整理濕法清洗及腐蝕工藝

1、精品文檔濕法清洗及濕法腐蝕簡(jiǎn)介基本概念濕法清洗濕法腐蝕濕法去膠在線濕法設(shè)備及濕法腐蝕異常簡(jiǎn)介常見(jiàn)工藝要求和異常精品文檔：簡(jiǎn)眾所周知， 濕法腐蝕和濕法清洗在很早以前就已在半導(dǎo)體生產(chǎn)上被廣泛接受和使用，許多濕法工藝顯示了其優(yōu)越的性能。伴隨 IC 集成度的提高 ,硅片表面的潔凈度對(duì)于獲得 IC 器件高性能和高成品率至關(guān)重要 , 硅片清洗也顯得尤為重要 .濕法腐蝕是一種半導(dǎo)體生產(chǎn)中實(shí)現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移的工藝 ,由于其高產(chǎn)出 ,低成本 ,高可靠性以及有很高的選擇比仍被廣泛應(yīng)用 .基本概念MASI覆蓋腐蝕是微電子生產(chǎn)中使用實(shí)現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移的一種工藝，其目標(biāo)是精確的去除不被 的材料，如圖1：1 11-11 s ri I

2、II:SSLa y 111誠(chéng)辰慣t 丄宜Hi/L -Figure N Pattern transfer process sequence showingalt five steps.圖1腐蝕工藝的基本概念-腐蝕速率：是指所定義的膜被去除的速率或去除率，通常用Um/MIN,A/MINETCHRATE (E/R) 為單位來(lái)表示。E/R UNIFORMITY-腐蝕速率均勻性，通常用三種不同方式來(lái)表示：UNIFORMITY ACROSS THE WAFERWAFERTO WAFERLOT TO LOT腐蝕速率均勻性計(jì)算 UNIFORMITY(駅HIGH-ERLOW) /( ERHIGH + ER_CW

3、)*100%SEJECTIVITY-一-選擇比是指兩種膜的腐蝕速率之比，其計(jì)算公式如下：SE_AZB= （ERA） /（ HRB）選擇比反映腐蝕過(guò)程中對(duì)另一種材料（光刻膠或襯底）的影響，在腐蝕工藝中必須特別注 意SEL這是實(shí)現(xiàn)腐蝕工藝的首要條件。PRlOGood selectivityPoor selectivity （U ndercut）PRISOTROPY-各向同性：腐蝕時(shí)在各個(gè)方向上具有相同的腐蝕速率；如濕法腐蝕就是各向同性 腐蝕。具體如下圖：PRSUBISOTROPYANISOTROPY-各向異性：腐蝕速率在縱向和橫向上具有不同的腐蝕，一般縱向速率遠(yuǎn)大于橫 向速率；如干法腐蝕大多數(shù)是各

4、向異性腐蝕。具體如下圖：ANSCTRCPYCD （CDLOSS） -條寬（條寬損失）：腐蝕對(duì)圖形條寬的影響。CD LCSS= PHOTOCD-FINALCDLOADINGEFFBCT-一-負(fù)載效應(yīng)：E/R依賴于暴露的被腐蝕面積總量的一種現(xiàn)象，叫負(fù)載效應(yīng)，一 般在干法腐蝕工藝中較常用到。這包括兩個(gè)方面 A）E/R取決于在腔體中的硅片數(shù)，在這種情況 下，由于腐蝕性粒子的消耗，其總體 E/R會(huì)變慢。B）另一種是取決于單一硅片表面被腐蝕的面 積。但須注意被腐蝕的面積會(huì)隨工藝的進(jìn)程而有所變化。OVER ETCH-過(guò)腐蝕：是指在正常腐蝕量的基礎(chǔ)上增加的腐蝕量，一般用來(lái)保證腐蝕結(jié)果， 但過(guò)量的過(guò)腐蝕也將造成

