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文檔簡介
1、原子的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)一、選擇題1核內(nèi)中子數(shù)為N的R2+離子,質(zhì)量數(shù)為A,則n克它的氧化物所含電子物質(zhì)的量為( )A. B.C. D.2下列表達(dá)方式錯(cuò)誤的是( )AD2O分子中氧原子為sp3雜化BCr原子價(jià)電子排布式:3d54s1C硫離子的核外電子排布式:1s22s22p63s23p6DS原子的電子排布圖: 3下列說法不正確的是( )A核外電子排布為1s22s22p43s2的原子處于激發(fā)態(tài)B某元素質(zhì)量數(shù)51,中子數(shù)28,其基態(tài)原子中未成對電子數(shù)為1C若某基態(tài)原子的外圍電子排布為4d15s2,該元素原子核外有5個(gè)電子層DBF3中B原子sp2雜化,為平面三角形4下列能級(jí)中軌道數(shù)為5的是( )As能級(jí) B
2、p能級(jí) Cd能級(jí) Df能級(jí)5如圖是一些原子的2p能級(jí)和3d能級(jí)中電子排布的情況,其中正確的是( )A B C D6某元素基態(tài)原子失去3個(gè)電子后,3d軌道半充滿,其原子序數(shù)為( )A24 B25 C26 D277已知下列電子排布圖所表示的是元素的原子,其中能量處于最低狀態(tài)的是( )ABCD二、填空題8由徐光憲院士發(fā)起、院士學(xué)子同創(chuàng)的分子共和國科普讀物最近出版了,全書形象生動(dòng)地戲說了BF3、TiO2、HCHO、N2O、二茂鐵、NH3、HCN、H2S、O3、異戊二烯和萜等眾多“分子共和國”中的明星。(1)寫出Fe3+的基態(tài)核外電子排布式 。(2)HCHO分子中碳原子軌道的雜化軌道類型為 ;1mol
3、HCN分子中含有鍵的數(shù)目為_mol。(3)N2O的空間構(gòu)型為 。10銅及其化合物在科學(xué)研究和工業(yè)生產(chǎn)中具有許多用途。(1)納米氧化亞銅(Cu2O)是一種用途廣泛的光電材料,已知高溫下Cu2O比CuO穩(wěn)定,畫出基態(tài)Cu原子的價(jià)電子軌道排布圖_;從核外電子排布角度解釋高溫下Cu2O比CuO更穩(wěn)定的原因_;11化學(xué)選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)利用元素周期表中同族元素的相似性,可預(yù)測元素的性質(zhì)。(1)寫出P元素的基態(tài)原子的核外電子排布式:_,P元素的基態(tài)原子有_個(gè)未成對電子。(2)白磷的分子式為P4,其結(jié)構(gòu)如下圖所示??茖W(xué)家目前合成了 N4分子,在N4分子中N原子的雜化軌道類型是_,NN鍵的鍵角為_(3)N
4、、P、As原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)開。12釩、砷均屬于第四周期元素,最高正價(jià)均為+5。I.高純度砷可用于生產(chǎn)具有“半導(dǎo)體貴族”之稱的新型半導(dǎo)體材料 GaAs,砷與氯氣反應(yīng)可得到 AsCl3、AsCl5兩種氯化物。(1)兩種氯化物分子中屬于非極性分子的是 ,AsCl3 分子的中心原子雜化類型是 ,分 子構(gòu)型是 。(2)Ga 與 As 相比,第一電離能較大的元素是 ,GaAs 中砷的化合價(jià)為 。研究表明,在 GaAs 晶體中,Ga、As 原子最外電子層均達(dá)到 8 電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),則 GaAs 的晶體類型是 。 13氟及氟產(chǎn)品在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中應(yīng)用非常廣泛,回答下列問題:(1)基態(tài)氟原子核外電子的
