電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)方法講義

1、電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)方法電子產(chǎn)品 電子產(chǎn)品領(lǐng)域非常廣泛，基本上我們?nèi)粘ｋ娮赢a(chǎn)品領(lǐng)域非常廣泛，基本上我們?nèi)粘Ｉ疃茧x不開電子產(chǎn)品，但電子產(chǎn)品到目生活都離不開電子產(chǎn)品，但電子產(chǎn)品到目前還沒有明確的定義前還沒有明確的定義 電子信息產(chǎn)品 電子信息產(chǎn)品污染控制管理辦法第三電子信息產(chǎn)品污染控制管理辦法第三條第一款給出了電子信息產(chǎn)品的定義條第一款給出了電子信息產(chǎn)品的定義 電子信息產(chǎn)品，是指采用電子信息技術(shù)制電子信息產(chǎn)品，是指采用電子信息技術(shù)制造的電子雷達(dá)產(chǎn)品、電子通信產(chǎn)品、廣播造的電子雷達(dá)產(chǎn)品、電子通信產(chǎn)品、廣播電視產(chǎn)品、計(jì)算機(jī)產(chǎn)品、家用電子產(chǎn)品、電視產(chǎn)品、計(jì)算機(jī)產(chǎn)品、家用電子產(chǎn)品、電子測量儀器產(chǎn)品、電子專用產(chǎn)品、

2、電子電子測量儀器產(chǎn)品、電子專用產(chǎn)品、電子元器件產(chǎn)品、電子應(yīng)用產(chǎn)品、電子材料產(chǎn)元器件產(chǎn)品、電子應(yīng)用產(chǎn)品、電子材料產(chǎn)品等產(chǎn)品及其配件品等產(chǎn)品及其配件 隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，其概念將會不斷擴(kuò)隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，其概念將會不斷擴(kuò)展展 電子產(chǎn)品設(shè)計(jì) 基本原則：滿足產(chǎn)品的功能特性及技術(shù)指基本原則：滿足產(chǎn)品的功能特性及技術(shù)指標(biāo)要求，同時(shí)兼顧：標(biāo)要求，同時(shí)兼顧： 成本低、性價(jià)比高成本低、性價(jià)比高 可靠性高、體積小可靠性高、體積小 電磁兼容性好，環(huán)境的適應(yīng)性強(qiáng)電磁兼容性好，環(huán)境的適應(yīng)性強(qiáng) 集成度高，可維修性好集成度高，可維修性好 生產(chǎn)工藝要求簡單生產(chǎn)工藝要求簡單一、設(shè)計(jì)原則二、電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的一般步驟三、產(chǎn)品設(shè)計(jì)的

3、一般方法1、頂層設(shè)計(jì)法2、底層設(shè)計(jì)法過程與底層設(shè)計(jì)法相反3、頂層與底層綜合設(shè)計(jì) 實(shí)際工作過程中，一般首先采用頂層設(shè)計(jì)方實(shí)際工作過程中，一般首先采用頂層設(shè)計(jì)方法，根據(jù)產(chǎn)品的功能需求分解到各子功能模塊，法，根據(jù)產(chǎn)品的功能需求分解到各子功能模塊，并分配各子功能模塊的技術(shù)指標(biāo)。這一過程往往并分配各子功能模塊的技術(shù)指標(biāo)。這一過程往往需要經(jīng)過從上到下和從下到上的反復(fù)論證、修改、需要經(jīng)過從上到下和從下到上的反復(fù)論證、修改、優(yōu)化才能滿足設(shè)計(jì)的要求。優(yōu)化才能滿足設(shè)計(jì)的要求。4、現(xiàn)代電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)方法EDA設(shè)計(jì) 電路設(shè)計(jì)一般包含模擬電路與數(shù)字電路。電路設(shè)計(jì)一般包含模擬電路與數(shù)字電路。 模擬電路設(shè)計(jì)主要依賴于典型電

