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文檔簡介
1、 光電探測器是一種能夠?qū)⒐獾男盘栟D(zhuǎn)換為電的信號的半導(dǎo)體器件。光探測器的工作包括三個步驟:由入射光產(chǎn)生載流子;通過任何可行的電流增益機制,使載流子傳導(dǎo)及倍增;電流與外部電路相互作用,以提供輸出信號。 第二章、光電導(dǎo)器件第二章、光電導(dǎo)器件 光電探測器在所工作的波長中具有高靈敏度、高響應(yīng)速度及低噪聲。另外,光電探測器必須輕薄短小、使用低電壓或低電流,并具有高可靠度。 為何?為何?在電路中的符號常見的光敏電阻有CdS、CdSe、PbS、InSb、HgxCd1-xTe(是由HgTe和CdTe兩種材料混在一起的固溶體 )用于制造光敏電阻的材料主要是金屬的硫化物、硒化物和碲化物等半導(dǎo)體。通常采用涂敷、噴涂、
2、燒結(jié)等方法在絕緣襯底上制做很薄的光敏電阻體及梳狀歐姆電極,然后接出引線,封裝在具有透光鏡的密封殼體內(nèi),以免受潮影響其靈敏度。光敏電阻的原理結(jié)構(gòu)如右圖所示。在黑暗環(huán)境里,它的電阻值很高,當(dāng)受到光照時,只要光子能量大于半導(dǎo)體材料的禁帶寬度,則價帶中的電子吸收一個光子的能量后可躍遷到導(dǎo)帶,并在價帶中產(chǎn)生一個帶正電荷的空穴,這種由光照產(chǎn)生的電子空穴對增加了半導(dǎo)體材料中載流hWLD歐姆接觸歐姆接觸半導(dǎo)體hWLD歐姆接觸歐姆接觸半導(dǎo)體圖 8.30由一半導(dǎo)體平板與兩端的接觸所構(gòu)成的光敏電阻的示意圖子的數(shù)目,使其電阻率變小,從而造成光敏電阻阻值下降。光照愈強,阻值愈低。入射光消失后,由光子激發(fā)產(chǎn)生的電子空穴對
3、將逐漸復(fù)合,光敏電阻的阻值也就逐漸恢復(fù)原值。 在光敏電阻兩端的金屬電極之間加上電壓,其中便有電流通過,受到適當(dāng)波長的光線照射時,電流就會隨光強的增加而變大,從而實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換。光敏電阻沒有極性,純粹是一個電阻器件,使用時既可加直流電壓,也可以加交流電壓。 某些光敏電阻的增益甚至可高達(dá)106。一般光敏電阻的響應(yīng)時間為10-3s10-10s,它們被大量應(yīng)用于紅外光偵測,尤其是波長大于幾微米以上的區(qū)域。 在第1章討論光電導(dǎo)效應(yīng)時發(fā)現(xiàn),光敏電阻在微弱輻射作用的情況下光電導(dǎo)靈敏度Sg與光敏電阻兩電極間距離l的平方成反比,參見(1-85)式;在強輻射作用的情況下光電導(dǎo)靈敏度Sg與光敏電阻兩電極間距離l的二分
4、之三次方成反比,參見(1-88)式;都與兩電極間距離l有關(guān)。 根據(jù)光敏電阻的設(shè)計原則可以設(shè)計出如圖2-2所示的3種基本結(jié)構(gòu),圖2-2(a)所示光敏面為梳形的結(jié)構(gòu)。 CdS和CdSe( 2.42、1.7 ev ) 低造價、高可靠、長壽命、可見光輻射探測器 光電導(dǎo)增益比較高(103104) 響應(yīng)時間比較長(大約50ms) 廣泛用于自動化技術(shù)和攝影機中的光計量。PbS(常溫下禁帶寬度為0.41eV) 近紅外輻射探測器 波長響應(yīng)范圍在13.4m,峰值響應(yīng)波長為2m 內(nèi)阻(暗阻)大約為1M 響應(yīng)時間約200s 廣泛用于遙感技術(shù)和武器紅外制導(dǎo)技術(shù)InSb(銻化銦,室溫下禁帶寬度為0.18eV) 近紅外輻射
