常見元件基本常識

1、常見元件基本常識一：緒論： 一部高質量的性能優(yōu)良的電子整機產(chǎn)品的制成，要經(jīng)過多道工序，其質量好壞，取決于多種因素。包括：原材料的質量，元器件和部件的性能和質量，線路設計的優(yōu)劣，結構安排的合理性，工藝的先進性，造型設計是否美觀等等。但是，把各種元器件和部件裝配成整機，進行必要的調整和測試，以及按規(guī)定對整機進行檢驗與試驗，則是必不可少的十分重要的程序。電子整機產(chǎn)品的質量，最終要靠這道程序保證。電子產(chǎn)品經(jīng)歷了幾代：電子管時代；晶體管時代；集成電路時代。電子整機的調試工藝與機器制造業(yè)不同，機器制造業(yè)有嚴格的公差。而電子元器件的電氣參數(shù)離散性比較嚴重，所以必須進行調試。 操作技能比較關鍵，而技能的獲得在

2、于訓練。電子線路板常見元件簡介：一：PCB板。二：電阻（電位器）。三：電容器。 四：電感線圈。五：變壓器。 六：二極管。 七：三管腳元件：三極管。場效應管。晶閘管。 八：集成電路（芯片）。九：發(fā)光元件：數(shù)碼管。點陣。發(fā)光管（LED）。十：發(fā)聲元件：蜂鳴器。振鈴（喇叭）。十一：連接元件：插座（不同顏色）IC座。短路線。十二：轉換元件：繼電器。光耦。整流橋。發(fā)射管，接收管, 按鍵。十三：能源元件：晶體（晶振）。電池。十四：保護元件：保險管 十五：傳感器十六：其它：2 / 45一電子線路板（PCB：Print cucirt buard）一: 電路 ( Circuit ): 是由電工設備和元器件按一定

3、方式聯(lián)接起來的總體,為電流流通提供了路徑. 二: 電源( Electric Source ): 電路中供給電能的設備和器件稱為電源.三: 負載( Load ) : 電路中使用電能的設備和元件稱為負載.四：電流（Current）：電荷的定向移動形成電流。電流的大小常用電流強度（Current Intensity ）來衡量。單位為:（A安培.）五：電流強度：指單位時間內通過導體橫截面的電荷量。六：直流(direct current ).大小和方向均不隨時間改變的電流，叫恒定電流（直流）：七：交流(Alternating current)：電流的大小和方向都隨時間變化，稱變動電流,其中一個周期內電流

4、的平均值為零的變動電流，稱為交變電流.（交流）八：電壓( voltage )：電路中A，B兩點間電壓的大小等于電場力由A點移動單位正電荷到B點所作的功。當正電荷順著電場力的方向由A點移動到B點，電場力作正功，這時A點到B點的電壓也稱為電壓降。單位為：伏（V）在電路中任選一點為參考點，則某點到參考點的電壓降就叫做這一點（相對于參考點）的電位。九：電功率（Power）: 在單位時間內電路元件吸?。ɑ蛳模┑碾娔?。單位為：瓦（W） P=UI=RII 由于耗能元件吸收功率,常引起溫度的升高,所以不少電器給出額定值.為安全運行的限額值,也是經(jīng)濟運行的使用值.額定電壓(rated voltage ) 額定

5、電流( rated current) 額定功率( rated power)電信號: 在電子技術中是指變化的電壓或電流. 電信號分為兩大類: 一類是信號的振幅隨時間呈連續(xù)變化,稱為模擬信號. 另一類: 只是在某些不連續(xù)的瞬時給出的函數(shù)值.即時間和幅值都是離散的.如: 0/1 開/關.電路問題主要是兩大類：電路的分析（Circuit analysis）; 電路的綜合(Circuit synthesis)。電路的分析是指按已給定電路的結構和參數(shù)來計算電路有關的各物理量。電路的綜合是指按給定的電氣特性（或者說按給定電路性質的數(shù)學描述即網(wǎng)絡函數(shù)）來實現(xiàn)一個電路，即確定電路的結構以及組成電路的元件類型和參

6、數(shù)。10 絕緣材料按其化學性質不同，可分為無機絕緣材料和有機絕緣材料。11. 有機絕緣材料：樹脂，塑料，絕緣膠黏劑，橡膠，絕緣漆，絕緣紙各紙板，層壓板，絕緣油。無機絕緣材料：玻璃，陶瓷，云母及其制品。石棉及其制品。12. 高電導材料：銅及銅合金，鋁及鋁合金，貴重金屬及其合金，敷銅板。電介質的極化與相對介電常數(shù)。在外電場的作用下，絕緣材料中原先雜亂排列的電荷沿電場取向，稱為電介質極化，極化的結果，在電介質的表面形成了符號相反的感應電荷。以某種物質為介質的電容器的電容與以真空做介質的同樣尺寸的電容之比值，稱為該物質的相對介電常數(shù)。二電阻器一：概念：電阻( Resistance )：電流通過導體時，

