電子電路分析與制作試題庫

1、1.2.3.4.5.6.7.8.9.10.11.12.電子電路分析和制作試題庫第一部份應(yīng)知部分單項選擇題:差分放大電路是為了 而設(shè)置的。（）A、穩(wěn)定Au B 、放大信號C 、抑制零點漂移共集電極放大電路的負反饋組態(tài)是 。A、壓串負B、流串負C、壓并負差分放大電路 RE上的直流電流IEQ近似等于單管集電極電流ICQ倍。（）為了使放大器帶負載能力強，一般引入 負反饋。（i.A、電壓 B 、電流C 、串聯(lián)1、三端集成穩(wěn)壓器 CW7812的輸出電壓是b)A12VB 、5VC 、9VA飽和B、截止 C、交越 D 、頻率共模抑制比是差分放大電路的一個主要技術(shù)指標，它反映放大電路能力。A、放大差模抑制共模B

2、 、輸入電阻高 C、輸出電阻低LM386是集成功率放大器，它可以使電壓放大倍數(shù)在之間變化。A 020 B 、 20200 C 、 2001000單相橋式整流電容濾波電路輸出電壓平均值Uo=UzA 0.45 B0.9 C 、1.2單相橋式整流電容波電路輸出電壓平均在Uo=( )U2。（）A 0.45B 0.9C 1.2三端集成穩(wěn)壓器CW7906的輸出電壓是A -6V B -9v C-12v差分放大電路是為了 而設(shè)置的。A穩(wěn)定Au B放大信號 C抑制零點漂移KMC是差分放大電路的一個主要技術(shù)指標，它反映放大電路 能力。）A放大差模抑制共模B 輸入電阻高 C輸出電阻低LM386是集成功率放大器，它可

3、以使電壓放大倍數(shù)在 變化。A 0-20 B 20 -200 C 200-1000共集電極放大電路的負反饋組態(tài)是。（A、壓串負B、流串負C、壓并負差分放大電路 RE上的直流電流IEQ近似等于單管集電極電流 ICQ倍。（A、1B、2C、3為了使放大器帶負載能力強，一般引入負反饋。（13.14.15.16.17.18.19.20.21.22.23.24.25.26.27.28.29.A、電壓 B 、電流 C 、串聯(lián)差分放大電路是為了 而設(shè)置的。A、穩(wěn)定Au B 、放大信號C 、抑制零點漂移共模抑制比是差分放大電路的一個主要技術(shù)指標，它反映放大電路能力。（A、放大差模抑制共模B 、輸入電阻高 C 、輸

4、出電阻低LM386是集成功率放大器，它可以使電壓放大倍數(shù)在 之間變化。（）A 020 B 、 20200 C 、 2001000單相橋式整流電容濾波電路輸出電壓平均值Uo=Uz （）A 0.45 B 、0.9 C 、1.2振蕩器的輸出信號最初由 而來的。（C）A、基本放大器B、選頻網(wǎng)絡(luò) C、干擾或噪聲信號三端集成穩(wěn)壓器CW7906的輸出電壓是 （A -6V B -9v C -12vKMC是差分放大電路的一個主要技術(shù)指標，它反映放大電路 能力。（A放大差模抑制共模B 輸入電阻高 C輸出電阻低LM386是集成功率放大器，它可以使電壓放大倍數(shù)在 變化。（）A 0-20 B 20 -200 C 200

5、-1000單相橋式整流電容波電路輸出電壓平均在Uo=（ ）U2 。A 0.45 B 0.9 C 1.21（2） RC串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)在 f = f0時呈。（）2兀RCA感性 B 阻性 C 容性通用型集成運放的輸入級多采用 。）A.共基接法B.共集接法C.共射接法D.差分接法兩個B相同的晶體管組成復合管后，其電流放大系數(shù)約為 。（）2A. 3B. 3C.2 3D.1+ 3硅二極管的正向?qū)▔航当孺N二極管的 。（A. 大 B. 小 C.相等在橋式（文氏橋）RC正弦波振蕩電路中， 。（）0 0 0 0 0 0A $ a=-180 ,f=+180 B.a=+180 ,f=+180 C.a=0 ,f=0A.共

6、基接法 B.共集接法C.共射接法D.差分接法兩個B相同的晶體管組成復合管后，其電流放大系數(shù)約為 。()A. 3B. 32C.2 3D.1+ 3硅二極管的正向?qū)▔航当孺N二極管的 。()A. 大 B.小 C.相等放大器的輸入電阻高，表明其放大微弱信號能力_ O ()A、強 E、弱 C、一般射極跟隨器具有 特點。()A、電流放大倍數(shù)高E、電壓放大倍數(shù)高C、電壓放大倍數(shù)近似于1且小于1輸入電阻高，輸出電阻低引入并聯(lián)負反饋，可使放大器的 o ()A、輸出電壓穩(wěn)定 E、反饋環(huán)內(nèi)輸入電阻增加C、反饋環(huán)內(nèi)輸入電阻減小直接耦合放大器的低頻特性比阻容耦合放大器的 o ()A、好 E、差 C、相同工作在線性區(qū)的運