5、運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有_種,這些電子的電子云形狀有_種;氟原子的價(jià)電子排布式為_;(2)NaHF2(氟化氫鈉)電解可制氟氣,NaHF2中所含作用力的類型有_;與HF2-互為等電子體的分子有_;(舉一例)(3)N2F2(二氟氮烯)分子中,氮原子的雜化軌道類型為_,畫出N2F2可能的結(jié)構(gòu)式_;14X、Y、Z、U、W是原子序數(shù)依次增大的前四周期元素其中Y的原子核外有7種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同的電子;X、Z中未成對電子數(shù)均為2; U是第三周期元素形成的簡單離子中半徑最小的元素;W的內(nèi)層電子全充滿,最外層只有1個(gè)電子請回答下列問題:(1) X、Y、Z的第一電離能從大到小的順序是_(用元素符號(hào)表示,下同)。(2)寫出W的價(jià)電子
6、排布式_,W同周期的元素中,與W原子最外層電子數(shù)相等的元素還有_。(3)根據(jù)等電子體原理,可知化合物XZ的結(jié)構(gòu)式是_, YZ2-的VSEPR模型是_。(4) X、Y、Z的簡單氮化物的鍵角從大到小的順序是_(用化學(xué)式表示),原因是_(5)由元素Y與U元素組成的化合物A,晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(黑球表示Y原子,白球表示U原子),請寫出化合物A的化學(xué)式_,該物質(zhì)硬度大,推測該物質(zhì)為_晶體。其中Y元素的雜化方式是_。(6)U的晶體屬立方晶系,其晶胞邊長為405pm ,密度是2.70g/cm3,通過計(jì)算確定其晶胞的類型_(堆簡單立方堆積、體心立方堆積或面心立方最密堆積)(己知:4053=6.64×1
7、07)。15【物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】硒(Se)是一種有抗癌、抗氧化作用的元素,可以形成多種化合物。(1)基態(tài)硒原子的價(jià)層電子排布式為 。(2)鍺、砷、硒的第一電離能大小排序?yàn)?。H2SeO4的酸性比H2SeO3的強(qiáng),其原因是 。(3)H2SeO3的中心原子雜化類型是 ;SeO32-的立體構(gòu)型是 。與SeO42-互為等電體的分子有(寫一種物質(zhì)的化學(xué)式即可) 。(4)H2Se屬于 (填:極性或非極性)分子;單質(zhì)硒的熔點(diǎn)為217,它屬于 晶體。(5)硒化鋅是一種重要的半導(dǎo)體材料,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,該晶胞中硒原子的配位數(shù)為 ;若該晶胞密度為gcm-3,硒化鋅的摩爾質(zhì)量為M g/mol。NA代表阿伏加德羅常
8、數(shù),則晶胞參數(shù)a為_pm。16砷(As)及其化合物可用于制半導(dǎo)體及除草劑等。回答下列問題:(1)砷是氮的同族元素,比氮多2個(gè)電子層,砷在周期表中的位置為第_周期_族;AsH3的熱穩(wěn)定性比NH3_(填“強(qiáng)”或“弱”)。砷在自然界中豐度最大的核素的中子數(shù)為40,該核素為_(用元素符號(hào)表示)。(2)砷化鎵是常見的半導(dǎo)體材料,Ga與As同周期,鎵最外層有3個(gè)電子,砷化鎵的化學(xué)式為_。(3)某工業(yè)廢水中含有少量的As2O3,向該廢水中通入硫化氫可將其轉(zhuǎn)化為更難溶的As2S3,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為_。17M、R、X、Y為原子序數(shù)依次增大的短周期主族元素,Z是一種過渡元素。M基態(tài)原子L層中p軌道電子數(shù)是s軌
