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文檔簡介
1、張飛實戰(zhàn)電子:勿擾 100%拒絕水貼,10 名瘋狂工程師運營的點擊打開,有問必答)(開關(guān)電源EMI 濾波器原理與設(shè)計研究魏應(yīng)冬,吳燮華(浙江大學(xué)電氣,浙江杭州310027)摘要:在開關(guān)電源中,EMI 濾波器對共模和差模傳導(dǎo)噪聲的抑制起著顯著的作用。在研究濾波器原理的基礎(chǔ)上,探討了一種對共模、差模信號進行了一種 EMI 濾波器的設(shè)計程序。分析,分別建模的方法,最后基于此提出:開關(guān)電源;EMI 濾波器;共模;差模0引言高頻開關(guān)電源由于其在體積、重量、功率密度、效率等方面的諸多優(yōu)點,已經(jīng)被廣泛地應(yīng)用于工業(yè)、國防、家電等各個領(lǐng)域。在開關(guān)電源應(yīng)用于交流電網(wǎng)的場合,整流電路往往導(dǎo)致輸入電流的斷續(xù),這除了大
2、大降低輸入功率因數(shù)外,還增加了大量高次諧波。同時,開關(guān)電源率開關(guān)管的高速開關(guān)動作(從幾十 kHz 到數(shù) MHz),形成了 EMI(electromagneticinterference)騷擾源。從已的開關(guān)電源可知,在開關(guān)電源中主要存在的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場輻射干擾,傳導(dǎo)干擾還會注入電網(wǎng),干擾接入電網(wǎng)的其他設(shè)備。減少傳導(dǎo)干擾的方法有很多,諸如合理鋪設(shè)地線,采取星型鋪地,避免環(huán)形地線,盡可能減少公共阻抗;設(shè)計合理的緩沖電路;減少電路雜散電容等。除此之外,可以利用 EMI 濾波器衰減電網(wǎng)與開關(guān)電源對彼此的噪聲干擾。EMI 騷擾通常難以精確描述,濾波器的設(shè)計通常是通過反復(fù)迭代,計算制作以求逐步逼近
3、設(shè)計要求。本文從 EMI 濾波原理入手,分別通過對其共模和差模噪聲模型的分析,給出實際工作中設(shè)計濾波器的方法,并分步驟給出設(shè)計實例。1EMI 濾波器設(shè)計原理在開關(guān)電源中,主要的 EMI 騷擾源是功率半導(dǎo)體器件開關(guān)動作產(chǎn)生的 dv/dt和 di/dt,因而電磁發(fā)射 EME(Electromagnetic Emission)通常是寬帶的噪聲信號,其頻率范圍從開關(guān)工作頻率到幾 MHz。所以,傳導(dǎo)型電磁環(huán)境(EME)的測量,正如很多國際和標準所規(guī)定,頻率范圍在 0.1530MHz。設(shè)計 EMI 濾波器,就是要對開關(guān)頻率及其高次諧波的噪聲給予足夠的衰減?;谏鲜鰳藴?,通常情況下只要考慮將頻率高于 150
4、kHz 的 EME 衰減至合理范圍內(nèi)即可。張飛實戰(zhàn)電子:勿擾 100%拒絕水貼,10 名瘋狂工程師運營的點擊打開,有問必答)(在數(shù)字信號處理領(lǐng)域普遍認同的低通濾波器概念同樣適用于電力電子裝置中。簡言之, EMI 濾波器設(shè)計可以理解為要滿足以下要求:1)規(guī)定要求的阻帶頻率和阻帶衰減;(滿足某一特定頻率 fstop 有需要 Hstop 的衰減);2)對電網(wǎng)頻率低衰減(滿足規(guī)定的通帶頻率和通帶低衰減);3)低成本。1.1常用低通濾波器模型EMI 濾波器通常置于開關(guān)電源與電網(wǎng)相連的前端,是由串聯(lián)電抗器和并聯(lián)電容器組成的低通濾波器。如圖 1 所示,噪聲源等效阻抗為 Zsource、電網(wǎng)等效阻抗為 Zsi
5、nk。濾波器指標(fstop 和 Hstop) 可以由一階、二階或三階低通濾波器實現(xiàn),濾波器傳遞函數(shù)的計算通常在高頻下近似,也就是說對于 n階濾波器,忽略所有k相關(guān)項(當 k<n),只取含n相關(guān)項。表 1 列出了幾種常見的濾波器拓撲及其傳遞函數(shù)。特別要注意的是要考慮輸入、輸出阻抗不匹配給濾波特性帶來的影響。圖 1濾波器設(shè)計等效電路表 1幾種濾波器模型及傳遞函數(shù)張飛實戰(zhàn)電子:勿擾 100%拒絕水貼,10 名瘋狂工程師運營的點擊打開,有問必答)(1.2EMI 濾波器等效電路傳導(dǎo)型 EMI 噪聲包含共模(CM)噪聲和差模(DM)噪聲兩種。共模噪聲存在于所有交流相線(L、N)和共模地(E)之間,