7、算放大器應(yīng)置于 狀態(tài)。()A、深度反饋E、開環(huán)C、閉環(huán)產(chǎn)生正弦波自激震蕩的穩(wěn)定條件是 O ()* V *A 、引入正反饋B 、|AF| > 1 C 、AF=1測量脈沖電壓(例如尖脈沖)的峰值應(yīng)使用 O ()A、交流毫伏表E、直流電壓表C、示波器、整流的目的是o ( A )A.將交流變?yōu)橹绷鰾.將高頻變?yōu)榈皖lC.將正弦波變?yōu)榉讲ㄔ趩蜗鄻蚴秸麟娐分?，若有一只整流管接反，則 o (A.輸出電壓約為2lb B. 變?yōu)榘氩ㄖ绷鰿.整流管將因電流過大而燒壞直流穩(wěn)壓電源中濾波電路的目的是 o ()A.將交流變?yōu)橹绷鰾.將高頻變?yōu)榈皖lC.將交、直流混合量中的交流成分濾濾波電路應(yīng)選用 o ()A.高通濾

8、波電路 B.低通濾波電路C.帶通濾波電路串聯(lián)型穩(wěn)壓電路中的放大環(huán)節(jié)所放大的對象是 O ()A.基準電壓B.采樣電壓C.基準電壓和采樣電壓之差開關(guān)型直流電源比線性直流電源效率高的原因是 O ()A.調(diào)整管工作在開關(guān)狀態(tài)B. 輸出端有LC濾波電路C.可以不用電源變壓器F列邏輯代數(shù)運算錯誤的是。)30.31.32.33.34.35.36.37.38.39.40.41.42.掉43.44.45.46.A. A 0=0B.A+仁A）。端有（）。）。倍。倍。C.AT=AD.A+0=A47. 在何種輸入情況下，“或非”運算的結(jié)果是邏輯1。（）A.全部輸入為0B.全部輸入為1C.任一輸入是0,其它輸入為1D.

9、任一輸入是148. 當某種門的輸入全部為高電平，而使輸出也為高電平者，則這種門將是（A.和非門及或非門B .和門C.或門及異或門D .和門及或非門49. TTL和非門的扇出系數(shù)是（）。A. 輸出端允許驅(qū)動各類型門電路的平均數(shù)目B. 輸出端允許驅(qū)動同類型門電路的最小數(shù)目C. 輸出端允許驅(qū)動同類型門電路的最大數(shù)目D. 以上各項都不是50. 一個16選1的數(shù)據(jù)選擇器（十六路數(shù)據(jù)選擇器），其地址輸入（選擇控制輸入）A. 1個B . 2個C. 4個D . 8個51. 對于JK觸發(fā)器，輸入J = 0, K= 1 , CP脈沖作用后，觸發(fā)器的狀態(tài)應(yīng)為（A. 1B. 0C.不定D.以上各項都不是52. 異步時

10、序電路和同步時序電路比較，其差異在于（）。A.沒有觸發(fā)器B .沒有統(tǒng)一的時鐘脈沖控制C.沒有穩(wěn)定狀態(tài)D .輸出只和內(nèi)部狀態(tài)有關(guān)53. 隨機存取存儲器（）。（）A.只讀存儲器B.揮發(fā)性存儲器C.不揮發(fā)性存儲器D.A、B、C三項都不是54.晶閘管內(nèi)部有（）PN結(jié)。A 一個，B二個,C三個，D四個55.單結(jié)晶體管內(nèi)部有()個PN結(jié)。A 一個，B二個，C三個，D四個56.晶閘管可控整流電路中的控制角a減小,則輸出的電壓平均值會（。A不變，B增大，C減小。57. 單相半波可控整流電路輸出直流電壓的平均值等于整流前交流電壓的（）A 1 ,B 0.5,C 0.45,D 0.9.58. 單相橋式可控整流電路輸

11、出直流電壓的平均值等于整流前交流電壓的（）A 1 ,B 0.5,C 0.45,D 0.9.59. 為了讓晶閘管可控整流電感性負載電路正常工作，應(yīng)在電路中接入（）。A三極管，B續(xù)流二極管，C保險絲。60. 晶閘管可整流電路中直流端的蓄電池或直流電動機應(yīng)該屬于）負載。A 電阻性，B電感性，C 反電動勢。61. 直流電動機由晶閘管供電和由直流發(fā)電機供電相比較，其機械特性（。A 一樣， B要硬一些，C 要軟一些。62. 帶平衡電抗器的雙反星型可控整流電路適用于（）負載。A大電流， B 高電壓， C 電動機。63. 晶閘管在電路中的門極正向偏壓（）愈好。A愈大,64.晶閘管兩端并聯(lián)一個A分流,B 愈小，

