第2章工藝流程

1、第二章TFT顯示器的制造工藝流程和工藝環(huán)境要求清洗成膜光刻刻蝕剝離陣列段是從投入白玻璃基板，到基板上電氣電路制作完成。具體見(jiàn)下圖：成膜膜Glass基板PR塗布曝光Mask現(xiàn)像刻蝕剝離TFT基板重復(fù)Glass基板 CF工序是從投入白玻璃基板，到黑矩陣、三基色及ITO制作完成。具體見(jiàn)下Cell工序是從將TFT基板和CF基板作定向處理后對(duì)貼成盒，到切割成單粒后貼上片光片。具體見(jiàn)下圖：Module工序是從LCD屏開(kāi)始到驅(qū)動(dòng)電路制作完成，形成一個(gè)顯示模塊。具體示意圖如下：信號(hào)基板驅(qū)動(dòng)IC PanelBLULCD Module連接電路保護(hù)板検 査裝配綁定 第一節(jié) 陣列段流程一、主要工藝流程和工藝制程（一）

2、工藝流程上海天馬采用背溝道刻蝕型（BCE）TFT顯示象素的結(jié)構(gòu)。具體結(jié)構(gòu)見(jiàn)下圖：CC'ITO pixel electrodeCross-section C-CSelect lineData lineStorage capacitorCC'ITO pixel electrodeCross-section C-CSelect lineData lineStorage capacitora-Si TFT對(duì)背溝道刻蝕型TFT結(jié)構(gòu)的陣列面板，根據(jù)需要制作的膜層的先后順序和各層膜間的相互關(guān)系，其主要工藝流程可以分為5個(gè)步驟（5次光照）：第一步柵極（Gate）及掃描線形成具體包括：Gate層

3、金屬濺射成膜，Gate光刻，Gate濕刻等工藝制程（各工藝制程的具體介紹在隨后的章節(jié)中給出）。經(jīng)過(guò)這些工藝，最終在玻璃基板上形成掃描線和柵電極，即Gate電極。工藝完成后得到的圖形見(jiàn)下圖：CC'Cross-section CC第二步柵極絕緣層及非晶硅小島（Island）形成具體包括：PECVD三層連續(xù)成膜，小島光刻，小島干刻等工藝制程（各工藝制程的具體介紹在隨后的章節(jié)中給出）。經(jīng)過(guò)這些工藝，最終在玻璃基板上形成TFT用非晶硅小島。工藝完成后得到的圖形見(jiàn)下圖：CC'SiNa-Si/n+第三步源、漏電極（S/D）、數(shù)據(jù)電極和溝道（Channel）形成具體包括：S/D金屬層濺射成膜，

4、S/D光刻，S/D濕刻，溝道干刻等工藝制程（各工藝制程的具體介紹在隨后的章節(jié)中給出）。經(jīng)過(guò)這些工藝，最終在玻璃基板上形成TFT的源、漏電極、溝道及數(shù)據(jù)線。到此，TFT已制作完成。工藝完成后得到的圖形見(jiàn)下圖：CC'第四步保護(hù)絕緣層（Passivition）及過(guò)孔（Via）形成具體包括：PECVD成膜，光刻，過(guò)孔干刻等工藝制程（各工藝制程的具體介紹在隨后的章節(jié)中給出）。經(jīng)過(guò)這些工藝，最終在玻璃基板上形成TFT溝道保護(hù)絕緣層及導(dǎo)通過(guò)孔。工藝完成后得到的圖形見(jiàn)下圖：CC'第五步透明象素電極ITO的形成具體包括：ITO透明電極層的濺射成膜，ITO光刻，ITO濕刻等工藝制程（各工藝制程的具

5、體介紹在隨后的章節(jié)中給出）。經(jīng)過(guò)這些工藝，最終在玻璃基板上形成透明象素電極。至此，整個(gè)陣列工序制作完成。工藝完成后得到的圖形見(jiàn)下圖：CC'ITO pixel electrodeCross-section C-CSelect lineData lineStorage capacitorCC'ITO pixel electrodeCross-section C-CSelect lineData lineStorage capacitora-Si TFT至此，整個(gè)陣列工序制作完成。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)5次光照的陣列工序就是：5次成膜5次刻蝕。（二）工藝制程在上面的工藝流程中，我們提到，陣列的工藝

