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1、推動(dòng)力 固相液相燒結(jié):系統(tǒng)表面能的降低,表面能大于燒結(jié)體的晶界能 初次再結(jié)晶:基質(zhì)塑性變形所增加的能量 二次再結(jié)晶:晶界過(guò)剩的界面能(回復(fù))再結(jié)晶:變形金屬回復(fù)后未被釋放的能量 晶粒長(zhǎng)大:總界面能降低定義解釋?zhuān)?燒結(jié):粉末在一定氣氛,在低于主要成分熔點(diǎn)的溫度加熱得到具有一定組織和性能的材料。 物質(zhì)傳遞:流動(dòng)傳質(zhì): 在表面張力的作用下通過(guò)變形和流動(dòng)實(shí)現(xiàn)物質(zhì)傳遞 粘性(定向) 塑性(滑移) 擴(kuò)散傳質(zhì):借助濃度梯度實(shí)現(xiàn)物質(zhì)遷移 氣相傳質(zhì):高能階凸出蒸發(fā),低能階凹處凝結(jié),接觸面積增大。溶解沉淀:有液相參與溶解固體,小顆粒表面能大溶解度大。 初次再結(jié)晶:從塑性變形的具有應(yīng)變的基質(zhì)中長(zhǎng)出無(wú)應(yīng)變晶粒的成核長(zhǎng)

2、大過(guò)程。 晶粒長(zhǎng)大:燒結(jié)中后期,一些晶粒長(zhǎng)大, 一些縮小消失, 平均晶粒尺寸變大, 晶界移動(dòng)結(jié)果。 二次再結(jié)晶:少數(shù)大晶粒的尺寸異常增加,結(jié)果個(gè)別晶粒尺寸增加?;貜?fù)再結(jié)晶: 新的無(wú)畸變晶粒出現(xiàn)前的亞結(jié)構(gòu)階段, 無(wú)畸變等軸晶粒逐步取代變形晶粒過(guò)程。 動(dòng)態(tài)回復(fù)和再結(jié)晶:提高變形的溫度,使金屬在變形同時(shí)回復(fù)和再結(jié)晶 蠕變:在某溫度和恒定壓力下發(fā)生的緩慢連續(xù)塑性流變現(xiàn)象。超塑性:一定條件熱加工,延伸率大幅提高的均勻塑性變形,且不發(fā)生縮頸現(xiàn)象的特性。 退火:將組織偏離平衡態(tài)的金屬加熱到適當(dāng)溫度, 保持一段時(shí)間后緩慢冷卻達(dá)到平衡態(tài)組織 的熱處理工藝。能量最低原理:電子排布能量最低,優(yōu)先占據(jù)能量低的軌道。

3、泡利不相容原理:一個(gè)原子不能有兩個(gè)狀態(tài)相同的兩個(gè)電子。 洪德規(guī)則:同一壓層各個(gè)能級(jí)優(yōu)先占據(jù)不同能級(jí),自旋方向相同。柔性:高分子鏈能夠改變其構(gòu)像的性質(zhì)柯肯達(dá)爾效應(yīng): 兩種原子擴(kuò)散界面因?yàn)榛ハ鄶U(kuò)散且速率不同而移向擴(kuò)散速率大的方向的現(xiàn)象 包申格效應(yīng):預(yù)先加載少量塑性變形(小于4%),同向加載升高,反向加載降低。彈性后效:應(yīng)變滯后于外加應(yīng)力,并和時(shí)間有關(guān)的現(xiàn)象 彈性滯后:應(yīng)變落后于應(yīng)力,兩線(xiàn)不重合的封閉回線(xiàn)。肖特基缺陷:原子離開(kāi)平衡位置遷移到表面的結(jié)點(diǎn)位置,晶體內(nèi)部留下空位。 弗倫克爾缺陷: 原子離開(kāi)平衡位置擠入點(diǎn)陣的間隙, 晶體內(nèi)留下數(shù)目相等的空位和間隙原子。 位錯(cuò):晶體材料內(nèi)部微觀缺陷,局部排列不