12、 C 不變RC電路的作用是（）。B 降壓，C 過電壓保護,D 過電流保護。65. 壓敏電阻在晶閘管整流電路中主要是用來（）。A分流,降壓，C 過電壓保護，D 過電流保護。66. 變壓器一次側(cè)接入壓敏電阻的目的是為了防止（C）對晶閘管的損壞。A 關(guān)斷過電壓，B 交流側(cè)操作過電壓，C 交流側(cè)浪涌。67. 晶閘管變流裝置的功率因數(shù)比較（）。A高， B 低， C 好。68. 晶閘管變流器接直流電動機的拖動系統(tǒng)中，當電動機在輕載狀況下，電樞電流較小時， 變流器輸出電流是（）的。A連續(xù)，B斷續(xù)，C 不變。69. 普通晶閘管的通態(tài)電流（額定電流）是用電流的（）來表示的。A有效值 B最大賽值C 平均值70.

13、普通的單相半控橋可整流裝置中一共用了（）晶閘管。A 一只， B 二只， C 三只， D 四只。，則這71. 在某放大電路中，測的三極管三個電極的靜態(tài)電位分別為0 V , -10 V , -9.3 V只三極管是（）。A. NPN型硅管 B.NPN 型鍺管C.PNP型硅管 D.PNP 型鍺管72. 某場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖所示，該管為（）。A. P溝道增強型 MOS管 B 、P溝道結(jié)型場效應(yīng)管C N溝道增強型MOS管 D、N溝道耗盡型MOS管73. 通用型集成運放的輸入級采用差動放大電路，這是因為它的（）。A.輸入電阻高B.輸出電阻低 C.共模抑制比大 D.電壓放大倍數(shù)大74. 在圖示電路中，Ri

14、為其輸入電阻，RS為常數(shù)，為使下限頻率fL降低，應(yīng)）。A. 減小C,減小Ri B. 減小C,增大RiC.增大C,減小Ri75. RC橋式正弦波振蕩電路由兩部分電路組成，即RC串并聯(lián)選頻網(wǎng)絡(luò)和（）。A.基本共射放大電路B.基本共集放大電路C.反相比例運算電路D.同相比例運算電路76. 已知某電路輸入電壓和輸出電壓的波形如圖所示，該電路可能是（）。A.積分運算電路B.微分運算電路C.過零比較器D.滯回比較器77正弦電壓u（t） =Umsin（ t） （V）,則正弦電壓的有效值等于（）A 2UmB.C.Um278為使放大電路的輸出電壓穩(wěn)定、輸入電阻增大，需引入的交流負反饋是（A.電壓串聯(lián)B.電壓并聯(lián)

15、C.電流串聯(lián)D.電流并聯(lián)A.R。=0B. Ro較大C. R。趨于：D. R。與信號有關(guān)80.集成運放作為線性使用時，電路形式一般是（）A.開環(huán)B.正反饋C.開環(huán)或正反饋D.深度負反饋81 .單相橋式整流電路，U2為變壓器副邊電壓有效值，則二極管承受的最高反壓Urm為）A. 2 2U 2B.、2U2C. 2U2D. U282 .開關(guān)型集成穩(wěn)壓器和普通線性集成穩(wěn)壓器相比較，前者的突出特點是（A.穩(wěn)壓效果好B.效率高C.濾波電容大D.輸出紋波小83 .卡諾圖中，把8個相鄰項合并，能夠消除的變量數(shù)為（A. 1個2個B.85 .兩個一位二進制數(shù) A和B的數(shù)據(jù)比較器，表示A>B的輸出G表達式為（A.

16、B.G =ABC.G =ABD.G =AB86 .在下列各圖中,能實行Qn T=Qn的電路是（QA87 .三極 管3值是 反映（）能力的參數(shù)。A.電壓控制電壓 B.電流控制電流C.電壓控制電流 D.電流控制電壓88. N溝道絕緣柵增強型場效應(yīng)管的電路符號是（昨h89. 互補對稱功率放大器是（）A.共發(fā)射極電路B.共基極電路C.共集電極電路D.差動電路90. 振蕩頻率較低，一般在1MHz以內(nèi)的電路是（A.變壓器耦合振蕩器B.文氏橋振蕩器C.電感三點式振蕩器D.電容三點式振蕩器91. 橋式整流電容濾波電路輸出電壓平均值UO（AV）=（）A. 0.45U2B. 0.9U2C. 1.1U2 D. 1.

