天線基本原理與技術(shù)

1、第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35第二部分第二部分天線理論與技術(shù)天線理論與技術(shù)第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35第五章第五章 天線基本原理與技術(shù)天線基本原理與技術(shù) 在無(wú)線通信系統(tǒng)中，需要將來(lái)自發(fā)射機(jī)的導(dǎo)波能量轉(zhuǎn)變?yōu)闊o(wú)線在無(wú)線通信系統(tǒng)中，需要將來(lái)自發(fā)射機(jī)的導(dǎo)波能量轉(zhuǎn)變?yōu)闊o(wú)線電波（發(fā)射），或者將無(wú)線電波轉(zhuǎn)換為導(dǎo)波能量（接收）電波（發(fā)射），或者將無(wú)線電波轉(zhuǎn)換為導(dǎo)波能量（接收）, , 用來(lái)輻用來(lái)輻射和接收無(wú)線電波的裝置稱為天線射和接收無(wú)線電波的裝置稱為

2、天線。天線應(yīng)具有以下性能：。天線應(yīng)具有以下性能： 一、天線的功能一、天線的功能信 息 源信 號(hào) 變 換發(fā) 射 機(jī)接 收 機(jī)受 信 者信 號(hào) 變 換 盡可能多地將導(dǎo)波能量互相轉(zhuǎn)電磁波能（高效率）盡可能多地將導(dǎo)波能量互相轉(zhuǎn)電磁波能（高效率） 具有適當(dāng)?shù)姆较蛐跃哂羞m當(dāng)?shù)姆较蛐?有適當(dāng)?shù)臉O化有適當(dāng)?shù)臉O化 有足夠的工作頻帶有足夠的工作頻帶 對(duì)傳遞的信息進(jìn)行一定的加工和處理（未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)）對(duì)傳遞的信息進(jìn)行一定的加工和處理（未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)）第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35二、天線的分類二、天線的分類l按用途按用途：通信天線、：通信天

3、線、 廣播電視天線、雷達(dá)天線等廣播電視天線、雷達(dá)天線等l按工作波長(zhǎng)按工作波長(zhǎng)：長(zhǎng)波天線、：長(zhǎng)波天線、 中波天線、中波天線、 短波天線、短波天線、 超短波天超短波天線和微波天線等線和微波天線等l按輻射元的類型按輻射元的類型：線天線、面天線：線天線、面天線線天線線天線：由半徑遠(yuǎn)小于波長(zhǎng)的金屬導(dǎo)線構(gòu)成，主要用于長(zhǎng)：由半徑遠(yuǎn)小于波長(zhǎng)的金屬導(dǎo)線構(gòu)成，主要用于長(zhǎng) 波、中波和短波波段波、中波和短波波段面天線面天線：由尺寸大于波長(zhǎng)的金屬或介質(zhì)面構(gòu)成的，主要用：由尺寸大于波長(zhǎng)的金屬或介質(zhì)面構(gòu)成的，主要用 于微波波段于微波波段二、天線的分析方法二、天線的分析方法l 天線問(wèn)題實(shí)質(zhì)上是求解電磁場(chǎng)方程并滿足邊界條件天線

4、問(wèn)題實(shí)質(zhì)上是求解電磁場(chǎng)方程并滿足邊界條件l 工程上往往將條件理想化，通過(guò)近似處理得到近似結(jié)果工程上往往將條件理想化，通過(guò)近似處理得到近似結(jié)果l 利用電磁場(chǎng)理論的數(shù)值計(jì)算方法利用電磁場(chǎng)理論的數(shù)值計(jì)算方法第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35 電流元也稱電流元也稱電基本振子電基本振子，它是一段，它是一段長(zhǎng)度遠(yuǎn)小于波長(zhǎng)長(zhǎng)度遠(yuǎn)小于波長(zhǎng), , 電流電流I I振幅均勻分布振幅均勻分布、 相位相同相位相同的的直線直線電流。電流。5.1 電流元的輻射場(chǎng)一、電流元一、電流元 注：電流元線天線的基本組成部分注：電流元線天線的基本組成部分, ,

5、 任意線天線均可看成任意線天線均可看成是由一系列電基本振子構(gòu)成的。是由一系列電基本振子構(gòu)成的。 二、電流元的輻射場(chǎng)二、電流元的輻射場(chǎng)rjrerjrIdljE)1(cos2230rjerrjrIdljE)1(sin42230rjerjrIdlH)1(sin420E0rH0HPrzyxlOPrzyxlOdl第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35 在在天線遠(yuǎn)區(qū)（天線遠(yuǎn)區(qū)（rr）rjerIdljEsin420rjerIljHsin400urrr11123則：則：rjrjerIljHerIdljEsin2sin60 說(shuō)明：說(shuō)明：1