6、流程是成膜、光刻、刻蝕等工藝制程的反復(fù)使用。以下就這些工藝制程作具體的介紹。1、成膜顧名思義，成膜就是通過(guò)物理或化學(xué)的手段在玻璃基板的表面形成一層均勻的覆蓋層。在TFT陣列制作過(guò)程中，我們會(huì)用到磁控濺射（Sputter，或稱物理氣相沉積PVD）和等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積（PECVD）。A）磁控濺射（Sputter）濺射是在真空條件下，用He氣作為工作氣體。自由電子在直流DC電場(chǎng)的作用下加速獲得能量，高能電子碰撞He原子，產(chǎn)生等離子體。He離子在DC電場(chǎng)的作用下，加速獲得能量，轟擊在靶材上，將靶材金屬或化合物原子濺射出來(lái)，沉積在附近的玻璃基板上，最后形成膜。磁場(chǎng)的作用是控制等離子體的分布，使成

7、膜均勻。磁控濺射的原理示意圖如下：Used for ITO (Indium Tin Oxide transparent conductor) and for metals (Al, Mo, Ti, Cr, etc.)生產(chǎn)用磁控濺射設(shè)備如下圖：具體濺射原理的介紹和詳細(xì)的設(shè)備介紹參見(jiàn)后面相關(guān)的章節(jié)。B）PECVDPECVD是通過(guò)化學(xué)反應(yīng)在玻璃基板表面形成透明介質(zhì)膜。等離子體的作用是使反應(yīng)氣體在低溫下電離，使成膜反應(yīng)在低溫下得以發(fā)生。其原理示意圖如下：成各類膜所使用得化學(xué)氣體見(jiàn)下表：Feed gasMaterialFunctionSiH4, H2a-SiSemiconductorSiH4, N2,

8、NH3Si3N4Gate insulator, passivationSiH4, N20SiO2Gate insulator, passivationSiH4, PH3, H2n+ a-SiContact layer at source and drain典型的PECVD設(shè)備如下圖：具體PECVD原理的介紹和詳細(xì)的設(shè)備介紹參見(jiàn)后面相關(guān)的章節(jié)。2、光刻：涂膠、圖形曝光、顯影光刻的作用是將掩模版（Mask）上的圖形轉(zhuǎn)移到玻璃表面上，形成PR Mask。具體通過(guò)涂膠、圖形曝光、顯影來(lái)實(shí)現(xiàn)。見(jiàn)以下示意圖：A) 涂膠在玻璃表面涂布一層光刻膠的過(guò)程叫涂膠。對(duì)于小的玻璃基板，一般使用旋轉(zhuǎn)涂布的方式。但對(duì)大的

9、基板，一般使用狹縫涂布的方式。見(jiàn)以下示意圖：Spin coating Slit (extrusion) coatingB) 圖形曝光涂膠后的玻璃基板經(jīng)干燥、前烘后可以作圖形曝光。對(duì)于小面積的基板，可以采用接近式一次完成曝光。但對(duì)大面積的基板，只能采用多次投影曝光的方式。下圖是Canon曝光機(jī)的工作原理圖：由于大面積的均勻光源較難制作，Canon采用線狀弧形光源。通過(guò)對(duì)Mask和玻璃基板的同步掃描，將Mask上的圖形轉(zhuǎn)移到玻璃基板上。C) 顯影經(jīng)圖形曝光后，Mask上的圖形轉(zhuǎn)移到玻璃基板上，被光阻以潛影的方式記錄下來(lái)。要得到真正的圖形，還需要用顯影液將潛影顯露出來(lái)，這個(gè)過(guò)程叫顯影。如果使用的光阻

10、為正性光阻，被UV光照射到的光阻會(huì)在顯影過(guò)程中被溶掉，剩下沒(méi)有被照射的部分。顯影設(shè)備往往會(huì)被連接成線，前面為顯影，后面為漂洗、干燥。示意圖如下：3、刻蝕：濕刻、干刻刻蝕分為濕刻和干刻兩種。濕刻是將玻璃基板浸泡于液態(tài)的化學(xué)藥液中，通過(guò)化學(xué)反應(yīng)將沒(méi)有被PR覆蓋的膜刻蝕掉。濕刻有設(shè)備便宜、生產(chǎn)成本低的優(yōu)點(diǎn)，但由于刻蝕是各向同性的，側(cè)蝕較嚴(yán)重。干刻是利用等離子體作為刻蝕氣體，等離子體與暴露在外的膜層進(jìn)行反應(yīng)而將其刻蝕掉。等離子體刻蝕有各向異性的特點(diǎn)，容易控制刻蝕后形成的截面形態(tài)；但但高能等離子體對(duì)膜的轟擊會(huì)造成傷害。濕刻與干刻的原理見(jiàn)下圖：Wet etching vs. dry etching (RI

