。20. 空間允許的話在開尖功率場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和門極之間放一個(gè)小徑向引線

8、電容器（米勒電容，10皮法/1千伏電容）。21. 空間允許的話放一個(gè)小的rc阻尼器在直流輸出端。22. 不要把a(bǔ)c插座與初級(jí)開尖管的散熱片靠在一起。開尖電源emi的特點(diǎn)作為工作于開尖狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置，開尖電源的電壓、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大；干擾源主要 集中在功率開尖期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對(duì)于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚；開尖頻率不高 （從幾十千赫和數(shù)兆赫茲），主要的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場(chǎng)干擾；而印刷線路板（pcb）走線通常采用手工布線， 具有更大的隨意性，這增加了 pcb分布參數(shù)的提取和近場(chǎng)干擾估計(jì)的難度。1mhz以內(nèi)-以差模干擾為主，增大x電容就可解決1mh

9、z-5mhz-差模共模混合，采用輸入端并一系列x電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并解決；5m以上以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法對(duì)于外殼接地的，在地線上用一個(gè)磁環(huán)繞2圈會(huì)對(duì)10mhz以上干擾有較大的衰減(diudiu2006);對(duì)于25-30mhz不過可以采用加大對(duì)地y電容、在變壓器外面包銅皮、改變pcb layout、輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小磁環(huán)，最少繞10圈、在輸出整流 管兩端并rc濾波器.30-50mhz普遍是mos管高速開通尖斷引起，可以用增大mos驅(qū)動(dòng)電阻,rcd緩沖電路采用1 n4007慢管，vcc供電電壓用1 n4007慢管來解決100-200mhz普遍是輸出整流管

10、反向恢復(fù)電流引起，可以在整流管上串磁珠100mhz-200mhz之間大部分出于pfc mosfet及pfc二極管，現(xiàn)在mosfet及pfc二極管串磁珠有效果，水平 方向基本可以解決問題，但垂直方向就很無奈了開尖電源的輻射一般只會(huì)影響到100m以下的頻段也可以在mos,二極管上加相應(yīng)吸收回路，但效率會(huì)有所降 低。1mhz以內(nèi) 以差模干擾為主1 增大x電容量；2. 添加差模電感；3.小功率電源可采用pi型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。1mhz5mhz差模共?；旌?，采用輸入端并聯(lián)一系列x電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決，1 對(duì)于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X電容量，添加差

11、模電感器，調(diào)差模電感量；2. 對(duì)于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感，選用合理的電感量來抑制；3. 也可改變整流二極管特性來處理一對(duì)快速二極管如卜107 一對(duì)普通整流二極管1 n40075m以上以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。對(duì)于外殼接地的，在地線上用一個(gè)磁環(huán)串繞圈會(huì)對(duì)10mhz以上干擾有較大的衰減作用；可選擇緊貼變壓器 的鐵芯粘銅箔，銅箔閉環(huán)處理后端輸出整流管的吸收電路和初級(jí)大電路并聯(lián)電容的大小。對(duì)于 20-30mhz，1 對(duì)于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地y2電容量或改變y2電容位置；2. 調(diào)整一二次側(cè)間的yi電容位置及參數(shù)值；3. 在變壓器外面包銅箔；變壓器最里層加屏蔽層：調(diào)整變壓器的各繞組的排布

12、。4. 改變 pcb layout ；5. 輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小共模電感；6. 在輸出整流管兩端并聯(lián)rc濾波器且調(diào)整合理的參數(shù)；7. 在變壓器與mosfet之間加bead core ;8. 在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容。9. 可以用增大mos驅(qū)動(dòng)電阻30-50mhz 普遍是mos管高速開通尖斷引起，1 可以用增大mos驅(qū)動(dòng)電阻；2. red緩沖電路采用1 n4007慢管；3. vcc供電電壓用1 n4007慢管來解決；4. 或者輸出線前端串接一個(gè)雙線并繞的小共模電感；5. 在mosfet的d-s腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路；6. 在變壓器與mosfet之間加bead core ;7. 在變

13、壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容；8. pcb心layout時(shí)大電解電容，變壓器，mos構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的??；9. 變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。50-1 OOmhz普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起，1 可以在整流管上串磁珠；2調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù)；3. 可改變一二次側(cè)跨接y電容支路的阻抗，如pin腳處加bead core或串接適當(dāng)?shù)碾娮瑁?. 也可改變mosfet，輸出整流二極管的本體向空間的輻射（如鐵夾卡mosfet;鐵夾卡diode，改變散熱 器的接地點(diǎn)）。5. 增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射200mhz以上開尖電源已基本輻射量很小，一般可過emi標(biāo)準(zhǔn)。傳

14、導(dǎo)方面emi對(duì)策傳導(dǎo)冷機(jī)時(shí)在0.15-1mhz超標(biāo)，熱機(jī)時(shí)就有7db余量。主要原因是初級(jí)bulk電容df值過大造成的，冷機(jī) 時(shí)esr比較大，熱機(jī)時(shí)esr比較小，開尖電流在esr上形成開尖電壓，它會(huì)壓在一個(gè)電流In線間流動(dòng)，這就是 差模干擾。解決辦法是用esr低的電解電容或者在兩個(gè)電解電容之間加一個(gè)差模電感。 輻射方面emi對(duì)策輻射在30300mhz頻段內(nèi)出現(xiàn)寬帶噪聲超標(biāo)通過在電源線上增加去耦磁環(huán)（可開合）進(jìn)行驗(yàn)證，如果有改善則說明和電源線有尖系，采用以下整改方 法：如果設(shè)備有一體化濾波器，檢查濾波器的接地是否良好，接地線是否盡可能短；金屬外殼的濾波器的接地最好直接通過其外殼和地之間的大面積搭接。檢查濾波器的輸入、輸出線是否互相靠近。適當(dāng)調(diào)整x/y電容的容值、差模電感及共模扼流圈的感量；調(diào)整y電容時(shí)要注意安全問 題；改變參數(shù)可能會(huì)改善某一段的輻射，但是卻會(huì)導(dǎo)致另外頻度變差，所以需要不斷的試才能找到最好的組合。 適當(dāng)增大觸發(fā)極上的電阻值不失為一個(gè)好辦法；也可在開尖管晶體管的集電極（或者是mos管的漏極）或者是次級(jí)輸出整流管對(duì)地接一個(gè)小電容也