【精華】正夫人電磁爐維修手冊

1、.工作總結,工作,總結,工作匯報,匯報正夫人電磁爐維修手冊正夫人電磁爐HT47系列(DS-4800;DS-4500S;DS-4510;DS-3110SB適用)內容介紹本<<手冊>>是針對正夫人旗下中山電子研究中心所設計開發(fā)的47系列電磁爐售后服務用途而編寫，共分三大部分：第一部分主要介紹電磁加熱的原理及47系列電磁爐簡介； 第二部分為47系列電磁爐原理分析，第三部分介紹電路的檢測方法及標準,并針對檢測時出現(xiàn)的不良情況給出對策,而且介紹一些故障案例供維修時作參考。一、簡介1.1 電磁加熱原理1.2 正夫人電磁爐47系列筒介二、原理分析2.1 特殊零件簡介2.1.1 LM3

2、39集成電路2.1.2 IGBT2.2 電路方框圖2.3 主回路原理分析2.4 振蕩電路2.5 IGBT激勵電路2.6 PWM脈寬調控電路2.7 同步電路2.8 加熱開關控制2.9 VAC檢測電路2.10 電流檢測電路2.11 VCE檢測電路2.12 浪涌電壓監(jiān)測電路2.13 過零檢測2.14 鍋底溫度監(jiān)測電路2.15 IGBT溫度監(jiān)測電路2.16 散熱系統(tǒng)2.17 主電源2.18輔助電源2.19 報警電路三、故障維修3.1 故障代碼表3.2 主板檢測標準3.2.1主板檢測表3.2.2主板測試不合格對策3.3 故障案例3.3.1 故障現(xiàn)象1 一、簡介1.1 電磁加熱原理電磁灶是一種利用電磁感應

3、原理將電能轉換為熱能的廚房電器。在電磁灶內部，由整流電路將50/60Hz的交流電壓變成直流電壓，再經過控制電路將直流電壓轉換成頻率為20-40KHz的高頻電壓，高速變化的電流流過線圈會產生高速變化的磁場，當磁場內的磁力線通過金屬器皿(導磁又導電材料)底部金屬體內產生無數(shù)的小渦流，使器皿本身自行高速發(fā)熱，然后再加熱器皿內的東西。1.2 47系列筒介47系列是由正夫人旗下中山電子技術開發(fā)制造廠設計開發(fā)的全新一代電磁爐,介面有LED發(fā)光二極管顯示模式、LED數(shù)碼顯示模式、LCD液晶顯示模式、VFD瑩光顯示模式、TFT真彩顯示模式機種。操作功能有加熱火力調節(jié)、自動恒溫設定、定時關機、預約開/關機、預置

4、操作模式、自動泡茶、自動煮飯、自動煲粥、自動煲湯及煎、炸、烤、火鍋等料理功能機種。額定加熱功率有500W3400W的不同機種,功率調節(jié)范圍為額定功率的90%,并且在全電壓范圍內功率自動恒定。200240V機種電壓使用范圍為160260V, 100120V機種電壓使用范圍為90135V。全系列機種均適用于50、60Hz的電壓頻率。使用環(huán)境溫度為-2345。電控功能有鍋具超溫保護、鍋具干燒保護、鍋具傳感器開/短路保護、2小時不按鍵(忘記關機) 保護、IGBT溫度限制、IGBT溫度過高保護、低溫環(huán)境工作模式、IGBT測溫傳感器開/短路保護、高低電壓保護、浪涌電壓保護、VCE抑制、VCE過高保護、過零

5、檢測、小物檢測、鍋具材質檢測。47系列須然機種較多,且功能復雜,但不同的機種其主控電路原理一樣,區(qū)別只是零件參數(shù)的差異及CPU程序不同而己。電路的各項測控主要由一塊8位4K內存的單片機組成,外圍線路簡單且零件極少,并設有故障報警功能,故電路可靠性高,維修容易,維修時根據(jù)故障報警指示,對應檢修相關單元電路,大部分均可輕易解決。二、原理分析2.1 特殊零件簡介2.1.1 LM339集成電路 LM339內置四個翻轉電壓為6mV的電壓比較器,當電壓比較器輸入端電壓正向時(+輸入端電壓高于-入輸端電壓), 置于LM339內部控制輸出端的三極管截止, 此時輸出端相當于開路; 當電壓比較器輸入端電壓反向時(

6、-輸入端電壓高于+輸入端電壓), 置于LM339內部控制輸出端的三極管導通, 將比較器外部接入輸出端的電壓拉低,此時輸出端為0V。2.1.2 IGBT 絕緣雙柵極晶體管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)簡稱IGBT,是一種集BJT的大電流密度和MOSFET等電壓激勵場控型器件優(yōu)點于一體的高壓、高速大功率器件。目前有用不同材料及工藝制作的IGBT, 但它們均可被看作是一個MOSFET輸入跟隨一個雙極型晶體管放大的復合結構。IGBT有三個電極(見上圖), 分別稱為柵極G(也叫控制極或門極) 、集電極C(亦稱漏極) 及發(fā)射極E(也稱源極) 。 從IGBT的下述特點

7、中可看出, 它克服了功率MOSFET的一個致命缺陷, 就是于高壓大電流工作時, 導通電阻大, 器件發(fā)熱嚴重, 輸出效率下降。IGBT的特點:1.電流密度大, 是MOSFET的數(shù)十倍。2.輸入阻抗高, 柵驅動功率極小, 驅動電路簡單。3.低導通電阻。在給定芯片尺寸和BVceo下, 其導通電阻Rce(on) 不大于MOSFET的Rds(on) 的10%。4.擊穿電壓高, 安全工作區(qū)大, 在瞬態(tài)功率較高時不會受損壞。5.開關速度快, 關斷時間短,耐壓1kV1.8kV的約1.2us、600V級的約0.2us, 約為GTR的10%,接近于功率MOSFET, 開關頻率直達100KHz, 開關損耗僅為GTR