11、E)Glass substratePhotoresistO2containing etching gasEtched layerGlass substratePhotoresistEtched layerGlass substrateEtched layerGlass substratePhotoresistO2containing etching gasEtched layerGlass substratePhotoresistEtched layerGlass substratePhotoresistEtched layer濕刻的設(shè)備一般與后面清洗、干燥的設(shè)備連成線，見(jiàn)下圖：干刻設(shè)備與PV

12、D及PECVD設(shè)備一樣，一般采用多腔體枚葉式布局。由于設(shè)備內(nèi)是真空環(huán)境，玻璃基板進(jìn)出設(shè)備需要12個(gè)減壓腔。其余腔體為工藝處理腔。見(jiàn)以下示意圖：一般金屬膜采用濕刻，介質(zhì)膜采用干刻。4、脫膜刻蝕完成后，需要將作掩模的光阻去除，去除光阻的過(guò)程叫脫膜。一般脫膜設(shè)備會(huì)與其隨后的清洗、干燥設(shè)備連線。見(jiàn)下圖：二、輔助工藝制程陣列工序的工藝流程中，除了以上介紹的主要工藝制程外，為了監(jiān)控生產(chǎn)線的狀態(tài)，提高產(chǎn)品的合格率，方便對(duì)產(chǎn)品的管理和增加了一些輔助的制程，如：清洗、打標(biāo)及邊緣曝光、AOI、Mic/Mac觀測(cè)、成膜性能檢測(cè)、電測(cè)等。以下就這些輔助工藝制程逐一作個(gè)簡(jiǎn)單介紹。1、清洗清洗，顧名思義就是將玻璃基板清洗

13、干凈。這是整個(gè)LCD工藝流程中使用最頻繁的工藝制程。在每次成膜前及濕制程后都有清洗。清洗有濕洗和干洗，有物理清洗和化學(xué)清洗。其作用和用途詳見(jiàn)下表：具體在工藝流程中，玻璃基板流入生產(chǎn)線前有預(yù)清洗；每次成膜前有成膜前清洗；每次光阻涂布前有清洗；每次濕刻后及脫膜后也有清洗。一般清洗設(shè)備的結(jié)構(gòu)如下：由于清洗設(shè)備的結(jié)構(gòu)與濕刻及脫膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)非常相識(shí)，所以這三個(gè)制程往往統(tǒng)稱為濕制程。2、打標(biāo)及邊緣曝光為了方便生產(chǎn)線的管理，我們需要對(duì)在生產(chǎn)線流通的每一張玻璃基板和Panel打上ID，這是通過(guò)打標(biāo)制程來(lái)完成的。通常打標(biāo)制程會(huì)放在柵極光刻制程中，即柵極圖形曝光后，顯影前。打標(biāo)一般采用激光頭寫(xiě)入。隨著玻璃基板的增

14、大，曝光機(jī)的制作和大面積均勻光源的獲得變得較難。為了有效利用曝光設(shè)備，在圖形曝光時(shí)只對(duì)玻璃基板中間有圖形的有效區(qū)域進(jìn)行曝光。之后采用一種不需要Mask的邊緣曝光設(shè)備對(duì)邊緣區(qū)域曝光，然后去做顯影。這一過(guò)程叫邊緣曝光。3、自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)（AOI）為了提高產(chǎn)品的合格率，在每次顯影后和刻蝕后，一般會(huì)作一次光學(xué)檢測(cè)。一般采用線性CCD對(duì)玻璃基板上的圖形進(jìn)行掃描，將掃描后的圖像作計(jì)算機(jī)合成處理后，與設(shè)計(jì)圖形作比對(duì)，以發(fā)現(xiàn)可能存在的問(wèn)題。此過(guò)程即稱為自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)。其典型設(shè)備如下圖：4、宏微觀檢查（MAC/MIC）微觀檢查主要是通過(guò)顯微鏡對(duì)AOI或其他檢測(cè)過(guò)程中發(fā)現(xiàn)的問(wèn)題作進(jìn)一步觀測(cè)確認(rèn)。宏觀檢測(cè)是利用人眼對(duì)光