17、2U292. 用三端穩(wěn)壓器組成穩(wěn)壓電路，要求U0=5V IO=O.5A 應(yīng)選用的穩(wěn)壓器是 （A. CW7805 B . CW7905C. CW78M05 D. CW78L0593. 三位二進制代碼可以編出的代碼有（）A. 3種 B. 4種C. 6種 D. 8種94. 發(fā)光二極管的工作電流為（）入幾幾十（微安）B.幾十幾百（微安）。.幾十幾（毫安）D.幾安培95. 在CP有效的情況下，當輸入端J=l、K=0時，貝U J-K觸發(fā)器的輸出Qn+（）A. 1 B. 0C. Qn D.匚96.已知邏輯函數(shù)-則根據(jù)邏輯關(guān)系可等效為（)&AC+BC氏AB + ACD, AU+AC97. 用555定時

18、器構(gòu)成的施密特觸發(fā)器當5腳經(jīng)電容接地時，兩個閾值電壓是（）扌卩血 扌卩er才卩乂 C.彳 % D. %98、 通常情況下，ADC和DAC從速度上比較（）A. DAC比 ADC快 B. DAC比 ADC慢C. 一樣快D.無法確定99、PN結(jié)在外加正向電壓的作用下，擴散電流（）漂移電流。a.大于 b.小于c.等于100、當環(huán)境溫度降低時，二極管的反向電流（）a.不變 b.增大c.減小101、 測得BJT各極對地電壓為 VB=4V VC=3 6V, VE=3. 4V,則該BJT工作在（）狀態(tài)。 a.截止 b. 飽和 c. 放大102、 NPN管工作在放大區(qū)時，三個極的電位特征是（）。a.VC >

19、; VB> VE b.VC v VBv VE c.VE v VB> VC d.VE > VB< VC103、 為了減小輸出電阻，集成運放的輸出級多采用（）電路。a.共射或共源b. 差分放大 c.互補對稱104、運放的共模抑制比越大越好，因為它越大，表明運放的（）a.放大倍數(shù)越穩(wěn)定b.交流放大倍數(shù)越大c.抑制溫漂能力越強105、 希望接上負載 RL后，VO基本不變，應(yīng)引入）負反饋。a.電壓 b.電流 c.串聯(lián)d. 并聯(lián)106、 要求得到一個由電流控制的電壓源，應(yīng)引入（）負反饋。a.電壓串聯(lián)b.電壓并聯(lián) c.電流串聯(lián)d. 電流并聯(lián)107、 某放大電路，當輸入電壓為10mV時

20、，輸出電壓為7V,輸入電壓為15mV時，輸出電壓 為 6.5V，貝U AV=（）a.700b.100c.-100108、某 BJT 的 IE=1mA IB=20A,貝U IC= （ ） mA109、PN結(jié)外加反向電壓時，其內(nèi)電場（ C ）。a.減弱b. 不變 c.增強110、鍺二極管的死區(qū)電壓為（）V。111、測得BJT各極對地電壓為 VB =1.8V , VE =0V, VC=12V則該管工作在（）狀態(tài)。a.截止 b. 飽和 c. 放大 d. 已損壞112、測得BJT三個管腳1、2、3對地電位分別為 0V, 0.2V， 3V,貝U 1、2、3腳對應(yīng)的三個極是（）。a、ebc b 、ecb c

21、 、cbe d 、bec113.OTL功放電路的輸出端通過耦合電容和負載相聯(lián)。靜態(tài)時，該電容上的電壓為（）。1a.VCC b. VCC c.2VCC2114. FET用于放大時，應(yīng)工作在（）區(qū)。a.可變電阻b. 飽和 c. 擊穿115. 為了提高輸入電阻，減小溫漂，集成運放的輸入級大多采用（）電路。a.共射或共源b.共集或共漏c.差放電路116. 希望靜態(tài)時，元件參數(shù)改變時對放大器靜態(tài)工作點的影響較小，應(yīng)引入（）負反饋。117. 要求得到一個由電流控制的電流源，應(yīng)引入（）負反饋。a.電壓串聯(lián)b. 電壓并聯(lián) c.電流串聯(lián)d. 電流并聯(lián)118. 測得 BJT 的 IB=30時，IC=2.4mA;

22、IB=40A時，IC=3mA 則它的值為（）。a、80 b 、60 c 、75 d 、100119. PN結(jié)外加正向電壓時，其空間電荷區(qū)（）。a.不變 b. 變寬 c. 變窄120. 測得BJT各電極對地電壓為：VB=4.7V, VC=4.3V, VE=4V則該BJT工作在（ ）狀態(tài)。a.截止 b. 飽和 c. 放大121. 測得放大電路中的 BJT各電極對地電壓為：VB=2.7V, VE=2V VC=6V則該BJT為（）。a.NPN硅管 b.NPN 鍺管 c.PNP 鍺管 d.PNP 硅管122.OCL功放電路的輸出端直接和負載相聯(lián)，靜態(tài)時，其直流電位為（）。a.VCC b.（1/2）VCC