5、異常（如 CD偏小，OXIDE LOSS大等）。接觸角越大。CONTACTANGLE-接觸角:是衡量表面張力的一種參數(shù)，表面張力越大，HIGH HIGHSURFACE CONTACTTENSION ANGLELOWSUR H ACK TEPi SZONLOWCO NTAUTAHGl-R它主要影響臺(tái)階覆蓋等，為獲得PROFILE -剖面形貌：是指在腐蝕后的剖面圖形的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，滿意得剖面形貌，須進(jìn)行不同性質(zhì)得處理（如進(jìn)行等離子體處理或進(jìn)行各向同性和各向異性腐 蝕的組合）。常見(jiàn)得剖面形貌如下圖：1611、濕法清洗伴隨IC集成度的提高，硅片表面的潔凈度對(duì)于獲得IC器件高性能和高成品率至關(guān)重要。那 么對(duì)

6、清洗目的與要求就更嚴(yán)格。 清洗是為減少沾污 ,因沾污會(huì)影響器件性能 ,導(dǎo)致可靠性問(wèn)題 ,降低 成品率，這就要求在每層的下一步工藝前或下一層前須進(jìn)行徹底的清洗。由于有許多可能情形 的沾污從而使清洗顯得很復(fù)雜，下面就講一下沾污的種類以及各種去除方法。沾污源及其檢測(cè)兩類主要的沾污源為顆粒和膜，隨器件尺寸的縮小，由顆粒所導(dǎo)致的缺陷數(shù)就增加，因此 對(duì)清洗的要求就越來(lái)越高。有時(shí)膜沾污會(huì)變成顆粒沾污。1: 顆粒顆粒源主要包括：硅晶塵埃，石英塵埃，灰塵，從凈化間外帶來(lái)的顆粒，工藝設(shè)備，凈化服中的 纖維絲,以及硅片表面掉下來(lái)的膠塊 ,DI WATER 中的細(xì)菌等，隨特征尺寸的縮小，顆粒的大小會(huì) 使缺陷上升，從而

7、影響電路的成品率。2: 薄膜型硅片表面的另一種沾污源是膜沾污源，主要有油膜 ,藥液殘留 ,顯影液,金屬膜，有時(shí)膜可能 會(huì)變成顆粒。無(wú)論是化學(xué)清洗或濕法去膠工藝常被用來(lái)去除膜沾污同樣也能去除顆粒，針對(duì)不同的沾污 情況,采用分離的清洗程序各自去除 ,不僅是化學(xué)試劑的清洗還是顆粒清洗工藝 ,均是為獲得一個(gè) 潔凈的硅片表面。但提醒一下 ,如能去除沾污源是最有效的，雖然在當(dāng)前工藝步能去除沾污，但 必須保證在后續(xù)工藝中不被重新沾污 .清洗的種類及其機(jī)理1：擦片（包括超聲擦片及高壓噴淋和機(jī)械擦片相結(jié)合）超聲擦片是讓硅片浸沒(méi)在帶有超聲或兆聲的藥液中， 在超聲的作用下藥液中產(chǎn)生微小的泡， 泡破裂產(chǎn)生沖擊波，沖擊

8、硅片表面，使硅片表面的顆粒離去或松動(dòng)，為防止脫離下來(lái)的顆粒再 次沾污及重新沉積在硅片表面，脫落下來(lái)的顆粒必須被帶走，常采用溢流和過(guò)濾的方法。高壓噴淋和機(jī)械毛刷擦片常用于拋光工藝后，及金屬化， CVD 外延等工藝前，毛刷擦片是 利用一轉(zhuǎn)旋的毛刷通過(guò)刷洗硅片表面 （實(shí)際不于硅片直接接確 ）,通過(guò)類似于溶劑的一種分離動(dòng)作 達(dá)到清洗的目的 .2：濺射前自然氧化層的清洗 （稀 HF 清洗 ）當(dāng)硅材料暴露在空氣中時(shí)會(huì)產(chǎn)生 SIO2 膜,被稱為自然氧化層 ,這些物質(zhì)會(huì)對(duì)后續(xù)工藝產(chǎn)生嚴(yán) 重的影響,如接確電阻 ,濺射時(shí)影響接口結(jié)合力 ,因此在濺射前須對(duì)自然氧化層進(jìn)行清洗 （一般用稀 HF 進(jìn)行漂洗 ）。一般其濃