7、導體對電流的阻力，稱為電阻；在電路中起電阻作用的元件稱為電阻器，通常簡稱電阻。由于其有阻礙電流流動的作用,所為耗能元件.二：實體構成： 電阻器由：電阻體；基體（骨架）；引出線；保護層。三：主要用途：穩(wěn)定和調節(jié)電路中的電流和電壓，作分流器和分壓器，以及作為消耗電能的負載電阻等。電阻阻值隨溫度升高而增大: 金屬銀, 銅, 鋁, 鐵等; 電溫度升高阻值減小:半導體,電解液.電阻幾乎不隨溫度變化. 康銅, 錳銅, 鎳鉻合金等.四：型號命名方法：RJ14。第一部分用字母表示主稱。R電阻；W電位器；第二部分用字母表示材料；T：碳膜；J：金屬膜 Y：氧化膜 H：合成膜 X：線繞。第三部分一般用數(shù)字表示分類，

8、個別用字母表示。1，2：普通；3：超高頻；4，5：高阻；7：精密； 8：高壓；9：特殊；第四部分用字母表示序號。五：電阻器分類：1：固定電阻器：A：線繞電阻器：通用，精密，功率型，高頻；B：非線繞電阻器：a: 實芯：有機合成，無機合成； B: 薄膜型：碳，金屬，合成，金屬膜電阻器具有體積小，溫度系數(shù)小，精度高，耐濕耐熱，穩(wěn)定可靠等特點。主要技術特性： 1.溫度沖擊：-65+150 5次循環(huán)。2.低溫工作：-65 1H。 3. 過載： 2.5倍額定電壓。4. 介質耐壓：500V，1MIN。 5. 耐濕：9398%。 6. 壽命70下加額定電壓，1.5H通，0.5H斷，時間：1000H。7.沖擊

9、8.高頻振動。 C: 金屬玻璃釉電阻器。2：可變電阻器：滑線電阻器；可變線繞電阻器。3：敏感型電阻器（半導體電阻器）：是指電阻值對某些物理量（溫度，光照，電壓，磁通，濕度，壓力，氣體）敏感的元件。A: 熱敏（MF正，負MZ）：PTC（溫度升高而增大），NTC。B：光敏MG（光電效應，光譜）：根據(jù)入射波長的不同，可分為：1 可見光光敏電阻器，波長范圍為0.40.76UM，主要是多晶硫化鎘，主要用于光電自動控制系統(tǒng)，光電計數(shù)器，光電跟蹤系統(tǒng)。2 紅外線，波長為0.761000UM，主要用于導彈制導，衛(wèi)星監(jiān)測，紅外通信。3 紫外線。波長為0.20.4UM，主要用于探測紫外線。C: 壓敏MY（471，

10、561），是一種非線性電阻元件。阻值與兩端施加的電壓值大小有關。通過壓敏電阻器的電流隨外加電壓的變化關系。壓敏電阻簡稱VSR。核心材料為氧化鋅(ZNO)。標稱電壓指通過1MA直流電流時壓敏電阻兩端的電壓值。D：磁敏: 是采用磁阻效應的材料制成，阻值會隨磁感應強度的增大而增大，是一種磁電轉換元件。氣敏：是利用半導體材料的表面吸附某種氣體后使其電阻率產(chǎn)生變化的特性制成。力敏：是利用某些金屬和半導體材料的電阻率會隨外加應力而改變制成的?？芍瞥赊D矩計，張力計，加速度計。濕敏：是利用某些半導體材料表面吸附水汽后其電阻率產(chǎn)生變化的特性制成的。它可用于相對濕度的測量。熔斷電阻器：又稱保險電阻器，是一個具有電

11、阻器和熔斷器雙重作用的復合復合功能的電阻器，電路正常工作起電阻作用的。電路發(fā)生故障，其迅速熔斷。電阻值一般較小，為幾歐至幾十歐。具有不可逆性。熔斷后不能恢復使用。六：電阻器的主要性能參數(shù)：1：標稱阻值（名義阻值，設計阻值）及允許偏差。（材料，設備，工藝）離散性是不可避免的。實際阻值與標稱阻值之間允許的最大偏差范圍叫做允許偏差。一般用標稱阻值的百分點來表示。通用：±5；±10，±20 三個等級。精密：±2；±1；±0.5；±0.2；±0.05 共11個等級。七：電阻器標稱阻值的表示方法：1：直標法。在產(chǎn)品表面直接標出

