電晶體之認(rèn)識(shí)和V-I特性曲線之測(cè)量ppt課件

1、實(shí)習(xí)四實(shí)習(xí)四 電晶體之認(rèn)識(shí)與電晶體之認(rèn)識(shí)與V-I特性特性曲線之測(cè)量曲線之測(cè)量 4-1 PNP與與NPN之判別之判別 4-2 E、B、C之判別之判別 4-3 值測(cè)試值測(cè)試 4-4 IE、 IB、 IC之關(guān)係之關(guān)係 4-5 輸出特性曲線輸出特性曲線 總目錄總目錄4-1 PNP與與NPN之判別之判別 NPN型電晶體型電晶體 PNP型電晶體型電晶體 判別電晶體的類型與好壞判別電晶體的類型與好壞 電晶體的外型、編號(hào)與規(guī)格電晶體的外型、編號(hào)與規(guī)格 目錄目錄4-2 E、B、C之判別之判別 NPN型電晶體型電晶體 PNP型電晶體型電晶體 目錄目錄4-3 值測(cè)試值測(cè)試 運(yùn)用運(yùn)用 hFE測(cè)試棒測(cè)試棒 運(yùn)用運(yùn)用 h

2、FE測(cè)試座測(cè)試座 目錄目錄4-4 IE、IB與與IC的關(guān)係的關(guān)係 電晶體的工作區(qū)域電晶體的工作區(qū)域 電流增益電流增益 電流增益電流增益 電流增益電流增益目錄目錄 4-5 輸出特性曲線輸出特性曲線圖圖4-18 電晶體的輸出特性曲線電晶體的輸出特性曲線目錄目錄電晶體的規(guī)格電晶體的規(guī)格編號(hào)編號(hào)向日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)（向日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)（EIAJEIAJ）登記的電晶體編號(hào)名稱）登記的電晶體編號(hào)名稱製造廠商製造廠商向向EIAJEIAJ登記該電晶體編號(hào)及規(guī)格的廠商名稱登記該電晶體編號(hào)及規(guī)格的廠商名稱用途用途該電晶體向該電晶體向EIAJEIAJ登記的用途登記的用途構(gòu)造構(gòu)造該電晶體的材料與構(gòu)造該電晶體的材料與

3、構(gòu)造最大規(guī)格最大規(guī)格在室溫（在室溫（2525）下，該電晶體的最大規(guī)格。其中）下，該電晶體的最大規(guī)格。其中I IC C表示集表示集極最大可承受的電流，極最大可承受的電流，P PC C表示集極最大可承受的功率表示集極最大可承受的功率電氣規(guī)格電氣規(guī)格在室溫（在室溫（2525）下，該電晶體的電氣規(guī)格。其中）下，該電晶體的電氣規(guī)格。其中h hFEFE表示電表示電晶體的電流放大率晶體的電流放大率外型外型規(guī)格表中所附外型表的編號(hào)規(guī)格表中所附外型表的編號(hào)編號(hào)編號(hào)廠商名稱廠商名稱用途用途構(gòu)造構(gòu)造最大規(guī)格最大規(guī)格電氣規(guī)格電氣規(guī)格外型外型2SC372東芝東芝RF,Conv,Mix,OscSi.EPIC100mAhF

4、E7040033PC200mW目錄目錄判別電晶體的類型與好壞判別電晶體的類型與好壞 判別電晶體的類型判別電晶體的類型NPN型或型或PNP型）型） 判別電晶體的好壞判別電晶體的好壞 目錄目錄NPN型電晶體型電晶體 NPN型電晶體是由兩層較厚的型電晶體是由兩層較厚的N型半導(dǎo)體夾著一層很薄的型半導(dǎo)體夾著一層很薄的P型半型半導(dǎo)體所組成。導(dǎo)體所組成。節(jié)目錄節(jié)目錄(a)結(jié)構(gòu)(b)電路符號(hào)PNP型電晶體型電晶體 PNP型電晶體則是由兩層較厚的型電晶體則是由兩層較厚的P型半導(dǎo)體夾著一層很薄的型半導(dǎo)體夾著一層很薄的N型型半導(dǎo)體所組成半導(dǎo)體所組成 。節(jié)目錄節(jié)目錄(a)結(jié)構(gòu)(b)電路符號(hào)電晶體的工作區(qū)域電晶體的工作