4、路與功能模塊。模擬電路設(shè)計(jì)主要依賴于典型電路與功能模塊。模擬電路數(shù)字化的趨勢更加明顯。模擬電路數(shù)字化的趨勢更加明顯。如：數(shù)字接收機(jī)，數(shù)字儲頻。如：數(shù)字接收機(jī)，數(shù)字儲頻。數(shù)字電路的發(fā)展經(jīng)過了分離元件，數(shù)字電路的發(fā)展經(jīng)過了分離元件，SSLSSL、MSLMSL、LSLLSL、VLSLVLSL。數(shù)字電路設(shè)計(jì)經(jīng)歷了邏輯設(shè)計(jì)、數(shù)字電路設(shè)計(jì)經(jīng)歷了邏輯設(shè)計(jì)、CADCAD、EDAEDA?，F(xiàn)代的數(shù)字系統(tǒng)廣泛采用了基于芯片的現(xiàn)代的數(shù)字系統(tǒng)廣泛采用了基于芯片的EDAEDA設(shè)設(shè)計(jì)方法。計(jì)方法。四、電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的主要內(nèi)容1 1、總體設(shè)計(jì)、總體設(shè)計(jì) 根據(jù)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)任務(wù)、功能、性能的需根據(jù)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)任務(wù)、功能、性能的需求，一

5、般采用頂層設(shè)計(jì)的方法，分析產(chǎn)品應(yīng)該求，一般采用頂層設(shè)計(jì)的方法，分析產(chǎn)品應(yīng)該完成的功能，將總體功能分解成若干子功能模完成的功能，將總體功能分解成若干子功能模塊，理清主、次功能的相互關(guān)系，形成總體方塊，理清主、次功能的相互關(guān)系，形成總體方案。通過比較論證、修改、優(yōu)化形成相對比較案。通過比較論證、修改、優(yōu)化形成相對比較完善的最佳方案，同時(shí)提出有關(guān)結(jié)構(gòu)、可靠性、完善的最佳方案，同時(shí)提出有關(guān)結(jié)構(gòu)、可靠性、標(biāo)準(zhǔn)化、質(zhì)量控制與監(jiān)督、計(jì)量控制、工藝等標(biāo)準(zhǔn)化、質(zhì)量控制與監(jiān)督、計(jì)量控制、工藝等方面的要求。方面的要求。 總體設(shè)計(jì)中的幾個(gè)注意點(diǎn)：總體設(shè)計(jì)中的幾個(gè)注意點(diǎn)：（1 1）技術(shù)指標(biāo)）技術(shù)指標(biāo) 如：重頻跟蹤器設(shè)計(jì)

6、中，對被跟蹤雷達(dá)信號的如：重頻跟蹤器設(shè)計(jì)中，對被跟蹤雷達(dá)信號的理解。理解。（2 2）產(chǎn)品使用環(huán)境）產(chǎn)品使用環(huán)境 如：重頻跟蹤器中，同步信號丟失情況的補(bǔ)充。如：重頻跟蹤器中，同步信號丟失情況的補(bǔ)充。（3 3）產(chǎn)品的環(huán)境指標(biāo)：）產(chǎn)品的環(huán)境指標(biāo)： 溫度、器件的選取、濕度（鹽霧）、三防、振溫度、器件的選取、濕度（鹽霧）、三防、振動等。動等。（4 4）關(guān)鍵元器件的采購渠道）關(guān)鍵元器件的采購渠道 例：例：8989年年MD8096MD8096的采購的采購 大功能大功能MM MM 波行波管，波行波管，“巴統(tǒng)巴統(tǒng)”的禁運(yùn)條款（引的禁運(yùn)條款（引進(jìn)項(xiàng)目設(shè)備）進(jìn)項(xiàng)目設(shè)備）（5 5）細(xì)節(jié)決定成?。┘?xì)節(jié)決定成敗 元器件的

7、老化、篩選元器件的老化、篩選 例：數(shù)字儲頻中某電容在例：數(shù)字儲頻中某電容在-55-50-55-50之間之間失敗。失敗。（6 6）研制技術(shù)的風(fēng)險(xiǎn)）研制技術(shù)的風(fēng)險(xiǎn) 一個(gè)產(chǎn)品的研制，一般都會存在技術(shù)上一個(gè)產(chǎn)品的研制，一般都會存在技術(shù)上的難點(diǎn)?？傮w設(shè)計(jì)在于盡可能利用成熟技術(shù)的難點(diǎn)?？傮w設(shè)計(jì)在于盡可能利用成熟技術(shù)來實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的功能，以減小研制風(fēng)險(xiǎn)。對于來實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的功能，以減小研制風(fēng)險(xiǎn)。對于技術(shù)上的難點(diǎn)，應(yīng)首先進(jìn)行預(yù)先研究，待技技術(shù)上的難點(diǎn)，應(yīng)首先進(jìn)行預(yù)先研究，待技術(shù)成熟以后再轉(zhuǎn)入后續(xù)的研制。術(shù)成熟以后再轉(zhuǎn)入后續(xù)的研制。（7 7）產(chǎn)業(yè)政策與環(huán)境評估）產(chǎn)業(yè)政策與環(huán)境評估2 2、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 所謂結(jié)構(gòu)，包