12、，標稱阻值用阿拉伯數(shù)字，單位用文字符號，允許偏差用百分數(shù)表示。33K 5歐。2：文字符號法：將標稱阻值及允許偏差用文字和數(shù)字兩者的有規(guī)律組合來表示。3R3，2K2。3：色標法：銀±10，金±5，黑0，棕1，±1，紅2 ±2，橙3，黃4，綠5，藍6，紫7，灰8，白9，無。四環(huán)表示法。五環(huán)表示法。2.2K 3 .3K 56K 八：額定功率P。 是指電阻器在直流或交流電路中，當大氣壓在（750±30）*133。332Pa時，在產(chǎn)品標準中規(guī)定的額定溫度下，長期連續(xù)負荷所允許消耗的最大功率，通常又稱標稱功率。 溫度升高，功率下降使用。九：額定電壓與最大工

13、作電壓。十：噪聲。是指電阻器中一種不規(guī)則的電壓起伏，它由熱噪聲和電流噪聲兩部分組成。十一：電位器：1：定義：是一種連續(xù)可調的電阻器，它靠一個活動點（電刷）在電阻體上滑動，可以獲得與轉角（或位移）成一定關系的電阻值。2：主要性能參數(shù)：a: 標稱阻值（最大阻值）與零位電阻；零電阻是電位器的活動點外于始末端時，活動電刷與始末端之間存在的接觸電阻，此阻值不為零，而是電位器的最小阻值。 B: 阻值變化特性：直線式（分壓電路），指數(shù)式(音量控制)，對數(shù)式（音調控制）。C: 動噪聲（靜噪聲：熱噪聲，電流噪聲）分辨力（輸出量調節(jié)的精細程度的指標）d: 其它與電阻相同。3: 分類：接觸式（直接接觸）與非接觸式（

14、光電電位器，磁敏電阻器）。A: 按材料分：合成膜，金屬膜，氧化膜。B: 按調節(jié)方式分：旋轉式各直滑式。C: 按組合形式分：單聯(lián)和多聯(lián)（同軸，異軸式）。D: 按是否帶開關（帶開關（旋轉式，推位式）與不帶開關）。十二：排阻（網(wǎng)阻）三電容器一：概念（定義）：電容器是由兩個相互靠近的導體與中間所夾一層不導電的絕緣介質構成的。這兩個導體為電容器的電極，它們具有儲存電荷的能力。有把電能轉換成電場能儲存起來。具有充放電特性和隔直流通交流的能力。電容量表示電容器的容量大小。指一個導電極板上的電荷量與兩塊極板之間的電位差的比值。單位：法位。UF，NF，PF。二：型號命名方法：第一部分為主稱C.。第二部分為材料（

15、C高頻陶瓷；Y云母；J金屬化紙；CD鋁電解；CA鉭電解；CT高頻陶瓷）。第三部分為分類，第四部分為序號。三: 電容器的主要性能參數(shù): 1: 標稱容量與允許誤差. 2: 絕緣電阻和時間常數(shù). 絕緣電阻表示電容器的漏電性能. 它在數(shù)值上等于加在電容器兩端的電壓除以漏電流. 3: 抗電強度: 表示電容能夠承受加在它的兩個引出端上的電壓而不被擊穿的能力.:工作電壓.試驗電壓. 4: 電容器的損耗: 電容器在電場作用下.單位時間內因發(fā)熱而消耗的能量為電容器的損耗. 5 電容器的溫度系數(shù): 電容量隨溫度變化的程度.各種電容的特點：1：滌綸電容CL：體積小，容量大，耐熱耐濕性好。價格低，穩(wěn)定性差。適用于對頻

16、率和穩(wěn)定性要求不高的電路。2：聚丙烯電容CB：介質損耗小，絕緣電阻大.電容穩(wěn)定性好.缺點是耐熱性差.3: 金屬化紙介電容器CJ: 體積小,容量大,特點是受高電壓擊穿后能自愈.容量穩(wěn)定性差.適用于對頻率和穩(wěn)定性要求不高的場合.4: 云母電容CY: 是一種高穩(wěn)定，高可靠，高精密的電容器。損耗小，絕緣電阻高。價格較貴，容量不高。5：瓷介電容CC型： 體積小，耐熱性好，且能耐酸，堿，鹽類的侵蝕。損耗小，絕緣電阻高，穩(wěn)定性高。容量較小。常用于要求低損耗和容量穩(wěn)定的高頻電路中，或做溫度補償之用。6：瓷介電容CT型：絕緣電阻低，損耗大，穩(wěn)定性差。一般用于低頻電路作旁路，隔直流或電源濾波。7：鋁電解電容CD型

