制絨段常見不良及常規(guī)解決方法

1、制絨段常見異常及常規(guī)解決方法 制絨不良樹狀結(jié)構(gòu)圖片源異常及解決方法1、指紋及劃痕指紋片源于：硅片廠家在硅片清洗過程時(shí)進(jìn)行裸手插片，或者插片時(shí)所穿戴的手套不能滿足隔汗要求（自身來料檢有時(shí)也會(huì)引入）；劃痕源于：硅片廠家在插片過程的摩擦，同時(shí)也來源于硅片廠家的硅片檢驗(yàn)以及我們公司自身的來料檢驗(yàn)。指紋區(qū)劃傷區(qū)表現(xiàn)形式：指紋或劃傷經(jīng)制絨后均清晰顯現(xiàn)，制絨后，指紋或劃傷區(qū)的顏色較正常區(qū)域淺，從而顯得該區(qū)域略顯發(fā)白；解決方法：指紋與劃傷在制絨良好時(shí)，均不會(huì)導(dǎo)致B2片產(chǎn)生，對B1片貢獻(xiàn)也相對較小。在上述問題產(chǎn)生時(shí)，可維持正常生產(chǎn)時(shí)，同時(shí)，收集好指紋及劃傷片的實(shí)例照片，并進(jìn)行指紋及劃傷片數(shù)目大致匯總。片源異常及

2、解決方法更多照片：通過問題反饋及供應(yīng)商自身改善，指紋及劃傷出現(xiàn)的概率較之前大幅下降，但仍有部分廠家硅片存在較多指紋及劃傷。歷史黑名單：晶科、天元、聚能、東泰、芯能、順大當(dāng)前：合格供應(yīng)商中，天元硅片指紋及劃傷出現(xiàn)的概率仍相對較高片源異常及解決方法2、脫膠不良脫膠不良產(chǎn)生原因：硅片廠家在進(jìn)行硅片脫膠處理時(shí)，硅片粘棒一側(cè)的粘膠（一般為AB膠）沒有去除完全，未去除完全的膠帶在后續(xù)清洗過程中部分溶解并附于硅片表面。脫膠不良的表現(xiàn)形式：脫膠不良的硅片經(jīng)制絨后，在硅片有機(jī)物殘留區(qū)，硅片出絨不全或出絨較小導(dǎo)致該區(qū)域較其他區(qū)域發(fā)白。脫膠不良產(chǎn)生時(shí)，位置固定且一般整體連續(xù)出現(xiàn)。片源異常及解決方法脫膠不良解決方法：

3、脫膠不良在輕微時(shí)，脫膠不良區(qū)域硅片仍可正常出絨，但其絨面相對較小而較其余區(qū)域顏色淺而顯發(fā)白，僅對B1類有所貢獻(xiàn)，不會(huì)造成B2片。對該情況，可維持正常生產(chǎn)，同時(shí)，做好不良硅片數(shù)目的大致統(tǒng)計(jì)及實(shí)例照片的拍攝。脫膠不良在嚴(yán)重時(shí)，脫膠不良區(qū)將難以出絨而導(dǎo)致該區(qū)域明顯發(fā)白。此時(shí)，脫膠不良將對B2片產(chǎn)生貢獻(xiàn)。對該種情況，對制絨后的硅片可按正常返工工藝進(jìn)行返工處理；對后續(xù)待制絨硅片，可以通過適當(dāng)增加氫氧化鈉濃度的方式來加快硅片的腐蝕速率，從而減小脫膠不良帶來的負(fù)面影響。對該情況，也同樣需要做好不良硅片數(shù)目的大致統(tǒng)計(jì)及實(shí)例照片的拍攝。歷史黑名單：脫膠不良出現(xiàn)概率極低，但仍需保持警惕，已發(fā)生過脫膠不良的廠家有兩

4、家：LDK（125M），比例較高，KMDK（156M），比例較小。片源異常及解決方法3、切割后未及時(shí)清洗，清洗劑殘留（清洗不良，硅片表面油污未得以完全去除）硅片切割后未及時(shí)清洗（圖1）；清洗劑殘留（或清洗過程未徹底去除硅片表面油污）（圖2、3）片源異常及解決方法硅片切割后未及時(shí)清洗的表現(xiàn)形式：硅片切割后未及時(shí)清洗，硅片四周會(huì)因風(fēng)干而導(dǎo)致表面臟污難以去除，經(jīng)制絨，表面臟污未去除區(qū)的出絨會(huì)較正常區(qū)域差而導(dǎo)致發(fā)白產(chǎn)生。其重要特征為：周邊一圈發(fā)白，且具有良好的重復(fù)性。硅片表面臟污未得以完全去除（或硅片表面有機(jī)無殘留）：硅片表面油污的存在導(dǎo)致硅片在制絨過程根本難以出絨，硅片的腐蝕變得緩慢，相同條件下的硅

