芯片測(cè)試規(guī)范

1、測(cè)試規(guī)范1 .適用范圍1.1 本規(guī)范為導(dǎo)入DDR芯片的測(cè)試方法和標(biāo)準(zhǔn)，以驗(yàn)證和確認(rèn)新物料是否適合批量生 產(chǎn)；.2 .目的2.1 使開發(fā)部門導(dǎo)入新的關(guān)鍵器件過程中有章可循，有據(jù)可依。3 .可靠性測(cè)試3.1 :如果替代料是FLASH的話，我們一般需要做10個(gè)循環(huán)的拷貝校驗(yàn)（我們測(cè)試工具APK設(shè)置：500M/拷貝次數(shù)/重啟10次）3.2 :如果替代料是DDR的話，我們也需要驗(yàn)證 DDR的運(yùn)行穩(wěn)定性，那么也需要做循環(huán)拷貝校驗(yàn)（測(cè)試工具APK設(shè)置：500M/拷貝次數(shù)/重啟5次）PS : 1.拷貝次數(shù)=（FLASH 可用容量 *1024M/500M） -12 .DDR驗(yàn)證只需要驗(yàn)證運(yùn)行穩(wěn)定性，所以一般做3

2、-5個(gè)循環(huán)就OK 了, FLASH要求比較嚴(yán)格，一般需要做10個(gè)循環(huán)以上；3 .考慮到FLASH壓力測(cè)試超過20次以上可能會(huì)對(duì)MLC造成影響， 故對(duì)于驗(yàn)證次數(shù)太多的機(jī)器出貨前需要更換。7 .常溫老化：PND我們一般跑模擬導(dǎo)航持續(xù)運(yùn)行12H ,安卓我們一般運(yùn)行 MP4-1080P 持續(xù)老化12H ,老化后需要評(píng)估休眠喚醒是否正常；8 .高低溫老化：環(huán)境（60度，-10度）基于高低溫下DDR運(yùn)行穩(wěn)定性或存在一定的影響，DDR替代需要進(jìn)行高 低溫老化，我們PND 一般運(yùn)行模擬導(dǎo)航、安卓因?yàn)檫\(yùn)行模導(dǎo)不太方便，就運(yùn)行 MP4各持續(xù)老化12H。從多年的經(jīng)驗(yàn)來看，F(xiàn)LASH對(duì)于溫度要求沒有這么敏感。9 .自

3、動(dòng)重啟測(cè)試：一般做50次/PCS,需要每次啟動(dòng)系統(tǒng)都能正常啟動(dòng)；- 一般是前面恢復(fù)出廠設(shè)置有問題，異常的機(jī)器排查才會(huì)用到；10 .復(fù)位、通斷電測(cè)試：這個(gè)測(cè)試屬于系統(tǒng)破壞性測(cè)試，測(cè)試非正常操作是否存在掉程序的現(xiàn)象，一般做 20次/PCS,要求系統(tǒng)能夠正常啟動(dòng)。1.焊接效果，如果是內(nèi)部焊接的話，需要采用 X-RAY評(píng)估，LGA封裝的話 就需要SMT制程工藝規(guī)避空洞率；2 .功能測(cè)試；3 .休眠電流、休眠喚醒測(cè)試：DDR必測(cè)項(xiàng)目，反復(fù)休眠喚醒最好 3-5次/PCS, 休眠電流大小自行定義；FLASH測(cè)不測(cè)影響不大；4 .容量檢查，容量標(biāo)準(zhǔn)你們根據(jù)客戶需求自行定義，當(dāng)然是越大越好；-大貨時(shí)這一點(diǎn)最好提

4、供工具給到阿杜隨線篩選；5 .恢復(fù)出廠設(shè)置：我們一般做 50次/PCS,運(yùn)行正常的話界面會(huì)顯示 50次 測(cè)試完成，如果出現(xiàn)中途不進(jìn)主界面、死機(jī)等異?，F(xiàn)象就需要分析問題根源；6 .FLASH壓力測(cè)試：這部分需要分開來說明4 .測(cè)試環(huán)境溫度：25±2C濕度：60%70%;大氣壓強(qiáng)：86kPa 106kPa。5 .測(cè)試工具可調(diào)電源（最好能顯示對(duì)應(yīng)輸出電流）可調(diào)電子負(fù)載示波器萬用表6 .測(cè)試參數(shù)表1電源芯片測(cè)試參數(shù)待測(cè)參數(shù)必測(cè)項(xiàng)選測(cè)項(xiàng)測(cè)試方法簡(jiǎn)要說明輸入電壓范圍V1）調(diào)節(jié)電子負(fù)載，保證電源芯片滿載工作；2）調(diào)節(jié)可調(diào)電源輸出為下限值VIN_MIN，記錄此時(shí)對(duì)應(yīng)輸出電壓，記為V13）調(diào)節(jié)可調(diào)電源