15、和圖像的敏銳觀察，以發(fā)現(xiàn)顯影后或刻蝕后大面積的不均勻。微觀、宏觀檢查往往設(shè)計(jì)在同一機(jī)器上。典型的機(jī)器見(jiàn)下圖：5、成膜性能檢測(cè)在陣列的制程中有5次成膜。成膜質(zhì)量的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的性能和合格率的高低。所以生產(chǎn)中有許多對(duì)膜性能作檢測(cè)的工序，盡管這些工序也許只是抽測(cè)。對(duì)導(dǎo)電膜，一般會(huì)用四探針測(cè)試儀（RS Meter）作膜層方塊電阻測(cè)試；用反射光譜儀（SR）作反射性能測(cè)試。對(duì)介質(zhì)膜，一般會(huì)用橢偏儀（SE）作膜厚和透過(guò)性能測(cè)試；用付氏紅外分析儀（FTIR）作成分分析。對(duì)所有的膜層都會(huì)用臺(tái)階儀（Profile）作膜厚分析；用Mac作宏觀檢查；用AFM作表面形貌分析。6、開(kāi)路/短路（O/S）電測(cè)TFT溝道

16、刻蝕主要是刻掉非晶硅表面的一層N型參雜的接觸層。這一層具有改善接觸電阻的作用。但這一層在溝道的部分必須完全刻蝕干凈，否則溝道短路或漏電流偏大。溝道是否刻蝕干凈，用光學(xué)的辦法不能檢測(cè)，因?yàn)镹型參雜層是透明的。所以在溝道刻蝕后插入開(kāi)路/短路（O/S）電測(cè)。開(kāi)路/短路電測(cè)的原理很簡(jiǎn)單：將兩個(gè)探針?lè)旁陔姌O的兩端，檢測(cè)電流以判斷電極是否開(kāi)路；將兩個(gè)探針?lè)旁谙噜彽膬蓚€(gè)電極上，檢測(cè)電流以判斷這兩個(gè)電極間是否短路。下圖是原理的示意圖和相關(guān)設(shè)備圖：HEAD HEAD Short1Short2Open1Open27、TEG（Test Element Group）電測(cè)在陣列制作的工藝過(guò)程中，有許多中間環(huán)節(jié)的電氣性能

17、直接影響到產(chǎn)品的最終性能，必須加以檢測(cè)。如層間的接觸電阻，電極間的電容等。為了檢測(cè)這些中間環(huán)節(jié)的電氣性能，會(huì)在正常顯示屏電氣線路以外的區(qū)域，專門(mén)設(shè)計(jì)一些檢測(cè)中間性格的電氣單元（Test Element Group），并通過(guò)專門(mén)的TEG檢測(cè)設(shè)備作測(cè)試。常見(jiàn)的TEG電氣單元有: 引線電阻、TFT、存儲(chǔ)電容、接觸電阻、跨越臺(tái)階的引線電阻等。TEG的位置及設(shè)計(jì)范例如下圖：TEG8、陣列電測(cè)陣列電路制作完成后，其電氣性能如何需要作陣列電測(cè)，以挑出有缺陷的屏，不讓其流到后面的工序，減少材料的損失。陣列電測(cè)大致分為電荷檢測(cè)、電子束檢測(cè)和光學(xué)檢測(cè)三種檢測(cè)方法。這三種檢測(cè)方法各有優(yōu)劣。目前天馬采用光學(xué)的檢測(cè)方法