23、 c. 0 d. 2VCC123. FET是（）控制器件。（）a. 電流 b. 電壓 c. 電場124. 通常要求運算放大器帶負載能力強，在這里，負載的大小是指負載（）。a.電阻大 b. 功率大 c. 電壓高125. 希望放大器輸入端向信號源索取的電流比較小，應(yīng)引入（）負反饋。a.電壓 b. 電流 c. 串聯(lián) d. 并聯(lián)126. 要求輸入電阻Ri大，輸出電流穩(wěn)定，應(yīng)引入（）負反饋。a.電壓串聯(lián)b.電壓并聯(lián)c. 電流串聯(lián) d.電流并聯(lián)127. 工作在放大區(qū)的 BJT, IB從20卩A增大到40卩A時，IC從1mA變?yōu)?mA則它的3值 為（）。a.10 b. 50c.100128. 若差分電路兩輸

24、入電壓分別為Vi仁10 mV Vi2=6mV,則Vid和Vic分別為（）mVa.48b.28 c. 42d.240 V , -10 V , -9.3 V，則這）。D.電壓放大倍數(shù)大129. 在某放大電路中，測的三極管三個電極的靜態(tài)電位分別為只三極管是（）。A. NPN型硅管B.NPN型鍺管C.PNP型硅管D.PNP型鍺管130. 某場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖所示，該管為（）。A. P溝道增強型 MOS管B、P溝道結(jié)型場效應(yīng)管C N溝道增強型 MOS管D、N溝道耗盡型 MOS管131. 通用型集成運放的輸入級采用差動放大電路，這是因為它的（A.輸入電阻高B.輸出電阻低C.共模抑制比大132. RC橋

25、式正弦波振蕩電路由兩部分電路組成，即RC串并聯(lián)選頻網(wǎng)絡(luò)和（）。A.基本共射放大電路B.基本共集放大電路C.反相比例運算電路D.同相比例運算電路133. 和甲類功率放大方式相比，乙類互補對稱功放的主要優(yōu)點是（）。a.不用輸出變壓器b .不用輸出端大電容c .效率高d .無交越失真134. 穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓時，其工作在（），發(fā)光二極管發(fā)光時，其工作在（）。a.正向?qū)▍^(qū)b .反向截止區(qū) c .反向擊穿區(qū)135. 為使PN結(jié)正向偏置，就使 P區(qū)接電源（），N區(qū)接電源（）A.正極、負極B。負極、正極C.正極、正極D。負極、負極136. 在下圖所示電路中，穩(wěn)壓管 Dw和Dw2的穩(wěn)壓值分別為 6V和7V,且

26、工作在穩(wěn)壓狀態(tài)， 由此可知輸出電壓 UO為（）。A. 6VB 。7V C 。0V D 。1V137.(A.若分別測得放大電路中的）c、b、e B.eNPN型硅管各極電位如下圖所示，則管腳分別為電極c、b C.bD.be、 c13 8.如下圖所示各電路中,處于放大狀態(tài)的三極管是（0.3V0V12V139. 為了消除基本共射放大電路的飽和失真，應(yīng)（）A .減小基極偏置電阻B。增大基極偏置電阻C .減小集電極偏置電阻D。增大集電極偏置電阻140. 溫度升高時，三極管的部分參數(shù)的變化規(guī)律是（）A.B f、I CEof、UBe TB。B f、I CEO?、LBe JC.B J、I ceoT、UBe fD

27、。B f、I ceoJ、Lbe J141. 以下哪些不屬于引入負反饋后對電路的影響（）A. 使放大電路的放大倍數(shù)減小B. 使放大電路通頻帶展寬C. 改變放大電路的輸入輸出電阻D. 使放大電路放大倍數(shù)增大142. 由NPN管組成的基本共射放大電路，輸入信號為正弦波，輸出電壓出現(xiàn)頂部被削平的失真這種失真是（）A .飽和失真 B 。頻率失真 C。截止失真D 。以上均不定143. 表征場效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)是（）A .夾斷電壓UpB。低頻互導（跨導）gmC .飽和漏極電流I DSS D。最大柵源電壓BUGs144. 源極輸出器類似于（）A 共發(fā)射極放大電路B。共基極放大電路C 共集電極放大電路D。