5、區(qū)域項(xiàng)目項(xiàng)目基基-射極射極(B-E)接面接面集集-基極基極(C-B)接面接面主要功用主要功用飽和區(qū)飽和區(qū)(saturation)順向偏壓順向偏壓順向偏壓順向偏壓開關(guān)電路開關(guān)電路(ON)主動(dòng)主動(dòng)區(qū)區(qū)(active)順向偏壓順向偏壓逆向偏壓逆向偏壓放大信號(hào)放大信號(hào)截止區(qū)截止區(qū)(cut off)逆向偏壓逆向偏壓逆向偏壓逆向偏壓開關(guān)電路開關(guān)電路(OFF)節(jié)目錄節(jié)目錄電晶體電晶體IE、IB與與IC的關(guān)的關(guān)係係CBEIII節(jié)目錄節(jié)目錄電流增益電流增益 是集極電流是集極電流IC與射極電流與射極電流IE的的比值比值 。ECII節(jié)目錄節(jié)目錄電流增益電流增益 是集極電流是集極電流IC與基極電流與基極電流IB的的比

6、值，又稱為比值，又稱為hFE 。BCII節(jié)目錄節(jié)目錄電流增益電流增益 是射極電流是射極電流IE與基極電流與基極電流IB的的比值比值 。BEII節(jié)目錄節(jié)目錄電晶體的外型電晶體的外型圖圖4-5各類電晶體的外型各類電晶體的外型 節(jié)目錄節(jié)目錄電晶體的接腳電晶體的接腳圖圖4-6各類電晶體的接腳各類電晶體的接腳 節(jié)目錄節(jié)目錄日本系列電晶體的編號(hào)日本系列電晶體的編號(hào)第一項(xiàng)第一項(xiàng)第二項(xiàng)第二項(xiàng)第三項(xiàng)第三項(xiàng)第四項(xiàng)第四項(xiàng)第五項(xiàng)第五項(xiàng)2SC372A數(shù)字?jǐn)?shù)字說明說明0光電晶體或光二極體光電晶體或光二極體1二極體二極體2三極體。例如電晶體、三極體。例如電晶體、FET、SCR等等3四極體。例如雙閘極四極體。例如雙閘極FET

7、、SCS等等文字文字說明說明S表示半導(dǎo)體表示半導(dǎo)體(Semiconductor)文文字字說明說明A高頻用高頻用PNP型電型電晶體晶體B低頻用低頻用PNP型電型電晶體晶體C高頻用高頻用NPN型電型電晶體晶體D低頻用低頻用NPN型電型電晶體晶體FSCRGPUTJP通道通道FET數(shù)數(shù)字字說明說明372表示電晶體的序號(hào)，表示電晶體的序號(hào)，依照廠商註冊(cè)的順序依照廠商註冊(cè)的順序編號(hào)，從編號(hào)，從11開始。開始。文文字字說明說明AD表示改良的序號(hào)。例表示改良的序號(hào)。例如如2SC372A是是2SC372的改良品的改良品節(jié)目錄節(jié)目錄美國(guó)系列電晶體的編號(hào)美國(guó)系列電晶體的編號(hào)第一項(xiàng)第一項(xiàng)第二項(xiàng)第二項(xiàng)2N3569文字文

8、字說明說明1N二極體二極體2N三極體。例如電晶體、三極體。例如電晶體、FET、SCR等等3N四極體。例如雙閘極四極體。例如雙閘極FET、SCS等等數(shù)字?jǐn)?shù)字說明說明3569表示電晶體登記註冊(cè)的序表示電晶體登記註冊(cè)的序號(hào)號(hào)節(jié)目錄節(jié)目錄歐洲系列電晶體的編號(hào)歐洲系列電晶體的編號(hào)第一項(xiàng)第一項(xiàng)第二項(xiàng)第二項(xiàng)第三項(xiàng)第三項(xiàng)BC546文字說明A以鍺(Ge)為製造材料B以矽(Si)為製造材料C以金屬氧化物(MOS)為製造材料D輻射檢波器用材料文文字字說明說明A小功率二極體小功率二極體C小功率音頻小功率音頻(AF)用電晶體用電晶體D大功率音頻大功率音頻(AF)用電晶體用電晶體E隧道二極體隧道二極體F小功率射頻小功率射

