材料表面工程-第四講

1、材料表面工程材料表面工程主講教師：呂主講教師：呂 祥祥 鴻鴻西安石油大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院西安石油大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院1l 一、一、氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù)l 二、二、高能束表面處理高能束表面處理目目 錄錄一、一、氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù) 1.氣相沉積技術(shù)原理、分類(lèi)氣相沉積技術(shù)原理、分類(lèi)2.物理氣相沉積物理氣相沉積原理、裝置及工藝原理、裝置及工藝 3.化學(xué)氣相沉積原理、裝置及工藝化學(xué)氣相沉積原理、裝置及工藝 31.氣相沉積技術(shù)原理、分類(lèi)氣相沉積技術(shù)原理、分類(lèi)v定義定義- -在基體上形成功能膜層的技術(shù)，也稱(chēng)作干鍍。在基體上形成功能膜層的技術(shù)，也稱(chēng)作干鍍。 v分類(lèi)分類(lèi)- -膜層形成機(jī)理可分為膜層

2、形成機(jī)理可分為4(1)物理氣相沉積物理氣相沉積(2)化學(xué)氣相沉積化學(xué)氣相沉積 真空蒸鍍真空蒸鍍?yōu)R射鍍膜濺射鍍膜離子鍍膜離子鍍膜一、一、氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù)2.物理氣相沉積原理、裝置及工藝物理氣相沉積原理、裝置及工藝 (1)真空蒸鍍真空蒸鍍v定義定義- -在真空條件下，用加熱蒸發(fā)的方法使鍍料轉(zhuǎn)化為氣相，在真空條件下，用加熱蒸發(fā)的方法使鍍料轉(zhuǎn)化為氣相，然后凝聚在基體表面的方法。然后凝聚在基體表面的方法。v步驟步驟- -清潔基材表面清潔基材表面蒸發(fā)源加熱鍍膜材料蒸發(fā)源加熱鍍膜材料材料蒸發(fā)或升華材料蒸發(fā)或升華成蒸氣成蒸氣蒸氣在基材表面凝聚成膜。蒸氣在基材表面凝聚成膜。5一、一、氣相沉積技術(shù)氣相沉積

3、技術(shù)v 原理原理- -在高真空中，鍍料氣化（升華）?；w設(shè)在蒸氣流上方，在高真空中，鍍料氣化（升華）?；w設(shè)在蒸氣流上方，且溫度相對(duì)較低，則蒸氣在基體上形成凝固膜。且溫度相對(duì)較低，則蒸氣在基體上形成凝固膜。6一、一、氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù)v 設(shè)備設(shè)備7真空蒸鍍?cè)O(shè)備簡(jiǎn)圖真空蒸鍍?cè)O(shè)備簡(jiǎn)圖高真空閥高真空閥出水出水?dāng)U散泵擴(kuò)散泵冷阱冷阱增壓泵增壓泵ZF-85針閥針閥工件工件鐘罩鐘罩工件夾和工件夾和加熱器加熱器低真低真空閥空閥放氣閥放氣閥充氣閥充氣閥蒸發(fā)源與蒸發(fā)源與加熱器加熱器機(jī)械泵機(jī)械泵進(jìn)水進(jìn)水一、一、氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù)8v 方法方法F 電阻加熱法電阻加熱法 溫度溫度1500，Al、Au、Ag。

4、鎢絲、鎢舟、鉬舟鎢絲、鎢舟、鉬舟電阻加熱蒸發(fā)源電阻加熱蒸發(fā)源一、一、氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù)9F 高頻感應(yīng)加熱法高頻感應(yīng)加熱法 一、一、氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù)10F 激光蒸鍍法激光蒸鍍法 一、一、氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù)11F 真空度真空度 F基材表面狀態(tài)：清潔度、溫度、晶體結(jié)構(gòu)基材表面狀態(tài)：清潔度、溫度、晶體結(jié)構(gòu)F蒸發(fā)溫度蒸發(fā)溫度F蒸發(fā)和凝結(jié)速率蒸發(fā)和凝結(jié)速率F基材表面與蒸發(fā)源的空間關(guān)系基材表面與蒸發(fā)源的空間關(guān)系一、一、氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù)F 大多數(shù)呈大多數(shù)呈晶態(tài)，尺寸晶態(tài)，尺寸10100nm； F膜層與基體的結(jié)合主要為膜層與基體的結(jié)合主要為機(jī)械結(jié)合機(jī)械結(jié)合；F形貌取決于膜層材料的形貌