28、共漏極放大電路145. N溝道結(jié)型場效應(yīng)管處于放大狀態(tài)要求（）A . UgS>0B 。Lhs=OC 。Ugs<0D 。UDs=O146. LC正弦波振蕩電路起振的振幅條件是（）A .| AF| =0 B. | AF| =1 C. | AF| <1 D. | AF | >1147. 采用石英晶體振蕩電路的主要目的是（）A .提高輸出信號幅度B。抽調(diào)輸出信號的頻率C .提高輸出信號的穩(wěn)定性D。增大輸出信號的頻率范圍14 8.雙端輸入雙端輸出差動放大器用成倍的元件來換取（）A .對零點漂移的抑制B.較大的電壓放大倍數(shù)C.較高的頻率穩(wěn)定度D.較大的輸出信號幅度149.和乙類功放

29、器比較,甲乙類功放器的主要優(yōu)點是 （）A.放大倍數(shù)大B.頻率咼C.無交越失具D.輸出信號幅度大150.和甲類功放器比較,乙類功放器的主要優(yōu)點是（）A.放大倍數(shù)大D.頻率咼C.無交越失具D.輸出信號幅度大、多選題1. 穩(wěn)壓二極管是一個可逆擊穿二極管，穩(wěn)壓時工作在 狀態(tài)，但其兩端電壓必須，它的穩(wěn)壓值 Uz才有導通電流，否則處于 狀態(tài)。（）A 正偏B、反偏 C、大于 D、小于 E、導通 F、截止2. 用直流電壓表測得放大電路中某三極管各極電位分別是2V、6V、2.7V ,則三個電極分別(NPN E、(PNP3.共射極放大電路的交流輸出波形上半周失真時為，此時應(yīng)該偏置電A、( B CE)B、( C B

30、、E)C、(E、CB)D阻。A、飽和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、減小4. 分析運放的兩個依據(jù)是I.A、U- U+ B、 I-1+ 0 C 、U0=UI D 、Au=15. 用直流電壓表測得放大電路中某三極管各管腳電位分別是2V、6V、2.7V，則三個電極分別是，該管是型。（）A、（ B CE）B、（ CB、E）C、（ E、CB）D、（ PNP E、（NPN6.共射極放大電路的交流輸出波形上半周失真時為失真，下半周失真時為失真。（）A、飽和 B 、截止 C、交越 D 、頻率7.當集成運放線性工作時，有兩條分析依據(jù) 。（）A U- U+ B、 I-I+ 0 C 、U0=UI D

31、 、Au=1測某電路中三極管各極電位分別是0 V、-6V、0.2V則三極管的三個電極分別是，該管是。（）A （E、C、B） B（C、B、E） C（B 、C、E） D（PNP） E（NPN）共射極放大電路的交流輸出波形上半周失真時為 失真。共射極放大電路的交流輸出波形下半周失真時為 失真。（）A飽和B截止 C 交越 D 頻率8.9.10.11.12.13.14.15.16.17.18.19.()A Uo 高 BPo大 C 效率高D Ri 大E波形不失真對功率放大器的主要要求有測得某電路中三極管各極電位分別是3V、2.3V、12V則三極管的三個電極分別是，該管是型。A (E、B、C) B(B、C、

32、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)共射極放大電路的交流輸出波形上半周失真時為失真。共射極放大電路的交流輸出波形下半周失真時為失真。當集成運放線性工作時，在兩條分析依據(jù)Au=1A U-=U+ B l-=l+=0 C Uo=UiA飽和B截止 C 交越 D 頻率當集成運放線性工作時，在兩條分析依據(jù) 。（）A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1用直流電壓表測得放大電路中某三極管各極電位分別是2V、6V、2.7V，則三個電極分別是，該管是型。A （ B C E） B、（ C、B E） C、（E、C B） D、（ NPN E、（ PNP共射極放大電路的交流輸出波形

33、上半周失真時為 ，此時應(yīng)該偏置電阻。A、飽和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、減小共射極放大電路的交流輸出波形上半周失真時為失真，下半周失真時為 失真。A、飽和 B 、截止 C、交越D 、頻率測得某電路中三極管各極電位分別是3V、2.3V、12V則三極管的三個電極分別是，該管是型。A (E、B、C) B(B、C、E)C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)共射極放大電路的交流輸出波形上半周失真時為 失真。共射極放大電路的交流輸出波形下半周失真時為 失真。A飽和B截止 C 交越 D 頻率20. 為了減小輸出電阻，應(yīng)在放大電路中引入 ;A 為了穩(wěn)定靜態(tài)工作點，應(yīng)在放大電路中引入

34、(A)電流負反饋（B）電壓負反饋（C）直流負反饋（D）交流負反饋21.在（A）、（B）、（C）三種電路中輸出電阻最小的電路是;(A)既能放大電流，又能放大電壓的電路是。(B)（A）共基放大電路（B）共集放大電路（C）共射放大電路22.當NPN型晶體管工作在放大區(qū)時，各極電位關(guān)系為UCubue。(A)(A)>(B)<(C)=(D)w23.為了增大輸出電阻，應(yīng)在放大電路中引入;為了展寬頻帶，應(yīng)在放大電路中引入。(A)電流負反饋（B）電壓負反饋（C）直流負反饋（D）交流負反饋24.在（A）、（B）、（C）三種電路中輸入電阻最大的電路是;既能放大電流，又能放大電壓的電路是 。（A）共基放大

