晉城MOSFET功率器件項目建議書模板范文

1、泓域咨詢/晉城MOSFET功率器件項目建議書目錄第一章 市場預測7一、 MOSFET器件概述7二、 功率半導體行業(yè)概述11三、 功率器件應用發(fā)展機遇13第二章 項目背景、必要性18一、 中國半導體行業(yè)發(fā)展概況18二、 功率MOSFET的行業(yè)發(fā)展趨勢18三、 堅持創(chuàng)新驅動發(fā)展，打造一流創(chuàng)新生態(tài)20四、 項目實施的必要性23第三章 項目總論24一、 項目名稱及項目單位24二、 項目建設地點24三、 可行性研究范圍24四、 編制依據(jù)和技術原則25五、 建設背景、規(guī)模26六、 項目建設進度27七、 環(huán)境影響27八、 建設投資估算27九、 項目主要技術經(jīng)濟指標28主要經(jīng)濟指標一覽表28十、 主要結論及建

2、議30第四章 建筑工程方案31一、 項目工程設計總體要求31二、 建設方案32三、 建筑工程建設指標32建筑工程投資一覽表33第五章 選址方案35一、 項目選址原則35二、 建設區(qū)基本情況35三、 堅持供需兩側發(fā)力，積極融入新發(fā)展格局38四、 聚焦“六新”突破，塑造換道賽跑新優(yōu)勢40五、 項目選址綜合評價43第六章 建設方案與產(chǎn)品規(guī)劃44一、 建設規(guī)模及主要建設內容44二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領44產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表44第七章 SWOT分析說明47一、 優(yōu)勢分析（S）47二、 劣勢分析（W）49三、 機會分析（O）49四、 威脅分析（T）50第八章 法人治理54一、 股東權利及義務54二、

3、董事56三、 高級管理人員61四、 監(jiān)事63第九章 人力資源分析66一、 人力資源配置66勞動定員一覽表66二、 員工技能培訓66第十章 勞動安全68一、 編制依據(jù)68二、 防范措施69三、 預期效果評價75第十一章 項目節(jié)能說明76一、 項目節(jié)能概述76二、 能源消費種類和數(shù)量分析77能耗分析一覽表78三、 項目節(jié)能措施78四、 節(jié)能綜合評價79第十二章 進度計劃方案80一、 項目進度安排80項目實施進度計劃一覽表80二、 項目實施保障措施81第十三章 投資計劃方案82一、 投資估算的依據(jù)和說明82二、 建設投資估算83建設投資估算表87三、 建設期利息87建設期利息估算表87固定資產(chǎn)投資估

4、算表89四、 流動資金89流動資金估算表90五、 項目總投資91總投資及構成一覽表91六、 資金籌措與投資計劃92項目投資計劃與資金籌措一覽表92第十四章 項目經(jīng)濟效益94一、 基本假設及基礎參數(shù)選取94二、 經(jīng)濟評價財務測算94營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表94綜合總成本費用估算表96利潤及利潤分配表98三、 項目盈利能力分析99項目投資現(xiàn)金流量表100四、 財務生存能力分析102五、 償債能力分析102借款還本付息計劃表103六、 經(jīng)濟評價結論104第十五章 項目風險評估105一、 項目風險分析105二、 項目風險對策107第十六章 項目綜合評價說明110第十七章 補充表格112主要經(jīng)

5、濟指標一覽表112建設投資估算表113建設期利息估算表114固定資產(chǎn)投資估算表115流動資金估算表116總投資及構成一覽表117項目投資計劃與資金籌措一覽表118營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表119綜合總成本費用估算表119固定資產(chǎn)折舊費估算表120無形資產(chǎn)和其他資產(chǎn)攤銷估算表121利潤及利潤分配表122項目投資現(xiàn)金流量表123借款還本付息計劃表124建筑工程投資一覽表125項目實施進度計劃一覽表126主要設備購置一覽表127能耗分析一覽表127本報告為模板參考范文，不作為投資建議，僅供參考。報告產(chǎn)業(yè)背景、市場分析、技術方案、風險評估等內容基于公開信息；項目建設方案、投資估算、經(jīng)濟效益分析

6、等內容基于行業(yè)研究模型。本報告可用于學習交流或模板參考應用。第一章 市場預測一、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全稱金屬氧化物半導體場效應管，是一種可以廣泛使用在模擬與數(shù)字電路的場效應晶體管。MOSFET器件具有高頻、驅動簡單、抗擊穿性好等特點，應用范圍涵蓋通信、消費電子、汽車電子、工業(yè)控制、計算機及外設設備、電源管理等多個領域。2019年全球MOSFET器件市場需求規(guī)模達到84.20億美元，受疫情影響，2020預計市場規(guī)模下降至73.88億美元，但預計未來全球MOSFET器件市場將繼續(xù)保持平穩(wěn)回增，2024年市場規(guī)模有望恢復至77.02億美元。2019年全球MOSFET

7、器件市場中，英飛凌排名第一，市場占有率達到24.79%，前十大公司市場占有率達到74.42%。中國本土企業(yè)中，聞泰收購的安世半導體、中國本土成長起來的華潤微電子、揚杰科技進入前十，分別占比3.93%、3.09%和1.80%。根據(jù)Omdia的統(tǒng)計，2019年我國MOSFET器件市場規(guī)模為33.42億美元，2017年-2019年復合年均增長率為7.89%，高于功率半導體行業(yè)平均的增速。在下游的應用領域中，消費電子、通信、工業(yè)控制、汽車電子占據(jù)了主要的市場份額，其中消費電子與汽車電子占比最高。在消費電子領域，主板、顯卡的升級換代、快充、Type-C接口的持續(xù)滲透持續(xù)帶動MOSFET器件的市場需求，在

8、汽車電子領域，MOSFET器件在電動馬達輔助驅動、電動助力轉向及電機驅動等動力控制系統(tǒng)，以及電池管理系統(tǒng)等功率變換模塊領域均發(fā)揮重要作用，有著廣闊的應用市場及發(fā)展前景。2019年，中國MOSFET器件市場中，英飛凌排名第一，市占率達到24.95%，前十大公司市占率達到74.54%。中國本土企業(yè)中，華潤微電子、揚杰科技、聞泰收購的安世半導體和吉林華微電子進入前十，分別占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超級結MOSFET繼二十世紀五十年代起，真空管逐漸被固體器件替代，以硅材料為基礎的功率器件成為研究主流。二十世紀七十年代，用二氧化硅改善雙極性晶體管性能的功率MOSFET開始出