5、片去重較正常情況明顯減少。解決方法：當(dāng)出現(xiàn)硅片切割后未及時(shí)清洗或硅片表面臟污殘留（有機(jī)洗劑殘留）時(shí)，硅片的制絨將難以持續(xù)。正常解決流程為：先申請停線，同時(shí)，開始進(jìn)行在線調(diào)整，制絨：可通過加大氫氧化鈉濃度，提高制絨溫度等方法來加快制絨過程的硅片反應(yīng)速率；預(yù)清洗：采取可去有機(jī)的溶液配制進(jìn)行硅片表面清洗；若上述方向的調(diào)整沒有明顯改善，可直接停線等待，并與供應(yīng)商進(jìn)行積極溝通。歷史黑名單：芯能、順大當(dāng)前黑名單：陽光硅谷 (出現(xiàn)比例極少,上面第四幅圖)片源異常及解決方法4、線痕 線痕片大幅存在，線痕片存在的隱患為：深線痕可能導(dǎo)致更高碎片率，多線線痕可能影響外觀并對效率有輕微影響。 線痕表現(xiàn)形式：線痕可從外

6、觀直接看出，一般為一根或數(shù)根直且細(xì)的溝壑（缺照片）。 對單晶而言，線痕分為單線線痕及多線線痕，單線線痕一般因切割斷線引起，多線線痕一般為切割漿料異常引起（如回收液的大量使用）。 對多晶而言，線痕除上述單線線痕及多線線痕外，還存在一種與單線線痕類似的硬點(diǎn)線痕，硬點(diǎn)線痕產(chǎn)生的方式為多晶鑄錠過程，涂層破損或其他因素引起碳原子擴(kuò)散進(jìn)入硅熔體而形成局部碳化硅雜質(zhì)，碳化硅的存在導(dǎo)致硅片切割時(shí)產(chǎn)生斷線，引起硬點(diǎn)線痕。 對于線痕片，其引起的影響相對較小，但由于其更屬于隱性干擾，難以估量。因此，在制絨段發(fā)現(xiàn)線痕片時(shí)，除非有質(zhì)量部門的明確標(biāo)識：線痕片，讓步接收，才可正常進(jìn)行統(tǒng)一生產(chǎn)。否則，在有線痕片存在時(shí)，一律先

7、擱置一邊，待得到采購、質(zhì)量確認(rèn)后，才統(tǒng)一進(jìn)行正常生產(chǎn)。 黑名單：當(dāng)前因各廠家自身控制以及我們采購、質(zhì)量的嚴(yán)格把關(guān)，線痕片出現(xiàn)極少。 設(shè)備異常及解決辦法設(shè)備引起的制絨異常主要有如下幾個(gè)特征：1、獨(dú)立性。由于設(shè)備的損壞，尤其是制絨設(shè)備的損壞，并不會(huì)同時(shí)產(chǎn)生，因此，因設(shè)備引起的異常往往僅表現(xiàn)為某一個(gè)槽或某一條線；2、異常硅片的規(guī)律性。設(shè)備異常，如鼓泡管堵塞，加熱器損壞，其制絨出來的硅片往往呈現(xiàn)一致的特征，并且在位置方面也有規(guī)律性。根據(jù)以上兩條，可以將制絨異常懷疑點(diǎn)引致設(shè)備方面。設(shè)備異常及解決辦法鼓泡管堵塞引起制絨異常：一廠因鼓泡管堵塞引起的制絨異常（發(fā)生時(shí)段：2009年5月）設(shè)備異常及解決辦法設(shè)備異