35、電路（B）共集放大電路（C）共射放大電路25. （ 6）當PNP型晶體管工作在放大區(qū)時，各極電位關(guān)系為 ucUbue（A） >（B）<（C） =（D）w三、判斷題1. 在運算電路中，同相輸入端和反相輸入端均為“虛地”。（）2. 電壓負反饋穩(wěn)定輸出電壓，電流負反饋穩(wěn)定輸出電流。（）3. 使輸入量減小的反饋是負反饋，否則為正反饋。（）4. 產(chǎn)生零點漂移的原因主要是晶體管參數(shù)受溫度的影響。（）5. 利用兩只NPN型管構(gòu)成的復合管只能等效為NPN型管。（6. 本征半導體溫度升高后兩種載流子濃度仍然相等。）7. 未加外部電壓時，PN結(jié)中電流從P區(qū)流向N區(qū)。（）8. 集成運放在開環(huán)情況下一定工

36、作在非線性區(qū)。（）9. 只要引入正反饋，電路就會產(chǎn)生正弦波振蕩。（）10. 直流穩(wěn)壓電源中的濾波電路是低通濾波電路。（）11. 只要滿足相位平衡條件，電路就會產(chǎn)生正弦波振蕩。（）12. 引入直流負反饋可以穩(wěn)定靜態(tài)工作點。13. 負反饋越深，電路的性能越穩(wěn)定。（）14. 零點漂移就是靜態(tài)工作點的漂移。（）15. 放大電路采用復合管是為了增大放大倍數(shù)和輸入電阻。（）16. 鏡像電流源電路中兩只晶體管的特性應(yīng)完全相同。（）17. 半導體中的空穴帶正電。（）18. P型半導體帶正電，N型半導體帶負電。（）19. 實現(xiàn)運算電路不一定非引入負反饋。（）20. 凡是引入正反饋的集成運放，一定工作在非線性區(qū)。

37、（）21. yD/A轉(zhuǎn)換器的位數(shù)越多，轉(zhuǎn)換精度越高。（）22. A/D轉(zhuǎn)換器的二進制數(shù)的位數(shù)越多，量化單位越小。（）23. A/D轉(zhuǎn)換過程中，必然會出現(xiàn)量化誤差。（）24. 同步時序電路由組合電路和存儲器兩部分組成。（）25. 組合電路不含有記憶功能的器件。（）26. 時序電路不含有記憶功能的器件。（）27. 同步時序電路具有統(tǒng)一的時鐘 CF控制。（）28. 異步時序電路的各級觸發(fā)器類型不同。（）29. 環(huán)形計數(shù)器在每個時鐘脈沖 CP乍用時，僅有一位觸發(fā)器發(fā)生狀態(tài)更新。（）30. 邏輯變量的取值，1比0大。（）。31. 異或函數(shù)和同或函數(shù)在邏輯上互為反函數(shù)。（）32. 若兩個函數(shù)具有相同的真值

38、表，則兩個邏輯函數(shù)必然相等。（）33. 因為邏輯表達式 A+B+AB=A+B成立，所以AB=0成立。（）34. 若兩個函數(shù)具有不同的邏輯函數(shù)式，則兩個邏輯函數(shù)必然不相等。（）35. 邏輯函數(shù)兩次求反則還原，邏輯函數(shù)的對偶式再作對偶變換也還原為它本身。（）36. 方波的占空比為 0.5。（）37. 數(shù)字電路中用“ 1 ”和“ 0 ”分別表示兩種狀態(tài)，二者無大小之分。（）38. 在時間和幅度上都斷續(xù)變化的信號是數(shù)字信號，語音信號不是數(shù)字信號。（）39. 運算電路中一般均引入負反饋。（）40. 在運算電路中，集成運放的反相輸入端均為虛地。（）41. 凡是運算電路都可利用“虛短”和“虛斷”的概念求解運

39、算關(guān)系。（）42. 各種濾波電路的通帶放大倍數(shù)的數(shù)值均大于1。（）43. 若放大電路的放大倍數(shù)為負，則引入的反饋一定是負反饋。（）44. 負反饋放大電路的放大倍數(shù)和組成它的基本放大電路的放大倍數(shù)量綱相同。（）45. 若放大電路引入負反饋，則負載電阻變化時，輸出電壓基本不變。（）46. 阻容耦合放大電路的耦合電容、旁路電容越多，引入負反饋后，越容易產(chǎn)生低頻振蕩。（）47. 只要在放大電路中引入反饋，就一定能使其性能得到改善。（）48. 放大電路的級數(shù)越多，引入的負反饋越強，電路的放大倍數(shù)也就越穩(wěn)定。（）49. 反饋量僅僅決定于輸出量。（）50. 既然電流負反饋穩(wěn)定輸出電流，那么必然穩(wěn)定輸出電壓。