17、：兩電極是不同材料制成。用鋁箔作正極，電解質作負極。介質AL2O3膜是在正極鋁箔表面上生成的。單位體積電容量特大，單位容量價格最低，重量最輕。由于介質AL2O3和電解質交界處具有單向導電性，所以有極性。其缺點是容量誤差大，損耗大，漏電流大，時間穩(wěn)定性差，容量損耗的溫度頻率特性差。它適用于直流或脈動電路中作整流，濾波和音頻旁路。8鉭電解電容CA型：有固定鉭和液體鉭電解電容兩種。固體破正極是用鉭粉壓成塊，燒結成多孔形，介質是在其表面上生成的一層TA2O5膜，負極是在TA2O5介質上被覆的一層MNO2。液體鉭電解的負極為液體電解質。與鋁電解電容相比：損耗小，漏電流小，絕緣電阻大，性能穩(wěn)定，壽命長，體

18、積小，容量大，價格高，通常只在要求較高的場合下才用。9金屬化聚丙烯薄膜電容器：氣侯類別。額定電壓。電容量范圍。容量允許偏差。損耗角正切值。耐電壓，耐涌流。阻燃特性。.四電感線圈一定義：凡能產(chǎn)生電感作用的元件統(tǒng)稱為電感器，簡稱電感。通常電感都是由線圈構成，故也稱電感線圈。它是一種儲磁能元件。具有通直隔交的特性。用L表示。單位是亨利，簡稱為亨。用H表示。Mh, uh.二基本性能參數(shù)： 電感量及其精度； 品質因數(shù)：線圈中儲存能量與消耗能量的比值稱為品質因數(shù)； 分布電容：線圈圈匝與圈匝之間，線圈與底座之間均存在分布電容； 穩(wěn)定性： 電感量隨溫度，濕度等變化的程度。三電感線圈的結構： 通常線圈由骨架（支

19、撐導線），繞組，磁芯（增大電感量，縮小體積），屏蔽罩等組成。五變壓器一定義：是變換電壓，電流和阻抗的器件。它是利用電磁感應原理。即利用兩個線圈之間存在的互感原理制成的。一般由鐵芯和線圈兩部分組成。線圈有兩個或更多的線組，接電源的繞組叫初級線圈，其余的繞組叫次級線圈。二主要性能參數(shù)： a: 電壓比：是指初級電壓與次級電壓的比值； b: 額定功率： 指在規(guī)定的頻率和電壓下，長期工作而不超過規(guī)定溫升的輸出功率； c: 溫升：變壓器通電工作發(fā)熱后，溫度上升到穩(wěn)定時，比周圍環(huán)境溫度升高的數(shù)值； d: 效率：輸出功率與輸入功率的比值；e: 空載電流：次級開路，初級電流。 F: 絕緣電阻： 各繞組間，各繞組

20、與鐵芯間的電阻。1 電氣參數(shù)：空載電流：小于12MA，空載損耗：小于0.9W?？蛰d輸出電壓：11V±0.5V。2 直流電阻(20)：800歐±15%。3 抗電強度：初級與次級，鐵芯之間施加AC3000V/1.0MA/1MIN。次級與鐵芯間施加AC1500V/1.0MA/1MIN。無擊穿，飛弧現(xiàn)象。4 絕緣電阻：初級對次級，鐵芯間施加DC500V時，常態(tài)絕緣電阻不小于1000M。5 感應電壓：初級輸入440V，100HZ交流正弦電壓時，空載電流無顯著增大現(xiàn)象。6 溫升試驗：在額定負載狀態(tài)下，連續(xù)工作達到熱平衡，各繞組各鐵芯溫升應小于60K。六七.半導體元件一定義：半導體：導電

21、性能介于導體和絕緣體之間的物質稱為半導體。硅，鍺，硒，砷化鎵，金屬的氧化物和硫化物。二半導體的特性：1：導電能力受環(huán)境溫度影響很大（熱敏特性）PTC；2：對光照輻射敏感（光敏）光敏電阻，光電二極管，光電三極管，太陽能電池。3：“雜質”（微量元素）可以控制半導體的導電能力；硼。二，三極管；晶閘管；場效應管，各種集成電路，紅，綠，黃等光線形形色色半導體發(fā)光器件。硅：+14，4個價電子；鍺：+32，4個價電子；P：Positive （正）； N：Negative（負）。PN結具有單向導電性。三半導體器件的型號命名：共五部分：第一部分：用數(shù)字表示器件的電極數(shù)目。第二部分：用字母表示器件的材料和極性：二