5、取決于膜層材料的特性、基體材料及操作時(shí)基體的溫度特性、基體材料及操作時(shí)基體的溫度；F常用的蒸鍍材料有常用的蒸鍍材料有:鉻、銅、金、鋁、氧化硅、錫、銻、三硫化銻鉻、銅、金、鋁、氧化硅、錫、銻、三硫化銻等。等。12F反射器反射器(鏡鏡)蒸發(fā)鍍鋁；蒸發(fā)鍍鋁；F電視設(shè)備、電子計(jì)算機(jī)用的電子元件。電視設(shè)備、電子計(jì)算機(jī)用的電子元件。 一、一、氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù)(2)濺射鍍膜濺射鍍膜v定義定義- -在真空室中，用荷能粒子轟擊靶材，使其原子獲得能量而在真空室中，用荷能粒子轟擊靶材，使其原子獲得能量而濺出進(jìn)入氣相，并在工件表面沉積成膜。荷能粒子一般為離子。濺出進(jìn)入氣相，并在工件表面沉積成膜。荷能粒子一般為

6、離子。v步驟步驟- -靶面原子濺射靶面原子濺射濺射原子向基片遷移濺射原子向基片遷移沉積成膜。沉積成膜。13一、一、氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù)F 二極濺射二極濺射 14由真空室由真空室+ +抽真空系統(tǒng)抽真空系統(tǒng)+ + 電氣系統(tǒng)電氣系統(tǒng)+ +供氣部分組成供氣部分組成鐘罩鐘罩氬氣氬氣陰極陰極( (靶靶)陽(yáng)極陽(yáng)極( (基板基板) )高壓高壓電源電源加熱加熱電源電源基基片片陰極屏障陰極屏障加熱器加熱器一、一、氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù)F 射頻濺射射頻濺射l射頻：指頻率低于射頻：指頻率低于61012的電振蕩頻率的電振蕩頻率 15射頻射頻電源電源氬氣氬氣靶材靶材射頻射頻電極電極匹配電路匹配電路工件架工件架工件工

7、件電磁電磁線圈線圈電磁電磁線圈線圈真空罩真空罩一、一、氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù)F 磁控濺射磁控濺射16一、一、氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù)靶靶SSN屏屏蔽蔽基片基片工件架工件架輝光區(qū)輝光區(qū)磁鐵磁鐵F 三極濺射三極濺射17鐘罩鐘罩靶子靶子擋板擋板磁場(chǎng)磁場(chǎng)線圈線圈基片基片陽(yáng)極陽(yáng)極燈絲燈絲抽氣系統(tǒng)抽氣系統(tǒng)進(jìn)氣閥進(jìn)氣閥等離等離子區(qū)子區(qū)一、一、氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù)F 機(jī)械功能膜機(jī)械功能膜：耐摩、減摩、耐熱、抗蝕等強(qiáng)化膜，固體潤(rùn)滑薄膜；：耐摩、減摩、耐熱、抗蝕等強(qiáng)化膜，固體潤(rùn)滑薄膜； F物理功能膜物理功能膜：電氣、磁學(xué)、光學(xué)等；：電氣、磁學(xué)、光學(xué)等；F裝飾膜裝飾膜。18一、一、氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù)(3

