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1、磁性材料基本要求一、熟練掌握基本概念:(1) 磁矩:磁偶極子等效的平面回路的電流和回路面積的乘積,m=iS,方向由右手定則確定,單位Am2。(2) 磁化強(qiáng)度(M):定義單位體積磁性材料內(nèi)磁矩的矢量和稱為磁化強(qiáng)度,用M表示,SI單位為A/m。CGS單位:emu/cm3。換算關(guān)系:1 ×103 A/m = emu/cm3。(3) 磁場(chǎng)強(qiáng)度(H):?jiǎn)挝粡?qiáng)度的磁場(chǎng)對(duì)應(yīng)于1Wb強(qiáng)度的磁極受到1牛頓的力。SI單位是Am-1。CGS單位是奧斯特(Oe)。換算關(guān)系:1 A/m =4/ 103 Oe。(4) 磁化曲線:磁體從退磁狀態(tài)開(kāi)始到磁化飽和的過(guò)程中,磁感應(yīng)強(qiáng)度B、磁化強(qiáng)度M與磁場(chǎng)強(qiáng)度H之間的非線
2、性關(guān)系曲線。(5) 退磁曲線:磁滯回線在第二象限的部分稱為退磁曲線。(6) 退磁場(chǎng):當(dāng)一個(gè)有限大小的樣品被外磁場(chǎng)磁化時(shí),在它兩端出現(xiàn)的自由磁極將產(chǎn)生一個(gè)與磁化強(qiáng)度方向相反的磁場(chǎng)。該磁場(chǎng)被稱為退磁場(chǎng)。退磁場(chǎng)的強(qiáng)度與磁體的形狀及磁極的強(qiáng)度有關(guān)存在:Hd=-NM。(7) 飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度Bs(飽和磁通密度) :磁性體被磁化到飽和狀態(tài)時(shí)的磁感應(yīng)強(qiáng)度。SI單位是特斯拉T或Wb·m-2;CGS單位是高斯(Gauss)。換算關(guān)系:1 T = 104 G。(8) 磁導(dǎo)率:定義為磁感應(yīng)強(qiáng)度與磁場(chǎng)強(qiáng)度之比,表示磁性材料傳導(dǎo)和通過(guò)磁力線的能力單位為亨利米(·m-1) (9) 起始磁導(dǎo)率:磁性體在磁
3、中性狀態(tài)下磁導(dǎo)率的極限值。(10) 磁化率定義為磁化強(qiáng)度與磁場(chǎng)強(qiáng)度之比:= M/H (11) 居里溫度:即鐵磁性材料(或亞磁性材料)由鐵磁狀態(tài)(或亞鐵磁狀態(tài))轉(zhuǎn)變?yōu)轫槾艩顟B(tài)的臨界溫度,在此溫度上,自發(fā)磁化強(qiáng)度為零。(12) 磁各向異性:磁性材料在不同方向上具有不同磁性能的特性。包括:磁晶各向異性,形狀各向異性,感生各向異性和應(yīng)力各向異性等。(13) 磁致伸縮效應(yīng): 磁性材料由于磁化狀態(tài)的改變,其長(zhǎng)度和體積都要發(fā)生微小的變化,這種現(xiàn)象稱為磁致伸縮或磁致伸縮效應(yīng)。(14) 磁疇:在未加外磁場(chǎng)時(shí)鐵磁體內(nèi)部已經(jīng)自發(fā)磁化到飽和狀態(tài)(每一個(gè)磁矩取向一致)的小區(qū)域。(15) 磁疇壁:相鄰兩磁疇之間磁矩按一定