22、極管：A：N型，鍺材料；B：P型鍺材料；C：N型，硅材料；D：P型，硅材料；三極管：A：PNP型，鍺材料；B：NPN型，鍺材料； C：PNP型，硅材料；D：NPN型，硅材料；E：化合物材料。第三部分：用字母表示器件的類型：P：普通管；V：微波管；W：穩(wěn)壓管；C：參量管；Z：整流管；L：整流堆；S：隧道管；N：阻尼管；U：光電器件；K：開關管；X：低頻小功率管；G：高頻小功率管；D：低頻在功率管；A：高頻大功率管；T：半導體閘流管（可控整流器）；Y：體效應器件；B：雪崩管；J：階躍恢復管；CS：場效應器件；BT：半導體特殊器件；FH：復合管；PIN：PIN型管；JG：激光器件。注： 半導體特殊器

23、件，復合管，激光器件的型號命名只有第三，四，五部分。第四部分：用數(shù)字表示序號。第五部分用字母表示規(guī)格號。例：3AG11G。六. 二極管 一定義：二極管：半導體二極管由一個PN結加上相應的引出端和管殼構成的。 P：正極（陽極）；N：負極（陰極）；玻璃外殼的鍺二極管：有色點或黑環(huán)的一端為負極。或用萬用表的電阻檔，測量正，反向電阻值。二特性：1：正向特性：死區(qū)電壓，鍺管約為0.1V; 硅管約為0.5V; 電流變化,電壓不變:鍺管:0.20.3V; 硅管:0.60.7V。2：反向特性：反向電流：1：隨溫度上升而急劇增長；2：反向電流不隨反向電壓變化。3：整流二極管的主要參數(shù)： 最大整流電流；最高反向工

24、作電壓。定義： 整流：將交流電壓轉換成直流電壓的過程叫做整流。半波整流：UL=0.45U2; URM:=1.4U2; 全波整流：UL=0.9U2., URM:=2.8U2單相橋式整流: UL=0.9U2; URM:=1.4U2.(硅橋式整流器)(硅橋堆).濾波電路:1:電容濾波是并聯(lián)濾波.2:電感濾波是串聯(lián)濾波.常見的濾波電路有; 1. T型; 一只電感和一只電容.2. 型; 一只電感和兩只電容 .3. RC型. 一只電阻和兩只電容.三：常見特殊二極管：1 穩(wěn)壓二極管：利用擊穿時通過管子的電流在很大范圍內變化，而管子的電壓變化很小的特性。實現(xiàn)穩(wěn)壓。硅穩(wěn)壓管實質就是工作在反向擊穿狀態(tài)下的硅二極管

25、。主要參數(shù)：穩(wěn)壓電壓，穩(wěn)壓電流，最大穩(wěn)壓電流，一般外電路串接一個限流電阻，需要穩(wěn)壓的負載并連在穩(wěn)壓管兩端。 正 負2變容二極管：是利用PN結的電容效應而工作的。容值大小不是恒定值，它與PN結的反偏電壓大小有關，升高時，電容減小，常用于調諧電容使用。4. 光電二極管（光敏二極管）外界能量的(光,熱)激發(fā)產(chǎn)生電子空穴對.：反偏狀態(tài)。由光照射產(chǎn)生光生載流子。通過回路的外接電阻可獲得電流，從而實現(xiàn)光電轉換或光電控制。光子的能量與光波的頻率有關，稱為光譜響應特性。硅光電二極管對波長0.80.9UM的紅外光最為敏感; 鍺光電二極管對1.41.5UM的遠紅外光最為敏感. 正 負 主要參數(shù): 響應時間,靈敏度

26、. 應用于光電轉換的自動探測,光接收器件.4:。發(fā)光二極管(LED:Light Emitting Diode): 工作于正向偏置.自由電子和空穴相遇因復合而消失也會放出能量. 用特殊的半導體材料,砷化鎵為紅光;磷化鎵為綠光.當工作電流為10MA30MA左右時,正向電壓降大約為1.53V. 反向擊穿電壓約為5V. 正 負 顯示器件.優(yōu)點:體積小,顯示快,光度強,壽命長. 缺點: 功耗大.七-1. 三極管 一定義：半導體三極管又叫晶體三極管，通常簡稱三極管或晶體管。三極管具有電流放大作用。三極管內部結構：基區(qū)很薄，發(fā)射區(qū)的摻雜濃度比基區(qū)和集電區(qū)的濃度大得多，集電結的面積比發(fā)射結的面積大。為實現(xiàn)電流