6、其產(chǎn)生來源被認為是兩電氣回路之間絕緣泄漏電流以及電磁場耦合等;差模噪聲存在于交流相線(L、N)之間,產(chǎn)生來源是脈動電流,開關(guān)器件的振鈴電流以及二極管的反向恢復(fù)特性。這兩種模式的傳導(dǎo)噪聲來源不同,傳導(dǎo)途徑也不同,因而共模濾波器和差模濾波器應(yīng)當分別設(shè)計。顯然,兩種不同模式的傳導(dǎo)噪聲,將其分離并分別測量出實際水平是十分必要的,這將有利于確定那種模式的噪聲占主要部分,并相應(yīng)地體現(xiàn)在對應(yīng)的濾波器設(shè)計過程中,實現(xiàn)參數(shù)優(yōu)化。在文獻6和7中,提供了兩種用于區(qū)分共模和差模噪聲的噪聲分離器,他們能有選擇地對共模或差模噪聲至少衰減 50dB,因而可有效地測量出共模和差模成分。分離器的原理和使用超出了本文的討論范圍,
7、詳細內(nèi)容可見參考文獻6和7。以一種常用的濾波器拓撲圖 2(a)為例,分別對共模、差模噪聲濾波器等效電路進行分析。圖 2(b)及圖 2(c)分別代表濾波器共模衰減和差模衰減等效電路。分析電路可知,Cx1 和 Cx2只用于抑制差模噪聲,理想的共模扼流電感 LC 只用于抑制共模噪聲。但是,由于實際的 LC 繞制 的不對稱,在兩組 LC 之間存在有漏感 Lg 也可用于抑制差模噪聲。Cy 即可抑制共模干擾、又可抑制 差模噪聲,只是由于差模抑制電容 Cx2 遠大于 Cy,Cy 對差模抑制可忽略不計。同樣,LD 既可抑制共 模干擾、又可抑制差模干擾,但 LD 遠小于 LC,因而對共模噪聲抑制作用也相對很小。
8、張飛實戰(zhàn)電子:勿擾 100%拒絕水貼,10 名瘋狂工程師運營的點擊打開,有問必答)(a)常用的濾波器拓撲(b)共模衰減等效電路(c)差模衰減等效電路圖 2一種常用的濾波器拓撲由表 1 和圖 2 可以推出,對于共模等效電路,濾波器模型為一個二階 LC 型低通濾波器, 將等效共模電感記為 LCM,等效共模電容記為 CCM,則有LCM=LC LD(1)CCM=2Cy(2)對于差模等效電路,濾波器模型為一個三階 CLC型低通濾波器,將等效差模電感記為 LDM,等效差模電容記為 CDM(令 Cx1=Cx2 且認為 Cy/2<<Cx2),則有LDM=2LDLg(3)張飛實戰(zhàn)電子:勿擾 100%
9、拒絕水貼,10 名瘋狂工程師運營的點擊打開,有問必答)(CDM=Cx1=Cx2(4)LC 型濾波器截止頻率計算公式為fR,CM=(5)將式(1)及式(2)代入式(5),則有fR,CM=(LC>> LD)(6)CLC型濾波器截止頻率計算公式為fR,DM=(7)將式(3)及式(4)代入式(7),則有fR,DM=(8)在噪聲源阻抗和電網(wǎng)阻抗均確定,且相互匹配的情況下,EMI 濾波器對共模和差模噪聲的抑制作用,如圖 3 所示。圖 3濾波器差模與共模衰減2設(shè)計 EMI 濾波器的實際方法2.1設(shè)計中的幾點考慮張飛實戰(zhàn)電子:勿擾 100%拒絕水貼,10 名瘋狂工程師運營的點擊打開,有問必答)(E
10、MI 濾波器的效果不但依賴于其自身,還與噪聲源阻抗及電網(wǎng)阻抗有關(guān)。電網(wǎng)阻抗 Zsink通常利用靜態(tài)阻抗補償網(wǎng)絡(luò)(LISN)來校正,接在濾波器與電網(wǎng)之間,包括電感、電容和一個 50 電阻,從而保證電網(wǎng)阻抗可由已知標準求出。而 EMI 源阻抗則取決于不同的變換器拓撲形式。以典型的反激式開關(guān)電源為例,如圖 4(a)所示,其全橋整流電路電流為斷續(xù)狀態(tài),電流電壓波形如圖 5 所示。對于共模噪聲,圖 4(b)所示 Zsource 可以看作一個電流源 IS 和一個高阻抗 ZP 并聯(lián);圖 4(c)中對于差模噪聲,取決于整流橋二極管通斷情況,Zsource 有兩種狀態(tài):當其中任 意兩只二極管導(dǎo)通時,Zsourc
11、e 等效為一個電壓源 VS 與一個低值阻抗 ZS 串連;當二極管全部截止時, 等效為一個電流源 IS 和一個高阻抗 ZP 并聯(lián)。因而噪聲源差模等效阻抗 Zsource 以 2 倍工頻頻率在上 述兩種狀態(tài)切換2。(a)典型反激式開關(guān)電源(b)共模噪聲源等效電路(c)差模噪聲源等效電路圖 4典型反激式開關(guān)電源及其噪聲源等效電路張飛實戰(zhàn)電子:勿擾 100%拒絕水貼,10 名瘋狂工程師運營的點擊打開,有問必答)(圖 5電源輸入端電壓、電流波形在前述設(shè)計過程中,EMI 濾波器元件(電感、電容)均被看作是理想的。然而由于實際元件存在寄生參數(shù),比如電容的寄生電感,電感間的寄生電容,以及 PCB 板布線存在的