9、頻(RF)用電晶體用電晶體H電場(chǎng)探測(cè)器電場(chǎng)探測(cè)器K霍爾效應(yīng)發(fā)生器霍爾效應(yīng)發(fā)生器L大功率射頻大功率射頻(RF)用電晶體用電晶體S小功率開關(guān)小功率開關(guān)U大功率開關(guān)大功率開關(guān)Y大功率二極體大功率二極體Z稽納二極體稽納二極體數(shù)字?jǐn)?shù)字說明說明546表示電晶體登記註冊(cè)的表示電晶體登記註冊(cè)的序號(hào)序號(hào)節(jié)目錄節(jié)目錄判別電晶體的類型判別電晶體的類型NPN型或型或PNP型）型）步驟步驟1將三用電表撥至將三用電表撥至1 1k檔檔 ，並作歸，並作歸 零調(diào)整。零調(diào)整。步驟步驟2任選電晶體的兩個(gè)接腳，將測(cè)試棒接觸此兩個(gè)任選電晶體的兩個(gè)接腳，將測(cè)試棒接觸此兩個(gè) 接腳，使三用電表指針大幅偏轉(zhuǎn)，此時(shí)這兩個(gè)接腳，使三用電表指針大幅

10、偏轉(zhuǎn)，此時(shí)這兩個(gè) 接腳中必有一個(gè)接腳為基極。接腳中必有一個(gè)接腳為基極。節(jié)目錄節(jié)目錄步驟步驟3將任一個(gè)測(cè)試棒移至空接的接腳，此時(shí)若三將任一個(gè)測(cè)試棒移至空接的接腳，此時(shí)若三 用電表指針仍然大幅偏轉(zhuǎn)，表示電晶體用電表指針仍然大幅偏轉(zhuǎn)，表示電晶體B-E接接 面與面與B-C接面皆為順向偏壓，則測(cè)試棒未移動(dòng)接面皆為順向偏壓，則測(cè)試棒未移動(dòng) 的那隻接腳即為基極的那隻接腳即為基極B），如圖），如圖4-3(a)所所 示。反之，如果將測(cè)試棒移至空接的接腳時(shí)，示。反之，如果將測(cè)試棒移至空接的接腳時(shí)， 若三用電表指針未偏轉(zhuǎn)，則測(cè)試棒移動(dòng)的那隻若三用電表指針未偏轉(zhuǎn)，則測(cè)試棒移動(dòng)的那隻 接腳即為基極接腳即為基極B），如圖

11、），如圖4-3(b)所示。所示。4-3(a)4-3(b)節(jié)目錄節(jié)目錄步驟步驟4若接觸基極若接觸基極B的測(cè)試棒為黑色，則此電晶的測(cè)試棒為黑色，則此電晶 體為體為NPN型，如圖型，如圖4-4(a所示，反之，接觸基所示，反之，接觸基 極極B的測(cè)試棒為紅色，則此電晶體為的測(cè)試棒為紅色，則此電晶體為PNP 型，如圖型，如圖4-4(b)所示。所示。節(jié)目錄節(jié)目錄4-4(a)4-4(b)判別電晶體的好壞判別電晶體的好壞 用三用電表測(cè)量用三用電表測(cè)量B、E接腳或接腳或B、C接腳時(shí)，接腳時(shí)， 均順向?qū)?、逆向不通如同二極體的均順向?qū)ā⒛嫦虿煌ㄈ缤O體的特特 性），表示電晶體是良好的。性），表示電晶體是良好的。