9、度為 HF：H2O=1： 101：100。3:化學(xué)清洗（主要是RCA清洗及SH清洗和HF LAST清洗）A: RCA 清洗 （兩步工藝 SC-1， SC-2）主要是對(duì)SI和SI02在高溫作業(yè)前的清洗，如氧化，擴(kuò)散，外延或合金工序前。SC-1 組分： DI WATER + H2O2（30%）+ NH4OH（ 29%）主要去除硅片表面的顆粒，有機(jī)物以及金屬雜質(zhì)SC-2 組分： DI WATER + H2O2（30%） + HCL（ 37%）主要去除硅片表面的原子和離子雜質(zhì)沾污，SC-2不腐蝕SI和SIO2,但重新沉積在硅片表面的顆粒無(wú)法用SC-2去除。典型的組分及工藝條件如下表：Ratio（by

10、Vol.）ConstituentsTem pTimePur pose of CleanSC-15:1:15:1:0.25DIwater:30%H2 02:29%NH40 H75 E5Min去除硅片表面的顆粒，有 機(jī)物以及金屬雜質(zhì)SC-26:1:1DI water:30%H2 O2:37%HCL80 E5-10Min去除堿離子，硅片表面的 金屬原子和難溶金屬氧 化物等清洗步驟：使用 SC-1 大約 75-80C 10-15MIN; 在稀HF中漂20-30SEC直接進(jìn)入4; :使用 SC-2 75-80C,10-15MIN1預(yù)清洗：如有膠，則先去膠撚后用DI WATER進(jìn)行沖洗；2:去除有機(jī)殘留及

11、某些金屬：3:去除第2步形成的氧化膜：4:去除殘留的金屬原子及離子5:甩干片子，通熱N2保存.在清洗中，化學(xué)試劑的純度是非常重要的，同時(shí)由于H2O2很容易分解，所以如在腐蝕槽中進(jìn)行清洗時(shí)須經(jīng)常加入新的 H2O2。SC-1藥液以很低的速率腐蝕SI，這會(huì)使硅片表面微毛從 而更易去除顆粒。當(dāng)前，對(duì)SC-1藥液的組分進(jìn)行了優(yōu)化，降低 NH4OH的濃度，會(huì)使去除顆粒 的效果提高。B: Piran ha Clean是指H2SO4及H2O2的混和液（98%H2SO4:30%H2O2 =10:14:1），已被半導(dǎo)體工業(yè)長(zhǎng)時(shí)間 廣泛使用，在H2SO4中加入H2O2有去除再次沉積在硅片上的顆粒，實(shí)現(xiàn)更有效的清洗，

12、它主 要用于去膠，去除有機(jī)殘留，以及METAL前的各層清洗，一般清洗時(shí)間為3-5MIN.當(dāng)使用腐蝕槽進(jìn)行清洗時(shí)有幾個(gè)重要的因素需要考慮：a）:在H2SO4中加入H2O2是一個(gè)很強(qiáng)的放熱反應(yīng)，加入 H2O2會(huì)使槽溫升至90E左右。b）:槽子的清洗效率可以在硅片進(jìn)入腐蝕槽時(shí)用肉眼觀察到，由于H2SO4和有機(jī)物反應(yīng)時(shí)在H2O2的強(qiáng)氧化作用下生成H2O和CO2,會(huì)在硅片表面出現(xiàn)霧，如效率好時(shí)在硅片進(jìn)入槽子 幾秒內(nèi)出現(xiàn)霧。c）:H2O2在高溫下易分解生成H2O和O2,此分解影響H2SO4的濃度和降低槽子的去膠效率， 因此定期的加入（補(bǔ)充）H2O2是十分必要的。C: RESIDUE CLEAN主要用于去除

13、在腐蝕時(shí)產(chǎn)生的付產(chǎn)品的清洗，如AL腐蝕后用ACT-CMI，EKC265等進(jìn)行清 洗在鈍化后進(jìn)行清洗等.清洗前后的SEM圖片對(duì)比如下：EgFigure 1 2a - The via residue? ia decorated on rh wafer surface after the wafer was defined in a mixture of DTvlSO/MEA JK-64-42653 at 95'C： for 30 minute and followed with 品n isotropic etch.i r 'jFiire l2b - l he via residue