8、的30%。 IGBT將場控型器件的優(yōu)點與GTR的大電流低導通電阻特性集于一體, 是極佳的高速高壓半導體功率器件。目前458系列因應不同機種采了不同規(guī)格的IGBT,它們的參數(shù)如下:(1) SGW25N120-西門子公司出品,耐壓1200V,電流容量25時46A,100時25A,內部不帶阻尼二極管,所以應用時須配套6A/1200V以上的快速恢復二極管(D11)使用,該IGBT配套10A/1200/1500V以上的快速恢復二極管(D11)后可代用SKW25N120。(2) SKW25N120-西門子公司出品,耐壓1200V,電流容量25時46A,100時25A,內部帶阻尼二極管,該IGBT可代用SG

9、W25N120,代用時將原配套SGW25N120的D11快速恢復二極管拆除不裝。(3) GT40Q321-東芝公司出品,耐壓1200V,電流容量25時42A,100時23A, 內部帶阻尼二極管, 該IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120, 代用SGW25N120時請將原配套該IGBT的D11快速恢復二極管拆除不裝。(4) GT40T101-東芝公司出品,耐壓1500V,電流容量25時80A,100時40A,內部不帶阻尼二極管,所以應用時須配套15A/1500V以上的快速恢復二極管(D11)使用,該IGBT配套6A/1200V以上的快速恢復二極管(D11)后可代用SGW25N120

10、、SKW25N120、GT40Q321, 配套15A/1500V以上的快速恢復二極管(D11)后可代用GT40T301。(5) GT40T301-東芝公司出品,耐壓1500V,電流容量25時80A,100時40A, 內部帶阻尼二極管, 該IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、 GT40T101, 代用SGW25N120和GT40T101時請將原配套該IGBT的D11快速恢復二極管拆除不裝。(6) GT60M303 -東芝公司出品,耐壓900V,電流容量25時120A,100時60A, 內部帶阻尼二極管。(7) GT40Q323-東芝公司出品,耐壓1200V,電

11、流容量25時40A,100時20A, 內部帶阻尼二極管, 該IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120, 代用SGW25N120時請將原配套該IGBT的D11快速恢復二極管拆除不裝。(8) FGA25N120-美國仙童公司出品,耐壓1200V,電流容量25時42A,100時23A, 內部帶阻尼二極管, 該IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120, 代用SGW25N120時請將原配套該IGBT的D11快速恢復二極管拆除不裝。2.2 電路方框圖2.3 主回路原理分析時間t1t2時當開關脈沖加至IGBTQ1的G極時, IGBTQ1飽和導通,電流i1從電源流過L1,由于線圈感抗不

12、允許電流突變.所以在t1t2時間i1隨線性上升,在t2時脈沖結束, IGBTQ1截止,同樣由于感抗作用,i1不能立即突變0,于是向C3充電,產生充電電流i2,在t3時間,C3電荷充滿,電流變0,這時L1的磁場能量全部轉為C3的電場能量,在電容兩端出現(xiàn)左負右正,幅度達到峰值電壓,在IGBTQ1的CE極間出現(xiàn)的電壓實際為逆程脈沖峰壓+電源電壓,在t3t4時間,C3通過L1放電完畢,i3達到最大值,電容兩端電壓消失,這時電容中的電能又全部轉化為L1中的磁能,因感抗作用,i3不能立即突變0,于是L1兩端電動勢反向,即L1兩端電位左正右負,由于IGBT內部阻尼管的存在,C3不能繼續(xù)反向充電,而是經過C2

13、、IGBT阻尼管回流,形成電流i4,在t4時間,第二個脈沖開始到來,但這時IGBTQ1的UE為正,UC為負,處于反偏狀態(tài),所以IGBTQ1不能導通,待i4減小到0,L1中的磁能放完,即到t5時IGBTQ1才開始第二次導通,產生i5以后又重復i1i4過程,因此在L1上就產生了和開關脈沖f(20KHz30KHz)相同的交流電流。t4t5的i4是IGBT內部阻尼管的導通電流,在高頻電流一個電流周期里,t2t3的i2是線盤磁能對電容C3的充電電流,t3t4的i3是逆程脈沖峰壓通過L1放電的電流,t4t5的i4是L1兩端電動勢反向時, 因的存在令C3不能繼續(xù)反向充電, 而經過C2、IGBT阻尼管回流所形

14、成的阻尼電流,IGBTQ1的導通電流實際上是i1。IGBTQ1的VCE電壓變化:在靜態(tài)時,UC為輸入電源經過整流后的直流電源,t1t2,IGBTQ1飽和導通,UC接近地電位,t4t5, IGBT阻尼管導通,UC為負壓(電壓為阻尼二極管的順向壓降),t2t4,也就是LC自由振蕩的半個周期,UC上出現(xiàn)峰值電壓,在t3時UC達到最大值。以上分析證實兩個問題:一是在高頻電流的一個周期里,只有i1是電源供給L的能量,所以i1的大小就決定加熱功率的大小,同時脈沖寬度越大,t1t2的時間就越長,i1就越大,反之亦然,所以要調節(jié)加熱功率,只需要調節(jié)脈沖的寬度;二是LC自由振蕩的半周期時間是出現(xiàn)峰值電壓的時間,