9、道電子數(shù)的2倍,R是同周期元素中最活潑的金屬元素,X和M形成的一種化合物是引起酸雨的主要大氣污染物,該化合物有漂白性,能使品紅溶液褪色,Z的基態(tài)原子4s和3d軌道半充滿。請回答下列問題:(1)Z原子的價(jià)電子排布式是 ,X和Y中電負(fù)性較大的是 (填元素符號(hào))。(2)X的氫化物的沸點(diǎn)低于與其組成相似的M的氫化物,其原因是 。(3)X與M形成的XM3分子的空間構(gòu)型是 ,中心原子的雜化軌道類型 為 。(4)M和R所形成的一種離子化合物R2M晶體的晶胞如下圖所示,則圖中黑球代表的離是_(填離子符號(hào))。評卷人得分三、推斷題18【選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】X、Y、M、Z、R為前四周期元素,且原子序數(shù)依次增大。
10、XY2是紅棕色氣體;X與氫元素可形成XH3;M是周期表中電負(fù)性最大的元素;Z基態(tài)原子的M層是K層電子數(shù)的3倍;R2離子的3d軌道中有9個(gè)電子。請回答下列問題:(1)基態(tài)Y原子的價(jià)電子排布圖是_;Z所在周期中第一電離能最大的主族元素是_(元素名稱)。(2)XY2¯離子的立體構(gòu)型是_;R2+的水合離子R(H2O)42+中,提供孤電子對的原子是_(元素符號(hào))。(3)已知XH3易與R2+形成配離子,但XM3不易與R2+形成配離子,其原因是_。(4)Y與R所形成的化合物晶體晶胞如下圖所示,該晶體的化學(xué)式:_;晶胞參數(shù)如下圖所示,則該晶胞密度是_g·cm3(列式并計(jì)算結(jié)果,保留小數(shù)點(diǎn)兒
11、后一位)。(5)圖1表示某種含氮有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu), 其分子內(nèi)4個(gè)氮原子分別位于正四面體的4個(gè)頂點(diǎn)(見圖2),分子內(nèi)存在空腔,能嵌入某離子或分子并形成4個(gè)氫鍵予以識(shí)別。下列分子或離子中,能被該有機(jī)化合物識(shí)別的是_(填標(biāo)號(hào))。aCF4 bCH4 cNH4+ dH2O參考答案1A【解析】試題分析:氧化物的化學(xué)式為RO,則n克它的氧化物所含電子物質(zhì)的量為,答案選A??键c(diǎn):考查核素組成的有關(guān)判斷2D【解析】試題分析:AD2O分子中氧原子含有的價(jià)層電子對數(shù),因此為sp3雜化,A正確;BCr原子的原子序數(shù)是24,區(qū)價(jià)電子排布式:3d54s1,B正確;C硫離子的核外有18個(gè)電子,其電子排布式為 1s22s22
12、p63s23p6,C正確;DS原子的電子排布圖為,D錯(cuò)誤,答案選D??键c(diǎn):考查化學(xué)用語正誤判斷3B【解析】試題分析:A.處于基態(tài)的原子的核外電子排布為1s22s22p6,核外電子排布為1s22s22p2,1s22s22p43s2的原子處于激發(fā)態(tài),A項(xiàng)正確;B. 某元素質(zhì)量數(shù)51,中子數(shù)28,則質(zhì)子數(shù)為51-28=23,其基態(tài)原子的核外電子排布為Ar3d34s2,其未成對電子數(shù)為3,B項(xiàng)錯(cuò)誤;C. 根據(jù)基態(tài)原子的外圍電子排布為4d15s2,可知該該元素原子核外有5個(gè)電子層,C項(xiàng)正確;D.根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論,BF3中成鍵電子對為3,孤電子對為(3-3)÷2=0,價(jià)電子對數(shù)為3+0=3
13、,則B原子sp2雜化,為平面三角形,D項(xiàng)正確;答案選B。考點(diǎn):考查核外電子排布,雜化類型的判斷等知識(shí)。4C【解析】試題分析:能級(jí)的軌道數(shù)分別為1、3、5、7,故選項(xiàng)C正確??键c(diǎn):考查能級(jí)和軌道數(shù)等知識(shí)。5D【解析】試題分析:原子核外電子排布,應(yīng)滿足能量最低原理,洪特規(guī)則以及泡利不相容原理,以此進(jìn)行判斷解:A同一軌道自旋方向相同,違反泡利不相容原理,故A錯(cuò)誤;B.2p能層有3個(gè)電子,應(yīng)在3個(gè)不同的軌道,不符合洪特規(guī)則,故B錯(cuò)誤;C不同軌道的單電子自旋方向不同,違反了洪特規(guī)則,故C錯(cuò)誤;D符合洪特規(guī)則、泡利不相容原理,故D正確故選D6C【解析】試題分析:根據(jù)構(gòu)造原理,核外電子排滿4s再排3d,元素