8、)離子鍍膜離子鍍膜v定義定義- -在真空條件下，由惰性氣體輝光放電使氣體或被蒸發(fā)物質(zhì)在真空條件下，由惰性氣體輝光放電使氣體或被蒸發(fā)物質(zhì)部分離子化，離子經(jīng)電場(chǎng)加速后對(duì)帶負(fù)電荷的基體轟擊，同時(shí)將蒸發(fā)部分離子化，離子經(jīng)電場(chǎng)加速后對(duì)帶負(fù)電荷的基體轟擊，同時(shí)將蒸發(fā)物或反應(yīng)物沉積成膜。物或反應(yīng)物沉積成膜。v鍍料蒸發(fā)方式鍍料蒸發(fā)方式- -電阻加熱、電子束加熱、等離子束加熱、高電阻加熱、電子束加熱、等離子束加熱、高頻感應(yīng)加熱等。頻感應(yīng)加熱等。v離化方式離化方式- -輝光放電型、電子束型、熱電子型、等離子電子束輝光放電型、電子束型、熱電子型、等離子電子束型等。型等。19一、一、氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù)F工件為陰

9、極，陽(yáng)極兼作蒸發(fā)源。工件為陰極，陽(yáng)極兼作蒸發(fā)源。 F抽真空抽真空10-310-4Pa，充氬氣至，充氬氣至10-21Pa，加幾百至幾千伏直流電，加幾百至幾千伏直流電壓，氬離子轟擊清洗基片，接通壓，氬離子轟擊清洗基片，接通交流電，膜料蒸發(fā)且電離或激發(fā)，交流電，膜料蒸發(fā)且電離或激發(fā)，正離子轟擊基片，中性粒子沉積正離子轟擊基片，中性粒子沉積成膜。成膜。 20一、一、氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù)陰極陰極交流交流電源電源至真空至真空系統(tǒng)系統(tǒng)基片基片 蒸發(fā)源蒸發(fā)源 直流直流高壓高壓氬氣氬氣鐘罩鐘罩 陽(yáng)極陽(yáng)極等離等離子區(qū)子區(qū)陰極陰極暗區(qū)暗區(qū)F 空心陰極離子鍍空心陰極離子鍍 21一、一、氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù)水冷

10、銅水冷銅坩堝坩堝鐘罩鐘罩工件工件高壓高壓電源電源蒸發(fā)源蒸發(fā)源氬氣氬氣HCD陰極陰極至真空至真空系統(tǒng)系統(tǒng)陽(yáng)極陽(yáng)極輔助輔助陽(yáng)極陽(yáng)極F多弧離子鍍多弧離子鍍 22一、一、氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù)至真至真空泵空泵弧靶弧靶70V,100A工件架工件架陽(yáng)極陽(yáng)極工作室工作室工工件件引弧引弧電極電極F磁控濺射離子鍍磁控濺射離子鍍 23一、一、氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù)至真至真空泵空泵永久磁鐵永久磁鐵基板基板( (工件工件) )工作室工作室磁控磁控電源電源N S N氬氣氬氣離子鍍離子鍍電源電源磁控磁控陽(yáng)極陽(yáng)極磁控靶磁控靶膜層膜層F活性反應(yīng)離子鍍活性反應(yīng)離子鍍 24一、一、氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù)至真至真空泵空泵基板

11、基板電子槍電子槍真空室真空室反應(yīng)反應(yīng)氣體氣體真空機(jī)組真空機(jī)組反應(yīng)反應(yīng)氣導(dǎo)氣導(dǎo)入環(huán)入環(huán)電電源源探測(cè)探測(cè)電極電極壓差壓差板板物料物料F表面強(qiáng)化鍍層：表面強(qiáng)化鍍層：耐磨鍍層、耐蝕鍍層、潤(rùn)滑鍍層；耐磨鍍層、耐蝕鍍層、潤(rùn)滑鍍層；F裝飾鍍層；裝飾鍍層；F特殊功能鍍層。特殊功能鍍層。25一、一、氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù)3.化學(xué)氣相沉積原理、裝置及工藝化學(xué)氣相沉積原理、裝置及工藝v定義定義- -通過(guò)熱化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生的氣相在工件表面沉積成膜的方法。通過(guò)熱化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生的氣相在工件表面沉積成膜的方法。v設(shè)備設(shè)備- -26一、一、氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù)甲烷甲烷工件工件氫氣瓶氫氣瓶TiCl4高頻源高頻源感應(yīng)感應(yīng) 加熱爐