8、常常規(guī)解決流程： 當(dāng)將問題引致設(shè)備異常方面，對設(shè)備異常的考證其實(shí)相對簡單，當(dāng)前設(shè)備異常主要為含以下四個(gè)方面：1、槽體潔凈度 槽體潔凈度考察：可采取親自跟蹤的方式，現(xiàn)場要求員工按作業(yè)指導(dǎo)書進(jìn)行正常的槽體清潔，在有需要的時(shí)候，可以要求員工取出槽體底部多孔板，以進(jìn)行更細(xì)致的槽體清潔；2、鼓泡的考察 鼓泡的考察：由于我們線上多個(gè)槽體氣體流量計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)并不統(tǒng)一，因此，對鼓泡的考察必須通過肉眼觀察予以實(shí)現(xiàn)。鼓泡均勻性：鼓泡管上小孔的排布在槽體內(nèi)均勻，且占有很大面積比，鼓泡正常時(shí)，槽體各處均有大小較為一致的鼓泡；鼓泡大小的確定：鼓泡大小可由流量計(jì)的調(diào)節(jié)予以實(shí)現(xiàn)，具體大小的判定可以要求線上工段長一起予以確認(rèn)；3

9、、加熱器的考察 加熱器的考察：加熱器損壞對制絨有極大影響?？疾旆椒ㄈ缦拢?、采用溫度計(jì)（煤油溫度計(jì)或熱電偶溫度探測儀）進(jìn)行溫度測定；2、取出槽體多孔板，觀察加熱器是否有明顯損壞；3、要求設(shè)備對加熱器加熱狀體進(jìn)行測控，以查證是否確實(shí)有異常；（最近案例：一廠6#槽）；4、熱電偶考察 熱電偶顯示的考察：熱電偶顯示異常會(huì)導(dǎo)致實(shí)際制絨溫度產(chǎn)生較大偏差，考察方法為：通過溫度計(jì)對溶液進(jìn)行測溫，根據(jù)其與顯示溫度的差異判定其是否合格，在溫度偏差較小，且加熱器無異常時(shí)，可以采取溫度補(bǔ)償?shù)姆椒ㄟM(jìn)行正常生產(chǎn)；（最近案例：二廠1線6#槽，3線4、5、6槽）。工藝異常及常規(guī)解決辦法 盡管存在片源異常、設(shè)備異常等因素干擾，

10、但工藝本身才是制絨段異常的最主要因素。 工藝異?？捎深A(yù)清洗及制絨共同引起： 預(yù)清洗：預(yù)清洗引起的異常主要包括如下幾個(gè)方面：1、制絨后硅片未及時(shí)清洗，硅片自然風(fēng)干引起表面出絨不均；2、預(yù)清洗酒精使用時(shí)間過長，硅片表面有機(jī)物殘留；3、初拋槽中IPA不足引起硅片跳動(dòng)，消泡不良引起局部掛堿；4、初拋后漂洗槽溫度過低引起掛堿印殘留；4、初拋后漂洗槽IPA不足引起硅片發(fā)生跳動(dòng)。 制絨異常：制絨異?？芍苯託w總于工藝條件的偏離或與所生產(chǎn)硅片的匹配性存在較大差異。因制絨條件偏離或與待制絨硅片匹配性差異，制絨后的硅片表面將產(chǎn)生一系列不良，主要包括局部發(fā)亮、整體發(fā)亮、整體發(fā)白、邊角發(fā)白、大面積水紋印、表面白點(diǎn)、小雨

11、點(diǎn)等。工藝異常及常規(guī)解決辦法預(yù)清洗異常及解決辦法：1、酒精使用時(shí)間過長導(dǎo)致硅片制絨后局部白斑： 該案例發(fā)生在剛引入酒精進(jìn)行預(yù)清洗的驗(yàn)證階段。當(dāng)酒精清洗時(shí)間過長，在硅片與花籃接觸區(qū)域，硅片的清潔將難以保證。因該處殘余油污的存在，硅片經(jīng)制絨后，在硅片與花籃接觸處會(huì)形成月牙狀發(fā)白。如下圖所示： 判定方法：因酒精清洗不良引起的月牙狀白斑與片源臟污引起的白斑并不相同。因片源自身引起的白斑一般表現(xiàn)為發(fā)白嚴(yán)重，并且區(qū)域較大，位置固定性較差。因酒精清洗異常引起的白斑主要集中在齒位附近，并且相對輕微。 解決方法：因酒精清洗異常引起清洗不良而導(dǎo)致的制絨月牙狀白斑，輕微的形成B1片，嚴(yán)重的則產(chǎn)生B2片。因此，在出現(xiàn)