5、探測器,室溫下,噪聲大。在77k下,噪HgxCd1-xTe探測器 化合物本征型光電導(dǎo)探測器,它是由HgTe和CdTe兩種 材料混在一起的固溶體,其禁帶寬度隨組分x呈線性變化 當(dāng)x=0.2時響應(yīng)波長為814m,工作溫度77k,用液 氮致冷。聲性能大大改善峰值響應(yīng)波長為5m;響應(yīng)時間短(大約5010-9s)適用于快速紅外信號探測1)暗電阻、亮電阻 光敏電阻在室溫和全暗條件下測得的穩(wěn)定電阻值稱為暗電阻,或暗阻。此時流過的電流稱為暗電流。例如MG41-21型光敏電阻暗阻大于等于0.1M。 光敏電阻在室溫和一定光照條件下測得的穩(wěn)定電阻值稱為亮電阻或亮阻。此時流過的電流稱為亮電流。MG4121型光敏電阻亮
6、阻小于等于1k。 亮電流與暗電流之差稱為光電流。 顯然,光敏電阻的暗阻越大越好,而亮阻越小越好,也就是說暗電流要小,亮電流要大。這樣光敏電阻的靈敏度就高。 2)光譜特性 對于不同波長的入射光,光敏電阻的相對靈敏度是不相同的。各種材料的光譜特性如下圖所示。從圖中看出,硫化鎘的峰值在可見光區(qū)域,而硫化鉛的峰值在紅外區(qū)域,因此在選用光敏電阻時應(yīng)當(dāng)把元件和光源的種類結(jié)合起來考慮,才能獲得滿意的結(jié)果。光敏電阻的光譜響應(yīng)主要由光敏材料禁帶寬度、雜質(zhì)電離能、材料摻雜比與摻雜濃度等因素有關(guān)。 3)光電特性 光敏電阻的光電流與光照度之間的關(guān)系稱為光電特性。如圖2-3所示,光敏電阻的光電特性呈非線性。前面所講的光
7、電轉(zhuǎn)換定律表達(dá)式是理想情況的轉(zhuǎn)換關(guān)系式??紤]到許多實際因素,光敏電阻的光電特性并非呈線性 在1.5.1節(jié)討論光電導(dǎo)效應(yīng)時我們看到,光敏電阻在弱輻射和強輻射作用下表現(xiàn)出不同的光電特性(線性與非線性),式(1-84)與(1-87)分別給出了它在弱輻射和強輻射作用下的光電導(dǎo)與輻射通量的關(guān)系。, e2lhqg 21,213eflKhbdqg(1-84)(1-87) 實際上,光敏電阻在弱輻射到強輻射的作用下,它的光電特性可用在“恒定電壓”作用下流過光敏電阻的電流Ip與作用到光敏電阻上的光照度E的關(guān)系曲線來描述。 如圖2-3所示的特性曲線反應(yīng)了流過光敏電阻的電流Ip與入射光照度E間的變化關(guān)系,由圖可見它是
8、由直線性漸變到非線性的。 在恒定電壓的作用下,流過光敏電阻的光電流Ip為 EUSUgIgpp式中Sg為光電導(dǎo)靈敏度,E為光敏電阻的照度。顯然,當(dāng)照度很低時,曲線近似為線性,Sg由式(1-85)描述;隨照度的增高,線性關(guān)系變壞,當(dāng)照度變得很高時,曲線近似為拋物線形,Sg由式(1-87)描述。 光敏電阻的光電特性可用一個隨光度量變化的指數(shù)伽瑪()來描述,并定義為光電轉(zhuǎn)換因子。并將式(2-1)改為 EUSUgIgpp可以看出光敏電阻不適宜做檢測元件,這是光敏電阻的缺點之一,在自動控制中它常用做開關(guān)式光電傳感器。Sg 與器件材料、尺寸、形狀以及載流子的壽命有關(guān);電壓指數(shù)一般取值在1.01.2;照度指數(shù)