9、現(xiàn)。隨著功率器件在消費、醫(yī)藥、工業(yè)、運輸業(yè)中的廣泛應用，能夠降低成本且提高系統(tǒng)效率的高性能功率器件的需求日漸提升。由于MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，因此在高壓領域，普通MOSFET導通阻抗大，難以滿足實際應用需要，多次注入的超級結和深槽的超級結MOSFET結構由此被提出。超級結MOSFET全稱超級結型MOSFET，是MOSFET結構設計的先進技術。該結構具備更好的導通特性，可以工作于更大的電流條件。通常情況下，高壓VDMOS采用平面柵結構。由于擊穿電壓與N-外延層厚度成正比，因此要獲得更高的擊穿電壓需要更厚尺寸的外延層和更淡的摻雜濃度，導致其導通電阻和損耗隨著外延層厚度增

10、加而急劇增大，額定電流同步降低。超級結MOSFET的漂移區(qū)具有多個P柱，可以補償N區(qū)中的電荷。在器件關斷時，N型外延層和P柱相互耗盡，可以在N型外延層摻雜濃度比高壓VDMOS對應的N外延濃度高很多時也可以有較高的耐受電壓；在器件導通時，N摻雜區(qū)作為導通時的電流通路。由此，超級結結構兼具高耐壓特性和低電阻特性。由于超級結MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的增加而線性增加，對于相同的擊穿電壓和管芯尺寸，其導通電阻遠小于普通高壓VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速開關應用中。相較于普通硅基MOSFET功率器件，高壓超級結MOSFET功率器件系更先進、更適用于大電流環(huán)境下的高性能功率器件。隨

11、著5G通訊、汽車電動化、高性能充電器等應用領域的發(fā)展，高壓超級結MOSFET將擁有更快的市場增速。根據(jù)Omdia和Yole的統(tǒng)計及預測，2020年與2025年硅基MOSFET的晶圓月出貨量（折合8英寸）分別為59.7萬片與73.9萬片，年均復合增長為4.3%。其中，超級結MOSFET由23.8萬片增長至35.1萬片，年均復合增長率為8.1%，增長速度約為普通硅基MOSFET功率器件的兩倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是由雙極型三極管BJT和MOSFET組成的復合全控型電壓驅動式功率器件。IGBT具有電導調制能力，相對于MOSFET和雙極晶體管具有較強的正向電流傳導密度

12、和低通態(tài)壓降。IGBT被廣泛應用于逆變器、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。隨著新能源汽車、通信、計算機、消費電子、汽車電子、航空航天、國防軍工等應用需求增長，全球IGBT分立器件市場將持續(xù)擴大。根據(jù)Omdia的統(tǒng)計，2019年市場規(guī)模為16.03億美元，2017-2019年復合年均增長率為11.73%，2024年市場規(guī)模有望達到16.82億美元。2019年全球IGBT分立器件領域中，英飛凌銷售額排名第一，市占率高達30.22%，前十大公司合計占比達到75.42%，中國廠商中，吉林華微電子進入前十，市占率為2.41%。根據(jù)Omdia的統(tǒng)計，2017年我國IGBT分立器件市場規(guī)模為4.

13、26億美元，2019年為6.05億美元，對應復合年均增長率為19.17%。IGBT是國家16個重大技術突破專項中的重點扶持項目，被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。在中低電壓領域，IGBT廣泛應用于新能源汽車和白色家電中；在1700V以上的高電壓領域，IGBT廣泛應用于軌道交通、清潔發(fā)電、智能電網(wǎng)等重要領域。2019年，中國IGBT分立器件市場中英飛凌排名第一，市占率為24.28%，前十大公司合計占比達到69.57%，中國廠商吉林華微電子、華潤微電子進入前十，市占率分別為4.71%、3.65%。我國IGBT產(chǎn)業(yè)起步較晚，未來進口替代空間巨大，目前在部分領域已經(jīng)實現(xiàn)了技術突破和國產(chǎn)化。此外，在新能

14、源汽車領域，IGBT是電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件，隨著未來新能源汽車等新興市場的快速發(fā)展，IGBT產(chǎn)業(yè)將迎來黃金發(fā)展期。二、 功率半導體行業(yè)概述1、功率半導體介紹功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。近年來，隨著國民經(jīng)濟的快速發(fā)展，功率半導體的應用領域已從工業(yè)控制和消費電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多市場，市場規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)健增長態(tài)勢。功率半導體可以分為功率IC和功率分立器件兩大類，其中功率分立器件主要包括功率二極管、晶閘管、高壓晶體管、MOSFET、IGBT等產(chǎn)品。在功率半導體發(fā)展過程中，20世紀50年代，功率二

15、極管、功率三極管面世并應用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20世紀60至70年代，晶閘管等半導體功率器件快速發(fā)展。20世紀70年代末，平面型功率MOSFET發(fā)展起來。20世紀80年代后期，溝槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半導體功率器件正式進入電子應用時代。20世紀90年代，超級結MOSFET逐步出現(xiàn)，打破了傳統(tǒng)硅基產(chǎn)品的性能限制以滿足大功率和高頻化的應用需求。對國內市場而言，功率二極管、功率三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實現(xiàn)國產(chǎn)化，而功率MOSFET特別是超級結MOSFET、IGBT等高端分立器件產(chǎn)品由于其技術及工藝的復雜度，還較大程度上依賴進口，未來進口替代空間巨大。2、功率MOSFET的

16、技術發(fā)展情況隨著社會電氣化程度的不斷提高，功率器件的性能也需要不斷提高以滿足更高的要求。對于功率MOSFET而言，技術驅動的性能提升主要包括三個方面：更高的開關頻率、更高的功率密度以及更低的功耗。為了實現(xiàn)更高的性能指標，功率器件主要經(jīng)歷了工藝進步、器件結構改進與使用寬禁帶材料等幾個方面的演進。在制造工藝上，線寬制程從10微米縮減至0.15-0.35微米，提升了功率器件的密度、品質因數(shù)（FOM）以及開關效率。在器件結構改進方面，功率器件經(jīng)歷了平面（Planar）、溝槽（Trench）、超級結（SuperJunction）等器件結構的變化，進一步提高了器件的功率密度和工作頻率。在材料方面，新興的第