12、上述問題時(shí)，需及時(shí)對酒精清洗槽進(jìn)行換液處理。排凈廢液，并洗槽后，再次配入新液。 已完成驗(yàn)證：正常24小時(shí)內(nèi)未發(fā)現(xiàn)異常。酒精清洗不良引起的制絨后月牙狀白斑工藝異常及常規(guī)解決辦法預(yù)清洗異常及解決辦法：2、在初拋槽（2#槽）或初拋后漂洗槽（3#槽）發(fā)生跳片：表現(xiàn)方式：硅片在預(yù)清洗過程中發(fā)生跳片一般都因IPA不足，導(dǎo)致清洗過程不能有效消泡而使硅片跳動(dòng)。跳片后果：硅片發(fā)生跳動(dòng)除引起碎片外，即便未破碎的硅片也將因硅片間的相互接觸而導(dǎo)致表面清洗不良，進(jìn)而引起制絨表面出絨不均而產(chǎn)生明顯色差。解決方法：硅片跳動(dòng)主要因IPA不足引起，當(dāng)硅片在有跳片預(yù)兆時(shí)，就應(yīng)及時(shí)往相應(yīng)槽體一定量IPA（2#或3#槽），一般以2L

13、為單位。對于已發(fā)生較嚴(yán)重跳片的情形，盡量將硅片提至請水槽，并對硅片進(jìn)行相應(yīng)處理（漂洗，硅片分離重新插入花籃等）。工藝異常及常規(guī)解決辦法預(yù)清洗異常及解決辦法：3、硅片清洗后未及時(shí)制絨，表面自然風(fēng)干引起硅片局部臟污導(dǎo)致制絨不良：風(fēng)干后硅片表面局部差異的存在，導(dǎo)致硅片制絨后局部白斑，如下圖所示：預(yù)清洗風(fēng)干引起的局部白斑預(yù)清洗后，硅片表面未及時(shí)制絨導(dǎo)致硅片表面出現(xiàn)局部白斑的概率將大幅上升。制絨白斑的產(chǎn)生將引起B(yǎng)1、甚至是B2色差。解決方法：降低硅片預(yù)清洗后到制絨的等待時(shí)間，注意保持預(yù)清洗與制絨的連續(xù)匹配性，預(yù)清洗后的等待時(shí)間盡量控制在半個(gè)小時(shí)內(nèi)。工藝異常及常規(guī)解決辦法預(yù)清洗異常及解決辦法：4、硅片預(yù)清

14、洗過程掛堿或清洗工藝不匹配導(dǎo)致硅片表面臟污未能去除：掛堿：掛堿僅在初拋預(yù)清洗工藝中出現(xiàn)，產(chǎn)生原因有二：1、初拋液中IPA不足，或者初拋液使用至后期，初拋液中硅酸鈉含量大幅升高導(dǎo)致溶液粘度增大；2、初拋后的漂洗槽（3#）溫度過低，硅片清洗后的表面殘留物未完全去除。掛堿現(xiàn)象：初拋掛堿，將導(dǎo)致硅片經(jīng)制絨后表面有較明顯的掛堿印記，如下圖所示：掛堿印的危害：掛堿印的存在會(huì)導(dǎo)致B1甚至B2類不良片的出現(xiàn)。掛堿印的解決：1、首先觀察各槽溫度是否均在工藝控制范圍內(nèi)；2、在各槽實(shí)際溫度均在控制范圍內(nèi)的前提下，對2#初拋槽及3#漂洗槽內(nèi)各補(bǔ)入2L IPA，完成IPA補(bǔ)加后，對后續(xù)清洗第一籃硅片進(jìn)行跟蹤觀察，查看問

15、題是否得到解決；3、若上述調(diào)整無效，對初拋預(yù)清洗段進(jìn)行換液處理。工藝異常及常規(guī)解決辦法制絨異常及解決辦法：1、小雨點(diǎn) 小雨點(diǎn)因制絨過程IPA不足引起，IPA不足除引起小雨點(diǎn)外，也使跳片的概率上升，因此，需予以及時(shí)解決。制絨小雨點(diǎn) 制絨小雨點(diǎn)表現(xiàn)形式：硅片表面分布有很細(xì)小白點(diǎn)，并且小白點(diǎn)形狀呈現(xiàn)為從上而下逐漸變大，與雨點(diǎn)形狀相似，故稱為小雨點(diǎn)。小雨點(diǎn)產(chǎn)生原因?yàn)镮PA不足導(dǎo)致的消泡不良，根據(jù)消泡不良程度，表面小雨點(diǎn)含量發(fā)生相應(yīng)改變。 解決方法：小雨點(diǎn)一般不會(huì)導(dǎo)致B2片，輕微的連B1片也不會(huì)產(chǎn)生，因此，對于已產(chǎn)生的小雨點(diǎn)片可以正常釋放。對產(chǎn)生小雨點(diǎn)的制絨液進(jìn)行下一籃生產(chǎn)時(shí)，IPA的補(bǔ)加需較正常工藝多