6、1）遠(yuǎn)區(qū)場(chǎng)電場(chǎng)、磁場(chǎng)相互正交，相位相同：）遠(yuǎn)區(qū)場(chǎng)電場(chǎng)、磁場(chǎng)相互正交，相位相同：橫電磁橫電磁 (TEM)(TEM)波波2 2） 電磁波電磁波沿徑向傳播沿徑向傳播raveHES213 3）遠(yuǎn)區(qū)場(chǎng)為）遠(yuǎn)區(qū)場(chǎng)為球面波球面波4 4）電流元的輻射是）電流元的輻射是有方向性有方向性的的第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35三、電流元輻射方向特性三、電流元輻射方向特性 方向函數(shù)方向函數(shù) ：描述天線輻射場(chǎng)與方位角：描述天線輻射場(chǎng)與方位角 的關(guān)系。的關(guān)系。),( 電流元的方向函數(shù)：電流元的方向函數(shù)：sin),(F 方向圖：由方向函數(shù)作出的圖形

7、，即為天線方向圖。方向圖：由方向函數(shù)作出的圖形，即為天線方向圖。 依據(jù)方向函數(shù)作出電流元的方向圖為：依據(jù)方向函數(shù)作出電流元的方向圖為：),(F60sinj rIdlEjer第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:355.4 天線的電參數(shù)5.4.1 5.4.1 天線方向性特性參數(shù)天線方向性特性參數(shù)一、方向函數(shù)一、方向函數(shù) 方向函數(shù)：描述天線的輻射強(qiáng)度與空間坐標(biāo)之間的函數(shù)關(guān)系，分方向函數(shù)：描述天線的輻射強(qiáng)度與空間坐標(biāo)之間的函數(shù)關(guān)系，分場(chǎng)強(qiáng)方向函數(shù)場(chǎng)強(qiáng)方向函數(shù)和和功率方向函數(shù)功率方向函數(shù)。 場(chǎng)強(qiáng)方向函數(shù)場(chǎng)強(qiáng)方向函數(shù) ：由輻射場(chǎng)電場(chǎng)表達(dá)

8、式中與方位有關(guān)的表達(dá)：由輻射場(chǎng)電場(chǎng)表達(dá)式中與方位有關(guān)的表達(dá)式組成。如電流元場(chǎng)強(qiáng)方向函數(shù)為：式組成。如電流元場(chǎng)強(qiáng)方向函數(shù)為：sin),(F),(F 功率方向函數(shù)功率方向函數(shù) ：由坡印廷矢量表達(dá)式，知由坡印廷矢量表達(dá)式，知2),(),(FP),(P2Re212ESHES第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35 歸一化方向函數(shù)歸一化方向函數(shù) ：為便于對(duì)不同天線方向性進(jìn)行比較，往：為便于對(duì)不同天線方向性進(jìn)行比較，往往將方向函數(shù)對(duì)其最大值進(jìn)行歸一化，即：往將方向函數(shù)對(duì)其最大值進(jìn)行歸一化，即：),(fmFFf),(),(歸一化方向函數(shù)的

9、最大值等于歸一化方向函數(shù)的最大值等于1 1。 用于描述天線輻射場(chǎng)的相對(duì)場(chǎng)強(qiáng)（歸一化模值）隨方向變用于描述天線輻射場(chǎng)的相對(duì)場(chǎng)強(qiáng)（歸一化模值）隨方向變化的曲線或曲面圖。化的曲線或曲面圖。二、方向圖二、方向圖電流元電流元方向圖方向圖第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35 微波天線方向圖通常由與場(chǎng)矢量相平行的兩個(gè)平面表示：微波天線方向圖通常由與場(chǎng)矢量相平行的兩個(gè)平面表示：E E平面：平面：通過(guò)最大輻射方向，通過(guò)最大輻射方向，與電場(chǎng)矢量平行的平面；與電場(chǎng)矢量平行的平面；H H平面：平面：通過(guò)通過(guò)最大輻射方向，最大輻射方向，與磁場(chǎng)矢量

10、平行的平面；與磁場(chǎng)矢量平行的平面；E平面平面H平面平面 方向圖可由極坐標(biāo)表示，也可用直角坐標(biāo)表示：方向圖可由極坐標(biāo)表示，也可用直角坐標(biāo)表示：極坐標(biāo)極坐標(biāo)直角坐標(biāo)直角坐標(biāo)電流元方向圖電流元方向圖第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35三、主瓣寬度三、主瓣寬度 主瓣寬度是衡量天線的主瓣寬度是衡量天線的最大輻射方向的能量集中程度最大輻射方向的能量集中程度的物的物理量。理量。 半功率主瓣寬度半功率主瓣寬度 ：功率方向圖中：功率方向圖中兩個(gè)半功率點(diǎn)兩個(gè)半功率點(diǎn)之間的角之間的角寬度，或場(chǎng)強(qiáng)方向圖中最大場(chǎng)強(qiáng)的寬度，或場(chǎng)強(qiáng)方向圖中最大場(chǎng)強(qiáng)的