14、的基態(tài)原子失去3個(gè)電子后,它的3d軌道上的電子恰好半滿3d5,所以4s上的電子數(shù)為2,其原子子的電子排布為:1s22s22p63s23p63d64s2,核外電子數(shù)為26,答案為C??键c(diǎn):考查元素的推斷7A【解析】試題分析:A選項(xiàng)電子能量處于最低的狀態(tài)即為基態(tài);B選項(xiàng)中2s上的電子激發(fā)到2p上,應(yīng)為激發(fā)態(tài),能量較高;C選項(xiàng)中2p上的三個(gè)電子盡可能分占不同軌道,且自旋方向相同時(shí)能量最低;D選項(xiàng)中,應(yīng)先填滿2s,再填2p,錯(cuò)誤考點(diǎn):原子電子排布8(1)Ar3d5(2)sp2雜化;2(3)直線型;SCN-(或CNO- 或OCN-等)(4)Ti(鈦)【解析】試題分析:(1)鐵是26號(hào)元素,鐵原子核外有2
15、6個(gè)電子,鐵原子失去3個(gè)電子變?yōu)镕e3+,根據(jù)構(gòu)造原理知,該離子核外電子排布式為Ar3d5,故答案為:Ar3d5;(2)HCHO中C原子雜化軌道數(shù)為3+×(4-2×1-2)=3,采取sp2雜化方式,HCN 中含有1個(gè)H-C鍵,1個(gè)CN鍵,共有2個(gè)鍵,所以1mol HCN中含有的鍵的數(shù)目為2mol,故答案為:sp2;2;(3)N2O中O原子雜化軌道數(shù)為2+×(6-2×3)=2,采取sp雜化方式,空間構(gòu)型為直線型,與N2O互分等電子體的一種離子為SCN-等,故答案為:直線型;SCN-等;(4)黑球的數(shù)目=8×+1=2,白球數(shù)目=4×=4,
16、黑白球比例為1:2,故黑球是Ti,故答案為:鈦(Ti)??键c(diǎn):考查了核外電子排布式的書寫、等電子體、雜化軌道類型、鍵數(shù)的判斷、配位鍵的相關(guān)知識(shí)。9(1)Ar3d54s2;(2)8mol;sp3,CO2;IF5+3H2OHIO3+5HF ;(3)4?!窘馕觥吭囶}分析:(1)Mn是25號(hào)元素,位于第四周期VIIB族元素,電子排布式為:Ar3d54s2 ;(2)成鍵原子間只能形成一個(gè)鍵,因此1mol此物質(zhì)中含有8mol鍵;H2O2的結(jié)構(gòu)簡式為HOOH,雜化軌道數(shù)等于價(jià)層電子對數(shù),價(jià)層電子對數(shù)=鍵+孤電子對數(shù),因此O的價(jià)層電子對數(shù)為4,雜化類型為sp3,等電子體是原子總數(shù)相等,價(jià)電子總數(shù)的相等的微粒,
17、因此與CS2是等電子體的是CO2;發(fā)生雙水解反應(yīng),根據(jù)水解的定義,此反應(yīng)式IF53H2O=HIO35HF;(4)S2位于頂點(diǎn)和面上,離子晶體的配位數(shù)是距離最近的異性微粒的個(gè)數(shù),即S2的配位數(shù)是4??键c(diǎn):考查化學(xué)用語、雜化類型、等電子體等知識(shí)。10(1)亞銅離子核外電子處于穩(wěn)定的全充滿狀態(tài)(1分)(2)Cu(OH)2+4NH3=Cu(NH3)42+2OH-(2分)a、b、d(2分) 正四面體(1分),sp3(2分)(3)12(2分),4×64/6.02×1023×(361.4×10-10)3(3分)【解析】試題分析:(1)Cu的核外電子排布為3d104s1
18、,故價(jià)電子軌道排布圖為。亞銅離子核外電子處于穩(wěn)定的全充滿狀態(tài),所以導(dǎo)致高溫下Cu2O比CuO更穩(wěn)定;(2)Cu(OH)2溶解氨氣的離子方程式為Cu(OH)2+4NH3=Cu(NH3)42+2OH- ;Cu(NH3)4SO4·H2O晶體中存在的化學(xué)鍵有離子鍵,極性鍵和配位鍵,答案選a、b、d;SO42-中S原子的價(jià)層電子對數(shù)是4,且不存在孤對電子,為sp3雜化,立體構(gòu)型為正四面體;(3)由Cu原子的構(gòu)型可知,晶胞中Cu原子的配位數(shù)為12,Cu晶體的密度為。考點(diǎn):考查核外電子排布、配位鍵、雜化軌道、空間構(gòu)型、晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)以及計(jì)算等11(1)1s22s22p63s23p3或Ne3s23p