4、規(guī)律逐步改變方向的過(guò)渡層。(16) 技術(shù)磁化:在外磁場(chǎng)作用下,鐵磁體從完全退磁狀態(tài)磁化至飽和的內(nèi)部變化過(guò)程。(17) 內(nèi)稟矯頑力(MHc):從磁性體的飽和磁化狀態(tài),沿飽和磁滯回線單調(diào)改變磁場(chǎng)強(qiáng)度H,使磁化強(qiáng)度M減小到0的磁場(chǎng)強(qiáng)度。通常有:|MHc|>|BHc|。(18) 最大磁能積(BH)max:退磁曲線上磁能積最大的一點(diǎn),工程應(yīng)用中通常將(BH)max稱為磁能積。磁能積是表征永磁材料中能量大小的物理量。SI單位:kJ/m3,CGS單位:MGOe。換算關(guān)系:1MGOe=(102 / 4 p) kJ/m3. (19) 在磁性材料的技術(shù)磁參量中,Ms, Tc,s, K等內(nèi)稟磁參量對(duì)組織結(jié)構(gòu)不
5、敏感,它們主要取決于材料的化學(xué)成分。外稟磁參量: Hc、Mr或Br、磁導(dǎo)率、損耗、磁能積等對(duì)材料結(jié)構(gòu)(如晶粒尺寸、晶體缺陷、晶粒取向等)敏感,可以通過(guò)適當(dāng)?shù)墓に嚫淖儭?20) 磁滯損耗: 磁滯回線所包圍的面積相當(dāng)于磁化一周所產(chǎn)生的能量損耗。(21) 動(dòng)態(tài)磁滯回線:鐵磁體在周期性變化的交變磁場(chǎng)中時(shí),其磁化強(qiáng)度也周期性地反復(fù)變化,構(gòu)成動(dòng)態(tài)磁滯回線。它與靜態(tài)磁滯回線有相似之處,也有差別:在相同的磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍內(nèi),動(dòng)態(tài)磁滯回線比靜態(tài)磁滯回線的面積大一些。因在靜態(tài)磁場(chǎng)下,只有磁滯損耗;而在交變磁場(chǎng)下,除了磁滯損耗外還有渦流損耗和剩余損耗。(22) 磁譜:磁譜是指鐵磁體在交變磁場(chǎng)中的復(fù)數(shù)磁導(dǎo)率的實(shí)部和虛部隨
6、頻率變化的關(guān)系曲線。(23) 截止頻率fr:在材料的磁譜曲線上,復(fù)數(shù)磁導(dǎo)率的實(shí)部下降到初始值的一半或虛部達(dá)到極大值時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率稱為該材料的截止頻率。材料的截止頻率fr與起始磁導(dǎo)率i有密切的關(guān)系。般而言,材料的起始磁導(dǎo)率i越低,其截止頻率fr越高。(24) 品質(zhì)因數(shù)Q: Q表示軟磁材料在交變磁化時(shí),能量的貯存和能量的損耗之比。Q值是復(fù)數(shù)磁導(dǎo)率的實(shí)部和虛部之比。因此有:Q=/.(25) 損耗因子tan: 損耗角的正切tan稱為材料的損耗因子。損耗因子可以定義為復(fù)數(shù)磁導(dǎo)率的虛部與實(shí)部購(gòu)比值,其物理意義為鐵磁材料在交變磁化過(guò)程中能量的損耗與貯存之比。tan=1/Q(26) 低自旋態(tài):在強(qiáng)晶場(chǎng)下,當(dāng)電
7、子軌道分裂能隙大于電子成對(duì)能 (>Ep)時(shí),洪德法則不再成立。電子由最低能級(jí)開(kāi)始填充,如果電子填充到與上一個(gè)能級(jí)之間的能隙大于電子成對(duì)能時(shí),電子將以相反的自旋填充到最低能級(jí)軌道并成對(duì),因而最低能級(jí)的電子軌道同時(shí)有兩個(gè)自旋相反的電子占據(jù),而能量高的電子軌道沒(méi)有電子占據(jù)。這種電子組態(tài)稱為低自旋態(tài)。(27) 高自旋態(tài):在弱晶場(chǎng)下,當(dāng)電子軌道分裂能小于電子成對(duì)能 (<Ep)時(shí),洪德法則成立。電子由最低能級(jí)開(kāi)始填充,一直到最高能級(jí),過(guò)半滿后,電子以相反的自旋填充到最低能級(jí)。這種電子組態(tài)稱為高自旋態(tài)。 (28) 軌道角動(dòng)量?jī)鼋Y(jié):在晶場(chǎng)的作用下3d過(guò)渡金屬的磁性離子的原子磁矩僅等于電子的自旋磁矩