17、三代半導體功率器件采用了碳化硅（SiC）、氮化鎵(GaN)材料，進一步提升了器件的開關特性、降低了功耗，也改善了其高溫特性。三、 功率器件應用發(fā)展機遇受益于新能源汽車和5G產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，充電樁、5G通訊基站及車規(guī)級等市場對于高性能功率器件的需求將不斷增加，高壓超級結MOSFET為代表的高性能產(chǎn)品在功率器件領域的市場份額以及重要性將不斷提升。1、充電樁（1）發(fā)展機遇2020年，充電樁被列入國家七大“新基建”領域之一。2020年5月兩會期間，政府工作報告中強調“建設充電樁，推廣新能源汽車，激發(fā)新消費需求、助力產(chǎn)業(yè)升級”。公安部交通管理局公布數(shù)據(jù)顯示，截至2020年6月新能源汽車保有量有417萬輛

18、，與2019年年底相比增加36萬輛，增長率達到9.45%。伴隨新能源汽車保有量的高速增長，新能源充電樁作為配套基礎設施亦實現(xiàn)了快速增長，截止2019年12月，全國充電基礎設施累計數(shù)量為121.9萬個，其中公共樁51.6萬個，私人樁70.3萬個，充電場站建設數(shù)量達到3.6萬座。公共充電樁由政府機關等具有公共服務性質的機構置辦，服務對象面向所有電動汽車車主。2015年至2019年，全國公共充電樁的數(shù)量由5.8萬個增長至51.6萬個，復合年增長率達到了72.9%。近幾年來，我國充電站同樣有快速發(fā)展，充電站保有量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座，復合年增長率為140.64%。

19、充電站密度越來越高，電動汽車車主充電便利性也得到了大幅改善。“新基建”對充電樁的建設驅動主要在以下幾方面：驅動公共樁建設提質且區(qū)域均衡發(fā)展，直流樁占比將持續(xù)提升，省份間差異有望縮小。推動優(yōu)質場站建設，完善配套設施申報流程辦理。推動小區(qū)、商場等停車位充電樁建設。促進對運營商的建設與充電運營流程支持。（2）超級結MOSFET功率器件迎來快速發(fā)展機遇充電樁按充電能力分類，以處理不同的用例場景。公共充電樁包括交流樁和直流樁，交流充電樁需要借助車載充電機，充電速度較慢，一輛純電動汽車（普通電池容量）完全放電后通過交流充電樁充滿通常需要8個小時。直流充電樁俗稱“快充”，固定安裝在電動汽車外，與交流電網(wǎng)連接

20、，通常僅需要不到2-3小時即可將一輛純電動汽車電池充滿。目前我國公共交流樁主要分為單相交流樁和三相交流樁。單相交流樁的建設更廣泛，對應的充電功率分為3.5kW和7kW，其中，公共交流樁充電功率以7kW為主。三相交流樁的主要功率為21kW、40kW和80kW，但整體數(shù)量較少。從2016-2019年新增公共交流樁平均功率來看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流樁主要使用三相維也納輸入整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的領先解決方案使用了超級結MOSFET。公共直流充電樁一般輸入電壓為380V。根據(jù)2016-2019年新增公共直流樁平均功率

21、數(shù)據(jù)，公共直流樁充電功率在逐漸提高。其中2017年上漲幅度最大，從69.23kW提高到91.65kW，而到了2019年雖然維持上漲趨勢，但由于目前市場的公共直流樁充電功率已經(jīng)基本上能夠滿足電動汽車的充電需求，故2019年新增公共直流樁平均充電功率小幅提高，達到115.76kW。預計未來新增的公共直流樁充電功率普遍在120kW左右。在公共直流充電樁所需的工作功率和電流要求下，其采用的功率器件以高壓MOSFET為主。超級結MOSFET因其更低的導通損耗和開關損耗、高可靠性、高功率密度成為主流的充電樁功率器件應用產(chǎn)品，具體應用于充電樁的功率因數(shù)校正（PowerFactorCorrection，“PF

22、C”）、直流-直流變換器以及輔助電源模塊等。超級結MOSFET將充分受益于充電樁的快速建設。據(jù)英飛凌統(tǒng)計，100kW的充電樁需要功率器件價值量在200-300美元，預計隨著充電樁的不斷建設，功率器件尤其是超級結MOSFET將迎來高速發(fā)展機遇。 2、5G基站（1）5G建設規(guī)模2020年12月15日在2021中國信通院ICT+深度觀察報告會上，工業(yè)和信息化部發(fā)言人指出，中國已累計建成5G基站71.8萬個，推動共建共享5G基站33萬個。2020年12月28日，工信部部長肖亞慶在2021年全國工業(yè)和信息化工作會議上表示，2021年將有序推進5G網(wǎng)絡建設及應用，加快主要城市5G覆蓋，推進共建共享，新建5

23、G基站60萬個以上。（2）5G基站拉動功率半導體需求5G建設將從四個方面拉動功率半導體需求，包括：1）5G基站功率更高、建設更為密集，帶來更大的電源供應需求；2）射頻端功率半導體用量提升；3）霧計算為功率半導體帶來增量市場；以及4）云計算拉動計算用功率半導體用量。MIMO即多進多出，指在發(fā)送端和接收端都使用多根天線、在收發(fā)之間構成多個信道的天線系統(tǒng)，可以極大地提高信道容量。MassiveMIMO即大規(guī)模天線，可以在不增加頻譜資源和天線發(fā)送功率的情況下，提升系統(tǒng)信道容量和信號覆蓋范圍。數(shù)量上，傳統(tǒng)網(wǎng)絡天線的通道數(shù)為2/4/8個，而MassiveMIMO通道數(shù)可以達到64/128/256個。信號覆

24、蓋維度上，傳統(tǒng)MIMO為2D覆蓋，信號只能在水平方向移動，不能在垂直方向移動，類似與平面發(fā)射。而MassiveMIMO的信號輻射狀是電磁波束，可以利用垂直維度空域。5G網(wǎng)絡主要部署在高頻頻段，即毫米波頻段（mmWave）。因接收功率與波長的平方成正比，毫米波的信號衰減嚴重，而發(fā)射功率又受到限制，所以5G網(wǎng)絡部署需要增加發(fā)射天線和接收天線的數(shù)量，使用MassiveMIMO技術。根據(jù)英飛凌的統(tǒng)計，傳統(tǒng)MIMO天線需要的功率半導體價值大約為25美元，而過渡為MassvieMIMO天線陣列后，所需的MOSFET等功率半導體價值增加至100美元，達到原來的4倍。與云計算相比，霧計算所采用的架構呈分布式，