9、取值約在0.51.0。在低偏壓(幾伏到幾十伏),弱光照下,電壓指數(shù)和照度指數(shù)通常都取1 在實際使用時,常常將光敏電阻的光電特性曲線改用如圖2-4所示的特性曲線。圖2-4所示為兩種坐標(biāo)框架的特性曲線,其中(a)為線性直角坐標(biāo)系中光敏電阻的阻值R與入射照度EV的關(guān)系曲線,而(b)為對數(shù)直角坐標(biāo)系下的阻值R與入射照度EV的關(guān)系曲線。 如圖2-4(b)所示的對數(shù)坐標(biāo)系中光敏電阻的阻值R在某段照度EV范圍內(nèi)的光電特性表現(xiàn)為線性,即(2-2)式中的保持不變。 值為對數(shù)坐標(biāo)下特性曲線的斜率。即 1221loglogloglogEERR(2-3) R1與R2分別是照度為E1和E2時光敏電阻的阻值。 LiRVu
10、4)伏安特性 在一定照度下,光敏電阻兩端所加的電壓與流過光敏電阻的電流之間的關(guān)系,稱為伏安特性。光敏電阻兩端電壓為: 為有光照時的亮電阻,當(dāng)光照變化時, 變?yōu)?,電流 變?yōu)?,gRgRggRRiiigLRRViggLRRRVii上述兩式相減,則有:)()(2gLggLgLgRRRRRRRRVi式中負(fù)號表示光照增大,亮阻減小,電流增大。同時,電流變化,引起光敏電阻兩端電壓的變化:LLLiRuiRVuRiiVuu)(2)(gLgRRRVi2)(gLLgRRRRVu代入 得: gLRR 當(dāng) 時,上式有最大值, 為有光照時的亮電阻,gR 為負(fù)載電阻,稱為匹配負(fù)載電阻,但是入射光功率在較大的動態(tài)范圍內(nèi)變
11、化,保持匹配工作狀態(tài)就比較難,此其缺點之二。LR缺點之三:光敏電阻的響應(yīng)頻率比較低,響應(yīng)時間長。原因分析:忽略了極間電容的影響,當(dāng)入射光功率變化頻率較高時,等效電容不能省去。并且為了獲得大的電流,L尺寸小,使得極間電容較大。以上分析了光敏電阻工作電流和電壓,下面看一下其工作功率,討論偏置電壓V的選取。在一定光照下,光敏電阻上產(chǎn)生的熱損耗功率為:gRiiu2max2PRiiug每一個型號的光敏電阻有對應(yīng)的額定功率 ,因此,maxPgLRRVi)()(21maxgLgRRRPV21max)(2PRVg代入 得偏置電壓:在匹配條件下: 可知,光敏電阻伏安特性近似直線,受耗散功率的限制,在使用時,光敏
12、電阻兩端的電壓不能超過最高工作電壓,圖中虛線為允許功耗曲線,由此可確定光敏電阻正常工作電壓。 由于不同材料的光敏電阻時延特性不同,所以它們的頻率特性也不相同。附圖1給出相對靈敏度,與光強變化頻率f之間的關(guān)系曲線,可以看出硫化鉛的使用頻率比硫化光敏電阻的響應(yīng)時間常數(shù)是由電流上升時間 和衰減時間 表示的。rtft5)時間響應(yīng)特性 光敏電阻的響應(yīng)時間與入射光的照度、所加電壓、負(fù)載電阻及照度變化前電阻所經(jīng)歷的時間(稱為前歷時間)等因素有關(guān)。6)頻率特性當(dāng)光敏電阻受到脈沖光照時,光電流要經(jīng)過一段時間才能達(dá)到穩(wěn)態(tài)值,光照突然消失時,光電流也不立刻為零。這說明光敏電阻有時延特性。指光敏電阻的時間特性與工作前