8、,而電子的軌道磁矩沒(méi)有貢獻(xiàn)。此現(xiàn)象稱為軌道角動(dòng)量?jī)鼋Y(jié)。 常見(jiàn)的鐵氧體,按晶格類型分為三種:(1)尖晶石型鐵氧體;(2)石榴石型鐵氧體;(3)磁鉛石型鐵氧體第三章. 材料的磁學(xué)性能一, 基本參量分子電流理論 磁荷(等效)理論 相互關(guān)系磁矩: 磁偶極矩: 磁化強(qiáng)度: 磁極化強(qiáng)度: 磁場(chǎng)強(qiáng)度:H 磁感應(yīng)強(qiáng)度:B 磁化率:=M/H 磁導(dǎo)率:=B/H 二,基本關(guān)系; ; ; 三,單位換算SI: CGS:B: T; H : A/m M : A/m B :G(Gauss); H :Oe; M : emu/cm3 (特斯拉)或Wb/m2B
9、: 1T=104 G; H: 1×103 A/m=4 Oe; M: 1×103 A/m= emu/cm3 按矯頑力分類:軟磁材料:Hc<100A/m(1.25 Oe);硬(永)磁材料:Hc>1000A/m(12.5Oe)半硬磁材料:Hc :1001000A/m(1.2512.5Oe)。例1牌號(hào)為1J46的冷軋鐵鎳軟磁薄帶的飽和磁化強(qiáng)度為Ms = 11.9×105 A·m-1,則飽和磁極化強(qiáng)度Js 為_(kāi) T (特斯拉),沿薄膜法向的退磁場(chǎng)Hd為_(kāi) A·m-1,最大矯頑力Hc = 20 A/m,相當(dāng)于Hc = _ Oe (奧斯
10、特)。(注:0 = 4×10-7 H·m-1)。Magnetic TermSymbolSI unitCGS unitconversion factormagnetic inductionBTesla (T)Gauss (G)1 T = 104 Gmagnetic field HA/mOersted (Oe)1 A/m =4p/103 OemagnetizationMA/memu/cm31 A/m = 10-3 emu/cm3mass magnetizationsAm2/kgemu/g1 Am2/kg = 1 emu/gmagnetic momentmAm2emu1 Am2
11、= 103emuvolume susceptibilitykdimensionlessdimensionless4p (SI) = 1 (cgs)mass susceptibilitycm3/kgemu/Oe·g1 m3/kg = 103/4pemu /Oe·gpermeability offree spacem0H/mdimensionless4px10-7 H/m = 1 (cgs)A= Amperecm= centimeteremu= electromagnetic unitg= gramkg= kilogramm= meterH= Henry SI制:B = 0(H