12、加熱爐干燥劑干燥劑催化劑催化劑反應(yīng)室反應(yīng)室工件工件出口出口出氣口出氣口混合室混合室流量計(jì)流量計(jì)常由石英管制成；常由石英管制成；器壁為熱態(tài)器壁為熱態(tài)油槽油槽F可以制備多種單質(zhì)可以制備多種單質(zhì)/化合物化合物/氮化物或不同組分的薄膜；氮化物或不同組分的薄膜；F可以在較寬的范圍內(nèi)獲得具有可控成分的覆層；可以在較寬的范圍內(nèi)獲得具有可控成分的覆層；F薄膜的沉積溫度可以低于其本身的熔點(diǎn)。薄膜的沉積溫度可以低于其本身的熔點(diǎn)。27一、一、氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù)F需要較高需要較高T，基材，基材T高，沉積速率低高，沉積速率低/難以實(shí)現(xiàn)局部沉積；難以實(shí)現(xiàn)局部沉積；F參加反應(yīng)的氣源和反應(yīng)后的的余氣都具有一定毒性。參加

13、反應(yīng)的氣源和反應(yīng)后的的余氣都具有一定毒性。28一、一、氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù)按沉積按沉積T T高溫高溫CVD按實(shí)施方法按實(shí)施方法中溫中溫CVD低溫低溫CVD普通普通CVDMOCVD如：如：平面硅和平面硅和MOS集成電路的鈍化膜集成電路的鈍化膜等離子增強(qiáng)等離子增強(qiáng)CVD光化學(xué)反應(yīng)光化學(xué)反應(yīng)CVD金屬有金屬有機(jī)物機(jī)物CVD如：如：在刀具上沉積在刀具上沉積TiC/TiN超硬膜超硬膜如如:沉積沉積SiN9002000激光激光CVD500800 500PECVDLCVD按沉積系統(tǒng)壓強(qiáng)按沉積系統(tǒng)壓強(qiáng)常壓常壓CVD減壓減壓CVD1atm(1.013105 Pa)數(shù)十?dāng)?shù)十?dāng)?shù)百數(shù)百Pa29一、一、氣相沉積技術(shù)

14、氣相沉積技術(shù)氣動(dòng)氣動(dòng)連鎖連鎖裝置裝置氣體控氣體控制系統(tǒng)制系統(tǒng)主真空泵主真空泵防振臺(tái)防振臺(tái)感應(yīng)加熱感應(yīng)加熱壓力壓力表表清洗清洗氮氮裝料裝料門(mén)組門(mén)組件件反應(yīng)室反應(yīng)室冷阱冷阱反應(yīng)反應(yīng)氣體氣體管管排氣排氣波紋波紋管管真空真空閥閥F減壓減壓CVD 30一、一、氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù)F等離子體增強(qiáng)等離子體增強(qiáng)CVD (PECVD) 擴(kuò)散泵擴(kuò)散泵加熱器加熱器SiH4+Ar試樣試樣高頻發(fā)生器高頻發(fā)生器反應(yīng)室反應(yīng)室質(zhì)量流量計(jì)質(zhì)量流量計(jì)N2機(jī)械泵機(jī)械泵質(zhì)量流量計(jì)質(zhì)量流量計(jì)等離子區(qū)等離子區(qū)31一、一、氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù)F 金屬有機(jī)化合物金屬有機(jī)化合物CVD (MOCVD)質(zhì)量流質(zhì)量流量計(jì)量計(jì)4個(gè)個(gè)反應(yīng)室反應(yīng)