14、 is completely removeti after being processe<J through J I yd roxyMminH bufferetl solution 65'C for 30 minutes-nipure 1 工；1 - Polysilicori etching; reBhcLuo- aftcr plasma1FlfjU re 1 Sb bJo TfnidLie otoxuleunderciU after processing with the ( tyciroxylamine bufferZ soluUon.F: SP ECIALITYCLEAN具

15、有特殊功效的清洗：如 FRECKLE藥液用于去除殘留的SI-渣等.常用于清洗的藥液H2O2, Dilute HF , NH4OH , NH4F， H2SO4 , HCL ,Speciality EtchantEKC265，DMF ，ACT-CMI四、濕法腐蝕濕法腐蝕工藝由于其低成本 ,高產(chǎn)出,高可靠性以及其優(yōu)良的選擇比是其優(yōu)點(diǎn)而仍被廣泛接 受和使用?；旧鲜歉飨蛲?,因此他們腐蝕后的尺寸要比定義的尺寸小,須在版上加一定量的BIAS因此主要適用于大尺寸條寬的器件生產(chǎn).同時(shí)現(xiàn)有的濕法腐蝕設(shè)備正朝著以下方向發(fā)展：1）自動(dòng)化，2）在微處理器控制下提高在腐蝕狀態(tài)下的重復(fù)性，以幫助工藝工程師提供更良好的

16、控 制，阻止人為因素的影響。 3）點(diǎn)控制過(guò)濾控制，以減小腐蝕過(guò)程中缺陷的產(chǎn)生，4）自動(dòng)噴淋設(shè)備的開(kāi)發(fā)。所有這些，都使?jié)穹ǜg有一個(gè)更美好的前景。與此同時(shí)，濕法腐蝕尤其不利的 一面。其主要缺點(diǎn)有 :A: 腐蝕液及 DI WATER 的成本比干法腐蝕用氣體成本高 ;B: 在處理化學(xué)藥液時(shí)給人帶來(lái)安全問(wèn)題 ;C: 光刻膠的黏附性問(wèn)題D: 有氣體產(chǎn)生以及不徹底的腐蝕及均勻性差等問(wèn)題E: 排風(fēng)問(wèn)題濕法腐蝕機(jī)理濕法腐蝕的產(chǎn)生一般可分為 3 步:1: 反應(yīng)物 （指化學(xué)藥劑 ）擴(kuò)散到反應(yīng)表面2: 實(shí)際反應(yīng) （化學(xué)反應(yīng) ）3:反應(yīng)生成物通過(guò)擴(kuò)散脫離反應(yīng)表面 在實(shí)際應(yīng)用中，濕法腐蝕通常用來(lái)在 SI 襯底或簿膜上生

17、成一定的圖形，光刻版是典型的被 用于覆蓋所期望的表面區(qū)域防止被腐蝕液腐蝕掉，而光刻版在腐蝕后常被去掉，因此在線擇濕 法腐蝕工藝時(shí)，必須線擇腐蝕液，合適的形成版的材料（光刻膠）必須具有良好的抗腐蝕能力， 良好的完整覆蓋特性，光刻膠常被用來(lái)作為版層材料，但有時(shí)邊緣的黏附性差，常采用 HMDS 以增強(qiáng)其黏附性。濕法腐蝕反應(yīng)時(shí)可能存在多種反應(yīng)機(jī)理 ,許多反應(yīng)是一種或多種反應(yīng)共同作用的結(jié)果。 最簡(jiǎn) 單的一種是在溶液中溶解。影響濕法腐蝕的因素濕法腐蝕質(zhì)量的好壞，取決于多種因素，主要的影響因素有：1: 掩膜材料（主要指光刻膠 ）： 顯影不清和曝光強(qiáng)度不夠，會(huì)使顯影時(shí)留有殘膠，通常會(huì)使腐蝕不凈。2:須腐蝕膜的