12、+M);B的單位是T或Wb/m2;M和H的單位是A/m 。在高斯(Gauss)單位制中:B = H + 4M;B的單位是高斯G;H的單位是奧斯特(Oe);M的單位是emu/cm3,即emu/cc。 基本換算:B: 1 T = 104 G;H: 1 kAm-1 = 4p Oe;1Oe = 79.5775 A/m;M: 1 kAm-1 = emu cm-3;1 Am2/kg = 1 emu/g;(BH)max: 1 kJm-3 = 4 p 10-2 MGOe;基本物理量:普朗克常數(shù)h = 6.626×10-34 J·s;玻爾茲曼常數(shù)k = 1.38×10-23 J/K
13、;0 = 4×10-7 H·m-1;c = 3×108 m/s;電子電荷量e1.6×10-19庫(kù)侖;電子質(zhì)量 me = 9.10938188 × 10-31 公斤;波爾磁子B = eh/(4me)=9.273×10-24 A·m2。三、原子磁矩基態(tài)原子的電子結(jié)構(gòu)-占據(jù)殼層的規(guī)律 : 洪特法則: (1). 在泡利原理許可的條件下,總自旋量子數(shù)S取最大值S=Sz;(2). 在滿足以上條件下,總軌道角動(dòng)量量子數(shù)L取最大值L=mz;(3). 總角動(dòng)量量子數(shù)J有兩種取法:電子填充未半滿時(shí),J=L-S,電子數(shù)等于或超過(guò)一半時(shí),J=L+S
14、。例1:Pr3+離子(未滿殼層4f 2):(1)總自旋量子數(shù)S:電子填充未達(dá)半滿時(shí),基態(tài)下兩個(gè)電子相互平行, 總自旋量子數(shù)S=Sz =2×(1/2)=1;(2)總軌道角動(dòng)量量子數(shù)L:這兩個(gè)電子優(yōu)先占據(jù)mz = 3,2兩個(gè)軌道,總軌道角動(dòng)量量子數(shù)L =5 ;(3)總角動(dòng)量量子數(shù) J:由于殼層未半滿,總角動(dòng)量量子數(shù) J=L-S=4 ; (4)離子磁矩(有效磁矩)J:根據(jù)=3.58B,其中蘭德因子: = 4/5。4f2電子的自旋和軌道角動(dòng)量排列示意圖:m: 3 2 1 0 -1 -2 -3 L=5S: S=1J = L-S例2:Dy3+的離子(未滿殼層為4f 9)(1)總自旋量子數(shù)S:電子
15、填充超過(guò)半滿時(shí),基態(tài)下自旋角動(dòng)量S是由未成對(duì)的另外五個(gè)自旋向上電子決定,總自旋量子數(shù)S=Sz = 5×(1/2)=5/2;(2)總軌道角動(dòng)量量子數(shù)L:電子填充超過(guò)半滿時(shí),總軌道角動(dòng)量L是由自旋向下的二個(gè)軌道決定,總軌道角動(dòng)量量子數(shù)L = mz = 3 + 2 = 5;(3)總角動(dòng)量量子數(shù) J:由于殼層超過(guò)半滿,總角動(dòng)量量子數(shù): J=L+S=15/2。 ; (4)離子磁矩(有效磁矩)J:根據(jù)=10.63B,其中蘭德因子: = 4/3。Dy3+ 離子4f 9電子的自旋和軌道角動(dòng)量排列示意圖:m: 3 2 1 0 -1 -2 -3 S: S = 5/2 L =mz = 3 + 2 = 5J
16、 = L + S 例3:試計(jì)算Fe3+ (或Fe2+) 的基態(tài)磁矩為5 B (4B)。(有幾個(gè)未成對(duì)電子,就有幾個(gè)B)。(提示:過(guò)渡元素的原子或離子組成物質(zhì)時(shí),軌道角動(dòng)量?jī)鼋Y(jié),因而不考慮L(L=0)。解: Fe3+ 電子組態(tài):3d5,m: 2 1 0 -1 -2 L = 0S: S = 5/2; J = L+ S = S = 5/2;基態(tài)的光譜項(xiàng)6S5/2;gJ = 2 Fe+2 3d6 S2m: 2 1 0 -1 -2 L = 2 S: S=2; L=2;S=2;J=4;基態(tài)的光譜項(xiàng)2S+1LJ:5D4;。四、晶場(chǎng)作用(1)晶場(chǎng)中軌道角動(dòng)量的凍結(jié):在晶場(chǎng)的作用下3d過(guò)渡金屬的磁性離子的原子磁