27、放大作用，必須具備一定的外部條件：發(fā)射結加正壓；集電結加反壓。三極管內部結構為兩個PN結，根據(jù)三層半導體區(qū)排列方式不同，分為PNP型與NPN型兩種?；鶚O（B：Base ）；發(fā)射極（E：Emitter ）；集電極（C：Collector）;供屏蔽用的金屬外殼也有電極，用字母D表示；大功率管的集電極通常與金屬外殼相連。兩種不同的三極管的區(qū)別僅在于基極與發(fā)射極箭頭的方向。箭頭方向表示發(fā)射結正向偏置時的電流方向。以此判斷NPN或PNP型。三極管各電極中的電流：1. 發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子: 發(fā)射區(qū)正偏,發(fā)射區(qū)的自由電子不斷地擴散到基區(qū),并不斷從電源補充進電子,形成發(fā)射極電流. 2: 電子注入基區(qū)后: 由

28、于基區(qū)很薄,從發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入的電子在向集電結擴散的過程中,只有少量與基區(qū)中的多子(空穴)相復合.與空穴復合的電子流記作IBN。因基區(qū)的空穴是電源VBB提供，故IBN是基極電流IB的主要成分。3: 集電極收集電子的情況： 由于集電結反向電壓,從發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入的電子成為集電極電流IC的主要成分.三極管的放大作用,主要取決于基區(qū)中載流子的分配關系,特別是漂移電流ICN和復合電流IBS的比例關系.三極管的工作有賴于兩種載流子-電子和空穴,因此又稱為雙極型晶體三極管(BJT: Bipolar Junotion Type Transistor).IC=ßIB 利用基極回路的小電流IB,實現(xiàn)對

29、集電極,發(fā)射極回路的大電流IC(IE)控制,這就是三極管以弱控制強的電流放大作用.由于三極管有三個電極,必然有一個極為輸入與輸出的公共端.共哪個極就是哪個極為輸入與輸出的公共端.共射電路輸入特性曲線: 開啟電壓: 硅管0.5V, 鍺管0.10.2V. 輸出特性曲線: 放大區(qū); 截止區(qū); 飽和區(qū).三極管的主要參數(shù)：1：電流放大倍數(shù)（直流，交流）；2：極間反向電流；3：三極管的極限參數(shù)：集電極最大允許電流；最大反向擊穿電壓；集電極最大功耗。七2. 場效應管一 定義：場效應管（FET：Field Effect Transistor）電一種電壓控制型半導體器件。突出特點是輸入電阻非常高，能滿足高內阻的

30、信號源對放大器要求，因此，它是較理想的前置輸入級器件。功耗低，制造工藝簡單，噪聲低，熱穩(wěn)定性好，抗輻射能力強。二 分類：按結構不同分為：結型（JFET：Junction Field Effect Transistor絕緣柵型（IGFET：Insulated Gate Field Effect Transistor）1： 結型： 柵型場效應管，其輸入電阻為PN結的反向電阻（總能存在反向電流）： 柵極（g）；源極（s）；漏極（d）。利用外加電壓變化產(chǎn)生的結內電場變化控制導電溝道電流的目的。是一種電壓控制電流源。2：絕緣柵場效應管：共柵極與溝道是絕緣的。目前應用最廣泛的金屬氧化物-半導體場效應管，簡

31、稱MOS（MetalOxide-Semiconductor）管。MOS管除分為N溝道P溝道之分； 還有增強型和耗盡型之分。七3. 晶閘管一定義：它的柵極象閘門一樣能夠控制大電流的流通，因此被稱為閘流管。有陽極（a）陰極（k）；控制極（門極g）。是一種應用廣泛的半導體功率開關器件?？捎米骺煽卣?，交流調壓，無觸點開關（繼電器）以及大功率變頻和調速系統(tǒng)中的重要器件。與大功率三極管相比，具有效率高，電流容量大，使用方便而又經(jīng)濟等優(yōu)點。三 分類。分為：普通單向和雙向晶閘管，可關斷晶閘管，光控晶閘管。硅晶體閘流管（簡稱晶閘管）又稱可控硅（SCR：Silicon(硅石) Controlled Rectif