18、類型（指如SI02,POLY , SILICON等）3:腐蝕速率：腐蝕速率的變化會(huì)使腐蝕效果發(fā)生改變，經(jīng)常會(huì)導(dǎo)致腐蝕不凈或嚴(yán)重過(guò)腐蝕，從 而造成異常，影響腐蝕速率的因素可見(jiàn)下面的影響因素。4:浸潤(rùn)與否：由于在濕法腐蝕時(shí)由于腐蝕液與膜間存在表面張力，從而使腐蝕液難于到達(dá)或進(jìn) 入被腐蝕表面和孔，難于實(shí)現(xiàn)腐蝕的目的。大多數(shù)情況下，為減小表面張力的影響，會(huì)在腐 蝕槽中加入一定量的浸潤(rùn)。影響 E/R 的因素 :1: 腐蝕槽的溫度2:膜的類型（如 SI02,POLY , SILICON 等）3: 晶向 <111> <100>4:膜的形成（是熱生長(zhǎng)形成或摻雜形成）5:膜的密度（THE

19、RMAL OR LTO）6:腐蝕時(shí)的作業(yè)方式（噴淋，浸沒(méi)或是旋轉(zhuǎn)）7:藥液成分的變化8:腐蝕時(shí)有無(wú)攪動(dòng)或?qū)α鞯人猩鲜鲆蛩鼐遣檎耶惓Ｔ虻囊蛩?，同時(shí)膜的摻雜類型及含量也影響 E/R,因?yàn)橥饧拥膿?雜劑改變了膜的密度，例如摻P的氧化層比熱氧化層E/R快得多，而摻B的氧化層要慢得多.下圖 顯示了摻P的CVD SIO2與熱氧化OXIDE在BOE中的不同的腐蝕速率對(duì)比。10000010020502530354045Twnperalufit in degMt C«miqrBdeRg. 1, Typical etch rate vi temperature tor: 7:1 BuHored O

20、xide Etch濕法腐蝕種類及所用藥液1: SIO2 腐蝕:濕法腐蝕SIO2在微電子技術(shù)應(yīng)用中通常是用 HF來(lái)實(shí)現(xiàn)，其反應(yīng)方程式為：SIO2+6HF- H2 +SIF6+2H2O一般HF濃度為49%，此反應(yīng)對(duì)于控制來(lái)說(shuō)太快，因此常采用緩沖HF來(lái)替代（BOE或BHF）,加 入NH4F,可以減少F-的分解，從而使反應(yīng)更穩(wěn)定，而且非緩沖HF對(duì)膠和接口產(chǎn)生不良影響.有資 料表明，BHF中NH4F的濃度過(guò)大而會(huì)嚴(yán)重影響其 E/R的均勻性及E/R線性。同時(shí)研究表明， 在低溫下生成固態(tài)的NH4HF2，這些固態(tài)物質(zhì)能產(chǎn)生顆粒并導(dǎo)致藥液組分的變化，當(dāng)NH4F含量（重量比）為15%時(shí)，能有效的解決此問(wèn)題。在腐蝕

21、 SIO2時(shí)，為了適應(yīng)不同的工藝要求（如 去除SIO2的膜厚，為更好的控制E/R），可以選擇不同的HF濃度配比及工藝條件進(jìn)行腐蝕。2： SI腐蝕：不管單晶硅和多晶硅，都能被HNO3和HF的混和液腐蝕掉，反應(yīng)最初是由HNO3在表面形 成一層SIO2,然后被HF溶解掉，其反應(yīng)方程式為：SI + HNO3 + 6HF- H2SIO6 + HNO2 + H2 + H2O常把CH3COOH作為緩沖溶劑，因可以減少HNO3的分解以提高HNO3的濃度.3:SIN腐蝕SIN可被沸騰（160C左右）的85%的H3PO4溶液所腐蝕，然而膠常被去掉，因此有時(shí)采用SI02 作為掩蔽層來(lái)對(duì)SIN進(jìn)行腐蝕,SI02圖形有