17、矩僅等于電子自旋磁矩,而電子的軌道磁矩沒(méi)有貢獻(xiàn)。此現(xiàn)象稱為軌道角動(dòng)量?jī)鼋Y(jié)。(2)分裂后d軌道中電子的排布高自旋態(tài)和低自旋態(tài)在八面體中,d1-3型離子,按洪特規(guī)則,其d 電子只能分占三個(gè)簡(jiǎn)并的d 低能軌道,即只一種方式。而d4-7型離子,有兩種可能: 當(dāng)Ep時(shí),因電子成對(duì)需要能量高,故d 電子將盡量分占軌道而具有最多自旋平行的成單電子的狀態(tài),即高自旋態(tài);反之當(dāng)Ep時(shí),則因躍遷進(jìn)入d 軌道需要能量較高,d 電子將盡量占據(jù)低能級(jí)軌道并成對(duì),而具有較少的成單電子,即低自旋態(tài)。高自旋態(tài)即是較小的弱場(chǎng)排列,不夠穩(wěn)定,成單電子多而磁矩高,具順磁性。低自旋態(tài)即是較大的強(qiáng)場(chǎng)排列,較穩(wěn)定,成單電子少而磁矩低。(3
18、)姜-泰勒(Jahn-Teller)效應(yīng)銅尖晶石鐵氧體在高溫下是立方晶體,而在室溫下不再是立方晶體而畸變?yōu)檎骄w,這種晶體畸變現(xiàn)象 , 稱為Jahn-Teller效應(yīng)。一般發(fā)生在尖晶石型的化合 物和鈣鈦礦型化合物(AB2O4和RTO3類型的化合物)。畸變程度:在高能的eg軌道上出現(xiàn)簡(jiǎn)并態(tài)(eg軌道電子排布不平均),產(chǎn)生大畸變。在低能的t2g軌道上出現(xiàn)簡(jiǎn)并態(tài)(t2g軌道電子排布不平均),產(chǎn)生小畸變。在所有軌道電子排布都平均則無(wú)畸變。姜-泰勒穩(wěn)定化能:在姜-泰勒效應(yīng)中,幾何構(gòu)型的畸變導(dǎo)致基態(tài)的能級(jí)能量降低,從而使體系獲得額外的穩(wěn)定化能(能量降低值),稱為姜-泰勒穩(wěn)定化能。五、軟磁材料(一)、對(duì)軟
19、磁材料基本性能的要求:a. 初始磁導(dǎo)率µi和最大磁導(dǎo)率µmax要高; b. 矯頑力Hc要小;c. 飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度Ms要高; d. 功率損耗P要低; e. 高的穩(wěn)定性。(二)、提高軟磁材料起始磁導(dǎo)率的途徑有: (a). 提高飽和磁化強(qiáng)度。因材料的起始磁導(dǎo)率µi 與Ms的平方成正比,提高M(jìn)s的大小有利于提高起始磁導(dǎo)率;(b). 降低磁晶各向異性常數(shù)K1和磁致伸縮系數(shù)s:從配方和工藝上選用K1和s很小的鐵氧體作為基本成分。(c). 改善材料的顯微結(jié)構(gòu):選擇原料純度高、活性好、適當(dāng)?shù)臒崽幚項(xiàng)l件,可以使燒成的材科結(jié)構(gòu)均勻、雜質(zhì)和氣孔較少。晶粒增大,晶界對(duì)疇壁位移的阻滯作用減
