半導(dǎo)體器件習(xí)習(xí)題及答案

1、第1章 半導(dǎo)體器件一、是非題 (注:請(qǐng)?jiān)诿啃☆}后 內(nèi)用表示對(duì),用表示錯(cuò)) 1、P型半導(dǎo)體可通過在本半導(dǎo)體中摻入五價(jià)磷元素而獲得。（ ）2、N型半導(dǎo)體可以通過在本征半導(dǎo)體中摻入三價(jià)元素而得到。（ ）3、在N型半導(dǎo)體中，摻入高濃度的三價(jià)雜質(zhì)可以發(fā)型為P型半導(dǎo)體。（ ）4、P型半導(dǎo)體帶正電，N型半導(dǎo)體帶負(fù)電。（ ）5、N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是電子，所以它帶負(fù)電。（ ）6、半導(dǎo)體中的價(jià)電子易于脫離原子核的束縛而在晶格中運(yùn)動(dòng)。（ ）7、半導(dǎo)體中的空穴的移動(dòng)是借助于鄰近價(jià)電子與空穴復(fù)合而移動(dòng)的。（ ）8、施主雜質(zhì)成為離子后是正離子。（ ）9、受主雜質(zhì)成為離子后是負(fù)離子。（ ）10、PN結(jié)中的擴(kuò)散電流是載流

2、子在電場(chǎng)作用下形成的。（ ）11、漂移電流是少數(shù)載流子在內(nèi)電場(chǎng)作用下形成的。（ ）12、由于PN結(jié)交界面兩邊存在電位差，所以，當(dāng)把PN結(jié)兩端短路時(shí)就有電流流過。（ ）13、PN結(jié)在無光照、無外加電壓時(shí)，結(jié)電流為零。（ ）14、二極管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，還可以描述二極管的反向擊穿特性。（ ）15、通常的BJT管在集電極和發(fā)射極互換使用時(shí)，仍有較大的電流放大作用。（ ）16、有人測(cè)得某晶體管的UBE=，IB=20A，因此推算出rbe=UBE/IB=20A=35k。（ ）17、有人測(cè)得晶體管在UBE=，IB=5A，因此認(rèn)為在此工作點(diǎn)上的rbe大約為26mV/IB=。（

3、）18、有人測(cè)得當(dāng)UBE=，IB=10A?？紤]到當(dāng)UBE=0V時(shí)IB=0因此推算得到 （ ）二、選擇題 (注:在每小題的備選答案中選擇適合的答案編號(hào)填入該題空白處,多選或不選按選錯(cuò)論) . 1、在絕對(duì)零度（0K）時(shí)，本征半導(dǎo)體中_ 載流子。 A. 有 B. 沒有 C. 少數(shù) D. 多數(shù) 2、在熱激發(fā)條件下，少數(shù)價(jià)電子獲得足夠激發(fā)能，進(jìn)入導(dǎo)帶，產(chǎn)生_。 A. 負(fù)離子 B. 空穴 C. 正離子 D. 電子-空穴對(duì) 3、半導(dǎo)體中的載流子為_。 A.電子 B.空穴 C.正離子 D.電子和空穴 4、N型半導(dǎo)體中的多子是_。A.電子 B.空穴 C.正離子 D.負(fù)離子5、P型半導(dǎo)體中的多子是_。A.電子 B

4、.空穴 C.正離子 D.負(fù)離子6、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于 ，而少數(shù)載流子的濃度則與 有很大關(guān)系。 A. 溫度 B. 摻雜工藝 C. 雜質(zhì)濃度 C. 晶體缺陷7、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流 漂移電流，耗盡層 。當(dāng)PN結(jié)外加反向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流 漂移電流，耗盡層 。A.大于 B.小于 C.等于 D.變寬 E.變窄 F.不變8、二極管正向電壓從增大15%時(shí)，流過的電流增大_。（A115% B1大于15% C1小于15%）當(dāng)流過二極管的電流一定，而溫度升高時(shí)，二極管的正向電壓_。（A2增大B2減??；C2基本不變）9、溫度升高時(shí)，二極管的反向伏安特性曲線_。（A1上移 B1下移