4、規(guī)則。伯氏矢量意義: 反映位錯(cuò)周?chē)c(diǎn)陣畸變總積累的物理量, 方向表示位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)導(dǎo)致晶體滑移的 方向,模表示畸變的程度,即位錯(cuò)的強(qiáng)度。割階與扭折: 位錯(cuò)線(xiàn)部分先滑移形成的曲折線(xiàn)段在位錯(cuò)的滑移面上時(shí)為扭折, 垂直于位錯(cuò)的 滑移面為割階。影響因素: 二次再結(jié)晶對(duì)材料性能的影響: 個(gè)別晶粒異常長(zhǎng)大使得氣孔排除不了, 致密化停止, 晶界上 有應(yīng)力存在使內(nèi)部容易出現(xiàn)隱裂紋,繼續(xù)燒結(jié)則會(huì)膨脹裂開(kāi),使得機(jī)械電學(xué)性能下降 。液相燒結(jié):1. 濕潤(rùn)性 液相對(duì)固相顆粒的表面濕潤(rùn)性對(duì)致密化和性能影響極大。濕潤(rùn)角小于 902. 溶解度 溶解度提高可以改善濕潤(rùn)性, 增加液相數(shù)量, 有利于液相傳質(zhì), 冷卻析出填補(bǔ)間 隙增大均勻

5、性。3. 液相數(shù)量 不超過(guò)燒結(jié)體 35%。燒結(jié) :主要因素:1. 溫度升高,尺寸增加。2. 時(shí)間增加,促使燒結(jié)完成。燒結(jié)后期可能出現(xiàn)二次再結(jié)晶。3. 減少顆粒度,增加表面能,促進(jìn)燒結(jié)。間接因素:1. 活性物料,提高活性加速燒結(jié)。2. 添加物: 一與燒結(jié)物形成固溶體,晶格畸變得到活化,則可降低溫度加速燒結(jié)。Al2O3 加 Cr Ti二阻止晶型轉(zhuǎn)變 氧化物在燒結(jié)時(shí)可能晶型轉(zhuǎn)變,體積效應(yīng)致密化困難,加入添加物抑制晶型轉(zhuǎn)變,促進(jìn)燒結(jié)ZrO2加入MgO CaO三抑制晶粒長(zhǎng)大,抑制二次再結(jié)晶引起的異常晶粒長(zhǎng)大出現(xiàn)的反致密化。 四產(chǎn)生液相 促進(jìn)顆粒重排和傳質(zhì)過(guò)程,可在較低溫下燒結(jié)促進(jìn)燒結(jié)。3. 氣氛影響 物

6、理) 燒結(jié)后期氣孔變小壓力變大逐漸抵消表面張力作用,除了空位擴(kuò)散, 氣體溶解擴(kuò)散起重要作用。 化學(xué)) 與燒結(jié)物反應(yīng), 正離子空位增加, 擴(kuò)散增加, 促進(jìn)燒結(jié)。4. 壓力影響 成型壓力和燒結(jié)外壓,使接觸緊密面積增大,促進(jìn)燒結(jié)。再結(jié)晶:1. 變形程度增加,開(kāi)始燒結(jié)溫度TR下降,等溫退火再結(jié)晶速度增加。2. 原始尺寸 細(xì)小則變形抗力大,TR下降,形核率和長(zhǎng)大速度增加有利于結(jié)晶。3. 微量溶質(zhì)原子 有促進(jìn)有阻礙,總體阻礙,TR上升。4. 第二相粒子 尺寸大間距寬促進(jìn),尺寸小密集阻礙。5. 退火工藝參數(shù) 加熱過(guò)快過(guò)慢 TR 上升,變形程度和保溫時(shí)間一定,溫度越高速度越快; 延長(zhǎng)保溫時(shí)間TR下降。擴(kuò)散:1