13、“歷史”有關(guān)的一種現(xiàn)象。即測試前光敏電阻所處狀態(tài)對光敏電阻特性的影響。指光敏電阻測試或工作前處于暗態(tài),當(dāng)它突然受到光照后光電流上升的緩慢程度。一般,工作電壓越低,光照度越低,則暗態(tài)前歷效應(yīng)就越重。 1-黑暗放置3分鐘后 2-黑暗放置60分鐘后 3-黑暗放置24小時后光敏電阻測試或工作前已處于亮態(tài),當(dāng)照度與工作時所要達(dá)到的照度不同時,所出現(xiàn)的一種滯后現(xiàn)象。鎘高的多。但多數(shù)光敏電阻的時延都較大,因此不能用在要求快速響應(yīng)的場合,這是光敏電阻的一個缺陷。附圖1 光敏電阻的頻率特性 1-PbS 2-CdS7)溫度特性光敏電阻和其他半導(dǎo)體器件一樣,受溫度影響較大,當(dāng)溫度升高時,它的暗電阻會下降。溫度的變化
14、對光譜特性也有很大影響。附圖2是硫化鉛光敏電阻的光譜溫度特性曲線。 從圖中可以看出,它的峰值隨著溫度上升向波長短的方向移動。因此,有時為了提高靈敏度,或為了能接受遠(yuǎn)紅外光而采取降溫措施。 附圖2 PbS的光譜溫度特性在有光照時,光敏電阻的阻值隨溫度變化而變化的變化率,在弱光照和強光照時都較大,而中等光照時,則較小。例:CdS光敏電阻的溫度系數(shù)在10lx照度時約為0;照度高于10lx時,溫度系數(shù)為正;小于10lx時,溫度系數(shù)反而為負(fù);照度偏離10lx愈多, 溫度系數(shù)也愈大。 另外,當(dāng)環(huán)境溫度在0+60的范圍內(nèi)時,光敏電阻的響應(yīng)速度幾乎不變;而在低溫環(huán)境下,光敏電阻的響應(yīng)速度變慢。例如,-30時的
15、響應(yīng)時間約為+20時的兩倍。 光敏電阻的允許功耗,隨著環(huán)境溫度的升高而降低。要防止使光敏電阻的電參數(shù)(電壓、功耗)超過允許值;根據(jù)不同用途,選用不同特性的光敏電阻。用于測光的光源光譜特性必須與光敏電阻的光敏特 性匹配;要防止光敏電阻受雜散光的影響;8)使用注意事項 設(shè)在某照度Ev下,光敏電阻的阻值為R,電導(dǎo)為g,流過偏置電阻RL的電流為IL LbbLRRUI用微變量表示 Rd)RR(d2LLbbUI而,dR=d(1/g)=(-1/g2 )dg dg=S dE 因此 22gvV2L2LEd)RR(dgbbSRUI設(shè)iL=dIL,ev=dEv,則 v2L2)RR(eSRUigbbL 加在光敏電阻上
16、的電壓為R與RL對電壓Ubb的分壓,即UR= Ubb R/(R+RL) ,因此,光電流的微變量為 vgLbbvgRUeSRRRUeSi將式(2-22)代入式(2-21)得 iRRRiLL(2-21)(2-22)(2-20)(2-23)Rd)RR(d2LLbbUIdR=d(1/g)=(-1/g2 )dg dg=S dE偏置電阻RL兩端的輸出電壓為 v2LgL2LLLLL)RR(UeSRRiRRRRiRubb從式(2-24)可以看出,當(dāng)電路參數(shù)確定后,輸出電壓信號與弱輻射入射輻射量(照度ev)成線性關(guān)系。 (2-24) 在簡單偏置電路中,當(dāng)RLR時,流過光敏電阻的電流基本不變,此時的偏置電路稱為恒