15、室H2SeAsH3GaAs基片基片排氣排氣RF線圈線圈托架托架凈化器凈化器TMG TMA DEZ石墨制成石墨制成H2采用采用GaAs作為基片作為基片不銹鋼發(fā)泡器不銹鋼發(fā)泡器高壓氣瓶高壓氣瓶用氫氣稀釋至用氫氣稀釋至510%用氫氣稀釋至幾十用氫氣稀釋至幾十幾百幾百ppm至廢氣回至廢氣回收裝置收裝置32一、一、氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù)F 光化學(xué)光化學(xué)CVDl利用光化學(xué)反應(yīng)，使反應(yīng)物吸收一定波長(zhǎng)和能量的光子，促使其中利用光化學(xué)反應(yīng)，使反應(yīng)物吸收一定波長(zhǎng)和能量的光子，促使其中的原子團(tuán)和離子發(fā)生反應(yīng)，生成化合物的的原子團(tuán)和離子發(fā)生反應(yīng)，生成化合物的CVD方法。方法。l主要用于沉積主要用于沉積SiO2、Si

16、3N4以及多晶硅膜；生長(zhǎng)以及多晶硅膜；生長(zhǎng)M膜和膜和Ga、Ge、Ti、W等元素的氧化物膜。等元素的氧化物膜。l 一、一、氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù)l 二、二、高能束表面處理高能束表面處理目目 錄錄二、二、高能束表面處理高能束表面處理 1.高能束表面改性概述高能束表面改性概述2.激光表面處理激光表面處理概述概述及其分類(lèi)及其分類(lèi) 3.電子束表面處理及熱過(guò)程電子束表面處理及熱過(guò)程4. 離子注入原理、裝置及應(yīng)用離子注入原理、裝置及應(yīng)用 341.高能束表面改性概述高能束表面改性概述v高能束高能束- -激光束、電子束、離子束。激光束、電子束、離子束。v表面改性表面改性- -獲得與基體的組織、性能不同的材料表

17、面。獲得與基體的組織、性能不同的材料表面。 v高能束加熱和冷卻速度極高高能束加熱和冷卻速度極高- -微晶或非晶制備。微晶或非晶制備。v離子注入離子注入- -把異類(lèi)原子引入表面層把異類(lèi)原子引入表面層- -表面合金化。表面合金化。35二、二、高能束表面處理高能束表面處理2.激光表面處理激光表面處理概述概述及其分類(lèi)及其分類(lèi) v概述：概述：l金屬對(duì)激光的吸收金屬對(duì)激光的吸收部分反射部分反射, ,部分吸收；部分吸收；l吸收能量吸收能量電子躍遷；電子躍遷；l吸收率與波長(zhǎng)、溫度、金屬表面自身性質(zhì)吸收率與波長(zhǎng)、溫度、金屬表面自身性質(zhì)有關(guān)；有關(guān)；l激光與金屬作用的類(lèi)型：熱作用、力作用、光作用。激光與金屬作用的類(lèi)

18、型：熱作用、力作用、光作用。36二、二、高能束表面處理高能束表面處理v分類(lèi)：分類(lèi)：F不改變基材表面成分不改變基材表面成分37二、二、高能束表面處理高能束表面處理38F 改變基材表面成分改變基材表面成分二、二、高能束表面處理高能束表面處理39v 激光熔覆技術(shù)激光熔覆技術(shù)二、二、高能束表面處理高能束表面處理40l激光熔覆材料的添加激光熔覆材料的添加預(yù)制涂層法：先涂覆、噴涂、電鍍一層材料；預(yù)制涂層法：先涂覆、噴涂、電鍍一層材料；同步送料法：將材料直接送入激光熔池，多為粉末、線材。同步送料法：將材料直接送入激光熔池，多為粉末、線材。二、二、高能束表面處理高能束表面處理l激光熔覆技術(shù)特點(diǎn)激光熔覆技術(shù)特點(diǎn)