15、亦是IGBTQ1的截止時間,也是開關脈沖沒有到達的時間,這個時間關系是不能錯位的,如峰值脈沖還沒有消失,而開關脈沖己提前到來,就會出現(xiàn)很大的導通電流使IGBTQ1燒壞,因此必須使開關脈沖的前沿與峰值脈沖后沿相同步。2.4 振蕩電路(1) 當PWM點有Vi輸入時、V7 OFF時(V7=0V), V5等于D6的順向壓降, 而當V5<V6之后,V7由OFF轉態(tài)為ON,V6亦上升至Vi, 而V5則由R20向C16充電。(2) 當V5>V6時,V7轉態(tài)為OFF,V6亦降至D6的順向壓降, 而V5則由C16、D6放電。(3) V5放電至小于V6時, 又重復(1) 形成振蕩?！癎點輸入的電壓越高

16、, V7處于ON的時間越長, 電磁爐的加熱功率越大,反之越小”。2.5 IGBT激勵電路振蕩電路輸出幅度約4.1V的脈沖信號,此電壓不能直接控制IGBT的飽和導通及截止,所以必須通過激勵電路將信號放大才行,該電路工作過程如下:(1) V8 OFF時(V8=0V),V8<V9,V10為高,Q1 導通、Q4截止,IGBT的G極為0V,IGBT截止。(2) V8 ON時(V8=4.1V),V8>V9,V10為低,Q81截止、Q4導通,+18V通過R23、Q4和Q1的E極加至IGBT的G極,IGBT導通。2.6 PWM脈寬調控電路 CPU輸出PWM脈沖到由R30、C27、R31組成的積分電

17、路, PWM脈沖寬度越寬,C28的電壓越高,C29的電壓也跟著升高,送到振蕩電路(G點)的控制電壓隨著C29的升高而升高, 而G點輸入的電壓越高, V7處于ON的時間越長, 電磁爐的加熱功率越大,反之越小?！癈PU通過控制PWM脈沖的寬與窄, 控制送至振蕩電路G的加熱功率控制電壓，控制了IGBT導通時間的長短,結果控制了加熱功率的大小”。2.7 同步電路市電經整流器整流、濾波后的310V直流電，由R15+R14、R16分壓產生V3,R1+R17、R28分壓產生V4, 在高頻電流的一個周期里,在t2t4時間 (圖1),由于C14兩端電壓為上負下正,所以V3<V4,V5OFF(V5=0V)

18、振蕩電路V6>V5,V7 OFF(V7=0V),振蕩沒有輸出,也就沒有開關脈沖加至Q1的G極,保證了Q1在t2t4時間不會導通, 在t4t6時間,C3電容兩端電壓消失, V3>V4, V5上升,振蕩有輸出,有開關脈沖加至Q1的G極。以上動作過程,保證了加到Q1 G極上的開關脈沖前沿與Q1上產生的VCE脈沖后沿相同步。2.8 加熱開關控制(1) 當不加熱時,CPU 17腳輸出低電平(同時CPU 10腳也停止PWM輸出), D7導通,將LM339電壓拉低,振蕩停止 ,使IGBT激勵電路停止輸出,IGBT截止,則加熱停止。開始加熱時, CPU 17腳輸出高電平,D7截止,同時CPU 10

19、腳開始間隔輸出PWM試探信號,同時CPU通過分析電流檢測電路和VAC檢測電路反饋的電壓信息、VCE檢測電路反饋的電壓波形變化情況,判斷是否己放入適合的鍋具,如果判斷己放入適合的鍋具,CPU10腳轉為輸出正常的PWM信號,電磁爐進入正常加熱狀態(tài),如果電流檢測電路、VAC及VCE電路反饋的信息,不符合條件,CPU會判定為所放入的鍋具不符(2) 或無鍋,則繼續(xù)輸出PWM試探信號,同時發(fā)出指示無鍋的報知信息(見故障代碼表),如30秒鐘內仍不符合條件,則關機。2.9 VAC檢測電路AC220V由D17、D18整流的脈動直流電壓通過R40限流再經過，C33、R39 C32組成的型濾波器進行濾波后的電壓，經

20、 R38分壓后的直流電壓，送入CPU,根據(jù)監(jiān)測該電壓的變化,CPU會自動作出各種動作指令。(1) 判別輸入的電源電壓是否在充許范圍內,否則停止加熱,并報知信息(見故障代碼表)。(2) 配合電流檢測電路、VCE電路反饋的信息,判別是否己放入適合的鍋具,作出相應的動作指令(見加熱開關控制及試探過程一節(jié))。(3) 配合電流檢測電路反饋的信息及方波電路監(jiān)測的電源頻率信息,調控PWM的脈寬,令輸出功率保持穩(wěn)定?！半娫摧斎霕藴?20V±1V電壓,不接線盤(L1)測試CPU第6腳電壓,標準為2.65V±0.06V”。2.10 電流檢測電路電流互感器CT1二次測得的AC電壓,經D1D4組成

21、的橋式整流電路整流、R12、R13分壓，C11濾波,所獲得的直流電壓送至CPU腳,該電壓越高,表示電源輸入的電流越大, CPU根據(jù)監(jiān)測該電壓的變化,自動作出各種動作指令:(1) 配合VAC檢測電路、VCE電路反饋的信息,判別是否己放入適合的鍋具,作出相應的動作指令(見加熱開關控制及試探過程一節(jié))。(2) 配合VAC檢測電路反饋的信息及方波電路監(jiān)測的電源頻率信息,調控PWM的脈寬,令輸出功率保持穩(wěn)定。2.11 VCE檢測電路 將IGBT(Q1)集電極上的脈沖電壓通過R1+R17、R28分壓R29限流后，送至LM339腳,在腳上獲得其取樣電壓,此反影了IGBT的 VCE電壓變化的信息送入LM339