25、更接近網(wǎng)絡邊緣。霧計算將數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)處理和應用程序集中在網(wǎng)絡邊緣的設備中，數(shù)據(jù)的存儲及處理更依賴本地設備，本地運算設備的增加帶動MOSFET用量提升。第二章 項目背景、必要性一、 中國半導體行業(yè)發(fā)展概況我國本土半導體行業(yè)起步較晚。但在政策支持、市場拉動及資本推動等因素合力下，中國半導體行業(yè)不斷發(fā)展。步入21世紀以來，我國半導體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模得到快速增長。2020年，中國半導體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達8,848億元，比上年增長17.01%。2013-2020年中國半導體市場規(guī)模的復合增長率達19.73%，顯著高于同期世界半導體市場的增速。隨著近年國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要中國制造2025國家信息化發(fā)展戰(zhàn)略綱

26、要等重要文件的出臺，以及社會各界對半導體行業(yè)的發(fā)展、產(chǎn)業(yè)鏈重構的日益重視，我國半導體行業(yè)正站在國產(chǎn)化的起跑線上。隨著5G、AI、物聯(lián)網(wǎng)、自動駕駛、VR/AR等新一輪科技逐漸走向產(chǎn)業(yè)化，未來十年中國半導體行業(yè)有望迎來進口替代與成長的黃金時期，逐步在全球半導體市場的結構性調整中占據(jù)舉足輕重的地位。在貿(mào)易摩擦等宏觀環(huán)境不確定性增加的背景下，加速進口替代、實現(xiàn)半導體產(chǎn)業(yè)自主可控已上升到國家戰(zhàn)略高度，中國半導體行業(yè)發(fā)展迎來了歷史性的機遇。二、 功率MOSFET的行業(yè)發(fā)展趨勢1、工藝進步、器件結構改進所帶來的變化采用新型器件結構的高性能MOSFET功率器件可以實現(xiàn)更好的性能，從而導致采用傳統(tǒng)技術的功率器件

27、的市場空間被升級替代。造成該等趨勢的主要原因是高性能功率器件的生產(chǎn)工藝不斷進行技術演進，當采用新技術的高性能MOSFET功率器件生產(chǎn)工藝演進到成熟穩(wěn)定的階段時，就會對現(xiàn)有的功率MOSFET進行替代。同時，隨著各個應用領域對性能和效率的要求不斷提升，也需要采用更高性能的功率器件以實現(xiàn)產(chǎn)品升級。因此，高性能MOSFET功率器件會不斷擴大其應用范圍，實現(xiàn)市場的普及。未來的5年中會出現(xiàn)新技術不斷擴大市場應用領域的趨勢。具體而言，溝槽MOSFET將替代部分平面MOSFET；屏蔽柵MOSFET將進一步替代溝槽MOSFET；超級結MOSFET將在高壓領域替代更多傳統(tǒng)的VDMOS。第三代半導體材料主要為碳化硅

28、和氮化鎵，具有禁帶寬度大、電子遷移率高、熱導率高的特點，在高溫、高壓、高功率和高頻的領域有機會取代部分硅材料。首先，由于新能源汽車、5G等新技術的應用及需求迅速增加，第三代半導體的產(chǎn)業(yè)化變得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高溫下更好的表現(xiàn)，SiCMOSFET在汽車電控中將逐步對硅基IGBT模塊進行替代。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，2019年應用在新能源汽車的SiC器件市場規(guī)模為2.25億美元，預計到2025年將增長至15.53億美元，復合增長率為38%。第三代半導體材料仍然處于產(chǎn)業(yè)化起步階段，國內已發(fā)布多個政策積極推進第三代半導體行業(yè)的發(fā)展，例如2019年國務院發(fā)布長江三角洲區(qū)域一體化發(fā)展規(guī)劃綱要

29、，提出要加快培育一批第三代半導體企業(yè)。2、功率器件集成化趨勢除了MOSFET功率器件在結構及工藝方面的優(yōu)化外，終端領域的高功率密度需求也帶動了功率器件的模塊化和集成化。在中大功率應用場景中，客戶更傾向于使用大功率模塊。由于大功率模塊需要多元件電氣互聯(lián)，同時要考慮高溫失效和散熱問題，其封裝工藝和結構更復雜；在小功率應用場景中，功率器件被封裝到嵌入式封裝模塊中來提高集成度從而減小整體方案的體積。目前，工業(yè)領域仍是功率模塊的主要應用領域。隨著新能源汽車、5G技術的興起，功率器件模塊化趨勢將愈發(fā)顯著。根據(jù)Omdia預測，2020-2024年分立器件市場增速為2.8%，而功率模塊市場增速為9.2%，高于

30、分立器件市場增速。三、 堅持創(chuàng)新驅動發(fā)展，打造一流創(chuàng)新生態(tài)把創(chuàng)新驅動放在轉型發(fā)展全局中的核心位置，深入實施創(chuàng)新驅動發(fā)展、科教興市戰(zhàn)略，充分激發(fā)全社會創(chuàng)新創(chuàng)造創(chuàng)業(yè)的潛力和動能，建設高水平創(chuàng)新型城市。（一）培育壯大創(chuàng)新主體。強化企業(yè)創(chuàng)新主體地位，推動創(chuàng)新要素首先在企業(yè)集聚，創(chuàng)新生態(tài)小氣候首先在企業(yè)形成。鼓勵企業(yè)做專業(yè)細分領域的“隱形冠軍”，搶占創(chuàng)新制高點。支持煤炭、化工、冶鑄等傳統(tǒng)優(yōu)勢企業(yè)提升創(chuàng)新水平，組建創(chuàng)新聯(lián)合體，促進新技術應用和迭代升級。滾動實施高新技術企業(yè)倍增計劃，推進規(guī)上企業(yè)創(chuàng)新研發(fā)全覆蓋。培育一批“雛鷹”“瞪羚”“獨角獸”和領軍企業(yè)。開展科技型中小微企業(yè)培育行動，推動科技型中小企業(yè)梯次

