g柵網(wǎng)對(duì)fh試驗(yàn)圖像影響田岱ppt課件

1、 柵網(wǎng)對(duì)FH實(shí)驗(yàn)圖像影響的探討田岱田岱 06300190024合作者：眭孟喬合作者：眭孟喬2G基本過(guò)程基本過(guò)程 1.電子發(fā)射(K) 2.電子抽取(K-G1) 3.電子加速(G1-G2) 4.電子碰撞(G1-G2) 5.電子減速(G2-P)0204060801000.00.20.40.60.81.0610.615.320.124.929.734.639.544.649.554.659.664.669.97580.185.490.5I/A 1VVa/v減速電壓為0的弗蘭克赫茲曲線 減速電壓為0v時(shí),圖像仍然出現(xiàn)震蕩 圖形特征與正常圖形一致 峰間距逐漸增大 圖形上揚(yáng) 震動(dòng)幅度先增大后減小 由此圖計(jì)算

2、得第一激發(fā)能4.970.0208eV,比較接近正常測(cè)量中的數(shù)值。 VG2不是出現(xiàn)震蕩的唯一因素-1001020304050607080-0.10.00.10.20.30.40.50.60.70.8I/AVKG2/v 1V圖b.測(cè)量條件: T=160度 ; VF=1.5v; VG1=1.75v; VG2=0v去除G2影響 震蕩消失，取而代之的為階梯狀 注意第一個(gè)階梯的行為不同 圖形特征比較 臺(tái)階寬度基本保持不變 圖形上揚(yáng)0204060800.00.10.20.30.40.50.60.7I/AVKG2/v 1V22*1()dTdJn en edEmmVV將減速電壓去除，把加速電壓的區(qū)域KG2加大到

3、KP，從而G2柵網(wǎng)在vapor中不接入電路。Simion模擬電勢(shì)分布模擬條件：極板距離之比：SG1G2/SG2P=200/40=5mm/1mm柵網(wǎng)直徑與距離之比：9/0.2186mm=40G1 G2 P VG2=10V時(shí)，電子就不再能被俘獲，伴隨著電子打到G2上，實(shí)際上代表了一個(gè)給G2充電的過(guò)程，隨著G2電勢(shì)的降低，其俘獲電子的能力也降低，直到電勢(shì)夠低不再俘獲電子。 第一個(gè)臺(tái)階出現(xiàn)的不規(guī)則就是由于G2俘獲電子而造成的。VG2=30VVG2=20VVG2=10V同時(shí)測(cè)量G2柵網(wǎng)及P電流G2圖中標(biāo)示的 位置就是P圖中峰值出現(xiàn)的位置。對(duì)于P電流圖，經(jīng)過(guò)一個(gè)峰值后，大量的電子由于能量減損，所以會(huì)被G2

4、 吸收掉從而不能達(dá)到P極，電流迅速減小。對(duì)于G2 電流圖，當(dāng)經(jīng)過(guò) 位置后，電子能量迅速下降，柵網(wǎng)俘獲的電子增多，從而G2的電流快速上升。610.715.420.325.130.13540.145.150.255.360.465.670.976.382.10204060801000.00.20.40.60.81.0I/AVKG2/v G20204060801000.00.20.40.60.81.0I/AVKG2/vP圖g. 同樣將減速電壓去除，把加速電壓的區(qū)域加大到KP，但是把 柵網(wǎng)通過(guò)電流表A1 連接入電路圖。如右圖所示，隨著電子徑向速度的減小，電子會(huì)被G2俘獲總結(jié)總結(jié) 本實(shí)驗(yàn)中對(duì)于 G2柵網(wǎng)對(duì)于電子俘獲的影響作了初步的假設(shè)：認(rèn)為由于G2柵網(wǎng)的存在，柵網(wǎng)附近的電場(chǎng)線會(huì)彎曲，從而使得電子受到柵網(wǎng)的吸引勢(shì)，能量小的電子易被柵網(wǎng)俘獲并流入電路，從而導(dǎo)