20、小,µi 升高。磁疇織構(gòu)是使磁疇沿磁場(chǎng)方向取向,從而提高µi 值。(d). 降低內(nèi)應(yīng)力:由磁化過(guò)程的磁致伸縮引起的內(nèi)應(yīng)力,它與s 成正比,選擇低s材料。燒結(jié)后冷卻速度太快,會(huì)造成晶格畸變,產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力??梢圆捎玫蜏赝嘶鹣?。氣孔、雜質(zhì)、晶格缺陷等因素在材料內(nèi)部產(chǎn)生應(yīng)力。通過(guò)原材料的優(yōu)選以及工藝過(guò)程的嚴(yán)格拉制來(lái)消除。(三)、非晶態(tài)軟糍材料的優(yōu)勢(shì): 非晶態(tài)軟磁材料的特點(diǎn):(1)由于不存在阻礙疇壁移動(dòng)的位錯(cuò)和晶界,因而具有高磁導(dǎo)率和低矯頑力, 軟磁綜合性能遠(yuǎn)優(yōu)于鐵氧體軟磁;(2)因電阻率比同種晶態(tài)材料高,渦流損耗小,適用與高頻場(chǎng)合;(3)機(jī)械強(qiáng)度和硬度較高,抗化學(xué)腐蝕能力強(qiáng)。(4)
21、體系自由能較高,加熱時(shí)有晶化傾向。(5)在性價(jià)比和市場(chǎng)占有率上還不及對(duì)鐵氧體。在高技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用中它將大顯身手。非晶態(tài)磁性材料的制備方法:(1)氣相沉積法;(2)液相急冷法(快速冷凝技術(shù));(3)高能離子注入法(噴丸法)。(四)、軟磁材料的分類、及各自的磁性能和應(yīng)用場(chǎng)合:軟磁材料可以分為以下幾大類:(1)合金。如硅鋼(Fe-Si)、坡莫合金(Fe-Ni)、仙臺(tái)斯特合金(Fe-Si-Al)等。金屬軟磁材料的飽和磁化強(qiáng)度高于鐵氧體,因此廣泛應(yīng)用于發(fā)電機(jī)、變壓器、馬達(dá)等電力、電子、通信等領(lǐng)域。但它低電阻率的特性導(dǎo)致趨肪效應(yīng),渦流損耗限制了其在高頻段的應(yīng)用。(2)軟磁鐵氧體。這方面主要有:MnZn系、
22、NiZn系、MgZn系等。MnZn鐵氧休是具有尖晶石結(jié)構(gòu)的mMnFe2O4nZnFe2O4與少量Fe3O4組成的單相固溶體。軟磁鐵氧體的性能常因應(yīng)用而異,但通常希望高磁導(dǎo)率、低損耗。多用于變壓器、線圈、天線、磁頭、開(kāi)關(guān)等。(3)非晶態(tài)、納米晶軟磁材料。由于不存在阻礙疇壁移動(dòng)的位錯(cuò)和晶界,因而具有高磁導(dǎo)率和低矯頑力, 軟磁綜合性能遠(yuǎn)優(yōu)于鐵氧體軟磁。另外,因電阻率較高,渦流損耗小,機(jī)械強(qiáng)度和硬度較高,抗化學(xué)腐蝕能力強(qiáng)。但在性價(jià)比和市場(chǎng)占有率上還不及對(duì)鐵氧體。在高技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用中它將大顯身手。起始磁導(dǎo)率是軟磁材料的重要參數(shù)。它與材料的飽和磁化強(qiáng)度Ms的平方成正比,與材料的K1和s成反比,與材料中的內(nèi)