19、3,3;(2)sp3,60o;(3)N>P>As;(4)4;(5)氮化硼(BN)晶體;(145×4)/NA·(a×10-10)3或5.8×1032/(NA·a3)。【解析】試題分析:(1)P屬于15號(hào)元素,位于第三周期第VA族,核外電子排布式1s22s22p63s23p3或Ne 3s23p3,p能級(jí)有三個(gè)空軌道,每一個(gè)電子優(yōu)先占據(jù)一個(gè)軌道,且自旋方向相同,因此有3個(gè)未成對電子;(2)根據(jù)白磷的分子結(jié)構(gòu),每一個(gè)氮原子有3個(gè)鍵,一個(gè)孤電子對,因此雜化類型為sp3,白磷的空間構(gòu)型為正四面體,但鍵角是60o;(3)同主族從上到下第一電離能減
20、小,即N>P>As;(4)根據(jù)晶胞的結(jié)構(gòu),B原子全部位于晶胞內(nèi),因此每個(gè)晶胞有4個(gè)B原子;(5)兩者為原子晶體,NB的鍵長比GaAs的鍵長短,因此沸點(diǎn)高的是BN,此晶胞中含B原子數(shù)為4個(gè),晶胞的質(zhì)量為4×145/NAg,晶胞的體積為(a×1010)3cm3,因此密度為:(145 × 4)/ NA· (a×10-10)3或5.8×1032/(NA·a3)??键c(diǎn):考查能級(jí)、雜化類型、第一電離能、晶胞等知識(shí)。12(1) AsCl5;sp3雜化;三角錐型;(2) As;-3;原子晶體;109°28;II.(3)
21、 1s22s22p63s23p63d34s2或Ar3d34s2;+5;2V2O5 +4NaCl+O2=4NaVO3+2Cl2;V2O5+5Ca=2V+5CaO;(4) 8;d 3NA?!窘馕觥吭囶}分析:(1) AsCl3中As的價(jià)層電子對數(shù)=3+(5-1×3)=4,采用sp3雜化,為三角錐型分子,是極性分子;AsCl5中As的價(jià)層電子對數(shù)=5+(5-1×5)=5,為三角雙錐型分子,是非極性分子,故答案為:AsCl5;sp3雜化;三角錐型;(2) 同一周期元素,元素第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢,但第IIA族、第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素,所以第一電離能AsG
22、a,GaAs 中砷的電負(fù)性大于鎵,所以砷顯-3價(jià);由晶體中鎵、砷原子最外層電子數(shù)目知,鎵與砷之間形成了四個(gè)共價(jià)鍵(其中有一個(gè)為配位鍵),晶體中每個(gè)鎵原子、砷原子均與另外四個(gè)原子成鍵,形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的晶體,屬于原子晶體,晶體中化學(xué)鍵的鍵角是109°28,故答案為:As;-3;原子晶體;109°28;II.(3) 釩是23號(hào)元素,原子核外電子數(shù)為23,基態(tài)原子核外電子排布式為:1s22s22p63s23p63d34s2或Ar3d34s2,釩的價(jià)電子數(shù)為5,結(jié)合流程圖,在釩的幾種價(jià)態(tài)中,最穩(wěn)定的是+5價(jià)。反應(yīng)是V2O5在空氣中與氯化鈉反應(yīng)生成NaVO3,根據(jù)化合價(jià)的變化情況,C
23、l元素化合價(jià)升高,生成氯氣,反應(yīng)的方程式為2V2O5 +4NaCl+O2=4NaVO3+2Cl2;反應(yīng)是V2O5被鈣還原生成V,反應(yīng)的方程式為V2O5+5Ca=2V+5CaO,故答案為:1s22s22p63s23p63d34s2或Ar3d34s2;+5;2V2O5 +4NaCl+O2=4NaVO3+2Cl2;V2O5+5Ca=2V+5CaO;(4)根據(jù)晶胞圖可知,每個(gè)礬原子周圍距離最近的有8個(gè)礬原子,所以礬的配位數(shù)為8,每個(gè)晶胞中含有的礬原子數(shù)為1+8×=2,晶胞的體積為d3cm3,根據(jù)可知,釩的相對原子質(zhì)量M=VNA=d3NA,故答案為:8;d3NA?!究键c(diǎn)定位】考查原子核外電子的