22、, LM339根據(jù)監(jiān)測該電壓的變化,自動作出電壓比較而決定是否工作。(1) 配合VAC檢測電路、電流檢測電路反饋的信息,判別是否己放入適合的鍋具,作出相應的動作指令(見加熱開關控制及試探過程一節(jié))。(2) 根據(jù)VCE取樣電壓值,自動調整PWM脈寬,抑制VCE脈沖幅度不高于1050V(此值適用于耐壓1200V的IGBT,耐壓1500V的IGBT抑制值為1300V)。(3) 當測得其它原因導至VCE脈沖高于1150V時(此值適用于耐壓1200V的IGBT,耐壓1500V的IGBT此值為1400V), LM339立即停止工作(見故障代碼表)。2.12 浪涌電壓監(jiān)測電路當正弦波電源電壓處于上下半周時,

23、 由D17、D18和整流橋DB內部交流兩輸入端對地的兩個二極管組成的橋式整流電路產生的脈動直流電壓，當電源突然有浪涌電壓輸入時,此電壓通過R41、C34耦合,再經過R42分壓，R44限流C35濾波后的電壓，控制Q5的基極，基極為高電平時,電壓Q5基極,Q5飽和導通,CPU的電平通過Q5至地,PWM停止輸出，本機停止工作;當浪涌脈沖過后, Q5的基極為低電平,Q5截止, CPU的電平通過Q5至地, CPU再重新發(fā)出加熱指令。2.13 過零檢測當正弦波電源電壓處于上下半周時, 由D17、D18和整流橋DB內部交流兩輸入端對地的兩個二極管組成的橋式整流電路產生的脈動直流電壓通過R40限流再經過，C3

24、3、R39 C32組成的型濾波器進行濾波后的電壓，經 R38分壓后的電壓，在CPU則形成了與電源過零點相同步的方波信號,CPU通過監(jiān)測該信號的變化,作出相應的動作指令。2.14 鍋底溫度監(jiān)測電路加熱鍋具底部的溫度透過微晶玻璃板傳至緊貼玻璃板底的負溫度系數(shù)熱敏電阻,該電阻阻值的變化間接反影了加熱鍋具的溫度變化(溫度/阻值祥見熱敏電阻溫度分度表),熱敏電阻與R4分壓點的電壓變化其實反影了熱敏電阻阻值的變化,即加熱鍋具的溫度變化, CPU腳通過監(jiān)測該電壓的變化,作出相應的動作指令:(1) 定溫功能時,控制加熱指令,另被加熱物體溫度恒定在指定范圍內。(2) 當鍋具溫度高于270時,加熱立即停止, 并報

25、知信息(見故障代碼表)。(3) 當鍋具空燒時, 加熱立即停止, 并報知信息(見故障代碼表)。(4) 當熱敏電阻開路或短路時, 發(fā)出不啟動指令,并報知相關的信息(見故障代碼表)。2.15 IGBT溫度監(jiān)測電路IGBT產生的溫度透過散熱片傳至緊貼其上的負溫度系數(shù)熱敏電阻TH,該電阻阻值的變化間接反影了IGBT的溫度變化(溫度/阻值祥見熱敏電阻溫度分度表),熱敏電阻與R8分壓點的電壓變化其實反影了熱敏電阻阻值的變化,即IGBT的溫度變化, CPU通過監(jiān)測該電壓的變化,作出相應的動作指令:(1) IGBT結溫高于90時,調整PWM的輸出,令IGBT結溫90。當IGBT結溫由于某原因(例如散熱系統(tǒng)故障)

26、而高于95(2) 時, 加熱立即停止, 并報知信息(祥見故障代碼表)。(3) 當熱敏電阻TH開路或短路時, 發(fā)出不啟動指令,并報知相關的信息(祥見故障代碼表)。(4) 關機時如IGBT溫度>50,CPU發(fā)出風扇繼續(xù)運轉指令,直至溫度<50(繼續(xù)運轉超過30秒鐘如溫度仍>50, 風扇停轉;風扇延時運轉期間,按1次關機鍵,可關閉風扇)。(5) 電磁爐剛啟動時,當測得環(huán)境溫度<0,CPU調用低溫監(jiān)測模式加熱1分鐘,30秒鐘后再轉用正常監(jiān)測模式,防止電路零件因低溫偏離標準值造成電路參數(shù)改變而損壞電磁爐。2.16 散熱系統(tǒng) 將IGBT及整流器BG緊貼于散熱片上,利用風扇運轉通過電

27、磁爐進、出風口形成的氣流將散熱片上的熱及線盤L1等零件工作時產生的熱、加熱鍋具輻射進電磁爐內的熱排出電磁爐外。CPU腳發(fā)出風扇運轉指令時,腳輸出高電平,電壓通過R27送至Q3基極,Q3飽和導通,VCC電流流過風扇、Q3至地,風扇運轉; CPU發(fā)出風扇停轉指令時,腳輸出低電平,Q3截止,風扇因沒有電流流過而停轉。2.17 主電源 AC220V 50/60Hz電源經保險絲FUSE,再通過由RZ、C1、共模線圈L1組成的濾波電路(針對EMC傳導問題而設置,祥見注解),再通過電流互感器至橋式整流器BG,產生的脈動直流電壓通過扼流線圈提供給主回路使用;AC1、AC2兩端電壓除送至輔助電源使用外,另外還通