23、應(yīng)力,和雜質(zhì)濃度成反比。其中,Ms、K1 和s是材料的基本磁特性參數(shù),是決定磁導(dǎo)率的主要因素,基本上不隨加工條件和應(yīng)用情況變化。而和的大小及其對(duì)磁導(dǎo)率的影響會(huì)隨加工條件和實(shí)際情況而變化。重點(diǎn)掌握:金屬軟磁材料:電工純鐵、硅鋼、坡莫合金的主要化學(xué)成分、磁性能、及熱處理工藝。鐵氧體軟磁:MnZn鐵氧體、NiZn 鐵氧體、MgZn鐵氧體的軟磁特性。非晶態(tài)軟磁材料:Fe基、Co基非晶;FinementFT-1KM納米晶的結(jié)構(gòu)、制備工藝與磁性。六、永磁材料(一)、對(duì)永磁材料的基本性能要求:(1). 矯頑力Hc要高;(2)剩余磁感應(yīng)強(qiáng)度Br要高;(3)最大磁能積(HB)max要高;(4)從實(shí)際應(yīng)用用角度考
24、慮,材料穩(wěn)定性要高。(二)、提高永磁材料的矯頑力Hc的途徑有:(1). 可將材料做成單疇集合體;(2). 選擇高磁晶各向異性(高K1值)的材料;(3). 適當(dāng)增大非磁性摻雜含量并控制其形狀(最好是片狀摻雜)和彌散度(使摻雜尺寸和疇壁寬度相近);(4). 選擇高磁致伸縮材料,增加材料中內(nèi)應(yīng)力的起伏。(三)、提高永磁材料的剩磁Mr的途徑有:1. 定向結(jié)晶:采用熱流控制的定向凝固技術(shù),在柱狀晶晶粒長(zhǎng)大方向誘導(dǎo)易磁化軸。2. 塑性變形:多晶體金屆材料經(jīng)拔絲、軋扳、擠壓、壓縮等塑性加工變形,由于晶粒轉(zhuǎn)動(dòng),使晶粒產(chǎn)生加工組織或加工織構(gòu),從而誘導(dǎo)磁各向異性。3. 磁場(chǎng)成型:在永磁體加工成型過(guò)程中,通過(guò)施加外
25、部磁場(chǎng)使磁性顆粒的易磁化軸沿磁場(chǎng)方向取向,以較高永磁體的剩磁Br。4. 磁場(chǎng)熱處理:將材料放在外部磁場(chǎng)中進(jìn)行熱處理,可以控制熱處理過(guò)程中鐵磁性相顆粒的析出形態(tài),并使磁矩沿磁場(chǎng)方向擇優(yōu)取向。(四)、永磁材料的分類、及各自的磁性能和應(yīng)用場(chǎng)合:永磁材料可以分為以下幾大類:(1)金屬永磁材料:主要包括鋁鎳鈷(A1-Ni-Co)系和鐵鉻鈷(Fe-Cr-Co)系兩類永磁合金;最大磁能積(BH)max可達(dá)40 kJ/m3。60年代前,鋁鎳鈷磁鋼在永磁材料中占主導(dǎo)地位。 (2)鐵氧體永磁材料:這是一類以Fe2O3為主要組元的復(fù)合氧化物強(qiáng)磁材料,最常見(jiàn)的有:鋇鐵氧體(BaO6Fe2O3)和鍶鐵氧體(SrO6 F
26、e2O3)。磁性能居中,最大磁能積(BH)max可達(dá)32 kJ/m3,抗退磁性能優(yōu)良,不存在氧化問(wèn)題。性價(jià)比高,目前產(chǎn)值約占永磁材料總產(chǎn)值的40。電阻率高,特別適合在高頻和微波領(lǐng)域應(yīng)用。(3)稀土系永磁材料,這是類以稀土族元素和鐵族元素為主要成分的金屬間化合物,包括鈷基的SmCo5系和Sm2Co17系列,以及鐵基的Nd-Fe-B系永磁材料。SmCo5永磁體:具有很高的磁晶各向異性常數(shù),K1=15-19×103 kJ/m3,Ms=890 kA/m。 其理論磁能積達(dá)244.9 kJ/m3。做成磁體以后,SmCo5永磁體的磁能積達(dá)147.3 kJ/m3,剩磁Br=0.8-0.95 T。居里溫度為740度,工作溫度范圍:-50150度。Sm2Co17永磁體:具有高Tc=926度,Sm2(Co0.3Fe0.7)17合金的µ0Ms1.63 T, 其理論最大磁能積高達(dá)525.4 kJ/m3,實(shí)際值238.8 kJ/m3。但矯頑力偏低。Nd-F
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