24、排布、原子軌道雜化方式及雜化類型判斷、晶胞的計(jì)算【名師點(diǎn)睛】本題考查原子核外電子的排布規(guī)律、原子軌道雜化方式及雜化類型判斷、晶胞的計(jì)算等知識(shí)。掌握基礎(chǔ)知識(shí)和基本技能是解題的關(guān)鍵。根據(jù)構(gòu)造原理可以確定核外電子排布式。能量最低原理:原子核外電子先占有能量較低的軌道,然后依次進(jìn)入能量較高的軌道;泡利不相容原理:每個(gè)原子軌道上最多只能容納 2個(gè)自旋狀態(tài) 相反的電子;洪特規(guī)則:在等價(jià)軌道(相同電子層、電子亞層上的各個(gè)軌道)上排布的電子將盡可能分占不同的軌道,且自旋方向相同。雜化類型的判斷:中心原子電子對計(jì)算公式:電子對數(shù)n=(中心原子的價(jià)電子數(shù)+配位原子的成鍵電子數(shù)±電荷數(shù))。注意:當(dāng)上述公式
25、中電荷數(shù)為正值時(shí)取“-”,電荷數(shù)為負(fù)值時(shí)取“+”;當(dāng)配位原子為氧原子或硫原子時(shí),成鍵電子數(shù)為零;根據(jù)n值判斷雜化類型:一般有如下規(guī)律:當(dāng)n=2,sp雜化;n=3,sp2雜化;n=4,sp3雜化。13(1)9;2;2s22p5(2)離子鍵、共價(jià)鍵、氫鍵;CO2(或Na2O)(3) sp2;(4) 分子(5) 8;4;【解析】試題分析:(1)基態(tài)氟原子核外含有9個(gè)電子,則其核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有9種;氟原子核外含有2s軌道和p軌道兩種軌道,則氟原子的電子的電子云形狀有2種;氟原子的外圍含有7個(gè)電子,其外圍電子排布式為:2s22p5,故答案為:9;2;2s22p5;(2)NaHF2為離子化合物,存在離
26、子鍵,H-F鍵為共價(jià)鍵,F(xiàn)的電負(fù)性較強(qiáng),還存在氫鍵,故答案為:離子鍵、共價(jià)鍵、氫鍵;CO2(或Na2O);(3)N2F2(二氟氮烯)分子中,氮原子形成了3個(gè)鍵和1個(gè)鍵,則其雜化軌道類型為sp2;N2F2可能的結(jié)構(gòu)式為:,故答案為:sp2;(4)三氟化硼乙醚(如圖1)的熔點(diǎn)為-58,沸點(diǎn)為126129,其熔沸點(diǎn)降低,應(yīng)該屬于分子晶體,故答案為:分子;(5)在CaF2晶胞中每個(gè)Ca2+連接4個(gè)氟離子,但在下面一個(gè)晶胞中又連接4個(gè)氟離子,所以其配位數(shù)為8;在CaF2晶胞中每個(gè)F-連接4個(gè)鈣離子,所以其配位數(shù)為4,故答案為:8;4;該晶胞中含有鈣離子個(gè)數(shù)=8×+6×=4,氟離子在該
27、晶胞的內(nèi)部,所以氟離子個(gè)數(shù)是8,該晶胞中含有4個(gè)CaF2,該晶胞的體積為:V=(5.55×10-6)3cm3,該晶胞的密度為:=,故答案為:=??键c(diǎn):考查了原子核外電子排布、原子軌道雜化方式及雜質(zhì)類型、晶胞結(jié)構(gòu)及計(jì)算的相關(guān)知識(shí)。14(1)N>O>C;(2)3d104s1;K、Cr;(3)CO;平面三角形;(4)CH4>NH3>H2O;3種氫化物的中心原子價(jià)層電子多少均為4,VSEPR模型均為正四面體結(jié)構(gòu),但中心原子的孤電子對數(shù)依次增加,導(dǎo)致鍵角變??;(5)AlN;原子;sp3;(6)面心立方最密堆積【解析】試題分析:X、Y、Z、U、W是原子序數(shù)依次增大的前四周