8、括外部結(jié)構(gòu)和內(nèi)部結(jié)構(gòu)兩部所謂結(jié)構(gòu)，包括外部結(jié)構(gòu)和內(nèi)部結(jié)構(gòu)兩部分。外部結(jié)構(gòu)指機(jī)柜、機(jī)箱、機(jī)架、底座、面分。外部結(jié)構(gòu)指機(jī)柜、機(jī)箱、機(jī)架、底座、面板、底板等。內(nèi)部結(jié)構(gòu)指零部件的布局、安裝、板、底板等。內(nèi)部結(jié)構(gòu)指零部件的布局、安裝、相互連接等。欲達(dá)到合理的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，必須對相互連接等。欲達(dá)到合理的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，必須對整機(jī)的原理方案、使用條件和環(huán)境、整機(jī)的功整機(jī)的原理方案、使用條件和環(huán)境、整機(jī)的功能與技術(shù)指標(biāo)及元器件等十分熟悉。能與技術(shù)指標(biāo)及元器件等十分熟悉。 根據(jù)產(chǎn)品的總體要求進(jìn)行結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí)，應(yīng)根據(jù)產(chǎn)品的總體要求進(jìn)行結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí)，應(yīng)根據(jù)電子產(chǎn)品使用的溫度范圍、環(huán)境因素，設(shè)根據(jù)電子產(chǎn)品使用的溫度范圍、環(huán)境因素，

9、設(shè)計(jì)合理的結(jié)構(gòu)形式和布局計(jì)合理的結(jié)構(gòu)形式和布局, ,考慮是否需要減震、考慮是否需要減震、“三防三防”等措等措施，特別是電路的散熱問題施，特別是電路的散熱問題,設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)合理的風(fēng)道等。合理的風(fēng)道等。因?yàn)椋焊邷貢痣娮赢a(chǎn)品的絕緣性能退化、因?yàn)椋焊邷貢痣娮赢a(chǎn)品的絕緣性能退化、元器件損壞、材料的熱老化、低熔點(diǎn)焊縫開裂、元器件損壞、材料的熱老化、低熔點(diǎn)焊縫開裂、焊點(diǎn)脫落等。焊點(diǎn)脫落等。 溫度對元器件的影響：一般而言，溫度溫度對元器件的影響：一般而言，溫度升高電阻阻值降低；高溫會降低電容器的使用升高電阻阻值降低；高溫會降低電容器的使用壽命；會使變壓器、扼流圈絕緣材料的性能下壽命；會使變壓器、扼流圈絕緣

10、材料的性能下降降, , 一般變壓器、扼流圈的允許溫度要低于一般變壓器、扼流圈的允許溫度要低于9595度，溫度過高還會造成焊點(diǎn)合金結(jié)構(gòu)的變度，溫度過高還會造成焊點(diǎn)合金結(jié)構(gòu)的變化化IMCIMC增厚，焊點(diǎn)變脆，機(jī)械強(qiáng)度降低；結(jié)增厚，焊點(diǎn)變脆，機(jī)械強(qiáng)度降低；結(jié)溫的升高會使晶體管的電流放大倍數(shù)迅速增加，溫的升高會使晶體管的電流放大倍數(shù)迅速增加，導(dǎo)致集電極電流增加，進(jìn)而使結(jié)溫進(jìn)一步升高，導(dǎo)致集電極電流增加，進(jìn)而使結(jié)溫進(jìn)一步升高，最終導(dǎo)致組件失效。最終導(dǎo)致組件失效。 因此，必須采用合理的散熱方式控制產(chǎn)因此，必須采用合理的散熱方式控制產(chǎn)品內(nèi)部所有電子元器件的溫度，使其所處的品內(nèi)部所有電子元器件的溫度，使其所處