32、ier（整流器）.英文晶閘管為：Thyristor。三特點：要使晶閘管導通，必須具備兩個條件：1：晶閘管的陽極要加上正極性電壓；2：晶閘管的控制極要加上適當?shù)恼龢O性電壓。晶閘管導通后，控制極就失去作用。要使其關斷，必須把正向陽極電壓降到一定的數(shù)值（或者在晶閘管陽，陰極間施加反向電壓）使流過晶閘的電流小于維持電流。單向半波可控硅；單向橋式可控硅十：集成穩(wěn)壓器： 按輸出電壓可分為：1：固定式穩(wěn)壓電路；2：可調式穩(wěn)壓電路?？赏ㄟ^外接元件使輸出電壓在較大范圍內進行調節(jié)。1：三端固定式穩(wěn)壓器：輸入端；輸出端；公共端。7800系列：5V；6V；9V；12V；15V；18V；24V。共七個檔次。其型號的后兩

33、位數(shù)表示輸出電壓值.其有兩種封裝形式: 一種是金屬封裝; 另一種是塑料封裝. 集成穩(wěn)壓器的主要參數(shù): 輸出電壓; 最大輸出電流,是個極限參數(shù).因此要注意穩(wěn)壓器的散熱,安裝規(guī)定的散熱片.八. 集成電路一 定義：二二分類：集成電路（IC）國際上形成主流的集成數(shù)字邏輯電路：7個TTL系列；5個CMOS系列。標準TTL電路（STDTTL）；高速TTL（HTTL）；低功耗TTL（LTTL）；肖特基TTL（STTL）；低功耗肖待基TTL（LSTTL）；先進肖特基TTL（ASTTL），先進低功耗肖特基TTL（ALSTTL）；仙童（快捷）；先進肖特基TTL（FAST），CMOS 4000系列電路；高速CMOS

34、電路（HC或HCT）；先進CMOS邏輯電路（AC和ACT）。三型號命名方法：1原部標規(guī)定的命名方法：第一部分：電路類型（1位）T：TTL；H：HTL；E：ECL；P：PMOS；N：NMOS；C：CMOS；F：線性放大器；W：集成穩(wěn)壓器；J：接口電路。第二部分（3位）：電路系列和品種序號。第三部分：（1位）：電路規(guī)格符號（拼音字母）。第四部分（1位）：電路封裝：A：陶瓷扁平；B：塑料扁平；C：陶瓷雙列直插；D：塑料雙列直插；Y：金屬圓殼；F：金屬菱形。2原國標規(guī)定的命名方法：第一部分C：中國制造；第二部分（1位）器件類型：T：TTL；H：HTL；E：ECL；C：CMOS；F：線性放大器；D：音響

35、，電視電路；W：穩(wěn)壓器；J：接口電路；B：非線性電路；M：存儲器；U：微機電路。第三部分（1位）：工作溫度范圍：C：070度：R：-5585度； E：-4085度；M：-55125度。第五部分：器件封裝符號：W：陶瓷扁平；B：塑料扁平；D：陶瓷雙列直插；P：塑料雙列直插；T：金屬圓殼；K：金屬菱形。3現(xiàn)行國家標準規(guī)定的命名方法：第一部分C：中國國標產(chǎn)品；第二部分：器件類型（1位）：T：TTL；H：HTL；E：ECL；C：CMOS；F：線性放大器；D：音響，電視電路；W：穩(wěn)壓器；J：接口電路；B：非線性電路；M：存儲器；U：微機電路。 AD：A/D轉換器；DA：D/A轉換器；SC：通信專用電路；

36、SS：敏感電路；SW：鐘表電路；SJ：機電儀電路；SF：復印機電路。第三部分：用阿拉伯數(shù)字和字母表示器件系列品種：其中：TTL分為：54/74*；CMOS分為：4000系列；第四部分（1位）：工作溫度范圍：C：070度：G：-2570度；L：-2585度E：-4085度R： -5585度M：-55125度。第五部分：器件封裝符號：H：陶瓷扁平；F：多層陶瓷扁平；B：塑料扁平；D：多層陶瓷雙列直插；P：塑料雙列直插；T：金屬圓殼；K：金屬菱形。四常見生產(chǎn)廠商：國外主要生產(chǎn)廠家：AMD：先進微器件公司（美）；ANA：模擬器件公司（美）BUB：布爾布朗公司（美）；FSC：仙童公司（美）；HAS：哈里