31、快速成長，推動產(chǎn)業(yè)鏈上中下游、大中小型企業(yè)融通創(chuàng)新、協(xié)同發(fā)展。發(fā)展科技中介組織，健全技術市場體系。（二）構建創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)平臺。鼓勵科技創(chuàng)新平臺建設，聚焦5個千億級產(chǎn)業(yè)集群發(fā)展需求，加快推進煤與煤層氣共采國家重點實驗室、5G應用創(chuàng)新聯(lián)合實驗室、先進半導體光電器件與系統(tǒng)集成實驗室等創(chuàng)新戰(zhàn)略平臺做優(yōu)做強。加強“雙創(chuàng)”平臺建設，培育眾創(chuàng)空間、科技企業(yè)孵化器和小微企業(yè)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)基地等新型“雙創(chuàng)”孵化載體，不斷創(chuàng)新孵化服務模式。匯聚現(xiàn)有創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)平臺，努力培育一批國家或省級“雙創(chuàng)”示范基地。加快推進晉城經(jīng)濟開發(fā)區(qū)國家級雙創(chuàng)示范基地和高平省級雙創(chuàng)示范基地建設，高標準建設山西智創(chuàng)城NO6，打通“創(chuàng)業(yè)苗圃孵化器加速器產(chǎn)

32、業(yè)園”的雙創(chuàng)全產(chǎn)業(yè)鏈條，確保促改革、穩(wěn)就業(yè)、強動能的示范帶動作用有效發(fā)揮。（三）實施創(chuàng)新領跑行動。圍繞打造全省創(chuàng)新生態(tài)示范市目標，實施創(chuàng)新載體建設、產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新協(xié)同、創(chuàng)新主體壯大、創(chuàng)新能力提升、創(chuàng)新人才引育、重大技術攻關、科技成果轉化承接、創(chuàng)新環(huán)境優(yōu)化、創(chuàng)新文化培育等九大行動。聚焦煤層氣、光機電等重點產(chǎn)業(yè)，融合融通“產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新鏈供應鏈要素鏈制度鏈資金鏈”，著力突破一批關鍵核心技術和共性技術，重點培育一批高科技領軍企業(yè)，精準打造一批具有綜合競爭力、特色優(yōu)勢明顯的創(chuàng)新型產(chǎn)業(yè)集群，創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)雛型初顯。（四）大力培育創(chuàng)新文化。在全社會樹立崇尚科學、崇尚創(chuàng)新、崇尚人才的鮮明導向，注重用創(chuàng)新文化激發(fā)創(chuàng)新精神

33、、形成創(chuàng)新動力、支持創(chuàng)新實踐、激勵創(chuàng)新事業(yè)。加強對大眾創(chuàng)業(yè)、萬眾創(chuàng)新的政策支持和宣傳引導，大力激發(fā)晉城人血液中蘊含的創(chuàng)新基因，形成尊重創(chuàng)新、寬容失敗的濃厚社會氛圍。加強創(chuàng)業(yè)創(chuàng)新知識普及教育，支持社會力量開展創(chuàng)業(yè)培訓。大力弘揚企業(yè)家精神、工匠精神和創(chuàng)客文化，進一步提高企業(yè)家創(chuàng)新意識，激發(fā)全社會創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)熱情。持續(xù)加大知識產(chǎn)權保護力度，進一步提升知識產(chǎn)權執(zhí)法力度與執(zhí)法效率，促進創(chuàng)新環(huán)境不斷優(yōu)化。（五）完善創(chuàng)新體制機制。以關鍵核心共性技術、技術綜合集成、產(chǎn)業(yè)化技術專項為突破口，建立以企業(yè)為主體的產(chǎn)學研資用一體化科技研發(fā)機制。推動科技政策與產(chǎn)業(yè)、財政、金融等政策有機銜接，建立科技風投專項基金和科技融資擔

34、保制度。完善科技成果轉化激勵政策，開展重大技術轉移轉化示范。建立健全創(chuàng)新需求導向和科技管理組織鏈條，形成政府部門、承擔單位、專業(yè)機構“三位一體”的科研管理體系。到“十四五”末，晉城創(chuàng)新體制機制和政策制度環(huán)境達到全省先進水平。四、 項目實施的必要性（一）提升公司核心競爭力項目的投資，引入資金的到位將改善公司的資產(chǎn)負債結構，補充流動資金將提高公司應對短期流動性壓力的能力，降低公司財務費用水平，提升公司盈利能力，促進公司的進一步發(fā)展。同時資金補充流動資金將為公司未來成為國際領先的產(chǎn)業(yè)服務商發(fā)展戰(zhàn)略提供堅實支持，提高公司核心競爭力。第三章 項目總論一、 項目名稱及項目單位項目名稱：晉城MOSFET功率

35、器件項目項目單位：xx（集團）有限公司二、 項目建設地點本期項目選址位于xx（以最終選址方案為準），占地面積約60.00畝。項目擬定建設區(qū)域地理位置優(yōu)越，交通便利，規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設施條件完備，非常適宜本期項目建設。三、 可行性研究范圍依據(jù)國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策和有關部門的行業(yè)發(fā)展規(guī)劃以及項目承辦單位的實際情況，按照項目的建設要求，對項目的實施在技術、經(jīng)濟、社會和環(huán)境保護等領域的科學性、合理性和可行性進行研究論證。研究、分析和預測國內外市場供需情況與建設規(guī)模，并提出主要技術經(jīng)濟指標，對項目能否實施做出一個比較科學的評價，其主要內容包括如下幾個方面:1、確定建設條件與項目選址。2、確定企業(yè)

36、組織機構及勞動定員。3、項目實施進度建議。4、分析技術、經(jīng)濟、投資估算和資金籌措情況。5、預測項目的經(jīng)濟效益和社會效益及國民經(jīng)濟評價。四、 編制依據(jù)和技術原則（一）編制依據(jù)1、中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要；2、中國制造2025；3、建設項目經(jīng)濟評價方法與參數(shù)及使用手冊（第三版）；4、項目公司提供的發(fā)展規(guī)劃、有關資料及相關數(shù)據(jù)等。（二）技術原則1、政策符合性原則：報告的內容應符合國家產(chǎn)業(yè)政策、技術政策和行業(yè)規(guī)劃。2、循環(huán)經(jīng)濟原則：樹立和落實科學發(fā)展觀、構建節(jié)約型社會。以當?shù)氐馁Y源優(yōu)勢為基礎，通過對本項目的工藝技術方案、產(chǎn)品方案、建設規(guī)模進行合理規(guī)劃，提

