SMT新技術(shù)介紹與發(fā)展動態(tài)PPT課件

1、 隨著電子元器件的小型化、高集成度的發(fā)展，電子組裝隨著電子元器件的小型化、高集成度的發(fā)展，電子組裝技術(shù)也經(jīng)歷了以下幾個發(fā)展階段：技術(shù)也經(jīng)歷了以下幾個發(fā)展階段： 手工（手工（ 50年代）年代） 半自動插裝浸焊（半自動插裝浸焊（ 60年代年代 ） 全自動插裝波峰焊（全自動插裝波峰焊（ 70年代）年代） SMT（ 80年代）年代） 窄間距窄間距SMT（ 90年代）年代） 超窄間距超窄間距SMT 年度年度 電子產(chǎn)品電子產(chǎn)品 印制板印制板 SMC SMC SMD SMD (IC) (IC) 組裝形式組裝形式 組裝密度組裝密度（焊點（焊點/cm2/cm2） FPT FPT是指將引腳間距在是指將引腳間距在0

2、.6350.3mm0.6350.3mm之間的之間的SMDSMD和長寬和長寬1.6mm1.6mm0.8mm0.8mm的的SMCSMC組組裝在裝在PCBPCB上的技術(shù)。上的技術(shù)。 由于電子產(chǎn)品多功能小型化促使半導(dǎo)體集成電路的集成度越來越高，由于電子產(chǎn)品多功能小型化促使半導(dǎo)體集成電路的集成度越來越高，SMCSMC越來越越來越小，小，SMDSMD的引腳間距也越來越窄，目前的引腳間距也越來越窄，目前0.635mm0.635mm和和0.5mm0.5mm引腳間距的引腳間距的QFPQFP已成為工業(yè)和已成為工業(yè)和軍用電子裝備中的通用器件。軍用電子裝備中的通用器件。 元器件的小型化促使元器件的小型化促使SMTSM

3、T的窄間距技術(shù)（的窄間距技術(shù)（FPTFPT）不斷發(fā)展和提高。）不斷發(fā)展和提高。(1) BGA (1) BGA 、CSPCSP的應(yīng)用已經(jīng)比較廣泛、工藝也比較成熟了。的應(yīng)用已經(jīng)比較廣泛、工藝也比較成熟了。(2) 0201(0.6(2) 0201(0.60.3mm)0.3mm)在多功能手機、在多功能手機、CCDCCD攝象機、筆記本電腦等產(chǎn)品中已經(jīng)比較廣攝象機、筆記本電腦等產(chǎn)品中已經(jīng)比較廣泛應(yīng)用。泛應(yīng)用。01005(0.401005(0.40.2mm)0.2mm)已在模塊中應(yīng)用。已在模塊中應(yīng)用。(4)Flip Chip(4)Flip Chip在美國在美國IBMIBM、日本、日本SONYSONY公司等都

4、已經(jīng)應(yīng)用了倒裝芯片技術(shù)公司等都已經(jīng)應(yīng)用了倒裝芯片技術(shù)(5) MCM(5) MCM多芯片模塊多芯片模塊由于由于SMC/SMDSMC/SMD已經(jīng)不能再小了，已經(jīng)不能再小了，MCMMCM功能組件是進(jìn)一步小型化功能組件是進(jìn)一步小型化的方向。的方向。 片基（載體）形式片基（載體）形式 載帶形式載帶形式 LLP LLP（Leadless Leadframe Leadless Leadframe package package ） 新微型封裝新微型封裝晶圓晶圓Wafer Level (Re-Distribution) Chip Scale Package COB COB（Chip On BoardChip

5、On Board） 日本首先研制出無鉛焊料并應(yīng)用到實際生產(chǎn)中，日本首先研制出無鉛焊料并應(yīng)用到實際生產(chǎn)中，20032003年已在消費類電子產(chǎn)品中基本實現(xiàn)無鉛。年已在消費類電子產(chǎn)品中基本實現(xiàn)無鉛。 美國和歐洲提出美國和歐洲提出20062006年年7 7月月1 1日禁止使用。日禁止使用。 我國由信息產(chǎn)業(yè)部、發(fā)展改革委、商務(wù)部、海關(guān)總署、我國由信息產(chǎn)業(yè)部、發(fā)展改革委、商務(wù)部、海關(guān)總署、工商總局、質(zhì)檢總局、環(huán)?？偩致?lián)合制定的電子信息產(chǎn)工商總局、質(zhì)檢總局、環(huán)?？偩致?lián)合制定的電子信息產(chǎn)品污染控制管理辦法已于品污染控制管理辦法已于20062006年年2 2月月2828日正式頒布，日正式頒布，20072007年