16、0.5L。完成該調(diào)整后，若后續(xù)制絨良好，即可恢復(fù)正常連續(xù)生產(chǎn)。工藝異常及常規(guī)解決辦法制絨異常及解決辦法：2、花籃印 產(chǎn)生花籃印的原因有兩種，一為花籃本身潔凈度問題；二為制絨工藝有偏差，硅片花籃接觸區(qū)制絨差異顯示，產(chǎn)生花籃印?；ɑ@印示意圖花籃?。夯ɑ@印既可為一兩個(gè)齒位，也為全部六個(gè)齒位?；ɑ@印的存在會(huì)造成B1片，對已制絨的片子可正常釋放，并做不良統(tǒng)計(jì)?；ɑ@自身引起的花籃印一般出現(xiàn)在新花籃，以及舊花籃很長一段時(shí)間閑置未用。因花籃自身引起的花籃印，硅片的絨面一般均良好。對該情形，需按花籃清洗工藝進(jìn)行花籃清洗，清洗完后先做小批量驗(yàn)證，驗(yàn)證合格即可正常生產(chǎn)。因制絨不良導(dǎo)致的花籃印，硅片表面除花籃印外，伴

17、有其他異常，需根據(jù)其他相應(yīng)異常進(jìn)行工藝調(diào)整。工藝異常及常規(guī)解決辦法制絨異常及解決辦法：3、發(fā)亮（發(fā)亮分大面積發(fā)亮及局部發(fā)亮）大面積發(fā)亮：大面積發(fā)亮硅片大面積發(fā)亮：硅片大面積發(fā)亮將會(huì)造成大規(guī)模B類片，發(fā)亮嚴(yán)重硅片將造成大量B2片產(chǎn)生。在短時(shí)間不能解決時(shí)，需馬上申請停線，或申請工程調(diào)試。產(chǎn)生原因：硅片大面積發(fā)亮產(chǎn)生的原因?yàn)楣杵g過量。硅片表面大面積發(fā)亮，硅片的去重將較正常值明顯上升，硅片去重可作為判斷發(fā)亮是否因腐蝕過量引起的重要依據(jù)。解決辦法：主旨為降低硅片腐蝕速率，按當(dāng)前制絨調(diào)整原則：1、適當(dāng)降低氫氧化鈉；2、適當(dāng)降低制絨溫度。工藝異常及常規(guī)解決辦法制絨異常及解決辦法：3、發(fā)亮（發(fā)亮分大面積發(fā)

18、亮及局部發(fā)亮）局部發(fā)亮：局部發(fā)亮硅片局部發(fā)亮：在制絨正常時(shí)，硅片局部發(fā)亮一般因硅片去重偏小引起（進(jìn)行該方面判斷時(shí)，可結(jié)合硅片制絨去重?cái)?shù)據(jù)）。當(dāng)出現(xiàn)硅片局部發(fā)亮?xí)r，輕微時(shí)將產(chǎn)生B1片，嚴(yán)重時(shí)將產(chǎn)生B2片。解決方法：1、當(dāng)硅片局部發(fā)亮嚴(yán)重，且硅片去重相對較小時(shí)，按正常返工工藝進(jìn)行返工處理，返工后去重偏大，做好超薄標(biāo)識，并在PE后暫停；2、當(dāng)硅片局部發(fā)亮主要發(fā)生在多籃制絨后，如大于5籃，直接換液進(jìn)行再生產(chǎn)；3、當(dāng)硅片制絨連續(xù)發(fā)亮，申請停線，或申請工程調(diào)試。調(diào)試主旨：適當(dāng)增加硅片制絨去重。增加氫氧化鈉濃度，或者適當(dāng)降低IPA濃度。工藝異常及常規(guī)解決辦法制絨異常及解決辦法： 4、發(fā)白：硅片制絨發(fā)白一般因