37、高資源利用率，減少生產(chǎn)過程的資源和能源消耗延長生產(chǎn)技術鏈，減少生產(chǎn)過程的污染排放，走出一條有市場、科技含量高、經(jīng)濟效益好、資源消耗低、環(huán)境污染少、資源優(yōu)勢得到充分發(fā)揮的新型工業(yè)化路子，實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展。3、工藝先進性原則：按照“工藝先進、技術成熟、裝置可靠、經(jīng)濟運行合理”的原則，積極應用當今的各項先進工藝技術、環(huán)境技術和安全技術，能耗低、三廢排放少、產(chǎn)品質量好、經(jīng)濟效益明顯。4、提高勞動生產(chǎn)率原則：近一步提高信息化水平，切實達到提高產(chǎn)品的質量、降低成本、減輕工人勞動強度、降低工廠定員、保證安全生產(chǎn)、提高勞動生產(chǎn)率的目的。5、產(chǎn)品差異化原則：認真分析市場需求、了解市場的區(qū)域性差別、針對產(chǎn)品的差異化

38、要求、區(qū)異化的特點，來設計不同品種、不同的規(guī)格、不同質量的產(chǎn)品以滿足不同用戶的不同要求，以此來擴大市場占有率，尋求經(jīng)濟效益最大化，提高企業(yè)在國內外的知名度。五、 建設背景、規(guī)模（一）項目背景根據(jù)全球半導體貿(mào)易組織統(tǒng)計，全球半導體行業(yè)2019年市場規(guī)模達到4,123億美元，較2018年下降約12.1%。過去五年，隨著智能手機、平板電腦為代表的新興消費電子市場的快速發(fā)展，以及汽車電子、工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)等科技產(chǎn)業(yè)的興起，帶動了整個半導體行業(yè)規(guī)模增長。（二）建設規(guī)模及產(chǎn)品方案該項目總占地面積40000.00（折合約60.00畝），預計場區(qū)規(guī)劃總建筑面積77398.27。其中：生產(chǎn)工程51498.72，

39、倉儲工程11844.00，行政辦公及生活服務設施7846.27，公共工程6209.28。項目建成后，形成年產(chǎn)xx件MOSFET功率器件的生產(chǎn)能力。六、 項目建設進度結合該項目建設的實際工作情況，xx（集團）有限公司將項目工程的建設周期確定為24個月，其工作內容包括：項目前期準備、工程勘察與設計、土建工程施工、設備采購、設備安裝調試、試車投產(chǎn)等。七、 環(huán)境影響擬建項目的建設滿足國家產(chǎn)業(yè)政策的要求,項目選址合理。項目建成所有污染物達標排放后，周圍環(huán)境質量基本能夠維持現(xiàn)狀。經(jīng)落實污染防治措施后，“三廢”產(chǎn)生量較少，對周圍環(huán)境的影響較小。因此，本項目從環(huán)保的角度看，該項目的建設是可行的。八、 建設投資

40、估算（一）項目總投資構成分析本期項目總投資包括建設投資、建設期利息和流動資金。根據(jù)謹慎財務估算，項目總投資27087.71萬元，其中：建設投資22769.75萬元，占項目總投資的84.06%；建設期利息650.01萬元，占項目總投資的2.40%；流動資金3667.95萬元，占項目總投資的13.54%。（二）建設投資構成本期項目建設投資22769.75萬元，包括工程費用、工程建設其他費用和預備費，其中：工程費用19534.07萬元，工程建設其他費用2739.20萬元，預備費496.48萬元。九、 項目主要技術經(jīng)濟指標（一）財務效益分析根據(jù)謹慎財務測算，項目達產(chǎn)后每年營業(yè)收入45800.00萬元，

41、綜合總成本費用37533.09萬元，納稅總額4027.05萬元，凈利潤6038.32萬元，財務內部收益率16.79%，財務凈現(xiàn)值5075.83萬元，全部投資回收期6.34年。（二）主要數(shù)據(jù)及技術指標表主要經(jīng)濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積40000.00約60.00畝1.1總建筑面積77398.271.2基底面積25200.001.3投資強度萬元/畝369.202總投資萬元27087.712.1建設投資萬元22769.752.1.1工程費用萬元19534.072.1.2其他費用萬元2739.202.1.3預備費萬元496.482.2建設期利息萬元650.012.3流動資金萬元3667

42、.953資金籌措萬元27087.713.1自籌資金萬元13822.193.2銀行貸款萬元13265.524營業(yè)收入萬元45800.00正常運營年份5總成本費用萬元37533.09""6利潤總額萬元8051.10""7凈利潤萬元6038.32""8所得稅萬元2012.78""9增值稅萬元1798.46""10稅金及附加萬元215.81""11納稅總額萬元4027.05""12工業(yè)增加值萬元14106.49""13盈虧平衡點萬元18507.

43、62產(chǎn)值14回收期年6.3415內部收益率16.79%所得稅后16財務凈現(xiàn)值萬元5075.83所得稅后十、 主要結論及建議經(jīng)分析，本期項目符合國家產(chǎn)業(yè)相關政策，項目建設及投產(chǎn)的各項指標均表現(xiàn)較好，財務評價的各項指標均高于行業(yè)平均水平，項目的社會效益、環(huán)境效益較好，因此，項目投資建設各項評價均可行。建議項目建設過程中控制好成本，制定好項目的詳細規(guī)劃及資金使用計劃，加強項目建設期的建設管理及項目運營期的生產(chǎn)管理，特別是加強產(chǎn)品生產(chǎn)的現(xiàn)金流管理，確保企業(yè)現(xiàn)金流充足，同時保證各產(chǎn)業(yè)鏈及各工序之間的銜接，控制產(chǎn)品的次品率，贏得市場和打造企業(yè)良好發(fā)展的局面。第四章 建筑工程方案一、 項目工程設計總體要求（

44、一）土建工程原則根據(jù)生產(chǎn)需要，本項目工程建設方案主要遵循如下原則：1、布局合理的原則。在平面布置上，充分利用好每寸土地，功能設施分區(qū)設置，人流、物流布置得當、有序，做到既利于生產(chǎn)經(jīng)營，又方便交通。2、配套齊全、方便生產(chǎn)的原則。立足廠區(qū)現(xiàn)有基礎條件，充分利用好現(xiàn)有功能設施，保證水、電供應設施齊全，廠區(qū)內外道路暢通，方便生產(chǎn)。在建筑結構設計，嚴格執(zhí)行國家技術經(jīng)濟政策及環(huán)保、節(jié)能等有關要求。在滿足工藝生產(chǎn)特性，設備布置安裝、檢修等前提下，土建設計要盡量做到技術先進、經(jīng)濟合理、安全適用和美觀大方。建筑設計要簡捷緊湊，組合恰當、功能合理、方便生產(chǎn)、節(jié)約用地；結構設計要統(tǒng)一化、標準化、并因地制宜，就地取材