11、的工作環(huán)境溫度不超過標(biāo)準(zhǔn)及規(guī)范所規(guī)定的最工作環(huán)境溫度不超過標(biāo)準(zhǔn)及規(guī)范所規(guī)定的最高溫度，最高允許溫度的計(jì)算應(yīng)以元器件的高溫度，最高允許溫度的計(jì)算應(yīng)以元器件的應(yīng)力分析為基礎(chǔ)，并且與產(chǎn)品的可靠性要求應(yīng)力分析為基礎(chǔ)，并且與產(chǎn)品的可靠性要求以及分配給每一個(gè)元器件的失效率相一致。以及分配給每一個(gè)元器件的失效率相一致。也就是說熱設(shè)計(jì)是電子設(shè)計(jì)中不可缺少的環(huán)也就是說熱設(shè)計(jì)是電子設(shè)計(jì)中不可缺少的環(huán)節(jié)。節(jié)。3 3、可靠性設(shè)計(jì)、可靠性設(shè)計(jì) 產(chǎn)品的可靠性設(shè)計(jì)方法，從表面上看都產(chǎn)品的可靠性設(shè)計(jì)方法，從表面上看都是技術(shù)問題，但實(shí)質(zhì)上包含技術(shù)和管理兩個(gè)是技術(shù)問題，但實(shí)質(zhì)上包含技術(shù)和管理兩個(gè)方面。首先要對產(chǎn)品的可靠性方面。首

12、先要對產(chǎn)品的可靠性(MTBF(MTBF）進(jìn)行）進(jìn)行預(yù)測，以確定是否滿足總體要求。預(yù)測，以確定是否滿足總體要求。 1 1、電阻器降額外加功率、極限電壓、極、電阻器降額外加功率、極限電壓、極限應(yīng)用溫度三個(gè)指標(biāo)，功率降額系數(shù)限應(yīng)用溫度三個(gè)指標(biāo)，功率降額系數(shù)0.10.50.10.5；2 2、電容器降額外加電壓、頻率范圍、溫度極、電容器降額外加電壓、頻率范圍、溫度極限三個(gè)指標(biāo)，普通鋁電解電容和無極性電容的限三個(gè)指標(biāo)，普通鋁電解電容和無極性電容的電壓降額系數(shù)電壓降額系數(shù)0.30.70.30.7之間，鉭電容的電壓降之間，鉭電容的電壓降額系數(shù)額系數(shù)0.30.3以下；、晶體三極管降額結(jié)溫、以下；、晶體三極管降額

13、結(jié)溫、集電極電流、任何電壓指標(biāo)，晶體二極管降額集電極電流、任何電壓指標(biāo)，晶體二極管降額結(jié)溫、正向電流及峰值、反向電壓三個(gè)指標(biāo)，結(jié)溫、正向電流及峰值、反向電壓三個(gè)指標(biāo)，功率降額功率降額0.40.4以下，反向耐壓以下，反向耐壓0.50.5以下，發(fā)光管以下，發(fā)光管電壓降額電壓降額0.60.6以下，功率降額以下，功率降額0.60.6以下，功率開以下，功率開關(guān)管電壓降額系數(shù)在關(guān)管電壓降額系數(shù)在0.60.6以下，電流降額系數(shù)以下，電流降額系數(shù)在在0.50.5以下；、變壓器降額工作電流、以下；、變壓器降額工作電流、電壓、溫升（按絕緣等級）指標(biāo)，電感和變壓電壓、溫升（按絕緣等級）指標(biāo)，電感和變壓器的電流降額系

