模擬電路(培訓(xùn)資料)

1、腿踏實(shí)地；異想天開.兢兢業(yè)業(yè)，踏踏實(shí)實(shí)!1 1、半導(dǎo)體和、半導(dǎo)體和PNPN結(jié)結(jié)根據(jù)物體導(dǎo)電能力（電阻率）的不同，來區(qū)分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體； 導(dǎo) 體：電阻率小于104次方，比如金Au、銀Ag、銅Cu、鐵Fe等 絕緣體：電阻率大于109次方，比如玻璃、橡膠、塑料等 半導(dǎo)體：介于兩者之間，比如硅Si、鍺Ge、砷化鎵GaAs等是良好的導(dǎo)體； （電阻率：是衡量物質(zhì)導(dǎo)電性能好壞的一個物理量，以字母表示；單位為歐姆*毫米平方/米。R= *L/S）半導(dǎo)體特性：1、熱敏性 2、光敏性 3、摻雜性概念：1、本征半導(dǎo)體、雜質(zhì)半導(dǎo)體；2、多數(shù)載流子、少數(shù)載流子；3、N型半導(dǎo)體（摻雜5價(jià)磷P元素）、P型半導(dǎo)體（摻雜3

2、價(jià)硼B(yǎng)元素）；PN結(jié)形成原理：濃度差多子擴(kuò)散摻雜離子形成空間電荷區(qū)內(nèi)電場阻止多子擴(kuò)散，促使少子漂移動態(tài)平衡，所以PN實(shí)際是電荷區(qū)，又叫耗盡層特點(diǎn)：1、單向?qū)щ娦?2、光熱敏V/I曲線：導(dǎo)通、擊穿、結(jié)電容2 2、半導(dǎo)體二極管、半導(dǎo)體二極管1、點(diǎn)接觸型PN結(jié)面積小，結(jié)電容小，適合檢波、變頻等高頻電路結(jié)構(gòu)：2、面接觸型PN結(jié)面積大，適合工頻大電流整流電路；3、平面型PN結(jié)面積可大可小，用于集成電路制造工藝中，多用于開關(guān)和高頻整流電路；伏安曲線：半導(dǎo)體二極管實(shí)物圖特性參數(shù)：1、最大整流電流Rf；2、反向擊穿電壓VBR和反向電流Ir/反相飽和電流Is；3、導(dǎo)通電壓Vf，或正向壓降。一般硅管0.7V,鍺管

3、0.2V；4、極間電容或最高工作頻率；3 3、特殊半導(dǎo)體二極管、特殊半導(dǎo)體二極管2、變?nèi)荻O管3、光電子器件（光電二極管、發(fā)光二極管LED、激光二極管等）1、穩(wěn)壓二極管A：穩(wěn)壓原理穩(wěn)壓原理：利用二極管反向特性實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓。穩(wěn)壓狀態(tài)，二極管工作在反向擊穿區(qū)，同時說明電擊穿是可逆的（齊納擊穿、雪崩擊穿），而熱擊穿是不可逆的。B：特性參數(shù)1、穩(wěn)定電壓Vz。2、動態(tài)電阻Rz=Vz/Iz3、最大耗散功率PzmVzIz4、最大穩(wěn)定工作電流Izmax和最小穩(wěn)定工作電流Izmin5、穩(wěn)定電壓的溫度系數(shù)C：典型應(yīng)用電路和參數(shù)設(shè)計(jì)穩(wěn)壓條件：滿足下列不等式，并注意功耗不能超過Pzm需要設(shè)計(jì)一個6V的穩(wěn)壓電路，已知：Vi

4、12V,Vz=6V,Imax20mA,Imin2mA問：R=?合適4 4、二極管在整流電路中的應(yīng)用、二極管在整流電路中的應(yīng)用半波整流電路：全波整流電路：橋式整流電路：5 5、思考題、思考題練習(xí)1：1、請分析右圖的D1,D2導(dǎo)通情況2、VA輸出電壓是多少？假設(shè)二極管導(dǎo)通管壓降為0.7V練習(xí)2：請分析右圖電路的工作原理，假設(shè)U1=220V,變壓器匝比50：1，Uo？6 6、半導(dǎo)體三極管的工作原理、半導(dǎo)體三極管的工作原理1、實(shí)物和內(nèi)部結(jié)構(gòu)2、工作條件和電流分配發(fā)射區(qū)高摻雜，集電區(qū)低摻雜，面積大，基區(qū)很薄，最低摻雜。放大條件：發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏7 7、三極管的輸入輸出特性曲線、三極管的輸入輸出特性曲

5、線8 8、三極管的主要參數(shù)、三極管的主要參數(shù)9 9、三極管電路分析圖解法、三極管電路分析圖解法飽和失真 截止失真1010、三極管小信號等效電路、三極管小信號等效電路1、H參數(shù)小信號模型目的：簡化分析，使非線型簡化為線性分析，等效成流控電流源。使用范圍：小信號。1111、三極管放大電路的主要技術(shù)參數(shù)、三極管放大電路的主要技術(shù)參數(shù)1、放大倍數(shù)或放大增益反映放大電路在輸入信號控制下，把供電電源能量轉(zhuǎn)化為輸出信號能量的能力。放大倍數(shù)：Av=Vo/Vi放大倍數(shù)：Avo=Vo/Vi（負(fù)載開路）放大增益：Av20Lg （Vo/Vi） dB問：放大0倍 和0dB,那個大？2、輸入電阻RiVi/Ii3、輸出電阻