28、期元素其中Y的原子核外有7種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同的電子,則Y為N元素;U是第三周期元素形成的簡單離子中半徑最小的元素,則U為Al;X、Z中未成對電子數(shù)均為2,X的原子序數(shù)小于N,而Z的原子序數(shù)介于N、Al之間,X、Z的核外電子排布分別為1s22s22p2,1s22s22p4,故X為C元素、Z為O元素;W的內(nèi)層電子全充滿,最外層只有1個(gè)電子,原子序數(shù)大于Al,只能處于第四周期,核外電子數(shù)為2+8+18+1=29,故W為Cu元素。(1)同周期隨原子序數(shù)增大,第一電離能呈增大趨勢,但N元素2p能級(jí)為半滿穩(wěn)定狀態(tài),能量較低,第一電離能高于同周期相鄰元素,故第一電離能NOC,故答案為:NOC;(2)W為Cu元素
29、,價(jià)電子排布式為3d104s1,W同周期的元素中,與W原子最外層電子數(shù)相等的元素還有3p64s1,為K元素、3d54s1,為Cr元素,故答案為:3d104s1;K、Cr;(3)根據(jù)等電子體原理,可知化合物CO與N2互為等電子體,CO的結(jié)構(gòu)式是CO,YZ2-為NO2-,中心原子價(jià)層電子對數(shù)=2+×(5+1-2×2)=3,VSEPR模型是平面三角形,故答案為:CO;平面三角形;(4)X、Y、Z的最簡單氫化物分別為CH4、NH3、H2O,3種氫化物的中心原子價(jià)層電子對數(shù)均為4,VSEPR模型均為正四面體形,但中心原子的孤電子對數(shù)依次增大,導(dǎo)致鍵角變小,故鍵角:CH4NH3H2O,
30、故答案為:CH4NH3H2O;3種氫化物的中心原子價(jià)層電子對數(shù)均為4,VSEPR模型均為正四面體形,但中心原子的孤電子對數(shù)依次增大,導(dǎo)致鍵角變??;(5)晶胞中N原子數(shù)目為4,Al原子數(shù)目為8×+6×=4,故該化合物化學(xué)式為AlN,該物質(zhì)硬度大,屬于原子晶體,Y原子形成4個(gè)共價(jià)鍵,故Y原子雜化方式為sp3,故答案為:AlN;原子;sp3;(6)設(shè)晶胞中Al原子數(shù)目為N(Al),則N(Al)×g=(405×10-10)3×2.70g/cm3,解得N(Al)=4.00,所以其晶胞的類型面心立方密堆積,故答案為:面心立方最密堆積?!究键c(diǎn)定位】考查核外電
31、子排布、電離能、雜化方式、晶胞計(jì)算【名師點(diǎn)晴】本題是對物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的考查,涉及核外電子排布、電離能、雜化方式、晶胞計(jì)算等,是對學(xué)生綜合能力的考查。關(guān)鍵是準(zhǔn)確推斷元素,周期表中特殊位置的元素歸納如下:族序數(shù)等于周期數(shù)的元素:H、Be、Al、Ge。族序數(shù)等于周期數(shù)2倍的元素:C、S。族序數(shù)等于周期數(shù)3倍的元素:O。周期數(shù)是族序數(shù)2倍的元素:Li、Ca。周期數(shù)是族序數(shù)3倍的元素:Na、Ba。最高正價(jià)與最低負(fù)價(jià)代數(shù)和為零的短周期元素:C。最高正價(jià)是最低負(fù)價(jià)絕對值3倍的短周期元素:S。除H外,原子半徑最小的元素:F。短周期中離子半徑最大的元素:P。15(1)4s24p4(2)AsSeGe;H2SeO4
32、分子中非羥基氧原子個(gè)數(shù)大于H2SeO3(3)sp3 ;三角錐形;CCl4(或SiF4)(4)極性;分子 (5)4;×1010【解析】試題分析:(1)硒為34號(hào)元素,有6個(gè)價(jià)電子,所以硒的價(jià)層電子排布式為4s24p4;(2)同一周期中,元素的第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢,但第A族元素第一電離能大于相鄰元素,所以Ge、As、Se三種元素的第一電離能的大小順序是:AsSeGe;由于H2SeO4分子中非羥基氧原子個(gè)數(shù)大于H2SeO3,所以H2SeO4的酸性比H2SeO3的強(qiáng);(3)H2SeO3的中心原子的價(jià)層電子對數(shù)為×(6+2)=4,所以Se雜化方式為sp3雜化,SeO