17、流電路。然而,光敏電阻自身的阻值已經(jīng)很高,再滿足恒流偏置的條件就難以滿足電路輸出阻抗的要求,為此,可引入如圖2-13所示的晶體管恒流偏置電路。 穩(wěn)壓管DW將晶體三極管的基極電壓穩(wěn)定,即UB=UW,流過晶體三極管發(fā)射極的電流Ie 為 ebeWeUIRU(2-25) 在晶體管恒流偏置電路中輸出電壓Uo為 RIUUcbbo求微分得 RIUddco將 代入(2-27)得 v2gEdRdRS(2-27)(2-26)vg2ebeWoddESRRUUU或 vg2eWoeSRRUu 顯然,恒流偏置電路的電壓靈敏度SV為 g2eWvSRRUS (2-28)(2-29)(2-30) 利用晶體三極管很容易構(gòu)成光敏電
18、阻的恒壓偏置電路。如圖2-14所示為典型的光敏電阻恒壓偏置電路。 光敏電阻在恒壓偏置電路的情況下輸出的電流IP與處于放大狀態(tài)的三極管發(fā)射極電流Ie近似相等。因此,恒壓偏置電路的輸出電壓為 ccbboRIUU取微分,則得到輸出電壓的變化量為 dUo=RcdIc=RcdIe= RcSgUwdE 例例2-1 2-1 在如圖2-13所示的恒流偏置電路中,已知電源電壓為12V,Rb為820,Re為3.3k,三極管的放大倍率不小于80,穩(wěn)壓二極管的輸出電壓為4 V,光照度為40lx時輸出電壓為6V,80 lx時為8V。(設(shè)光敏電阻在30到100lx之間的值不變) (1)輸出電壓為7伏的照度為多少勒克司?(
19、2)該電路的電壓靈敏度(V/ lx)。 解解 根據(jù)已知條件,流過穩(wěn)壓管DW的電流mA6 . 9wbbbWRUUI滿足穩(wěn)壓二極管的工作條件滿足穩(wěn)壓二極管的工作條件 (1)根據(jù)題目給的條件,可得到不同光照下光敏電阻的阻值 K6IV6ebb1UReK4IV8ebb2URe將Re1與Re2值代入值計算公式,得到光照度在4080lx之間的值 59. 0lg40lg80lg4lg6輸出為7V時光敏電阻的阻值應(yīng)為 K5IV7ebb3URP此時的光照度可由值計算公式獲得 59. 0lg40lgElg5lg63736. 1lg400.59lg5lg6lg3VEE3=54.48(lx) (2)電路的電壓靈敏度SV
20、 (V/lx)V069. 04048.5467SEU 例例2-22-2 在如圖2-14所示的恒壓偏置電路中,已知DW為2CW12型穩(wěn)壓二極管,其穩(wěn)定電壓值為6V,設(shè)Rb=1k,RC=510, 三極管的電流放大倍率不小于80,電源電壓Ubb=12V,當(dāng)CdS光敏電阻光敏面上的照度為150lx時恒壓偏置電路的輸出電壓為10V,照度為300lx時輸出電壓為8V,試計算輸出電壓為9V時的照度(設(shè)光敏電阻在100500lx間的值不變)為多少lx? 照度到500lx時的輸出電壓為多少? 解解 分析電路可知,流過穩(wěn)壓二極管的電流滿足2CW12的穩(wěn)定工作條件,三極管的基極被穩(wěn)定在6V。 設(shè)光照度為150lx時
21、的輸出電流為I1,與光敏電阻的阻值R1,則 )mA(92. 3510101210cbb1RUIk35. 192. 37 . 067 . 01W1IUR同樣,照度為300lx時流過光敏電阻的電流I2與電阻R2為7.84(mA)8Icbb2RUR2=676 由于光敏電阻在100到500lx間的值不變,因此該光敏電阻的值應(yīng)為 1lglglglg1221EERR當(dāng)輸出電壓為9V時,設(shè)流過光敏電阻的電流為I3,阻值為R3,則 (mA)88. 59cbb3RUIR3=900 代入值的計算公式便可以計算出輸出電壓為9V時的入射照度E31lglglglg2332EERRE3=225(lx) 由值的計算公式可以