28、過印于PCB板上的保險線P.F.送至D1、D2整流得到脈動直流電壓作檢測用途。 注解 : 由于中國大陸目前并未提出電磁爐須作強制性電磁兼容(EMC)認證,基于成本原因,內銷產品大部分沒有將CY1、CY2裝上,L1用跳線取代,但基本上不影響電磁爐使用性能。2.18輔助電源AC220V 50/60Hz電壓接入變壓器初級線圈,次級兩繞組分別產生2.2V、12V和18V交流電壓。12V交流電壓由D19D22組成的橋式整流電路整流、C37濾波,在C37上獲得的直流電壓VCC除供給散熱風扇使用外,還經由V8三端穩(wěn)壓IC穩(wěn)壓、C38濾波,產生+5V電壓供控制電路使用。18V交流電壓由D15組成的半波動整流電

29、路整流、 C26濾波后, 再通過由Q9、R33、DW9、C27、C28組成的串聯(lián)型穩(wěn)壓濾波電路,產生+18V電壓供IC2和IGBT激勵電路使用。2.19 報警電路電磁爐發(fā)出報知響聲時,CPU1腳輸出幅度為5V、頻率4KHz的脈沖信號電壓至蜂鳴器BZ1,令BZ1發(fā)出報知響聲。三、故障維修47系列須然機種較多,且功能復雜,但不同的機種其主控電路原理一樣,區(qū)別只是零件參數(shù)的差異及CPU程序不同而己。電路的各項測控主要由一塊8位4K內存的單片機組成,外圍線路簡單且零件極少,并設有故障報警功能,故電路可靠性高,維修容易,維修時根據(jù)故障報警指示,對應檢修相關單元電路,大部分均可輕易解決。3.1 故障代碼表

30、故障代碼聲音備注無鍋E1每隔3秒一聲短5秒后進入待機狀態(tài)電壓過低E2每隔3秒一聲短5秒后進入待機狀態(tài)電壓過高E3每隔3秒一聲短5秒后進入待機狀態(tài)干燒保護E4每隔3秒一聲短5秒后進入待機狀態(tài)IGBT超溫E55秒后進入待機狀態(tài) TH1開路E6不能開機TH2開路E7不能開機電流過大E0不能開機定時結束立即關機保溫狀態(tài)間歇工作說明: 代碼只適用于數(shù)顯機型,聲音報知3.2 主板檢測標準由于電磁爐工作時,主回路工作在高壓、大電流狀態(tài)中,所以對電路檢查時必須將線盤(L1)斷開不接,否則極容易在測試時因儀器接入而改變了電路參數(shù)造成機器損壞。接上線盤試機前,應根據(jù)3.2.1<<主板檢測表>&g

31、t;對主板各點作測試后,一切符合才進行。3.2.1主板檢測表一、待機測試(不接入線盤,接入電源后不按任何鍵)步驟測試點標準備注不合格對策1通電發(fā)出“B”一聲按3.2.2第(1)項查2CN7>305V確認輸入電壓為220V時按3.2.2第(2)項查3+18VDC18V±2V按3.2.2第(3)項查4+5V5V±0.1V按3.2.2第(4)項查5Q3G極<0.5V按3.2.2第(5)項查6DW3正端0.12V按3.2.2第(6)項查7B點(VAC)1.96V±0.05V確認輸入電壓為220V時按3.2.2第(7)項查8V3172V±0.05V按3

32、.2.2第(8)項查9V4171V±0.05V并聯(lián)1只1M電阻在C34兩端,測試完后拆除。按3.2.2第(9)項查10Q5基極0.3V±0.05V按3.2.2第(10)項查二、動檢(不接入線盤,接入電源后按開機鍵)13Q1 G極間隔出現(xiàn)12.5V此為加至Q1 G極的試探信號。按3.2.2第(13)、(14)、(15)項查14CN6兩端12V±1V風扇應轉動按3.2.2第(15)項查15114步驟合格再接入線盤試機,電磁爐應能正常啟動加熱按3.2.2第(17)項查3.2.2主板測試不合格對策(1) 上電不發(fā)出“B”一聲-如果按開/關鍵指示燈亮,則應為蜂鳴器BZ不良,

33、 如果按開/關鍵仍沒任何反應,再測CUP第12腳+5V是否正常,如不正常,按下面第(4)項方法查之,如正常,則測晶振X1頻率應為8MHz左右(沒測試儀器可換入另一個晶振試),如頻率正常,則為U1 CPU不良。(2) CN7電壓低于305V-如果確認輸入電源電壓高于AC220V時,CN7測得電壓偏低,應為C2開路或容量下降,如果該點無電壓,則檢查整流橋BG1交流輸入兩端有否AC220V,如有,則檢查L2、BG1,如沒有,則檢查互感器CT1初級是否開路、電源輸入端至整流橋入端連線是否有斷裂開路現(xiàn)象。(3) +18V故障-沒有+18V時,應先測變壓器次級是否有交流電壓輸出,如沒有,測初級有否AC22

34、0V輸入,如有則為變壓器故障, 如果變壓器次級有電壓輸出,再測C19有否電壓,如沒有,則檢查C19是否短路、D8是否不良、Q2和DW2這兩零件是否都擊穿, 如果C19有電壓,而Q2很熱,則為+18V負載短路,應查C21、C23、 U2及IGBT推動電路,如果Q2不是很熱,則應為Q2或R26開路、DW2或C20短路。+18V偏高時,應檢查Q2、DW2。+18V偏低時,應檢查DW2、C20、R26,另外, +18V負載過流也會令+18V偏低,但此時Q2會很熱。(4) +5V故障-沒有+5V時,應先測變壓器次級有否電壓輸出,如沒有,測初級有否AC220V輸入,如有則為變壓器故障, 如果變壓器次級有電