40、（）51. 現(xiàn)測得兩個共射放大電路空載時的電壓放大倍數(shù)均為-100,將它們連成兩級放大電路，其電壓放大倍數(shù)應(yīng)為10000。（）52. 阻容耦合多級放大電路各級的C點相互獨立，它只能放大交流信號。（）53. 直接耦合多級放大電路各級的C點相互影響，它只能放大直流信號。（）（）（）負載上可能獲得的最大交流功54. 只有直接耦合放大電路中晶休管的參數(shù)才隨溫度而變化。55. 互補輸出級應(yīng)采用共集或共漏接法。（）56. 在功率放大電路中，輸出功率愈大，功放管的功耗愈大。57. 功率放大電路的最大輸出功率是指在基本不失真情況下,率。（）58. 當OCI電路的最大輸出功率為1W寸，功放管的集電極最大耗散功率

41、應(yīng)大于1W （）59. 在N型半導體中如果摻入足夠量的三價元素，可將其改型為P型半導體。（）60. 因為N型半導體的多子是自由電子，所以它帶負電。（）61. PN吉在無光照、無外加電壓時，結(jié)電流為零。 （）62. 處于放大狀態(tài)的晶體管，集電極電流是多子漂移運動形成的。（）64. 普通晶閘管內(nèi)部有兩個 PN結(jié)。（）65. 普通晶閘管外部有三個電極，分別是基極、發(fā)射極和集電極。（）66. 型號為KP50-7的半導體器件，是一個額定電流為50A的普通晶閘管。（）67. 只要讓加在晶閘管兩端的電壓減小為零，晶閘管就會關(guān)斷。（）68. 只要給門極加上觸發(fā)電壓，晶閘管就導通。（）69. 晶閘管加上陽極電壓

42、后，不給門極加觸發(fā)電壓，晶閘管也會導通。（）70. 加在晶閘管門極上的觸發(fā)電壓，最高不得超過100V。）71. 單向半控橋可控整流電路中，兩只晶閘管采用的是“共陽”接法。（）72. 晶閘管采用“共陰”接法或“共陽”接法都一樣。（）73. 增大晶閘管整流裝置的控制角a，輸出直流電壓的平均值會增大。（）74. 在觸發(fā)電路中采用脈沖變壓器可保障人員和設(shè)備的安全。（）75. 為防止“關(guān)斷過電壓”損壞晶閘管，可在管子兩端并接壓敏電阻。（）76. 雷擊過電壓可以用 RC吸收回路來抑制。（）77. 硒堆發(fā)生過電壓擊穿后就不能再使用了。（）78. 晶閘管串聯(lián)使用須采取“均壓措施”。（）79. 為防止過電流，只

43、須在晶閘管電路中接入快速熔斷器即可。（）80. 快速熔斷器必須和其它過電流保護措施同時使用。（）81. 晶閘管并聯(lián)使用須采取“均壓措施”。（）82. 在電路中接入單結(jié)晶體管時，若把 bl、b2接反了，就會燒壞管子。（）83. 單結(jié)晶體管組成的觸發(fā)電路也可以用在雙向晶閘管電路中。（）84. 單結(jié)晶體管組成的觸發(fā)電路輸出的脈沖比較窄。（）85、單結(jié)晶體管組成的觸發(fā)電路不能很好地滿足電感性或反電動勢負載的要求。（）86、 PN結(jié)中的空間電荷區(qū)是由帶電的正負離子形成的，因而它的電阻率很高。（）87、 集電結(jié)處于正偏的 BJT,它一定工作在飽和區(qū)。（）88. BJT的"直越大，放大能力越強，但在選用BJT時，并不是1值越大越好。（）89. 集電極電阻RC的作用是將集電極電流的變化轉(zhuǎn)換成電壓的變化，實現(xiàn)電壓放大。因此， RC的值越大，輸出電壓越高。（）90只要將晶體管的靜態(tài)工作點設(shè)置在BJT特性曲線的線性放大區(qū)，則不論輸入什么信號,都不會產(chǎn)生非線性失真。（）91. 分壓偏置電路的發(fā)射極電阻Re越大，工作點穩(wěn)定性越好。但Re過大，會使BJT的VCE減小，影響放大器的正常工作。（）92. 射極輸出器的輸入電流是 IB，輸出電流是IE，因此，具有較高的電