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1、.DS18B20內(nèi)部結(jié)構(gòu)：主要由 4 部分組成： 64 位 ROM、溫度傳感器、非揮發(fā)的溫度報(bào)警觸發(fā)器TH 和 TL、配置寄存器。 ROM中的 64 位序列號(hào)是出廠前被光刻好的， 它可以看作是該 DS18B20的地址序列碼，每個(gè) DS18B20的 64 位序列號(hào)均不相同。 64 位 ROM的排的循環(huán)冗余校驗(yàn)碼 （ CRC=X8 X5 X4 1）。 ROM的作用是使每一個(gè) DS18B20都各不相同， 這樣就可以實(shí)現(xiàn)一根總線上掛接多個(gè) DS18B20的目的。;.開(kāi)始讀取轉(zhuǎn)換結(jié)果的低字節(jié)DS18B20復(fù)位讀取轉(zhuǎn)換結(jié)寫(xiě)入跳過(guò) ROM果的高字節(jié)操作指 (0XCC)DS18B20復(fù)位寫(xiě)入轉(zhuǎn)換溫度指令 (0

2、X44)整合低字節(jié)和高字節(jié)的數(shù)據(jù)延遲 750-900 微秒是否為否正數(shù)求反補(bǔ)一DS18B20復(fù)位是寫(xiě)入跳過(guò) ROM操求得十進(jìn)制值作指令 (0XCC)寫(xiě)入讀取 ROM指令 (0XEE)結(jié)束DS18B20 溫度讀取函數(shù)流程圖;.開(kāi)始單片機(jī)拉低總單片機(jī)讀取線 480-950 微秒總線低電平釋放總線定時(shí)時(shí)否間到？是DS18B20拉是低電平？否低信號(hào)應(yīng)答是復(fù)位成功定時(shí) 60-240微秒釋放總線DS18B20 復(fù)位流程圖單片機(jī)拉低電平10-15 微秒寫(xiě)邏輯 0？否是單片機(jī)持續(xù)拉低單片機(jī)拉高電電平 20-45 微秒平 20-45 微秒否寫(xiě)入了 8個(gè)字節(jié)是釋放總線寫(xiě)字節(jié)函數(shù)流程圖;.單片機(jī)拉低電平1微秒單片機(jī)釋放總線讀取總線電平否讀邏輯 0？是DS18B20拉低電平DS18B20拉高

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