35、壓輸出,再測C31有否電壓,如沒有,則檢查C30、V1是否短路、D12D15是否不良, 如果C30有電壓,而V1很熱,則為+5V負載短路, 應查C31及+5V負載電路。+5V偏高時,應為V1不良。+5V偏低時,應為V1或+5V負載過流,而負載過流V1會很熱。(5) 待機時Q3基極電壓應小于0.3V,風扇不轉動。若開機時高于0.7V，風扇不轉動，則Q3或風扇不良。(6) DW3正端電壓應小于0.12是否正常,如不正常，則查Q1、Q4是否正常,若Q1、Q4正常，查U2腳外圍的相關元件。(7) VAC電壓過高或過低-過高檢查R40,過低查C33、R39、C32、R38。(8) V3電壓過高或過低-過

36、高檢查R15、R14、, 過低查R16、C12。(9) V4電壓過高或過低-過高檢查R1、R17, 過低查R28、C25。(10) Q5基極電壓過高或過低-過高檢查R44、, 過低查R44、C35。a) 動檢時IGBT基極電壓-首先確認電路符合<<主板測試表>>中第110試步驟標準要求,如果不符則對應上述方法檢查,如確認無誤,測DW3正端電壓如有間隔試探信號電壓,則檢查IGBT推動電路,如DW3正端電壓點沒有間隔試探信號電壓出現(xiàn),再測Q1、Q4發(fā)射極有否間隔試探信號電壓,如沒有,則檢查振蕩電路、同步電路,如果Q1、Q4射極沒有間隔試探信號電壓,再測CPU第10腳有否間隔

37、試探信號電壓, 如沒有, 則檢查C27、C28、C29、,如果CPU第10腳沒有間隔試探信號電壓出現(xiàn),則為CPU故障。(11) 動檢時IGBT G極試探電壓過高-檢查R21、R22、C13、D6。(12) 動檢時IGBTG極試探電壓過低-檢查C27、C28、C29、LM339。(13) 動檢時風扇不轉-測CN12兩端電壓高于11V應為風扇不良,如CN12兩端沒有電壓,測CPU第15腳如沒有電壓則為CPU不良,如有請檢查Q3、R27。(14) 通過主板113步驟測試合格仍不啟動加熱-故障現(xiàn)象為每隔3秒發(fā)出“嘟”一聲短音(數(shù)顯型機種顯示E1),檢查互感器CT1次級是否開路、C10、C11是否漏電、

38、D1D4有否不良,如這些零件沒問題,請再小心測試IGBT G極試探電壓是否低于1.5V。3.3 故障案例3.3.1 故障現(xiàn)象1 : 放入鍋具電磁爐檢測不到鍋具而不啟動,指示燈閃亮,每隔3秒發(fā)出“嘟”一聲短音(數(shù)顯型機種顯示E1), 連續(xù)1分鐘后轉入待機。 分 析 : 根椐報警信息,此為CPU判定為加熱鍋具過小(直經小于10cm)或無鍋放入或鍋具材質不符而不加熱,并作出相應報知。根據(jù)電路原理,電磁爐啟動時, CPU先從第10腳輸出試探PWM信號電壓,該信號經過PWM脈寬調控電路轉換為控制振蕩脈寬輸出的電壓加至G點,振蕩電路輸出的試探信號電壓再加至IGBT推動電路,通過該電路將試探信號電壓轉換為足

39、己推動IGBT工作的試探信號電壓,另主回路產生試探工作電流,當主回路有試探工作電流流過互感器CT1初級時,CT1次級隨即產生反影試探工作電流大小的電壓,該電壓通過整流濾波后送至CPU第5腳,CPU通過監(jiān)測該電壓,再與VAC電壓、VCE電壓比較,判別是否己放入適合的鍋具。從上述過程來看,要產生足夠的反饋信號電壓另CPU判定己放入適合的鍋具而進入正常加熱狀態(tài),關鍵條件有三個 : 一是加入IGBT G極的試探信號必須足夠,通過測試IGBTG極的試探電壓可判斷試探信號是否足夠(正常為間隔出現(xiàn)12.5V),而影響該信號電壓的電路有PWM脈寬調控電路、振蕩電路、IGBT推動電路。二是互感器CT須流過足夠的

40、試探工作電流,一般可通測試IGBT是否正?？珊唵闻卸ㄖ骰芈肥欠裾?在主回路正常及加至IGBT G極的試探信號正常前提下,影響流過互感器CT1試探工作電流的因素有工作電壓和鍋具。三是到達CPU第5腳的電壓必須足夠,影響該電壓的因素是流過互感器CT1的試探工作電流及電流檢測電路。以下是有關這種故障的案例：(1) 測+18V電壓高于22V,按3.2.2<<主板測試不合格對策>>第(3)項方法檢查,結果發(fā)現(xiàn)Q2擊穿。 結論 : 由于Q2擊穿,造成+18V電壓升高,另U2D正輸入端V9電壓升高,導至加到U2D負輸入端的試探電壓無法令IC2D比較器翻轉,結果IGBT G極無試探信