14、數(shù)器的電流降額系數(shù)0.60.6以下；、接插件降額電以下；、接插件降額電流、電壓指標(biāo)，根據(jù)觸點(diǎn)間隙大小、直流及交流、電壓指標(biāo)，根據(jù)觸點(diǎn)間隙大小、直流及交流要求降額。接插件嵌入材料和火花發(fā)熱對接流要求降額。接插件嵌入材料和火花發(fā)熱對接點(diǎn)壽命的影響，在中低頻多接點(diǎn)接插件采用兩點(diǎn)壽命的影響，在中低頻多接點(diǎn)接插件采用兩點(diǎn)或多點(diǎn)接地并聯(lián)方式，降額和增加冗余功能；點(diǎn)或多點(diǎn)接地并聯(lián)方式，降額和增加冗余功能；、電纜導(dǎo)線降額指標(biāo)：電流（銅線，、電纜導(dǎo)線降額指標(biāo)：電流（銅線，7A/mm27A/mm2）、電纜電壓（尤其多芯電纜），塑）、電纜電壓（尤其多芯電纜），塑料導(dǎo)線的電流降額料導(dǎo)線的電流降額0.70.7以下；、電

15、動機(jī)降額軸以下；、電動機(jī)降額軸承負(fù)載、繞阻功率指標(biāo)，伺服電機(jī)的軸承失效承負(fù)載、繞阻功率指標(biāo)，伺服電機(jī)的軸承失效和繞組失效，軸承負(fù)載降額和繞組功率降額和繞組失效，軸承負(fù)載降額和繞組功率降額0.30.80.30.8；、對電子元器件降額系數(shù)應(yīng)隨溫；、對電子元器件降額系數(shù)應(yīng)隨溫度的增加而進(jìn)一步降低。度的增加而進(jìn)一步降低。對有些指標(biāo)是不能降額的： 1 1、繼電器的線包電流不能降額，而應(yīng)保持、繼電器的線包電流不能降額，而應(yīng)保持在額定值左右（在額定值左右（1001005% 5% ）；否則會影響繼電）；否則會影響繼電器的可靠吸合。器的可靠吸合。 2 2、電阻器降低到、電阻器降低到10%10%以下對可靠性提高已

16、以下對可靠性提高已經(jīng)沒有效果。經(jīng)沒有效果。 3 3、對電容器降額應(yīng)注意，對某些電容器降、對電容器降額應(yīng)注意，對某些電容器降額水平太大，常引起低電平失效，交流應(yīng)用要額水平太大，常引起低電平失效，交流應(yīng)用要比直流應(yīng)用降額幅度要大，隨著頻率增加降額比直流應(yīng)用降額幅度要大，隨著頻率增加降額幅度要隨之增加。幅度要隨之增加。 4 4、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)降額不能增加過大，否則造成、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)降額不能增加過大，否則造成設(shè)備體積、重量、經(jīng)費(fèi)的增加。設(shè)備體積、重量、經(jīng)費(fèi)的增加。4 4、電路設(shè)計(jì)、電路設(shè)計(jì) 在電路設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意以下幾方面的細(xì)節(jié)：在電路設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意以下幾方面的細(xì)節(jié)：器件的使用器件的使用 1)1)電源電壓電源電壓U

17、cc U cc 允許在允許在5 51010范圍內(nèi)，范圍內(nèi)，超過該范圍可能會損壞器件或使邏輯功能混亂。超過該范圍可能會損壞器件或使邏輯功能混亂。 2) 2)電源濾波電源濾波 TTL TTL器件的高速切換，將產(chǎn)生器件的高速切換，將產(chǎn)生電流跳變。其幅度約電流跳變。其幅度約45mA45mA，該電流在公共走線，該電流在公共走線上的壓降會引起噪聲干擾。因此要盡量縮短與地上的壓降會引起噪聲干擾。因此要盡量縮短與地線的距高來減小干擾?？稍陔娫摧斎攵瞬⒔泳€的距高來減小干擾?？稍陔娫摧斎攵瞬⒔? 1個(gè)個(gè)100F100F的電容作為低頻濾波及的電容作為低頻濾波及1 1個(gè)個(gè)0.010.010.1F0.1F的電容作為高頻

18、濾波。的電容作為高頻濾波。 3) 3)輸出端的連接輸出端的連接 不允許直接連不允許直接連5 5或接地?；蚪拥?。除集電極開路除集電極開路(OC)(OC)門和三態(tài)門和三態(tài)(TS)(TS)門外，其它門電門外，其它門電路的輸出端不允許并聯(lián)使用，否則會引起邏輯混路的輸出端不允許并聯(lián)使用，否則會引起邏輯混亂或損壞器件。亂或損壞器件。 4)4)輸入端的連接輸入端的連接 或門、或非門等或門、或非門等TT LTT L電電路多余的輸入端是不能懸空，只能接地，與門、路多余的輸入端是不能懸空，只能接地，與門、與非門等與非門等TT LTT L電路的多余輸入端可以懸空電路的多余輸入端可以懸空( (相相當(dāng)于接高電平當(dāng)于接高