12、 若順向、逆向皆導(dǎo)通，或順向、逆向皆不若順向、逆向皆導(dǎo)通，或順向、逆向皆不導(dǎo)導(dǎo) 通，則表示電晶體是損壞的。通，則表示電晶體是損壞的。 節(jié)目錄節(jié)目錄NPN型電晶體型電晶體步驟步驟1先自行假設(shè)集極先自行假設(shè)集極C與射極與射極E接腳後，接腳後， 如圖如圖4-7所示。將三用電表黑棒接於假設(shè)的集所示。將三用電表黑棒接於假設(shè)的集 極極C），紅棒接於假設(shè)的射極），紅棒接於假設(shè)的射極E後，以後，以 手指當(dāng)作電阻接於基極手指當(dāng)作電阻接於基極B與集極與集極C之之 間，再記錄間，再記錄LI的刻度值。的刻度值。節(jié)目錄節(jié)目錄圖圖4-7 C、E 接腳假設(shè)正確接腳假設(shè)正確(NPN型型)步驟步驟2 再將先前假設(shè)的集極再將先前

13、假設(shè)的集極C與射極與射極E接腳接腳 對(duì)調(diào)後，如圖對(duì)調(diào)後，如圖4-8所示。將三用電表黑棒接於所示。將三用電表黑棒接於 假設(shè)的集極假設(shè)的集極C），紅棒接於假設(shè)的射極），紅棒接於假設(shè)的射極 （E後，以手指當(dāng)作電阻接於基極後，以手指當(dāng)作電阻接於基極B與集與集 極極C之間，再記錄之間，再記錄LI的刻度值。的刻度值。節(jié)目錄節(jié)目錄圖圖4-8 C、E 接腳假設(shè)錯(cuò)誤接腳假設(shè)錯(cuò)誤(NPN型型)PNP型電晶體型電晶體步驟步驟1先自行假設(shè)集極先自行假設(shè)集極C與射極與射極E接腳後，接腳後， 如圖如圖4-9所示。將三用電表黑棒接於假設(shè)的射所示。將三用電表黑棒接於假設(shè)的射 極極E），紅棒接於假設(shè)的集極），紅棒接於假設(shè)的集極

14、C後，以後，以 手指當(dāng)作電阻接於基極手指當(dāng)作電阻接於基極B與集極與集極C之之 間，再記錄間，再記錄LI的刻度值。的刻度值。節(jié)目錄節(jié)目錄圖圖4-9 C、E 接腳假設(shè)正確接腳假設(shè)正確(PNP型型)步驟步驟2再將先前假設(shè)的集極再將先前假設(shè)的集極C與射極與射極E接接 腳對(duì)調(diào)後，如圖腳對(duì)調(diào)後，如圖4-10所示。將三用電表黑所示。將三用電表黑 棒接於假設(shè)的射極棒接於假設(shè)的射極E），紅棒接於假設(shè)的），紅棒接於假設(shè)的 集極集極C後，以手指當(dāng)作電阻接於基極後，以手指當(dāng)作電阻接於基極 （B與集極與集極C之間，再記錄之間，再記錄LI的刻度的刻度 值。值。節(jié)目錄節(jié)目錄圖圖4-10 C、E 接腳假設(shè)錯(cuò)誤接腳假設(shè)錯(cuò)誤(P

15、NP型型)步驟步驟3比較步驟比較步驟1與步驟與步驟2的的LI刻度值，較大刻度值，較大 者為假設(shè)正確。者為假設(shè)正確。 節(jié)目錄節(jié)目錄運(yùn)用運(yùn)用 hFE測(cè)試棒測(cè)試棒步驟1先判別電晶體的類型、好壞與電晶體的E、 B、C三隻接腳。步驟2將三用電表撥至11k檔 ，並作歸零調(diào)整。步驟3將 hFE 測(cè)試棒中的黑色測(cè)試夾接於電晶體 的基極B），紅色測(cè)試夾接於電晶體的集極 （C），如圖4-11所示。節(jié)目錄節(jié)目錄圖圖4-11 hFE測(cè)試棒測(cè)試棒節(jié)目錄節(jié)目錄步驟步驟4若電晶體為若電晶體為NPN型，如圖型，如圖4-12(a)所示，則所示，則 hFE 測(cè)試棒接於三用電表的端，並將接在三用測(cè)試棒接於三用電表的端，並將接在三用 電表電表+端的黑色測(cè)試棒接於電晶體的射極端的黑色測(cè)試棒接於電晶體的射極E） 後，直接讀取刻度中的數(shù)值。反之，若電晶體後，直接讀取刻度中的數(shù)值。反之，若電晶體