22、光刻膠形成，然后去膠，接下來(lái)進(jìn)行H3PO4對(duì)SIN腐 蝕.我們一般是在場(chǎng)氧化后進(jìn)行SIN的全剝，由于是在咼溫下進(jìn)行了氧化，因此在SIN表面有一層 SINO層，此層不溶于H3PO4而溶于HF,因此在進(jìn)H3PO4槽時(shí)必須先進(jìn)HF槽以去除SINO膜, 然后進(jìn)行 SIN 的全剝 .4: AL 腐蝕濕法AL及AL合金腐蝕常在加熱的H3PO4+HNO3+ CH3COOH及水的混合液中進(jìn)行，溫度 大約是 35C45C,典型的組分為：80%H3PO4 +5%HNO3+5%CH3COOH+1O% H2O,其 E/R 常受到 諸多因素的影響 ,如溫度,藥液組分 ,AL 膜的純度以及合金組分等 .反應(yīng)式如下 ：HN

23、O3 + AL + H3PO4 ->AL2O3+H2O+ H2在反應(yīng)時(shí)會(huì)產(chǎn)生H2,當(dāng)H2附在AL表面時(shí)會(huì)阻礙反應(yīng)，因此在腐蝕時(shí)加入鼓泡以減小此問(wèn)題，由 于 H2 及其它問(wèn)題 ,如濺射時(shí)的沾污及自然氧化層的影響 ,一般在腐蝕時(shí)假如 1050%的過(guò)腐蝕量 以確保能完全腐蝕干凈.濕法AL腐蝕也常單用80%的H3PO4進(jìn)行腐蝕.5： TI 腐蝕TI腐蝕常在SALICIDE工藝中應(yīng)用，由于TI與SI形成的TISI不易被H3PO4腐蝕，而TI能 被H3PO4所腐蝕掉，這樣在源漏處的TI被保留下來(lái),以減小源漏處的方塊電阻. 6：TIW 腐蝕在TELCOM工藝中,為增加薄膜電阻的穩(wěn)定性 須在SICR薄膜

24、上長(zhǎng)一層TIW,在TIW腐蝕中 采用常溫的 H2O2 進(jìn)行腐蝕。采用的工藝條件是在室溫下腐蝕 30MIN。 濕法腐蝕注意事項(xiàng)由于濕法腐蝕的特性， 在對(duì)不同的材料進(jìn)行腐蝕時(shí)必須選擇相應(yīng)的腐蝕藥液和工藝條件， 在 開(kāi)發(fā)濕法腐蝕和清洗菜單時(shí)必須注意此藥液對(duì)硅片上其它膜層和材料的影響，同時(shí)必須考慮濕 法腐蝕特性所帶來(lái)的一些其它問(wèn)題。1：AL 及 AL 以后的片子的去膠不能進(jìn) SH 槽;2：濕法氧化物腐蝕前必須進(jìn)行充分的浸潤(rùn) ;3： TIW 腐蝕流水后不甩干直接去膠 ;4：須做先行的片子根據(jù)先行結(jié)果適當(dāng)調(diào)整腐蝕時(shí)間；5：對(duì)濕法氧化物腐蝕檢查 ,原則上檢查膜厚最厚且小圖形處和大塊被腐蝕區(qū)域應(yīng)保證干凈 ;6

25、：對(duì)濕法 AL 腐蝕檢查 ,主要檢查小圖形及橫跨臺(tái)階的 AL 條是否有殘 AL 及 AL 條缺口嚴(yán)重和斷 AL 現(xiàn)象 ;7： 對(duì) TIW 腐蝕主要檢查 TIW 邊緣是否有殘留 ;8:所有腐蝕時(shí)間加參考的均僅供參考，E/R及膜厚正常的情況下，可 按參考時(shí)間作業(yè)，在E/R和膜厚變化較大時(shí)，可適當(dāng)調(diào)整腐蝕時(shí)間；五、濕法去膠種類在許多步工藝后有去膠工藝，包括干濕法腐蝕和離子注入后或光刻有誤須返工的圓片 .去膠 的目的是快速有效的去膠而不影響下面的各層材料 ，在生產(chǎn)及技術(shù)上去膠工藝并不單一.去膠工 藝主要分為干法和濕法去膠.本次主要講述濕法去膠.濕法去膠又可分為：.但其限制性較大,象常用的藥液有1:有機(jī)