45、，方便施工。（二）土建工程采用的標準為保證建筑物的質量，保證生產(chǎn)安全和長壽命使用，本項目建筑物嚴格按照相關標準進行施工建設。1、工業(yè)企業(yè)設計衛(wèi)生標準2、公共建筑節(jié)能設計標準3、綠色建筑評價標準4、外墻外保溫工程技術規(guī)程5、建筑照明設計標準6、建筑采光設計標準7、民用建筑電氣設計規(guī)范8、民用建筑熱工設計規(guī)范二、 建設方案主要廠房在滿足工藝使用要求，滿足防火、通風、采光要求的前提下，力求做到布置緊湊、節(jié)省用地。車間立面造型簡潔明快，體現(xiàn)現(xiàn)代化企業(yè)的建筑特色。屋面防水、保溫盡可能采用質量較高、性能可靠的新型建筑材料。本項目中主要生產(chǎn)車間及倉庫均為鋼結構，次建筑為磚混結構。考慮當?shù)氐卣饚У姆植?，工程設

46、計中將加強建筑物抗震結構措施，以增強建筑物的抗震能力。三、 建筑工程建設指標本期項目建筑面積77398.27，其中：生產(chǎn)工程51498.72，倉儲工程11844.00，行政辦公及生活服務設施7846.27，公共工程6209.28。建筑工程投資一覽表單位：、萬元序號工程類別占地面積建筑面積投資金額備注1生產(chǎn)工程13104.0051498.727060.631.11#生產(chǎn)車間3931.2015449.622118.191.22#生產(chǎn)車間3276.0012874.681765.161.33#生產(chǎn)車間3144.9612359.691694.551.44#生產(chǎn)車間2751.8410814.731482.

47、732倉儲工程5040.0011844.001051.212.11#倉庫1512.003553.20315.362.22#倉庫1260.002961.00262.802.33#倉庫1209.602842.56252.292.44#倉庫1058.402487.24220.753辦公生活配套1411.207846.271113.053.1行政辦公樓917.285100.08723.483.2宿舍及食堂493.922746.19389.574公共工程5544.006209.28574.99輔助用房等5綠化工程6248.00124.50綠化率15.62%6其他工程8552.0028.147合計4000

48、0.0077398.279952.52第五章 選址方案一、 項目選址原則項目選址應符合城市發(fā)展總體規(guī)劃和對市政公共服務設施的布局要求；依托選址的地理條件，交通狀況，進行建址分析；避免不良地質地段(如溶洞、斷層、軟土、濕陷土等)；公用工程如城市電力、供排水管網(wǎng)等市政設施配套完善；場址要求交通方便，環(huán)境安靜，地形比較平整，能夠充分利.用城市基礎設施，遠離污染源和易燃易爆的生產(chǎn)、儲存場所，便于生活和服務設施合理布局；場址上空無高壓輸電線路等障礙物通過，與其他公共建筑不造成相互干擾。二、 建設區(qū)基本情況晉城市，是山西省地級市，古稱建興、澤州、澤州府。晉城市位于山西省東南部，晉豫兩省接壤處，全境居于晉城

49、盆地，總面積9490平方公里，是山西省東南門戶，自古為兵家必爭之地，素有“三晉門戶、太行首沖”的美譽。晉城市歷史悠久，兩萬年前便留下高都、塔水河、下川等人類遺址。東晉置郡，北魏置州，清置府，是一座千年古城。是女媧補天、愚公移山、禹鑿石門、商湯籌雨等神話發(fā)源地，誕生了劉羲叟、李俊民、張慎言、王國光、陳廷敬等名人。現(xiàn)有國家重點文保單位66處，包括冶底岱廟、青蓮寺、開化寺、程顥書院、柳氏民居、湘峪古堡、天官王府、皇城相府、長平之戰(zhàn)遺址、羊頭山石窟、中華名山析城山、太行至尊王莽嶺等眾多名勝古跡和自然遺產(chǎn)。晉城市古為煤鐵之鄉(xiāng)，有“九頭十八匠”之稱。是戰(zhàn)國“陽阿古劍”產(chǎn)地，境內澤州鐵器、蘭花炭曾名揚海內。

50、蟒河、歷山等保護區(qū)，生長有獼猴、大鯢等稀有動物，素有山西生物資源寶庫之稱。晉城市是山西省中高檔鑄件、電力、畜牧業(yè)基地。二廣、晉侯（陽翼）、陵沁、環(huán)城高速與207國道交織成網(wǎng)，太焦、嘉南及侯月鐵路貫穿全境，擁有國家森林城市、國家園林城市等多項榮譽。到2025年，全市經(jīng)濟總量大幅提升；工業(yè)在經(jīng)濟發(fā)展中的主導作用顯著增強，制造業(yè)增加值占GDP比重較快提升；國家級省級重點實驗室、技術創(chuàng)新中心、工程研究中心數(shù)量顯著增加；戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)增加值占GDP比重達到全省平均水平；約束性指標完成省下達的目標任務；居民人均可支配收入高于全省平均水平。奮力實現(xiàn)“轉型出雛型，建設新晉城”宏偉目標，在新賽道上開創(chuàng)高質量轉型

51、發(fā)展新局面，必須深入貫徹實施省委“十二大戰(zhàn)略”，堅定走出晉城步伐，謀劃實施一批重大改革、重大政策、重大工程、重大項目，培育壯大轉型發(fā)展新動能，打造換道領跑新優(yōu)勢，構筑高質量轉型發(fā)展新體制，在轉型發(fā)展上率先蹚出一條新路來，確保綜合經(jīng)濟實力和區(qū)域經(jīng)濟綜合競爭力在全省保持第一方陣。面對錯綜復雜的外部發(fā)展環(huán)境和艱巨繁重的改革發(fā)展穩(wěn)定任務，特別是新冠肺炎疫情的嚴重沖擊，產(chǎn)業(yè)結構持續(xù)優(yōu)化，傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)鞏固提升，新興產(chǎn)業(yè)蓬勃興起，新舊動能加快轉換，質量效益穩(wěn)步提高。煤炭年產(chǎn)量突破億噸，全力建設煤層氣“一樞紐三基地一中心”，著力打造“世界光谷”，加快發(fā)展全域旅游和康養(yǎng)產(chǎn)業(yè)，成功舉辦首屆全國康養(yǎng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會，農(nóng)林文