12、寄生參數(shù),實際的高頻特性往往與理想元件有較大的差異。這涉及到 EMC 高頻建模等諸多問題,模型的參數(shù)往往較難確定,所以,本文僅考慮 EMI 濾波器的低頻抑制特性,而高頻建??蓞⒖次墨I8 等。故 ZS 及 ZP 取值與這些寄生電容、電感以及整流橋等效電容等寄生參數(shù)有關(guān),直接采用根據(jù)電路拓撲及參數(shù)建模的方案求解源阻抗難以實現(xiàn),因而,在設(shè)計中往往采用實際測量 Zsource。2.2實際設(shè)計步驟EMI 濾波器設(shè)計往往要求在實現(xiàn)抑制噪聲的同時,自身體積要盡可能小,成本要盡可能低廉。同時,濾波效果也取決于實際的噪聲水平的高低,分析共模和差模噪聲的干擾權(quán)重,為此, 在設(shè)計前要求確定以下參量,以實現(xiàn)設(shè)計的優(yōu)化
13、。1)測量干擾源等效阻抗 Zsource 和電網(wǎng)等效阻抗。實際過程中往往是依靠理論和經(jīng)驗的指導(dǎo),先作出電源的 PCB 板,這是因為共模、差模的噪聲源和干擾途徑互不相小差異都可能導(dǎo)致很大 EME 變化。路板走線的微2)測量出未加濾波器前的干擾噪聲頻譜,并利用噪聲分離器將共模噪聲 VMEASUREE,CM 和差模噪聲 Vmeasure,CM 分離,做出相應(yīng)的干擾頻譜。接著就可以進行實際的設(shè)計了,仍以本文中提出的濾波器模型為例,步驟如下。(1)依照式(9)計算濾波器所需要的共模、差模衰減,并做出曲線 Vmeasure,CMf和 Vmeasure,DMf,其中 Vmeasure,CM 和 Vmeasu
14、re,DM 已經(jīng)測得,Vstandard,CM 和 Vstandard,DM 可參照傳導(dǎo) EMI 干擾國標設(shè)定。加上 3dB 的在于用噪音分離器的測量值比實際值要大 3dB。(Vreq,CM)dB=(Vmeasure,CM)(Vstandard,CM)3dB(Vreq,DM)dB=(Vmeasure,DM)(Vstandard,DM)3dB(9)(2)由圖 3 可知,斜率分別為 40dB/dec 和 60dB/dec 的兩條斜線與頻率軸的交點即為fR,CM 和 fR,DM。作 Vmeasure,CMf和 Vmeasure,DMf的切線,切線斜率分別為 40dB/dec 和 60dB/dec,比
15、較 可知,只要測量他們與頻率軸的交點,即可得出 fR,CM 和 fR,DM,圖 6 所示為其示意圖。張飛實戰(zhàn)電子:勿擾 100%拒絕水貼,10 名瘋狂工程師運營的點擊打開,有問必答)(a)實線為共模目標衰減;虛線為斜率為 40dB/dec 切線(b)實線為差模目標衰減;虛線為斜率為 60dB/dec 切線圖 6fR,DM 與 fR,CM 的確定(3)濾波器元件參數(shù)設(shè)計共模參數(shù)的選取Cy 接在相線和大地之間,該電容器容量過大將會造成漏電流過大,安全性降低。對漏電流要求越小越好,安全標準通常為幾百A 到幾 mA。EMI 對地漏電流 Iy 計算公式為Iy=2fCVc(10)式中:f為電網(wǎng)頻率。在本例
16、中,Vc 是電容 Cy 上的壓降,f=50Hz,C=2Cy,Vc=220/2=110V,則Cy=(11)張飛實戰(zhàn)電子:勿擾 100%拒絕水貼,10 名瘋狂工程師運營的點擊打開,有問必答)(若設(shè)定對地漏電流為 0.15mA,可求得 Cy2200pF。將 Cy 代入步驟(2)中求得 fR,CM 值,再將 fR,CM代入式(6)中可得Lc=(12)差模參數(shù)選取計者有一定的自由度。由式(8)可知,Cx1,Cx2,以及 LD 的選取沒有唯一解,設(shè)由圖 2 可知,共模電感 Lc 的漏感 Lg 也可抑制差模噪聲,有時為了簡化濾波器,也可以省去 LD。經(jīng)驗表明,漏感 Lg 量值多為 Lc 量值的 0.52。Lg 可實測獲得。此時,相應(yīng)地 Cx1、Ccx2 值要更大。3結(jié)語本文的論述是基于低通濾波器的低頻模型分析。由于實際元件寄生參數(shù)的影響,尤其在高頻段更加顯著,因而往往
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