41、號電壓,CPU也就檢測不到反饋電壓而不發(fā)出正常加熱指令。(2) 測IGBT G極沒有試探電壓,再測V7點也沒有試探電壓, 再測G點試探電壓正常,證明PWM脈寬調控電路正常, 再測DW3正極電壓為0V(啟動時CPU應為高電平),結果發(fā)現(xiàn)CPU第17腳對地短路,更換CPU后恢復正常。結論 : 由于CPU第17腳對地短路,造成加至U2C負輸入端的試探電壓通過LM339被拉低, 結果IGBTG極無試探信號電壓,CPU也就檢測不到反饋電壓而不發(fā)出正常加熱指令。(3) 測IGBT G極試探電壓偏低(推動電路正常時間隔輸出12.5V), 按3.2.2<<主板測試不合格對策>>第(15

42、)項方法檢查,結果發(fā)現(xiàn)C29漏電。結論 : 由于C29漏電,造成加至振蕩電路的控制電壓偏低,結果IGBTG極上的平均電壓偏低,CPU因檢測到的反饋電壓不足而不發(fā)出正常加熱指令。(4) 按3.2.1<<主板檢測表>>測試一切正常, 再按3.2.2<<主板測試不合格對策>>第(17) 項方法檢查,結果發(fā)現(xiàn)互感器CT1次級開路。結論 : 由于互感器CT1次級開路,所以沒有反饋電壓加至電流檢測電路, CPU因檢測到的反饋電壓不足而不發(fā)出正常加熱指令。(5) 按3.2.1<<主板檢測表>>測試一切正常, 再按3.2.2<<

43、;主板測試不合格對策>>第(17) 項方法檢查,結果發(fā)現(xiàn)C11漏電。結論 : 由于C11漏電,造成加至CPU第5腳的反饋電壓不足, CPU因檢測到的反饋電壓不足而不發(fā)出正常加熱指令。(6) 按3.2.1<<主板檢測表>>測試到第8步驟時發(fā)現(xiàn)V3為0V,再按3.2.2<<主板測試不合格對策>>第(8)項方法檢查,結果發(fā)現(xiàn)R15開路。結論 : 由于R15開路, 另U2A比較器因輸入兩端電壓反向(V4>V3),輸出OFF,加至振蕩電路的試探電壓因U2A比較器輸出OFF而為0,振蕩電路也就沒有輸出, CPU也就檢測不到反饋電壓而不發(fā)出正

44、常加熱指令。3.3.2 故障現(xiàn)象2 : 按啟動指示燈指示正常,但不加熱。分 析 : 一般情況下,CPU檢測不到反饋信號電壓會自動發(fā)出報知信號,但當反饋信號電壓處于足夠與不足夠之間的臨界狀態(tài)時,CPU發(fā)出的指令將會在試探正常加熱試探循環(huán)動作,產生啟動后指示燈指示正常, 但不加熱的故障。原因為電流反饋信號電壓不足(處于可啟動的臨界狀態(tài))。處理 方法 : 參考3.3.1 <<故障現(xiàn)象1>>第(4)、(6)案例檢查。3.3.3 故障現(xiàn)象3 : 開機電磁爐發(fā)出兩長三短的“嘟”聲(數(shù)顯型機種顯示E2),響兩次后電磁爐轉入待機。分 析 : 此現(xiàn)象為CPU檢測到電壓過低信息,如果此時輸

45、入電壓正常,則為VAC檢測電路故障。處理 方法 :檢查R39、R40、C32、C33。3.3.4 故障現(xiàn)象4 : 插入電源電磁爐發(fā)出兩長四短的“嘟”聲(數(shù)顯型機種顯示E3)。分 析 : 此現(xiàn)象為CPU檢測到電壓過高信息,如果此時輸入電壓正常,則為VAC檢測電路故障。處理 方法 :檢查R38。3.3.5 故障現(xiàn)象5 : 插入電源電磁爐連續(xù)發(fā)出響2秒停2秒的“嘟”聲,指示燈不亮。分 析 : 此現(xiàn)象為CPU檢測到電源波形異常信息,故障在過零檢測電路。處理 方法 : 檢查零檢測電路R38、R39、R40、C32、C33、D16均正常,根據(jù)原理分析,提供給過零檢測電路的脈動電壓是由D17、D18和整流橋

46、BG1內部交流兩輸入端對地的兩個二極管組成橋式整流電路產生,如果BG1內部的兩個二極管其中一個順向壓降過低,將會造成電源頻率一周期內產生的兩個過零電壓其中一個并未達到0V(電壓比正常稍高),CPU腳在該過零點時間因電壓未能消失而不能停止,CPU在此時仍為低電平,從而造成了電源每一頻率周期CPU檢測的過零信號缺少了一個。基于以上分析,先將R38換入2.7K電阻(目的將R38上的分壓電壓降低,以抵消比正常稍高的過零點脈動電壓),結果電磁爐恢復正常。雖然將R38換成2.7K電阻電磁爐恢復正常,但維修時不能簡單將電阻改6.8K能徹底解決問題,因為產生本故障說明整流橋BG1特性已變,快將損壞,所己必須將

47、R38換回6.8K電阻并更換整流橋DB。3.3.6 故障現(xiàn)象6 : 插入電源電磁爐每隔3秒發(fā)出報警聲(數(shù)顯型機種顯示E6)。分 析 : 此現(xiàn)象為CPU檢測到按裝在微晶玻璃板底的鍋傳感器(負溫系數(shù)熱敏電阻)開路信息,其實CPU是根椐第8腳電壓情況判斷鍋溫度及熱敏電阻開、短路的,而該點電壓是由R4、熱敏電阻分壓而成。處理 方法 : 檢查R4是否開路、鍋傳感器有否插入及開路(判斷熱敏電阻的好壞在沒有專業(yè)儀器時簡單用室溫或體溫對比<<電阻值-溫度分度表>>阻值)。3.3.7 故障現(xiàn)象7 : 插入電源電磁爐每隔3秒發(fā)出報警聲(數(shù)顯型機種顯示E4)。分 析 : 此現(xiàn)象為CPU檢測到