5、輸出為下限值VIN_MAX，記錄此時(shí)輸出電壓，記為 V24）電源芯片額定輸出為V05）分別計(jì)算|V1-V0|/V0180 % ,|V2-V0|/V0180%,判斷此時(shí)的輸出是否滿足精度要求輸出精度V記錄電源芯片所有可.能的輸出電壓最大值、最小值，進(jìn)行計(jì)算紋波及噪聲V如圖2所示，測(cè)試時(shí)，在輸入端磁片電容兩側(cè)焊 接兩“牛角”引線，示波器探頭去掉負(fù)端夾子， 將示波器探針和負(fù)端金屬環(huán)直接貼在磁片電容 的兩“牛角”上。開關(guān)頻率V測(cè)試紋波的同時(shí)，記錄相應(yīng)的紋波頻率， 即為開 關(guān)頻率電壓調(diào)整率V1）設(shè)置可調(diào)電子負(fù)載，使電源滿載輸出；2）調(diào)節(jié)電源芯片輸入端可調(diào)電源的電壓，使輸入電壓為下限值，記錄對(duì)應(yīng)的輸出電壓

6、U1;3）增大輸入電壓到額定值，記錄對(duì)應(yīng)的輸出電壓U0;4）調(diào)節(jié)輸入電壓為上限值，記錄對(duì)應(yīng)的輸出電壓U2;5按卜式計(jì)算：電壓調(diào)整率=（U- U0）/U0 X100%式中：U為U1和U2中相對(duì)U0變化較大的值；負(fù)載調(diào)整率V1）輸入電壓為額定值，輸出電流取最小值，記 求取小負(fù)載里的輸出電壓 U1 ;2）調(diào)節(jié)負(fù)載為 50%滿載，記錄對(duì)應(yīng)的輸出電壓 U0;3）調(diào)節(jié)負(fù)載為滿載，記錄對(duì)應(yīng)的輸出電壓U2;4）負(fù)載調(diào)整率按以下公式計(jì)算：調(diào)整率=（U- U0）/U0 X100%式中：U為U1和U2中相對(duì)U0變化較大的值；電源效率V電源效率隨負(fù)載大小變化，如圖3所示。25 C、80%負(fù)載情況下電源效率測(cè)試方法如下

7、：1）調(diào)節(jié)電子負(fù)載，保證輸出電流為80%滿載情況；此時(shí)對(duì)應(yīng)的輸出電壓記為 U0,電流記為I0；2）調(diào)節(jié)輸入端可調(diào)電源，保證給電源芯片提供 額定輸入電壓 U1,并記錄此時(shí)可調(diào)電源的輸 出電流，記為I1;3）電源效率按以下公式計(jì)算：電源效率=（U0XI0）/（U1 K） 100%輸出取大功率V該參數(shù)與環(huán)境溫度有美，如圖 4所示。該測(cè)試可借助高溫環(huán)境實(shí)驗(yàn)進(jìn)行空載對(duì)應(yīng)芯片功耗V電源輸出端為空載時(shí)， 記錄此時(shí)對(duì)應(yīng)PJ調(diào)電源對(duì) 應(yīng)的電壓、對(duì)應(yīng)電流，分別記為U、I,則：空載功耗=Ux I;隔高電壓V只針對(duì)隔離DC/DC隔高電阻V只針對(duì)隔離DC/DC芯片最大溫升（結(jié)溫）V如果手冊(cè)給出芯片結(jié)-殼之間熱阻系數(shù)。J

8、C:1）將溫度傳感器或點(diǎn)溫計(jì)貼于待測(cè)電源芯片殼 體表面；2）調(diào)節(jié)電子負(fù)載，保證滿載輸出，假定此時(shí)對(duì)應(yīng)的輸出功率為 P0;3）待電源芯片工作穩(wěn)定后，讀出對(duì)應(yīng)芯片殼體表面溫度，記為T0;4）則芯片結(jié)溫=T0+ P0刈JC;如果手冊(cè)給出的是芯片結(jié)-環(huán)境之間的熱阻系數(shù)0 JA:1）調(diào)節(jié)電子負(fù)載，保證滿載輸出，假定此時(shí)對(duì)應(yīng)的輸出功率為 P0；2）記錄測(cè)試現(xiàn)場(chǎng)對(duì)應(yīng)環(huán)境溫度，記為T0;3）則芯片結(jié)溫=T0+ P0應(yīng)JA比較計(jì)算所得芯片結(jié)溫（T1）與該電源芯片所允許最大結(jié)溫（T2）,設(shè)公司要求的此類電源溫度 降額為T3,貝U驗(yàn)證T2-T1>T3?工作環(huán)境溫度V借助高、低溫實(shí)驗(yàn)進(jìn)行，觀察在高溫、低溫環(huán)境 下，電