52、旅康產(chǎn)業(yè)融合發(fā)展試點成效明顯。重點領域關鍵環(huán)節(jié)改革取得重大突破，能源革命綜合改革試點穩(wěn)步推進，人才、戶籍、土地等改革措施落地見效，開發(fā)區(qū)改革創(chuàng)新、教育體制機制改革、城鄉(xiāng)基本醫(yī)療衛(wèi)生一體化、“四塊地”改革等重點領域改革走在全省前列，率先在全省開展相對集中行政許可權改革試點，“一枚印章管審批”經(jīng)驗在全省推廣。城鄉(xiāng)統(tǒng)籌發(fā)展步伐加快，全面推進老城更新與保護、丹河新城建設、人居環(huán)境整治、新型城鎮(zhèn)化和鄉(xiāng)村振興戰(zhàn)略，五級公交體系全面建成，實現(xiàn)“一元公交”全覆蓋。生態(tài)環(huán)保成效顯著，全市森林覆蓋率和整體綠化水平保持全省領先，低碳城市試點和循環(huán)經(jīng)濟示范市建設任務圓滿完成，建立四級“河長制”“林長制”管理體系，出口

53、斷面全部達到國家考核標準。民生福祉持續(xù)增進，我市和沁水縣成功入選第六屆全國文明城市（縣），鄭太高鐵開通運營。陵川、沁水提前實現(xiàn)脫貧摘帽，建檔立卡貧困戶動態(tài)清零，脫貧攻堅勝利收官，全面小康實現(xiàn)程度位列全省第一方陣。城鄉(xiāng)基本公共服務均等化全面實現(xiàn)，公共衛(wèi)生服務體系更加健全，普通高中教育優(yōu)勢凸顯，群眾安全感、獲得感、幸福感調查連續(xù)九年全省第一。黨的建設全面加強，堅持以黨建引領發(fā)展，把黨建融入發(fā)展，用黨建推動發(fā)展，靠發(fā)展檢驗黨建，全面從嚴治黨縱深推進，政治生態(tài)持續(xù)向好。“晉城的事，大家想、大家說、大家干”深入人心，干事創(chuàng)業(yè)、擔當作為氛圍日漸濃厚，高質量轉型發(fā)展大局已定、布局已成、氣勢已起。總體看，“十

54、三五”規(guī)劃確定的主要目標任務基本完成，全面建成小康社會取得決定性成就。三、 堅持供需兩側發(fā)力，積極融入新發(fā)展格局以育先機開新局的戰(zhàn)略思維，堅持實施擴大內需戰(zhàn)略同深化供給側結構性改革有機結合，推動擴大投資與提振消費有效結合，全面融入新發(fā)展格局。（一）全面促進消費。完善促進消費的體制機制，增強消費對經(jīng)濟發(fā)展的基礎性作用，提升傳統(tǒng)消費，培育新型消費，適當增加公共消費。促進汽車等大宗消費，提升餐飲、家電、家具等重點消費，釋放農(nóng)村消費，促進住房消費健康發(fā)展。培育電商主體，支持傳統(tǒng)商貿(mào)企業(yè)數(shù)字化轉型，促進線上線下消費融合發(fā)展。加強消費者權益保護，改善消費環(huán)境。創(chuàng)建高品位步行街，推進夜間經(jīng)濟街區(qū)建設，加快發(fā)

55、展假日經(jīng)濟，逐步形成布局合理、功能完善、業(yè)態(tài)多元、管理規(guī)范的消費新格局。（二）拓展投資空間。樹立“項目為王”的鮮明導向，以高質量項目推動高質量轉型發(fā)展。建立謀劃儲備項目、年度建設項目、轉型標桿項目、重點工程一體化推進體系。聚焦“兩新一重”，精準加大補短板惠民生力度。積極擴大有效投資，優(yōu)化投資結構。激發(fā)民間投資活力，形成市場主導的投資內生增長機制。加大政府財政投資力度，發(fā)揮好政府投資在外溢性強、社會效益高領域的引導和撬動作用，統(tǒng)籌用好中央預算內投資、專項債券資金和政策性金融。用好項目謀劃專班，精心謀劃布局一批產(chǎn)業(yè)轉型、基礎設施和民生類項目，推動項目建設提速增效。加大招商引資力度，堅持招落一體、引

56、育并重，形成從項目招引到落地的全周期機制。（三）融入國內國際雙循環(huán)產(chǎn)業(yè)鏈條。打通參與國內大循環(huán)堵點，貫通生產(chǎn)、分配、流通、消費各環(huán)節(jié)，形成需求牽引供給、供給創(chuàng)造需求的更高水平動態(tài)平衡。聚焦重點產(chǎn)業(yè)和關鍵領域，分行業(yè)做好戰(zhàn)略設計和精準施策，構筑以產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟和“鏈主”企業(yè)為主導，全要素集成、上下游融通的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。瞄準供應鏈和產(chǎn)業(yè)鏈的中高端，發(fā)揮特色產(chǎn)業(yè)和產(chǎn)品優(yōu)勢，支持企業(yè)對標國際先進水平，優(yōu)化產(chǎn)品供給結構，更加積極主動參與國內大循環(huán)。大力培育外貿(mào)主體，引導企業(yè)開展自營進出口，推進對外貿(mào)易增量提質。四、 聚焦“六新”突破，塑造換道賽跑新優(yōu)勢緊跟國家科技發(fā)展前沿和產(chǎn)業(yè)變革趨勢，把“六新”突破作為“蹚新路”的方向目標、路徑要求和戰(zhàn)略舉措，實施換道領跑戰(zhàn)略和“數(shù)字晉城”戰(zhàn)略，搶占未來發(fā)展制高點，打造新型基礎設施創(chuàng)新應用示范區(qū)和新型智慧城市標桿市。（一）加快新型基礎設施建設。充分發(fā)揮新基建對新經(jīng)濟、新動能的先行引導作用。加快信息基礎設施建設，大力推進5G、IPV6、窄帶物聯(lián)網(wǎng)等新一