37、公司（美）；HITJ：日立公司（日）；INL：英特希爾公司（美）；ITL：英特爾公司（美）LTC：線性技術公司（美）；MITJ：三菱電氣公司（日）；MOTA：莫托洛拉公司九. 發(fā)光元件（顯示元件）：數(shù)碼管。點陣。發(fā)光管（LED）一方面供人們直接讀取測量或運算結果； 另一方面用以監(jiān)視數(shù)字系統(tǒng)的工作情況。一: 輝光數(shù)碼管和熒光數(shù)碼管脈沖信號-計數(shù)器-譯碼器-驅動器-顯示器。輝光數(shù)碼管是一種冷陰極輝光放電管，它的外形式電子管相似，在玻璃管內封裝有十個陰極K和一個公共陽極A。十個陰極分別用金屬絲做成09十個阿拉伯數(shù)字的形狀，在管芯內用陶瓷絕緣子把它們相互分隔開并疊裝在一起，十個陰極和一個陽極通過內部引

38、線焊接在相應的管腳上。熒光數(shù)碼管由于陽極電流小于1MA，因而可能用MOS集成電路直接驅動。它有燈絲（稱作陰極），柵極和陽極。陽極分成八個字段，陽極各字段上涂有熒光物質。各個電極通過底部引出須狀管腳。數(shù)碼管分為共陰極和共陽極兩類：規(guī)格尺寸分大小。二: 點陣:三: 發(fā)光管（LED）:發(fā)光二極管(LED:Light Emitting Diode): 工作于正向偏置.自由電子和空穴相遇因復合而消失也會放出能量. 用特殊的半導體材料,砷化鎵為紅光;磷化鎵為綠光.當工作電流為10MA30MA左右時,正向電壓降大約為1.53V. 顯示器件.優(yōu)點:體積小,顯示快,光度強,壽命長. 缺點: 功耗大.十. 發(fā)聲元

39、件：蜂鳴器。振鈴（喇叭）一: 蜂鳴器:二: 振鈴（喇叭）十一. 連接元件：插座（不同顏色）IC座。短路線。一: 插座（不同顏色）IC座: 二: 短路線:十二. 轉換元件：繼電器。光耦。整流橋。發(fā)射管，接收管。按鍵。一: 繼電器:1 線圈特征：額定電壓：5VDC，12VDC，24VDC。額定電流： 180MA，75MA，37.5MA。 線圈電阻：27.8歐，160歐，640歐。必作電壓：額定電壓70%。3.5V，8.4V。必釋電壓：額定電壓10% 0.5V，1.2V。最大電壓：額定電壓110% 5.5V。13.2V。功率消耗：大約0.9W。2 觸點額定值：額定負載：250VAC下為20A。額定承

40、載電流： 20A。最大開關電壓：250VAC。最大開關電流：20A。最大開關容量：5VA。最小容許負載：在5VDC下為100MA。3 其它：觸點電阻：最大30毫歐。工作時間：最大20MS。釋放時間：最大10MS。最大工作頻率： 機械：18000次動作。絕緣電阻。介電強度?？拐駝有??？箾_擊性， 期望壽命。環(huán)境溫濕度。重量。二: 光耦:三: 整流橋:單相橋式整流: UL=0.9U2; URM:=1.4U2.(硅橋式整流器)(硅橋堆).四: 發(fā)射管:五: 接收管:六: 按鍵:.有接觸脈沖式,自鎖式兩種.七: 開關:開關是一種電路通斷元件十三. 能源元件：晶體（晶振）。電池.一: 晶體（晶振）:二:

41、電池.十四. 保護元件：保險管一: 保險管 ( 熔斷式, 自恢復式)保險管是一種電源保護元件.一般是串聯(lián)在220V電源輸入端的火線上.十五： 其它1 HC708密封膠江蘇無錫后宅前進化工二廠：TEL征：膠力強，堆積性好，耐高低溫 ，絕緣，防水不，防震性能好。2 KAN-C型輕觸按鈕開關： 特征：體積小，壽命高，觸力輕，行程短是，電氣性能可靠。動作行程：0.25mm.，動作力：0.52N ，接觸電阻：小于0.1歐。絕緣電阻：大于100M。耐電壓：250V。機械壽命：10萬次(無負荷)，電氣壽命：10萬次(有負荷)、本征半導體: intrinsic semiconduc

42、or 空穴:hole 擴散:diffusion 多子: majority carrier N型: N typePN結:PN junction 耗盡層:depletion layer 伏安特性: volt ampere characteristies 結電容: junction capacitance 二極管: diode 載流子:carrier 漂移:drift 雜質: inpurity少子: minority carrier P型: P type 雪崩擊穿:avalanche breakdown 齊納擊穿:zener breakdown 電容效應: capacitance dffect 溫度影響:temperature effect 等效電路: dquivaloent circuit 符號:symbol 參數(shù):parameters 彎容二極管:variable capasitance dio