19、硅片腐蝕不足引起（需注意發(fā)白片與白斑片的區(qū)別，發(fā)白片顏色較白斑片淺，在金相顯微鏡下，白斑片幾乎不出絨，發(fā)白片會(huì)有連續(xù)性較差的絨面。發(fā)白片一般為正面發(fā)白或邊角發(fā)白，白斑則區(qū)域地分布于硅片內(nèi)）。整體發(fā)白片發(fā)白片：發(fā)白片為制絨不足引起，因不同硅片廠家表面狀況略有不同，同一配比下，某些廠家硅片會(huì)出現(xiàn)整體或者邊角發(fā)白。發(fā)白片一般均會(huì)造成B2片。因此，對于發(fā)白片，一般均需采用返工工藝進(jìn)行返工處理。調(diào)試方法：發(fā)白（整體或邊角）主要為腐蝕不足引起，調(diào)試主旨為加快硅片腐蝕速率，增加硅片腐蝕量。具體做法為：1、逐步增加初配液中氫氧化鈉濃度，在制絨過程中可通過增加過程補(bǔ)加實(shí)現(xiàn)；2、適當(dāng)提高制絨溫度。工藝異常及常規(guī)解

20、決辦法5、水紋印：水紋印主要發(fā)生在156M上，在125M上出現(xiàn)比例極少。當(dāng)前產(chǎn)生機(jī)理尚未完全查明，在繼續(xù)查證中。水紋印水紋印：水紋印主要出現(xiàn)在156M硅片上，且在多籃后更易產(chǎn)生。通過IPA調(diào)整實(shí)驗(yàn)，增加IPA，水紋印將由大面積變?yōu)樾∶娣e，但水紋印仍然會(huì)繼續(xù)存在。解決方法：水紋印一般不會(huì)造成B類片，但在水紋嚴(yán)重的情況下仍可能造成B1類色差片，因此需要注意跟蹤觀察。在水紋產(chǎn)生的情況下，可通過適當(dāng)多增加點(diǎn)IPA予以緩解。工藝異常及常規(guī)解決辦法6、白亮點(diǎn)：硅片表面制絨后，表面存在極小的白點(diǎn)，完成電池制備后，在電池終檢處會(huì)發(fā)現(xiàn)電池片表面有相應(yīng)的白點(diǎn)或亮點(diǎn)。終檢白亮點(diǎn)白亮點(diǎn)：出現(xiàn)概率相對較低，并且白亮點(diǎn)一

21、般僅造成B1片（注意與制絨后水珠殘留對色差的影響，水珠殘留引起的白點(diǎn)一般為空心圓，且顏色較淺） 。白亮點(diǎn)的產(chǎn)生機(jī)理仍在查證中，但制絨液的均勻性及潔凈程度也會(huì)造成白亮點(diǎn)硅片產(chǎn)生。解決方法：當(dāng)僅為單批次出現(xiàn)少量白斑，后續(xù)未產(chǎn)生情況下，只需統(tǒng)計(jì)白點(diǎn)數(shù)目，并繼續(xù)正常生產(chǎn)。若單槽連續(xù)出現(xiàn)多籃白點(diǎn)，對該槽溶液進(jìn)行更換，并要求產(chǎn)生加強(qiáng)溶液攪拌。多晶制絨異常常規(guī)解決 當(dāng)前多晶制絨尚處于起步階段，制絨水平整體不高。既有能力下，制絨段默認(rèn)的不良主要分為如下三種：1、制絨去重偏大或去重偏??；2、制絨后表面產(chǎn)生較嚴(yán)重暗紋；3、過程酸液泄露導(dǎo)致硅片表面局部未出絨或出絨不完全。多晶制絨異常常規(guī)解決1、制絨去重偏大或偏小異常解決 多晶制絨SPC控制限為0.45-0.70g（規(guī)格限為0.45-0.90g），當(dāng)硅片制絨去重小于0.45g或者去重大于0.70g，默認(rèn)為制絨去重異常。 去重偏?。汗杵平q去重小于0.45g。硅片制絨去重偏小可能造成的危害為：硅片經(jīng)制絨處理，硅片表面損傷去除未完全，導(dǎo)致加工制得的電池片低效。解決方法：當(dāng)硅片制絨去重小于0.45但大于等于0.40g時(shí)，超級釋放該批硅片，同時(shí)對該批硅片不需做任何特殊處理，同時(shí)要求制絨段操作員工適當(dāng)增加制絨時(shí)間，一般以20sec為單位進(jìn)行。當(dāng)硅片制絨去