18、。其原理和相關(guān)設(shè)備見(jiàn)下圖：詳細(xì)的設(shè)備介紹見(jiàn)后面相關(guān)章節(jié)。9、激光修補(bǔ)對(duì)在AOI或電測(cè)中發(fā)現(xiàn)的問(wèn)題，如短路、開(kāi)路等，一般考慮采用激光修補(bǔ)的辦法進(jìn)行補(bǔ)救。這一辦法對(duì)大屏的制作尤其有效。常見(jiàn)的激光修補(bǔ)設(shè)備見(jiàn)下圖：三、返工工藝流程以上介紹的是正常工藝流程。在生產(chǎn)過(guò)程中由于品質(zhì)管控的要求，在某些指標(biāo)達(dá)不到要求時(shí)，產(chǎn)品會(huì)進(jìn)入返工流程。陣列段最常見(jiàn)的返工是：PR返工和Film返工。1、PR返工在曝光、顯影后，膜層刻蝕前，如果被AOI或MAC/MIC檢測(cè)發(fā)現(xiàn)嚴(yán)重質(zhì)量問(wèn)題，如果不返工會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品報(bào)廢或合格率很低。這時(shí)產(chǎn)品會(huì)進(jìn)入PR返工流程，即先脫膜，然后從新作光刻。2、Film返工Gate電極和S/D電極在刻蝕后

19、，如果被AOI或MAC/MIC檢測(cè)發(fā)現(xiàn)嚴(yán)重質(zhì)量問(wèn)題，如果不返工會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品報(bào)廢或合格率很低。這時(shí)產(chǎn)品會(huì)進(jìn)入Film返工流程，即先脫膜后，濕刻掉所有金屬膜，然后從新作成膜。四、陣列段完整工藝流程在主要工藝流程和制程的基礎(chǔ)上，加入輔助工藝制程和返工流程，一個(gè)陣列段完整的工藝流程如下圖：圖中同時(shí)給出了制作高開(kāi)口率的有機(jī)膜工藝流程和半反半透膜工藝流程。其器件原理參見(jiàn)其他文獻(xiàn)的介紹。以上工藝流程圖的詳細(xì)工藝步驟描敘，請(qǐng)參見(jiàn)本章后的詳細(xì)的具體附表。五、設(shè)備維護(hù)及工藝狀態(tài)監(jiān)控工藝流程產(chǎn)品是靠生產(chǎn)線和設(shè)備作出來(lái)的，所以生產(chǎn)線的狀態(tài)和設(shè)備狀況直接關(guān)系到產(chǎn)品的質(zhì)量。定時(shí)對(duì)設(shè)備作維護(hù)（Prevent Maintena

20、nce）和對(duì)設(shè)備、環(huán)境狀態(tài)作監(jiān)測(cè)是有效管理的的必然選擇。通常的做法是采用白玻璃（Dummy Glass）作某個(gè)工藝制程，之后拿去檢測(cè)。這樣Dummy Glass就有一個(gè)流程。1、白玻璃（Dummy Glass）的用途在生產(chǎn)線遇到以下幾種情況時(shí)，需要流通白玻璃： A、在新的生產(chǎn)線安裝調(diào)試階段，用白玻璃作一系列的試驗(yàn)；B、設(shè)備或工藝調(diào)整后，用白玻璃確認(rèn)工藝狀況；C、設(shè)備作維護(hù)保養(yǎng)后，用白玻璃確認(rèn)工藝狀況D、設(shè)備和工藝狀態(tài)需要作定期監(jiān)測(cè)時(shí)E、工藝潔凈環(huán)境需要作定期監(jiān)測(cè)時(shí)2、白玻璃的流程根據(jù)使用白玻璃的目的的不同，其流通流程也完全不同。這里只簡(jiǎn)單舉一個(gè)例子。例如，如果我們需要了解設(shè)備內(nèi)的清潔狀態(tài)，白玻

21、璃會(huì)流過(guò)以下制程：白玻璃清洗要檢測(cè)的設(shè)備異物檢測(cè)機(jī)對(duì)于各種情況下白玻璃的詳細(xì)流程，請(qǐng)參考本章附表。第二節(jié) 制盒段流程Cell 段的工藝流程可以大概分為四塊：取向、成盒、切斷、貼偏光片。以下簡(jiǎn)單介紹一下各塊工藝目的和主要工藝制程。二、ODF成盒工藝成盒就是將CF和TFT玻璃基板對(duì)貼、粘結(jié)起來(lái)，同時(shí)要在兩個(gè)玻璃基板間的間隙中（盒中）放入液晶并控制盒的厚度。傳統(tǒng)的成盒工藝是先完成空盒制作，然后灌注液晶?，F(xiàn)在的ODF（One Drop Filling）工藝是先在TFT或CF玻璃基板上滴下液晶，然后在真空環(huán)境下對(duì)貼制盒，最后經(jīng)紫外固化和熱固化后成盒。ODF成盒工藝可以分成四塊：襯墊料噴灑，邊框料、銀點(diǎn)料