6、年3 3月月1 1日施行。日施行。 有關(guān)的政策有關(guān)的政策 禁止使用的禁止使用的ODSODS物質(zhì)和時間：物質(zhì)和時間： 用于清洗的用于清洗的ODSODS物質(zhì)有：物質(zhì)有：FC113FC113、CCl4CCl4、1.1.1.1.1.1.三氯乙烷。屬于蒙特利爾議定三氯乙烷。屬于蒙特利爾議定書中規(guī)定的第一、第二、第三類受控物質(zhì)。發(fā)達(dá)國家已于書中規(guī)定的第一、第二、第三類受控物質(zhì)。發(fā)達(dá)國家已于19961996年停止使用。發(fā)年停止使用。發(fā)展中國家展中國家20102010年全部停止使用。年全部停止使用。中國作為（蒙約）諦約國，承諾在中國作為（蒙約）諦約國，承諾在20102010年全面淘汰年全面淘汰ODSODS物質(zhì)

7、。中國政府意識到保物質(zhì)。中國政府意識到保護(hù)臭氧層的緊迫性，因此又承諾在目前國際替代技術(shù)發(fā)展的情況下，在發(fā)達(dá)國護(hù)臭氧層的緊迫性，因此又承諾在目前國際替代技術(shù)發(fā)展的情況下，在發(fā)達(dá)國家資金援助和技術(shù)轉(zhuǎn)讓保證的前提下，中國清洗行業(yè)將在家資金援助和技術(shù)轉(zhuǎn)讓保證的前提下，中國清洗行業(yè)將在20062006年停止使用年停止使用ODSODS。在此期間將采用逐步替代、逐步淘汰的方針。在此期間將采用逐步替代、逐步淘汰的方針。 （1 1） 溶劑清洗溶劑清洗 a a 非非ODSODS溶劑清洗溶劑清洗 b HCFC b HCFC清洗清洗 HCFC HCFC只是一種過渡性替代物，最終（只是一種過渡性替代物，最終（20402

8、040年）也是要禁用的。年）也是要禁用的。 （2 2） 免洗技術(shù)免洗技術(shù)不清洗而達(dá)到清洗的效果不清洗而達(dá)到清洗的效果 對于一般電子產(chǎn)品采用免洗助焊劑或免洗焊膏，焊后可以不清洗。對于一般電子產(chǎn)品采用免洗助焊劑或免洗焊膏，焊后可以不清洗。 （3 3） 水洗技術(shù)水洗技術(shù) 水洗技術(shù)可分為水洗和水中加表面活性劑兩種工藝。水洗技術(shù)可分為水洗和水中加表面活性劑兩種工藝。 （4 4） 半水技術(shù)半水技術(shù) 半水技術(shù)屬水洗范疇，所不同的是加入的洗滌劑屬可分離型。半水技術(shù)屬水洗范疇，所不同的是加入的洗滌劑屬可分離型。 新型封裝新型封裝 FC-BGA FC-BGA （flip chipflip chip） 進(jìn)一步微型化

9、進(jìn)一步微型化1、 種類越來越多種類越來越多 2、 市場越來越大市場越來越大3、 高度越來越薄高度越來越薄4、 功能越來越多功能越來越多5 、應(yīng)用越來越廣、應(yīng)用越來越廣（側(cè)重于功能（側(cè)重于功能 、側(cè)重于技術(shù)、側(cè)重于技術(shù) 、側(cè)重于空間、側(cè)重于空間 ）SiP（system in a Package）系統(tǒng)級封裝）系統(tǒng)級封裝 ，是在一個封裝中堆疊多個不，是在一個封裝中堆疊多個不同類型的芯片同類型的芯片 ；SOC（ system on a Chip ）單片系統(tǒng)；）單片系統(tǒng)；MCP（Multi Chip Package）多芯片封裝，是側(cè)重在一個封裝中堆疊）多芯片封裝，是側(cè)重在一個封裝中堆疊多個芯片多個芯片