26、去膠有機(jī)去膠是通過(guò)拆散膠層結(jié)構(gòu)而達(dá)到去膠的目的DMF,ACT,EKC 等.2:非有機(jī)去膠目前常用的是H2SO4與H2O2加熱到120-140C左右,其強(qiáng)氧化性使膠中的C氧化成C02, 并生產(chǎn)H20.值得一提的是,此類去膠常用在無(wú)金屬層上，也就是說(shuō)在AL及AL以后層次的去膠 不能用此類去膠，此類去膠也常用在干法去膠后加一步濕法去膠（主要是大劑量注入和較差的干 法去膠后.3:干法去膠干法去膠是利用02等離子體進(jìn)行去膠，具體在干法腐蝕中講述.4:去膠未凈后的處理方法：如檢查去膠未凈，常用的方法是繼續(xù)去膠或用以下兩中方法去膠A:使用稀HF進(jìn)行漂洗，然后流水甩干；B:使用 H2O:H2O2:NH4OH=

27、7:3:3 清洗 10-20NIN,然后流水甩干. 在線的一般的去膠工藝組合有：6”去膠工藝模塊常規(guī)工藝流程的去膠工藝模塊注入劑量去膠工藝去膠菜單備注E13及E13以下劑 量濕法去膠SCP-2 S/P10mi nE14劑量干法去膠+濕法去 膠A1000A ” +SC P-2S/P10mi n部分產(chǎn)品的場(chǎng)注入可 只用濕法去膠；E15劑量干法去膠+濕法去 膠+濕法漂洗A1000A ”+SC P-2S/P10mi n + WE99E16劑量干法去膠+濕法去 膠+濕法漂洗A1000BA ”+SC P-2S/P10mi n + WE99WET ETCH濕法去膠SCP-2 S/P10MINP LASMA

28、ETCH干法去膠+濕法去 膠A1000A ” +SC P-2S/P10mi n在線濕法設(shè)備與常見(jiàn)工藝異常設(shè)備所用藥液適用工藝5”濕法設(shè)備T-11BHF 7:1P-WELL ,N+ BACK ETCHT-14BHF 7:1GW W1 ETCHT-16AL ETCHANTTELCOM AL ETCHT-18H2O2TIW ETCHS12DMFAL & CAPS后清洗S13DMF+ISO有機(jī)濕法去膠SH（有）H2SO4+H2O2濕法去膠SH（無(wú)）H2SO4+H2O2濕法去膠，濕法清洗5” SCRUBH2O鈍化前擦片6”濕法設(shè)備SCP-1HF+H3PO4場(chǎng)氧后SIN全剝SCP-2H2SO4+H

29、2O2濕法去膠SCP-3DILUTE HF濕法SIO2腐蝕及清洗SCP-4BHF，EG+BHFMG產(chǎn)品W1腐蝕及AL前后清洗SCP-5H3PO4SALICIDE 工藝TI腐蝕MEGANH4OH+ H2O2濕法清洗（擦片后及假片清洗）SCRUBH2O擦片F(xiàn)SINH4OH，HCL，H2O2， H2SO4 ETC。進(jìn)爐管前濕法清洗SSTACT-CMI， EKC270AL及PAD后濕法清洗及去 POLYMER七.常見(jiàn)工藝要求和異常SIO2 ETCHPROCESS工藝要求：腐蝕干凈，無(wú)氧化層殘余；侵蝕正常，無(wú)過(guò)侵蝕；無(wú)尖角，無(wú)局部侵蝕嚴(yán)重現(xiàn)象;無(wú)脫膠，浮膠；常見(jiàn)異常：過(guò)侵蝕；有尖角，局部侵蝕嚴(yán)重；圖形發(fā)花，有殘余；脫膠，浮膠；N+區(qū)域染色具體的異常圖片如下：料JGW有尖角，局部侵蝕嚴(yán)重可-JGW圖形發(fā)花GW過(guò)侵蝕/i