6、RoVt/It Vs0的時候還有溫度特性和頻率特性比如溫漂、零漂、帶寬、頻響等傳遞效率問題：真正到達(dá)負(fù)載上的電壓=Vs（Ri/（RsRi）Avo （RL/（RoRL）所以，Ri越大越好，Ro越小越好，同時可以看出，RL的變化是影響整個電路最終的放大效果的1212、三極管放大電路分析小信號等效電路法、三極管放大電路分析小信號等效電路法H參數(shù)小信號模型分析最后結(jié)論：1313、放大電路工作點(diǎn)穩(wěn)定問題、放大電路工作點(diǎn)穩(wěn)定問題溫度增加，會造成Ic上升，導(dǎo)致工作點(diǎn)漂移，造成放大參數(shù)不穩(wěn)定。穩(wěn)定原理：T 升高Ic 增大 Ie 增大 Ve增大，Vb基本不變Vbe 減小Ib減小Ic減小，Re取值越大，穩(wěn)定能力越

7、強(qiáng)B點(diǎn)電位基本不變條件：I1Ib ，一般510倍，此時Vb約等于Rb2/（Rb1Rb2）*Vcc1414、三組態(tài)性能比較、三組態(tài)性能比較1515、多級放大器、多級放大器多級放大器級間耦合：1、直接耦合優(yōu)點(diǎn)：頻帶寬，適合集成電路工藝缺點(diǎn)：工作點(diǎn)關(guān)聯(lián)2、阻容耦合優(yōu)點(diǎn)：工作點(diǎn)不關(guān)聯(lián)，設(shè)計(jì)簡單缺點(diǎn)：低頻特性差3、變壓器耦合優(yōu)點(diǎn)：阻抗匹配容易缺點(diǎn)：體積大，低頻特性差緩沖和隔離：為什么加這樣一級？該級的電壓放大倍數(shù)一般多少？1616、放大器的頻率響應(yīng)、放大器的頻率響應(yīng)幅頻特性：描述放大幅度與信號頻率之間的關(guān)系相頻特性：描述信號相位與信號頻率之間的關(guān)系上限頻率：高頻端下降3dB的頻率點(diǎn)下限頻率：低頻端下降3

8、dB的頻率點(diǎn)帶寬：高端低端增益帶寬積：增益帶寬 ，三極管是常數(shù)導(dǎo)致頻率失真和相位失真的物理原因：內(nèi)部：結(jié)電容、連線電感電容等外部：偏置中的電容、電感等，包括耦合用的等等。幅頻特性波特圖1717、一階、一階RCRC濾波器的幅頻特性濾波器的幅頻特性1、一階低通RC濾波器的幅頻特性：2、一階高通RC濾波器的幅頻特性：最大倍數(shù)0dB，fH是3dB點(diǎn)（是多少倍？），相位關(guān)系：輸出滯后輸入，最大90度1818、思考題、思考題1、如何用萬用表判斷三極管的類型和極性？2、假設(shè)Vcc6V， T硅管的放大倍數(shù)100，問Rt，Rc取值多少合適？1919、場效應(yīng)管、場效應(yīng)管JFET：結(jié)型場效應(yīng)管，（？）MOSFET：

9、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，俗稱MOS管（Metal Ox Semiconducter Field Efiici Transistor？）問：符號中的箭頭是指什么？2020、結(jié)型場效應(yīng)管、結(jié)型場效應(yīng)管一：JFET：結(jié)型場效應(yīng)管，特性參數(shù)：1、夾斷電壓Vp；2、飽和漏極電流IDSS；3、低頻跨導(dǎo)gm，Vgs對Id的控制作用， 在轉(zhuǎn)移曲線上可以求得；4、輸出電阻Rd；5、直流輸入電阻Rgs，10M以上；6、最大漏源電壓VBRds；7、最大柵源電壓VBRgs；8、最大漏極功率PDM；二：JFET特點(diǎn)：1、一種載流子參與導(dǎo)電，是單極性管；2、V gs反偏，輸入電阻很大；3、壓控制電流源，開關(guān)速度高；4、預(yù)夾斷前Vds與Id近似線性關(guān)系，預(yù)夾斷后，Id飽和，進(jìn)入恒流區(qū)域；三：JFET簡單應(yīng)用：2121、7.1 直流穩(wěn)壓電源的基本組成7.2 整流電路7.3 濾波電路7.4 穩(wěn)壓電路濾波電路的基本形式串聯(lián)型直流穩(wěn)壓電路(1) 啟動電路(2) 基準(zhǔn)電壓電路(3) 取樣比較放大電路和調(diào)整電路整流電路2278L型為輸出電壓固定的三端集成穩(wěn)壓器原理圖夢自己想夢的做自己想做的認(rèn)真 敬業(yè) 勤奮 創(chuàng)造脈沖調(diào)寬式開關(guān)型穩(wěn)壓電路示意圖 根據(jù)開