7、. 溫度越高,原子熱激活能越大,擴(kuò)散系數(shù)越大。2. 固溶體類(lèi)型:不同類(lèi)型原子擴(kuò)散機(jī)制不同,間隙速度大于置換。3. 晶體結(jié)構(gòu): 1)致密度 2)溶解度 3)對(duì)稱(chēng)性4. 晶體缺陷: 界面表面的位錯(cuò)等缺陷起快速通道作用, 點(diǎn)陣畸變大能量大易躍遷, 擴(kuò)散激 活能小。5. 化學(xué)成分:自擴(kuò)散激活能與熔點(diǎn)體積有關(guān),擴(kuò)散系數(shù)與濃度有關(guān),第三組元。6. 壓力增加激活能。7. 應(yīng)力提供原子擴(kuò)散的驅(qū)動(dòng)力。電子電導(dǎo):1. 溫度 高溫聲子散射 低溫雜質(zhì)離子散射 溫度對(duì)濃度影響對(duì)電導(dǎo)率起決定作用2. 雜質(zhì)缺陷 摻雜不同電性能不同,陰陽(yáng)離子空位,間隙離子。離子電導(dǎo):1. 溫度 載流子濃度和遷移率成正比 高溫固有離子電導(dǎo) 低

8、溫雜質(zhì)離子電導(dǎo)2. 晶體結(jié)構(gòu) 結(jié)合能大離子電價(jià)高結(jié)構(gòu)緊密的電導(dǎo)率低3. 晶格缺陷 電子載流子濃度小,晶格缺陷濃度大且參與電導(dǎo)才具有離子電導(dǎo)特性。動(dòng)態(tài)回復(fù)應(yīng)力與應(yīng)變曲線(xiàn):1. 微應(yīng)變階段:應(yīng)力增加很快,加工硬化開(kāi)始。2. 均勻變形階段:開(kāi)始均勻塑性變形,硬化作用增強(qiáng),動(dòng)態(tài)回復(fù)增加,軟化作用增強(qiáng)抵消 硬化,斜率下降趨于水平。3. 穩(wěn)態(tài)流變階段:變形產(chǎn)生的硬化與動(dòng)態(tài)回復(fù)的軟化達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡,保持水平。動(dòng)態(tài)再結(jié)晶1. 加工硬化階段:應(yīng)力隨應(yīng)變上升快,加工硬化。2. 動(dòng)態(tài)結(jié)晶開(kāi)始階段:達(dá)到臨界值開(kāi)始動(dòng)態(tài)結(jié)晶,軟化作用下降,當(dāng)軟化超過(guò)硬化,應(yīng)力 隨應(yīng)變?cè)黾佣陆?. 穩(wěn)定流變階段 :動(dòng)態(tài)平衡,波動(dòng)由位錯(cuò)密度

9、變化慢引起超導(dǎo)材料:三個(gè)特征參數(shù):臨界溫度磁場(chǎng)電流密度 三個(gè)效應(yīng):零電阻、邁斯納、隧道 物理本質(zhì): 庫(kù)伯電子通過(guò)格波相互作用, 庫(kù)伯電子對(duì)動(dòng)量相當(dāng)產(chǎn)生零電阻, 材料變?yōu)槌瑢?dǎo)態(tài) 后電子結(jié)為庫(kù)伯對(duì),能量降低2A (能隙)??祀x子導(dǎo)體:電導(dǎo)率 ,活化能 。導(dǎo)電機(jī)理:熱缺陷 +雜質(zhì)離子 導(dǎo)電離子特點(diǎn):離子半徑小,電價(jià)低成離子鍵,庫(kù)倫力小易遷移。結(jié)構(gòu)特點(diǎn):1. 晶格特點(diǎn):不運(yùn)動(dòng)離子成骨架提供遷移軌道,遷移離子亞晶格,空位多2. 離子遷移成快離子條件:大量缺陷,亞晶格結(jié)構(gòu),層網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)3. 通道類(lèi)型:一維同一指向,二維面上遷移,三維各向同性4. 正負(fù)離子載流子導(dǎo)電薄膜:1. 基本要求:導(dǎo)電性、粘附性、大電流密度、歐姆接觸、耐高溫、成本低2. 種類(lèi):金(附著力差)銀銅鋁(氧化)鋁抗電遷移能力弱,脫焊 復(fù)合膜(導(dǎo)電性差)I1 1 2 3I 2 ( 1 2 2 3I 3 1 2 3吳剛老師必考考點(diǎn):1.

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