19、類(lèi)似于噴焊或堆焊，與二者相比特點(diǎn)：類(lèi)似于噴焊或堆焊，與二者相比特點(diǎn)： (1) 稀釋率低；稀釋率低； (2)基材熱變形最??；基材熱變形最??； (3)熔覆層致密，結(jié)合強(qiáng)度高；熔覆層致密，結(jié)合強(qiáng)度高； (4)無(wú)污染，無(wú)輻射，低噪聲，勞動(dòng)條件好。無(wú)污染，無(wú)輻射，低噪聲，勞動(dòng)條件好。41l激光熔覆材料激光熔覆材料自熔合金：鎳基、鐵基、鈷基、銅基；自熔合金：鎳基、鐵基、鈷基、銅基；金屬陶瓷符合粉末：合金與碳化物金屬陶瓷符合粉末：合金與碳化物(WC、TiC、SiC等等)；陶瓷粉末：陶瓷粉末：Al2O3、ZrO2等。等。二、二、高能束表面處理高能束表面處理l激光熔覆影響因素激光熔覆影響因素激光功率、光斑直徑、

20、功率密度、掃描速度、送粉速率、材料相容激光功率、光斑直徑、功率密度、掃描速度、送粉速率、材料相容性。性。l激光熔覆用途激光熔覆用途形成特殊表面層；零件修復(fù)、恢復(fù)尺寸。形成特殊表面層；零件修復(fù)、恢復(fù)尺寸。42v 激光表面合金化技術(shù)激光表面合金化技術(shù)二、二、高能束表面處理高能束表面處理鑄鐵鑄鐵大型軋輥大型軋輥激光合金化激光合金化43l激光表面合金化工藝激光表面合金化工藝預(yù)制涂層法：預(yù)制涂層法：刷涂、電鍍、熱擴(kuò)滲、噴涂等；刷涂、電鍍、熱擴(kuò)滲、噴涂等；同步送粉法：同步送粉法：將含有強(qiáng)化粒子材料送入熔池；將含有強(qiáng)化粒子材料送入熔池；激光氣體合金化法：激光氣體合金化法：激光熔化鋁或鈦合金通入激光熔化鋁或鈦

21、合金通入N2、O2等氣體。等氣體。二、二、高能束表面處理高能束表面處理44l激光表面合金化特點(diǎn)激光表面合金化特點(diǎn)既改變表層的既改變表層的物理狀態(tài)物理狀態(tài)，又改變其，又改變其化學(xué)成分化學(xué)成分；與激光熔覆激光表面合金化的基材熔化程度高，需要更大的能量密與激光熔覆激光表面合金化的基材熔化程度高，需要更大的能量密度。度。二、二、高能束表面處理高能束表面處理包頭市鑫垣機(jī)械制造有限責(zé)任公司包頭市鑫垣機(jī)械制造有限責(zé)任公司球墨鑄鐵軋輥激光表面合金化球墨鑄鐵軋輥激光表面合金化 45v 激光表面淬火激光表面淬火二、二、高能束表面處理高能束表面處理內(nèi)蒙古科技大學(xué)內(nèi)蒙古科技大學(xué) 軋輥表面強(qiáng)化軋輥表面強(qiáng)化 廣州某光科技

22、術(shù)有限公司廣州某光科技術(shù)有限公司 齒輪激光淬火齒輪激光淬火46v 激光表面非晶化和熔凝激光表面非晶化和熔凝二、二、高能束表面處理高能束表面處理齒圈激光熔凝齒圈激光熔凝軋輥激光熔凝軋輥激光熔凝3.電子束表面處理及熱過(guò)程電子束表面處理及熱過(guò)程 v原理原理47二、二、高能束表面處理高能束表面處理l電子束能量密度達(dá)電子束能量密度達(dá)103MW/m2，比激光高一至二個(gè)數(shù)量級(jí)。比激光高一至二個(gè)數(shù)量級(jí)。l電子束加熱深度和尺寸比激光大。電子束加熱深度和尺寸比激光大。l缺點(diǎn)：必須在真空環(huán)境中處理。缺點(diǎn)：必須在真空環(huán)境中處理。F電子束淬火；電子束淬火；F電子束表面合金化；電子束表面合金化；F 電子束覆層；電子束覆層；F 制造非晶態(tài)層；制造非晶態(tài)層；F 此外，電子束蒸鍍、濺射也應(yīng)屬于電子束的改性范疇。此外，電子束蒸鍍、濺射也應(yīng)屬于電子