22、得到500lx時的阻值R4及三極管的輸出電流I4為 R4=405 I4=13(mA)而此時的輸出電壓UO為 UO=UbbI4Rc=5.4(V)即,在500lx的照度下恒壓偏置電路的輸出電壓為5.4V。 1 1 、照明燈的光電控制電路、照明燈的光電控制電路 如圖2-15所示為一種最簡單的由光敏電阻作光電敏感器件的照明燈光電自動控制電路。 它由3部分構(gòu)成 :半波整流濾波電路 測光與控制的電路 執(zhí)行電路 設(shè)使照明燈點亮的光照度為EV 繼電器繞組的直流電阻為RJ,使繼電器吸合的最小電流為Imin,光敏電阻的光電導(dǎo)靈敏度為Sg,暗電導(dǎo)go=0,則 ?gJminvSRRIUE顯然,這種最簡單的光電控制電路
23、還有很多缺點,還需要改進(jìn)。在實際應(yīng)用中常常要附加其他電路,如樓道照明燈常配加聲控開關(guān)或微波等接近開關(guān)使燈在有人活動時照明燈才被點亮;而路燈光電控制器則要增加防止閃電光輻射或人為的光源(如手電燈光等)對控制電路的干擾措施。 2 2、火焰探測報警器、火焰探測報警器圖2-16所示為采用光敏電阻為探測元件的火焰探測報警器電路圖。PbS光敏電阻的暗電阻的阻值為1M,亮電阻的阻值為0.2M(輻照度1mw/cm2下測試),峰值響應(yīng)波長為2m,恰為火焰的峰值輻射光譜。 3 3 、照相機電子快門、照相機電子快門 圖2-17所示為利用光敏電阻構(gòu)成的照相機自動曝光控制電路,也稱為照相機電子快門。 電子快門常用于電子
24、程序快門的照相機中,其中測光器件常采用與人眼光譜響應(yīng)接近的硫化鎘(CdS)光敏電阻。照相機曝光控制電路是由光敏電阻R、開關(guān)K和電容C構(gòu)成的充電電路,時間檢出電路(電壓比較器),三極管T構(gòu)成的驅(qū)動放大電路,電磁鐵M帶動的開門葉片(執(zhí)行單元)等組成。 在初始狀態(tài),開關(guān)K處于如圖所示的位置,電壓比較器的正輸入端的電位為R1與RW1分電源電壓Ubb所得的閾值電壓Vth(一般為11.5V),而電壓比較器的負(fù)輸入端的電位VR近似為電源電位Ubb,顯然電壓比較器負(fù)輸入端的電位高于正輸入端的電位,比較器輸出為低電平,三極管截止,電磁鐵不吸合,開門葉片閉合。 當(dāng)按動快門的按鈕時,開關(guān)K與光敏電阻R及RW2構(gòu)成的測光與充電電路接通,這時,電容C兩端的電壓UC為0,由于電壓比較器的負(fù)輸入端的電位低于正輸入端而使其輸出為高電平,使三極管T導(dǎo)通,電磁鐵將帶動快門的葉片打開快門,照相機開始曝光。快門打開的同時,電源Ubb通過電位器RW2與光敏電阻R向電容C充電,且充電的速度取決于景物的照度,景物照度愈高光敏電阻R的阻值愈低,充電速度愈快。VR的變化規(guī)律可由電容C的充電規(guī)律得到 VR=Ubb1exp(t/) 式中為電路的時間常數(shù) =(RW2+R)C 光敏電阻的阻值R與入射的光照度EV有關(guān) gSEgR1當(dāng)電容C兩端的電壓UC充電到一定的電位(VRVth
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