19、電平) )，但因懸空時(shí)對地呈現(xiàn)的阻抗，但因懸空時(shí)對地呈現(xiàn)的阻抗很高，容易受到外界干擾。這時(shí)可將它們接電很高，容易受到外界干擾。這時(shí)可將它們接電源或與其它輸入端并聯(lián)使用，以增加電路的可源或與其它輸入端并聯(lián)使用，以增加電路的可靠性，但與其它輸入端并聯(lián)時(shí)對信號的驅(qū)動電靠性，但與其它輸入端并聯(lián)時(shí)對信號的驅(qū)動電流要求增加了。流要求增加了。CMOSCMOS器件的使用器件的使用 1)1)電源電壓的要求電源電壓的要求 電源電壓不能接反。電源電壓不能接反。 2) 2)輸出端的連接輸出端的連接 輸出端不允許直接連接輸出端不允許直接連接+VDD+VDD或地，除三態(tài)輸出器件外，不允許兩個(gè)器或地，除三態(tài)輸出器件外，不允

20、許兩個(gè)器件的輸出端連接使用。件的輸出端連接使用。 3)3)輸入端的連接輸入端的連接 輸入端的信號電壓輸入端的信號電壓Vi Vi 應(yīng)為應(yīng)為VSSVSSViViVDDVDD，超出該范圍會損壞器件，超出該范圍會損壞器件，可在輸入端串接限流電阻。所有多余的輸入端可在輸入端串接限流電阻。所有多余的輸入端一律不準(zhǔn)懸空，應(yīng)按照邏輯要求直接連接一律不準(zhǔn)懸空，應(yīng)按照邏輯要求直接連接+VDD+VDD或地。工作速度不高時(shí)允許輸入端并聯(lián)使用?；虻?。工作速度不高時(shí)允許輸入端并聯(lián)使用。 4)CMOS 4)CMOS電路具有很高的輸入阻抗，易受外電路具有很高的輸入阻抗，易受外界干擾、沖擊和靜態(tài)擊穿。應(yīng)存放在導(dǎo)電容器界干擾、沖

21、擊和靜態(tài)擊穿。應(yīng)存放在導(dǎo)電容器內(nèi)。焊接時(shí)應(yīng)切斷電源電壓內(nèi)。焊接時(shí)應(yīng)切斷電源電壓VDDVDD電烙鐵外殼電烙鐵外殼必須接地良好必要時(shí)可以拔下烙鐵電源，利必須接地良好必要時(shí)可以拔下烙鐵電源，利用余熱進(jìn)行焊接。用余熱進(jìn)行焊接。觸發(fā)器的選用觸發(fā)器的選用 1)1)通常根據(jù)數(shù)字系統(tǒng)的時(shí)序關(guān)系正確選用通常根據(jù)數(shù)字系統(tǒng)的時(shí)序關(guān)系正確選用觸發(fā)器，除持殊功能外，一般在同一系統(tǒng)中選觸發(fā)器，除持殊功能外，一般在同一系統(tǒng)中選擇具有相同觸發(fā)方式的同類型觸發(fā)器較好。擇具有相同觸發(fā)方式的同類型觸發(fā)器較好。 2) 2)工作速度要求較高的情況下，采用邊沿工作速度要求較高的情況下，采用邊沿觸發(fā)方式的觸發(fā)器較好。但速度越高，越易受觸發(fā)