48、按裝在微晶玻璃板底的鍋傳感器(負溫系數(shù)熱敏電阻)短路信息,其實CPU是根椐第8腳電壓情況判斷鍋溫度及熱敏電阻開/短路的,而該點電壓是由R4、熱敏電阻分壓而成。處理 方法 : 檢查R4是否開路、鍋傳感器是否短路(判斷熱敏電阻的好壞在沒有專業(yè)儀器時簡單用室溫或體溫對比<<電阻值-溫度分度表>>阻值)。3.3.8 故障現(xiàn)象8 : 插入電源電磁爐每隔3秒發(fā)出報警聲(數(shù)顯型機種顯示E7)。分 析 : 此現(xiàn)象為CPU檢測到安裝在散熱器的TH傳感器(負溫系數(shù)熱敏電阻)開路信息,其實CPU是根椐第8腳電壓情況判斷散熱器溫度及TH開/短路的,而該點電壓是由R8、熱敏電阻分壓而成。處理 方

49、法 : 檢查R8是否開路、TH有否開路(判斷熱敏電阻的好壞在沒有專業(yè)儀器時簡單用室溫或體溫對比<<電阻值-溫度分度表>>阻值)。3.3.9 故障現(xiàn)象9 : 插入電源電磁爐每隔3秒發(fā)出報警聲(數(shù)顯型機種顯示E6)。分 析 : 此現(xiàn)象為CPU檢測到安裝在線圈上的TH傳感器(負溫系數(shù)熱敏電阻) 短路信息,其實CPU是根椐第7腳電壓情況判斷鍋具溫度及TH開/短路的,而該點電壓是由R4、熱敏電阻分壓而成。處理 方法 : 檢查R4是否開路、TH有否短路(判斷熱敏電阻的好壞在沒有專業(yè)儀器時簡單用室溫或體溫對比<<電阻值-溫度分度表>>阻值)。3.3.10 故障

50、現(xiàn)象10 : 電磁爐工作一段時間后停止加熱, 間隔3秒發(fā)出報警聲, 響兩次轉入待機(數(shù)顯型機種顯示E5)。分 析 : 此現(xiàn)象為CPU檢測到IGBT超溫的信息,而造成IGBT超溫通常有兩種,一種是散熱系統(tǒng),主要是風扇不轉或轉速低,另一種是送至IGBT G極的脈沖關斷速度慢(脈沖的下降沿時間過長),造成IGBT功耗過大而產生高溫。處理 方法 : 先檢查風扇運轉是否正常,如果不正常則檢查Q3、R27、風扇, 如果風扇運轉正常,則檢查IGBT激勵電路,主要是檢查R24阻值是否變大、Q1、Q4放大倍數(shù)是否過低、DW3漏電流是否過大。3.3.11 故障現(xiàn)象11 : 電磁爐低電壓以最高火力檔工作時,頻繁出現(xiàn)

51、間歇暫?，F(xiàn)象。分 析 : 在低電壓使用時,由于電流較高電壓使用時大,而且工作頻率也較低,如果供電線路容量不足,會產生浪涌電壓,假如輸入電源電路濾波不良,則吸收不了所產生的浪涌電壓,會另浪涌電壓監(jiān)測電路動作,產生上述故障。處理 方法 : 檢查C1容量是否不足,如果1600W以上機種C1裝的是1uF,將該電容換上3.3uF/250VAC規(guī)格的電容器。3.3.12 故障現(xiàn)象12 : 燒保險管。分 析 : 電流容量為15A的保險管一般自然燒斷的概率極低,通常是通過了較大的電流才燒,所以發(fā)現(xiàn)燒保險管故障必須在換入新的保險管后對電源負載作檢查。通常大電流的零件損壞會另保險管作保護性溶斷，而大電流零件損壞除

52、了零件老化原因外,大部分是因為控制電路不良所引至,特別是IGBT,所以換入新的大電流零件后除了按3.2.1<<主板檢測表>>對電路作常規(guī)檢查外,還需對其它可能損壞該零件的保護電路作徹底檢查,IGBT損壞主要有過流擊穿和過壓擊穿,而同步電路、振蕩電路、IGBT激勵電路、浪涌電壓監(jiān)測電路、VCE檢測電路、主回路不良和單片機(CPU)死機等都可能是造成燒機的原因, 以下是有關這種故障的案例：(1) 換入新的保險管后首先對主回路作檢查,發(fā)現(xiàn)整流橋BG1、IGBT擊穿，更換零件后按3.2.1<<主板檢測表>>測試發(fā)現(xiàn)+18V偏低, 按3.2.2<<主板測試不合格對策>>第(3) 項方法檢查,結果為Q4擊穿另+18V偏低, 換入新零件后再按<<主板檢測表>>測試至第9步驟時發(fā)現(xiàn)V4為0V, 按3.2.2<<主板測試不合格對策>>第(9) 項方法檢查,結果原因為R1開路,換入新零件后測試一切正常。結論 : 由于R1開路,造成加到IGBT G極上的開關脈沖前沿與IGBT上產生的VCE脈沖后沿相不同步而另IGBT瞬間過流而擊穿, IGBT上產生的高壓同時亦另Q1、Q4擊穿,由于IGBT擊穿電流大增,在保險管未溶斷前整流橋BG1也因過流而損壞。(2) 換入新的保險管后首先對主回路作