10、；CSMP（Chip Size Module Package）芯片尺寸模塊封裝，是強調(diào)無源）芯片尺寸模塊封裝，是強調(diào)無源元件與有源器件的堆疊，以獲得模擬和數(shù)字功能的最優(yōu)化元件與有源器件的堆疊，以獲得模擬和數(shù)字功能的最優(yōu)化 ；SCP（Stacked Chip Package或或SDP：Stacked Dices Package）芯片堆）芯片堆疊封裝，疊封裝，SCP是強調(diào)兩個以上芯片的堆疊是強調(diào)兩個以上芯片的堆疊 ；UTSCSP（Ultra ThinStacked Chips Size Package）超薄堆疊芯）超薄堆疊芯片尺寸封裝；片尺寸封裝；PiP/PoP（Package in Packag

11、e Stacking / Package on Package）封裝）封裝堆疊封裝，堆疊封裝，PiP/PoP是強調(diào)一個封裝在另一個封裝上的堆疊是強調(diào)一個封裝在另一個封裝上的堆疊 ；PoP是一種新興的、成本最低的堆疊封裝解決方案是一種新興的、成本最低的堆疊封裝解決方案 。 目前堆疊封裝中目前堆疊封裝中23片的堆疊最普遍。片的堆疊最普遍。 2005年年2片閃存、片閃存、RAM、邏輯器件芯片的堆疊高度為、邏輯器件芯片的堆疊高度為1.2mm，2006年達(dá)到年達(dá)到1.0mm，2007年將達(dá)年將達(dá)0.5mm； 2005年年5片存儲器芯片或閃存、片存儲器芯片或閃存、RAM和處理器芯片的堆疊封裝和處理器芯片的

12、堆疊封裝高度為高度為1.2mm，20062007年可達(dá)年可達(dá)1.0mm； 目前目前8片存儲器芯片或閃存、片存儲器芯片或閃存、RAM和處理器芯片的堆疊高度為和處理器芯片的堆疊高度為1.4mm左右左右; 降低堆疊封裝高度的關(guān)鍵是圓片的減薄，通常減薄至降低堆疊封裝高度的關(guān)鍵是圓片的減薄，通常減薄至50m左右，左右，目前減薄技術(shù)可將圓片減薄至目前減薄技術(shù)可將圓片減薄至1015m，但為確保電路的性能，但為確保電路的性能和芯片的可靠性。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為圓片減薄的極限為和芯片的可靠性。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為圓片減薄的極限為20m左右。左右。 目前SiP主要用于手機中閃存和應(yīng)用處理器的封裝，還可用于數(shù)碼相機、PDA、數(shù)碼攝

13、像機等其他便攜式電子產(chǎn)品、PC外設(shè)、光驅(qū)、硬盤驅(qū)動器、娛樂系統(tǒng)、工藝設(shè)備和導(dǎo)航系統(tǒng)等； 將來會用于模擬、數(shù)字電視、GPS等嵌入式領(lǐng)域。IPD （ 集成無源元件）集成無源元件）MCM(多芯片模塊多芯片模塊)無源與有源的集成混合元件無源與有源的集成混合元件 SIP(系統(tǒng)級封裝）系統(tǒng)級封裝）三維晶圓級堆疊的立體組件三維晶圓級堆疊的立體組件 模塊化、系統(tǒng)化推動模塊化、系統(tǒng)化推動SMT向更簡單、更優(yōu)化、低成本、高速向更簡單、更優(yōu)化、低成本、高速度、高可靠方向發(fā)展。度、高可靠方向發(fā)展。 主面主面輔面輔面 1. 1. 電子產(chǎn)品功能越來越強、體積越來越小、造價越來越低、更新?lián)Q代電子產(chǎn)品功能越來越強、體積越來越小、造價越來越低、更新?lián)Q代的速度也越來越快。的速度也越來越快。 2. 2. 元器件越來越小，元器件越來越小，02010201等高密度、高難度組裝技術(shù)的開發(fā)研究。等高密度、高難度組裝技術(shù)的開發(fā)研究。 3. 3. 無鉛焊接技術(shù)的研究與推廣應(yīng)用。無鉛焊接技術(shù)的研究與推廣應(yīng)用。 4. 4. 電子設(shè)備和工藝向半導(dǎo)體和電子設(shè)備和工藝向半導(dǎo)體和SMTSMT兩類發(fā)展，半導(dǎo)體和兩類發(fā)展，半導(dǎo)體和SMTSMT的界線逐步的界線逐步模糊，尤其封裝技術(shù)。模糊，尤其封裝技術(shù)。 5. 5. 我國我國SMTSMT處于快速