22、方式的觸發(fā)器較好。但速度越高，越易受外界干擾。上升沿觸發(fā)還是下降沿觸發(fā)原則外界干擾。上升沿觸發(fā)還是下降沿觸發(fā)原則上沒有優(yōu)劣之分。如果是上沒有優(yōu)劣之分。如果是TTLTTL電路的觸發(fā)器因電路的觸發(fā)器因?yàn)檩敵鰹榈蜁r(shí)的驅(qū)動能力遠(yuǎn)強(qiáng)于輸出為高時(shí)的為輸出為低時(shí)的驅(qū)動能力遠(yuǎn)強(qiáng)于輸出為高時(shí)的驅(qū)動能力，尤其是當(dāng)集電極開路輸出時(shí)上升邊驅(qū)動能力，尤其是當(dāng)集電極開路輸出時(shí)上升邊沿更差，為此選用下降沿觸發(fā)更好些。沿更差，為此選用下降沿觸發(fā)更好些。 3) 3)觸發(fā)器在使用前必須經(jīng)過全面測試才能觸發(fā)器在使用前必須經(jīng)過全面測試才能保證可靠性。使用時(shí)必須注意置位和復(fù)位脈沖保證可靠性。使用時(shí)必須注意置位和復(fù)位脈沖的最小寬度及恢復(fù)

23、時(shí)間。的最小寬度及恢復(fù)時(shí)間。 4) 4)觸發(fā)器翻轉(zhuǎn)時(shí)的動態(tài)功耗遠(yuǎn)大于靜態(tài)功觸發(fā)器翻轉(zhuǎn)時(shí)的動態(tài)功耗遠(yuǎn)大于靜態(tài)功耗，為此系統(tǒng)設(shè)計(jì)應(yīng)盡可能避免同一封裝內(nèi)的耗，為此系統(tǒng)設(shè)計(jì)應(yīng)盡可能避免同一封裝內(nèi)的觸發(fā)器同時(shí)翻轉(zhuǎn)觸發(fā)器同時(shí)翻轉(zhuǎn)( (尤其是甚高速電路尤其是甚高速電路) )。 5)CMOS 5)CMOS集成觸發(fā)器與集成觸發(fā)器與TTLTTL集成觸發(fā)器在邏輯集成觸發(fā)器在邏輯功能、觸發(fā)方式上基本相同。使用時(shí)不宜將這功能、觸發(fā)方式上基本相同。使用時(shí)不宜將這兩種器件混合使用。因兩種器件混合使用。因CMOSCMOS觸發(fā)器內(nèi)部電路結(jié)觸發(fā)器內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)及對觸發(fā)時(shí)鐘脈沖的要求與構(gòu)及對觸發(fā)時(shí)鐘脈沖的要求與TTLTTL存在較大差

24、存在較大差別。別。5 5、抗干擾設(shè)計(jì)、抗干擾設(shè)計(jì) 在電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)中，為了少走彎路和節(jié)省在電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)中，為了少走彎路和節(jié)省時(shí)間、成本，應(yīng)充分考慮抗干擾要求，盡可能時(shí)間、成本，應(yīng)充分考慮抗干擾要求，盡可能避免在設(shè)計(jì)甚至產(chǎn)品完成后再去進(jìn)行抗干擾的避免在設(shè)計(jì)甚至產(chǎn)品完成后再去進(jìn)行抗干擾的補(bǔ)救措施。形成干擾的基本要素有三個(gè)：補(bǔ)救措施。形成干擾的基本要素有三個(gè)： 1) 1)干擾源干擾源 指產(chǎn)生干擾的元件、設(shè)備或信號，指產(chǎn)生干擾的元件、設(shè)備或信號，如：雷電、繼電器、可控硅、電機(jī)、高頻如：雷電、繼電器、可控硅、電機(jī)、高頻時(shí)鐘等都可能成為干擾源。時(shí)鐘等都可能成為干擾源。 2) 2)傳播路徑傳播路徑 指干擾信號從干擾源傳播到敏指干擾信號從干擾源傳播到敏感器件的通路或媒介。典型的干擾傳播路徑是感器件的通路或媒介。典型的干擾傳播路徑是通過導(dǎo)線的傳導(dǎo)和空間的輻射。通過導(dǎo)線的傳導(dǎo)和空間的輻射。 3) 3)敏感器件敏感器件 指容易被干擾的對象，如：指容易被干擾的對象，如：A/DA/D、D/AD/A、單片機(jī)、弱信號放大器等。、單片機(jī)、弱信號放大器等。 抗干擾設(shè)計(jì)的基本原則是：抑制干擾源，抗干擾設(shè)計(jì)的基本原則是：抑制干擾源，切斷干擾傳播路徑，提高敏感器件的抗干擾性切斷干擾傳播路徑，提高敏感器件的抗干擾性能。能。 抑制干擾源