33、32-的中心原子Se的價(jià)層電子對數(shù)為×(6+2)=4,離子中有一個(gè)孤電子對,所以SeO32-的立體構(gòu)型是 三角錐形,等電子體是指價(jià)電子和原子數(shù)都相等的微粒,與SeO42-互為等電體的分子有CCl4(或SiF4);(4)H2Se分子中有孤電子對,所以H2Se屬于 極性分子,單質(zhì)硒的熔點(diǎn)為217,比較小,所以它屬于分子晶體;(5)根據(jù)硒化鋅晶胞結(jié)構(gòu)圖可知,每個(gè)鋅原子周圍有4個(gè)硒原子,每個(gè)硒原子周圍也有4個(gè)鋅原子,所以硒原子的配位數(shù)為4,該晶胞中含有硒原子數(shù)為8×+6×=4,含有鋅原子數(shù)為4,根據(jù)=,所以V=,則晶胞的邊長為cm=×1010pm??键c(diǎn):考查了價(jià)
34、電子排布、原子軌道的雜化、等電子體、分子的極性、分子的空間構(gòu)型、晶胞的計(jì)算等的相關(guān)知識(shí)。16(1)四(1分);VA(1分);弱(1分);(l分)(2)GaAs(l分)(3)As2O3+3H2S=As2S3+3H2O(2分)【解析】試題分析:(1)氮是第二周期第VA族元素。砷是氮的同族元素,比氮多2個(gè)電子層,則可得砷在第四周期第VA族。同主族元素的氫化物穩(wěn)定性由上往下依次減弱,所以AsH3的熱穩(wěn)定性比NH3弱。砷在第四周期第VA族,原子序數(shù)為33,則中子數(shù)為40的砷的核素為。(2)Ga最外層有3個(gè)電子,則Ga為+3價(jià),As為3價(jià),所以砷化鎵的化學(xué)式為GaAs。(3)As2O3中通入硫化氫轉(zhuǎn)化為更
35、難溶的As2S3,反應(yīng)的化學(xué)方程式為As2O3+3H2S=As2S3+3H2O。考點(diǎn):元素周期律及元素化合物性質(zhì)17(1)3d54s1;Cl(2)H2O分子間存在氫鍵,而H2S分子間沒有氫鍵(3)平面正三角形(或平面三角形);sp2 (4)Na+【解析】試題分析:M、R、X、Y為原子序數(shù)依次增大的短周期主族元素,Z是一種過渡元素。M基態(tài)原子L層中p軌道電子數(shù)是s軌道電子數(shù)的2倍,所以M是O;R是同周期元素中最活潑的金屬元素,原子序數(shù)大于氧元素,則R是Na;X和M形成的一種化合物是引起酸雨的主要大氣污染物,該化合物有漂白性,能使品紅溶液褪色,化合物是SO2,則X是S,因此Y是Cl;Z的基態(tài)原子4
36、s和3d軌道半充滿,因此Z是24號(hào)元素Cr。(1)Cr原子的價(jià)電子排布式是3d54s1;S的非金屬性弱于Cl,因此X和Y中電負(fù)性較大的是Cl。(2)由于H2O分子間存在氫鍵,而H2S分子間沒有氫鍵,所以S的氫化物的沸點(diǎn)低于與其組成相似的O的氫化物。(3)X與M形成的SO3分子中價(jià)層電子對數(shù),不含有孤對電子,因此其空間構(gòu)型是平面正三角形,中心原子的雜化軌道類型為sp2。(4)M和R所形成的一種離子化合物Na2O晶體的晶胞如下圖所示,晶胞中含有的白球個(gè)數(shù),黑球全部在晶胞中,共計(jì)是8個(gè),所以圖中黑球代表的是Na+?!究键c(diǎn)定位】考查核外電子排布、氫鍵、空間構(gòu)型、雜化軌道、電負(fù)性以及晶胞結(jié)構(gòu)判斷【名師點(diǎn)晴】由價(jià)層電子特征判斷分子立體構(gòu)型:判斷時(shí)需注意以下兩點(diǎn):(1)價(jià)層電子對互斥模型說明的是價(jià)層電子對的立體構(gòu)型,而分子的立體構(gòu)型指的是成鍵電子對的立體構(gòu)型,不包括孤電子對。當(dāng)中心原子無孤電子對時(shí),兩者的構(gòu)型一致;當(dāng)中心原子有孤電子對時(shí),兩者的構(gòu)型不一致。(2)價(jià)層電子對互斥模型能預(yù)測分子的幾何構(gòu)型,但不能解釋分子的
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