5、 C1不變）說明此時(shí)反向電流_。（A2減小 B2增大 C2不變）. 10、在下圖所示電路中，當(dāng)電源V=5V時(shí)，測(cè)得I=1mA。若把電源電壓調(diào)整到V=10V，則電流的大小將是 I=2mA 2mA D.不能確定 圖 圖 圖11、圖所示電路中電源V=5V不變。當(dāng)溫度為20OC時(shí)測(cè)得二極管的電壓UD=。當(dāng)溫度上生到為40OC時(shí),則UD的大小將是 A.仍等于 B.大于 C. 小于 D.不能確定12、設(shè)圖電路中保持V=5V不變，當(dāng)溫度為20時(shí)測(cè)得二極管的電流I=2mA。當(dāng)溫度上升到40時(shí)，則I的大小將是 。 A. I=2mA B. I2mA13、圖中，二極管的正向壓降可以忽略，反向飽和電流 mA, 反向擊

6、穿電壓為5V,擊穿后電壓基本不隨電流而變化，這時(shí)電路中的電流I等于 A. 0.1 mA B. mA C. 5mA D. 15 mA 14、二極管的主要特性是 A.放大特性 B.恒溫特性 C.單向?qū)щ娞匦?D.恒流特性 15、在下圖所示電路中，D1D3為理想二極管，A、B、C白熾燈泡功率都相同，其中最亮的燈是_。 A. b B. c C. a16、二極管電路如下圖所示， 判斷圖中二極管是導(dǎo)通還是截止后，可確定電路的輸出電壓Vo為_。(設(shè)二極管的導(dǎo)通壓降0) A.5.6V 圖 圖 圖 圖17、二極管電路如上圖所示，判斷圖中二極管是導(dǎo)通還是截止后，可確定電路的輸出電壓Vo為_(設(shè)二極管的導(dǎo)通壓降為

7、18、二極管電路如上圖所示，判斷圖中二極管是導(dǎo)通還是截止后，可確定電路的輸出電壓Vo為_。(設(shè)二極管的導(dǎo)通壓降為 、電路如下圖所示。試估算A點(diǎn)的電位為_。（設(shè)二極管的正向壓降為。） A. 6.7V B. 6V C. D. 20、已知如下圖所示電路中VA0V，VB5V，分析二極管的工作狀態(tài)后，可確定Vo的值為_。（設(shè)二極管的正向壓降為。） 圖 圖 圖 (a) 圖 (b) 21、設(shè)硅穩(wěn)壓管DZ1和DZ2的穩(wěn)定電壓分別為5V和8V，正向壓降均為，可求出圖(a)中電路的輸出電壓Vo為_；可求出圖(b)中電路的輸出電壓Vo為_；可求出圖(c)中輸出電壓Vo為_；可求出圖(d)中輸出電壓Vo為_。A.0.

8、7V G.13V 圖(c) 圖(d) 圖(a) 圖(b)22、已知DZ1、DZ2的穩(wěn)壓值分別為6V和7V，且具有理想的穩(wěn)壓特性，可求得圖(a)路中，輸出電壓為_；可求得圖(b)中輸出電壓為_。 A. 1V B. 5V C. 6V D. 13V E. 7V23、二極管的雙向限幅電路如右圖所示。設(shè)vi為幅值大于直流電源VC1(=VC2)值的正弦波，二極管為理想器件。則可畫出vo的波形為_。A. a) B. b) C. c) D. d) 24、在同一測(cè)試電路中，分別測(cè)得A、B和C三個(gè)二極管電流如下表所示。二極管的性能最好的是_。A. a) B. b) C. c 管號(hào)加正向電壓時(shí)的電流加反向電壓時(shí)的電