22、、液晶涂布，真空環(huán)境下對(duì)貼制盒，紫外固化和熱固化。以下逐一作簡(jiǎn)單介紹：1、襯墊料噴灑盒厚控制是靠選擇設(shè)定的球形襯墊料的直徑來(lái)實(shí)現(xiàn)的。襯墊料需要在貼合前均勻地噴灑到玻璃基板地表面，這是通過(guò)一種讓襯墊料帶電后干噴的設(shè)備完成的。其示意圖如下：基板2、邊框料、銀點(diǎn)料、液晶涂布邊框料的作用有三：一是將CF與TFT基板粘結(jié)在一起；二是將盒厚固定下來(lái)；三是將液晶限制在盒內(nèi)。銀點(diǎn)料的作用是導(dǎo)通CF和TFT上的Common電極。對(duì)ODF工藝而言，邊框料和銀點(diǎn)料必須是采用快速固化的UV固化膠。液晶（Liquid Crystal）的作用是改變盒的光學(xué)狀態(tài)。這三種材料的涂布都是采用一種叫Dispensor的涂布頭來(lái)完

23、成的。其示意圖分別如下：邊框涂布剤窒素加圧銀點(diǎn)涂布銀液晶涂布液晶3、真空環(huán)境下對(duì)貼制盒將涂布有襯墊料、邊框料、銀點(diǎn)料、液晶的CF與TFT玻璃基板在真空環(huán)境下對(duì)貼，以完成制盒。其工作原理見(jiàn)下圖：、大気重合焼成真空ODF制盒完成后，為了防止CF與TFT玻璃基板的相對(duì)移動(dòng)，在四個(gè)角滴上UV膠，并作UV固化。4、紫外固化和熱固化前面已經(jīng)提到，對(duì)ODF工藝而言，邊框料和銀點(diǎn)料必須是采用快速固化的UV固化膠。ODF制盒完成后，對(duì)貼好的玻璃會(huì)作UV固化處理，使邊框料和銀點(diǎn)料固化。為了防止UV光對(duì)液晶的破壞，邊框以外有液晶的地方會(huì)用Mask遮擋。若UV光從CF側(cè)照射，CF可以起到Mask的作用。若UV光從TF

24、T側(cè)照射，需要準(zhǔn)備專用的Mask。UV型邊框料有快速固化的特點(diǎn)，但粘接強(qiáng)度不如熱固化型膠。且當(dāng)UV從TFT側(cè)照射時(shí)，在引線下的邊框料UV光照射不到。為了解決以上問(wèn)題，ODF邊框料一般都是UV型與熱固化型環(huán)氧樹(shù)脂的混合體。UV固化后還必須經(jīng)過(guò)充分的熱固化。以上是ODF的主要工藝制程。此外還有一些輔助工藝制程，如：摩擦后（襯墊料散布前）清洗，襯墊料返工，邊框料、液晶涂布前USC干洗，邊框料涂布后自動(dòng)光學(xué)檢查，邊框固化后目測(cè)、盒厚檢測(cè)、及偏位檢測(cè)等。三、切割、磨邊、電測(cè)1、切割由于玻璃基板的尺寸一定，而各產(chǎn)品的尺寸不同，在一張玻璃基板上會(huì)排列有多個(gè)產(chǎn)品盒。見(jiàn)下圖：在產(chǎn)品盒制作完成后，需要將這些排列在一起的盒分割成獨(dú)立的屏。這個(gè)過(guò)程就稱為切割。切割是通過(guò)金剛刀輪在玻璃表面滑過(guò)來(lái)完成的。其原理圖如下：基板裏面加圧、瞬間 劈開(kāi)。通常切割后還有裂片的工藝。但隨著刀輪技術(shù)的改進(jìn)，目前已有切痕很深的技術(shù)，其切割后不需要裂片。2、磨邊玻璃切割成單個(gè)屏后，每個(gè)屏的邊會(huì)有許多細(xì)小的裂紋。為了防止這些裂紋