9、流a)1Ab)5mAAc)2mA5A25、一個(gè)硅二極管在正向電壓UD=時(shí)，正向電流ID=10mA。若UD增大到（即增加10%），則電流ID 。 A.約為11mA（也增加10%）； B.約為20mA（增大1倍）；C.約為100mA（增大到原先的10倍）； D.仍為10mA（基本不變）。26、用萬用表判別放大電路中處于正常工作的某個(gè)晶體管的類型（指NPN型還是PNP型）與三個(gè)電極時(shí)以測(cè)出 最為方便。 A.中極間電阻 B.各極對(duì)地電位 C.各極電流27、溫度升高時(shí)，晶體管的電流放大系數(shù) ，反向飽和電流ICBO ，正向結(jié)電壓UBE 。 A.變大 B.變小 C.不變28、溫度升高時(shí)，晶體管的共射輸入特性

10、曲線將 ，輸出特性曲線將 ，而且輸出特性曲線之間的間隔將 。 A.上移 B.下移 C.左移 D.右移 E.增大 F.減小 G.不變29、雙極型晶體三極管在放大狀態(tài)工作時(shí)的外部條件是 。A 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏 B 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏 C 發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏 D 發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏30、在晶體管放大電路中，測(cè)得晶體管的各個(gè)電極的電位如下圖所示，該晶體管的類型是 。 型硅管 型硅管 型鍺管 型鍺管31、某三極管各個(gè)電極的對(duì)地電位如圖所示，可判斷其工作狀態(tài)是 。A. 飽和 B.放大 C.截止 D.已損壞 2V 6V 圖 圖32、三極管的穿透電流ICEO是集-基反向飽和電流的 倍. +

11、C.33、三極管工作在飽和區(qū)時(shí)，b-e極間為 ，b-c極間為 ；工作在放大區(qū)時(shí)，b-e極間為 ，b-c極間為 。 A. 擴(kuò)散電流 B. 漂移電流34、某三極管的極限參數(shù)PCM=150mW，ICM=100mA，V（BR）CEO=30V。若它的工作電壓VCE=10V，則工作電流IC不得超過 mA（ B. 15mA C. 1mA）；若工作電壓VCE=1V，則工作電流不得超過 mA（ B. 15mA C. 1mA）；若工作電流IC=1mA，則工作電壓不得超過 V（A. 30V B. 10V C. 1V）。 三、計(jì)算題1.寫出圖所示各電路的輸出電壓值，設(shè)二極管導(dǎo)通電壓UD。圖2.已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值UZ6

12、V，穩(wěn)定電流的最小值IZmin5mA。求圖所示電路中UO1和UO2各為多少伏。圖3 電路如圖所示，已知ui10sint(v)，試畫出ui與uO的波形。設(shè)二極管正向?qū)妷嚎珊雎圆挥?jì)。圖4 電路如圖所示，已知ui5sint (V)，二極管導(dǎo)通電壓UD。試畫出ui與uO的波形，并標(biāo)出幅值。 圖 5 電路如圖（a）所示，其輸入電壓uI1和uI2的波形如圖（b）所示，二極管導(dǎo)通電壓UD。試畫出輸出電壓uO的波形，并標(biāo)出幅值。圖6 現(xiàn)有兩只穩(wěn)壓管，它們的穩(wěn)定電壓分別為6V和8V，正向?qū)妷簽?。試問?（1）若將它們串聯(lián)相接，則可得到幾種穩(wěn)壓值各為多少 （2）若將它們并聯(lián)相接，則又可得到幾種穩(wěn)壓值各為多

13、少7 已知圖所示電路中穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ6V，最小穩(wěn)定電流IZmin5mA，最大穩(wěn)定電流IZmax25mA。 （1）分別計(jì)算UI為10V、15V、35V三種情況下輸出電壓UO的值； （2）若UI35V時(shí)負(fù)載開路，則會(huì)出現(xiàn)什么現(xiàn)象為什么 圖8 已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ6V，穩(wěn)定電流的最小值IZmin5mA，最大功耗PZM150mW。試求圖所示電路中電阻R的取值范圍。 圖9.在圖所示電路中，發(fā)光二極管導(dǎo)通電壓UD，正向電流在515mA時(shí)才能正常工作。試問： （1）開關(guān)S在什么位置時(shí)發(fā)光二極管才能發(fā)光 （2）R的取值范圍是多少 圖10電路如圖（a）、（b）所示，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ3V，R的取值合

14、適，uI的波形如圖（c）所示。試分別畫出uO1和uO2的波形。圖 11.有兩只晶體管，一只的200，ICEO200A；另一只的100，ICEO10A，其它參數(shù)大致相同。你認(rèn)為應(yīng)選用哪只管子為什么12測(cè)得放大電路中六只晶體管的直流電位如圖所示。在圓圈中畫出管子，并分別說明它們是硅管還是鍺管。圖13.已知兩只晶體管的電流放大系數(shù)分別為50和100，現(xiàn)測(cè)得放大電路中這兩只管子兩個(gè)電極的電流如圖所示。分別求另一電極的電流，標(biāo)出其實(shí)際方向，并在圓圈中畫出管子。 圖14 電路如圖所示，晶體管導(dǎo)通時(shí)UBE，=50。試分析VBB為0V、1V、三種情況下T的工作狀態(tài)及輸出電壓uO的值。 圖15.電路如圖所示，試

15、問大于多少時(shí)晶體管飽和 圖16電路如圖所示，晶體管的50，|UBE|，飽和管壓降|UCES|；穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ5V，正向?qū)妷篣D。試問：當(dāng)uI0V時(shí)uO當(dāng)uI5V時(shí)uO 圖17 分別判斷圖所示各電路中晶體管是否有可能工作在放大狀態(tài)。圖第1章 半導(dǎo)體器件習(xí)題答案一、判斷題1 2 3 4 5 6 7 8 910 11 12 13 14 15 16 17 18二、選擇題1 B 2D 3D 4A 5B 6C A 7A E B D 8B1B2 9B1B2 10C 11C 12. C 13. B 14. C 15. B 16. C 17. B 18. D 19. D 20. C21G B C A

16、22. A C 23. A 24. B 25. C 26. B 27. A A B 28. C A E 29. B 30A 31. D 32. B 33. A A A B 34. B A A三、計(jì)算題，UO20，UO3，UO42V，UO5，UO62V。6V，UO25V。3. ui和uo的波形如圖 4.波形如解圖所示。5.波形如圖所示6.（1）兩只穩(wěn)壓管串聯(lián)時(shí)可得、和14V等四種穩(wěn)壓值。（2）兩只穩(wěn)壓管并聯(lián)時(shí)可得和6V等兩種穩(wěn)壓值。7.（1）當(dāng)UI10V時(shí)，若UOUZ6V，則穩(wěn)壓管的電流為4mA，小于其最小穩(wěn)定電流，所以穩(wěn)壓管未擊穿。故 當(dāng)UI15V時(shí)，穩(wěn)壓管中的電流大于最小穩(wěn)定電流IZmin，所以 UOUZ6V 同理，當(dāng)UI35V時(shí)，UOUZ6V。（2）29mAIZM25mA，穩(wěn)壓管將因功耗過大而損壞。8.穩(wěn)壓管的最大穩(wěn)定電流：IZMPZM/UZ25mA電阻R的電流為IZMIZmin , 所以其取值范圍為：9.（1）S閉合。（2）R的范圍為 10. 解：波形如解圖所示 圖 圖11.選用100、ICBO10A的管子，因其適中、ICEO較小，因而溫度穩(wěn)定性較好。12解：晶體管三個(gè)極分別為上、中、下管腳，答案如解表所示。解表管號(hào)T1T2T3T4T5T6上ecebcb中bbbe