11、 兩點(diǎn)之間的角寬度；兩點(diǎn)之間的角寬度； 零功率波瓣寬度：方向圖由最大值點(diǎn)兩邊零功率波瓣寬度：方向圖由最大值點(diǎn)兩邊第一個(gè)零點(diǎn)第一個(gè)零點(diǎn)間的角間的角寬。寬。21半功率主瓣寬度半功率主瓣寬度零功率主瓣寬度零功率主瓣寬度5 . 02第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35四、旁瓣電平四、旁瓣電平SLLSLL1 1 離主瓣離主瓣最近最近且電平且電平最高最高的波瓣電平與主瓣電平的比值的波瓣電平與主瓣電平的比值, , 一般以分貝表示。一般以分貝表示。主瓣：其方向?yàn)樘炀€輻射主向主瓣：其方向?yàn)樘炀€輻射主向第一副瓣第一副瓣maxmax11lg2

12、0EESLL 注：副瓣電平反映了天線方向性的好壞注：副瓣電平反映了天線方向性的好壞maxE1maxE第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:355.4.2 5.4.2 天線的極化天線的極化天線的極化與其輻射的電磁波的極化方式相同。天線的極化與其輻射的電磁波的極化方式相同。 天線的極化包括：天線的極化包括：垂直極化垂直極化、水平極化水平極化，圓極化圓極化。 注：實(shí)際工程中，不存在理想圓極化天線，一般為橢圓極化天線注：實(shí)際工程中，不存在理想圓極化天線，一般為橢圓極化天線 通信系統(tǒng)中，發(fā)射天線和接收天線的極化方式必須要匹配通信系統(tǒng)中，

13、發(fā)射天線和接收天線的極化方式必須要匹配5.4.3 5.4.3 天線效率與輻射電阻天線效率與輻射電阻1PPPPPiA 天線效率天線效率 ：天線天線輻射功率輻射功率與與輸入功率輸入功率之比，即：之比，即：A式中：式中： 為天線輻射功率，為天線輻射功率， 為天線歐姆損耗功率。為天線歐姆損耗功率。1PPSSsdHEsdSPSsdHERe21第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35RIPm221輻射電阻輻射電阻R R： 輻射電阻定義輻射電阻定義: : 某電阻上通過(guò)電流等于天線上的最大電流，某電阻上通過(guò)電流等于天線上的最大電流，若其損耗

14、的功率等于天線的輻射功率若其損耗的功率等于天線的輻射功率 ，則該電阻值即為該天，則該電阻值即為該天線的輻射電阻。線的輻射電阻。P22mIPR天線的輻射電阻表示了天線輻射電磁波的能力，與饋電電流天線的輻射電阻表示了天線輻射電磁波的能力，與饋電電流的大小無(wú)關(guān)，是天線自身具有的屬性。的大小無(wú)關(guān)，是天線自身具有的屬性。第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:355.4.4 5.4.4 天線方向系數(shù)與增益天線方向系數(shù)與增益一、一、 方向系數(shù)方向系數(shù)D D 定義：定義：0maxSSD 設(shè)天線輻射功率為設(shè)天線輻射功率為P Pr r，最大輻射方

15、向電場(chǎng)為，最大輻射方向電場(chǎng)為E Em m, ,則：則：240),(),(21202maxmmmmmmEES204 rPSdrEdsdSPSsin240),(22002 在離天線某一距離處，天線在最大輻射方向上的輻在離天線某一距離處，天線在最大輻射方向上的輻射功率流密度射功率流密度S Smaxmax，與，與相同輻射功率相同輻射功率在理想無(wú)方向性天線在同一在理想無(wú)方向性天線在同一位置處的輻射功率流密度位置處的輻射功率流密度S S0 0之比：之比： 即即第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35dEdEDmmmsin),(),(42

16、0022dfdDsin),(42002二、二、 增益增益G G方向系數(shù)方向系數(shù)D D未考慮天線效率的影響。未考慮天線效率的影響。 增益定義增益定義: : 在離天線某一距離處，天線在最大輻射方向在離天線某一距離處，天線在最大輻射方向上的輻射功率流密度上的輻射功率流密度S Smaxmax，與，與相同輸入功率相同輸入功率在理想無(wú)方向性在理想無(wú)方向性天線在同一位置處的輻射功率流密度天線在同一位置處的輻射功率流密度S S0 0之比。之比。DGA第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35max0ASGS 由上式可得一個(gè)天線最大輻射方向上的

17、場(chǎng)強(qiáng)為由上式可得一個(gè)天線最大輻射方向上的場(chǎng)強(qiáng)為rPDrGPEiAim6060由方向系數(shù)及增益定義，有：由方向系數(shù)及增益定義，有：imPEr6022AiPP輸入功率輸入功率2222240604mmErEPPr第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35例例 確定沿確定沿z z軸放置的電基本振子的方向系數(shù)。軸放置的電基本振子的方向系數(shù)。 解解: : 電基本振子的歸一化方向函數(shù)為電基本振子的歸一化方向函數(shù)為: : sin),(f代入方向系數(shù)的表達(dá)式得代入方向系數(shù)的表達(dá)式得5 . 1sinsin42002 ddD)(76. 15 . 1

18、lg10dBD分貝數(shù)表示為：分貝數(shù)表示為：第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:355.4.5 5.4.5 輸入阻抗輸入阻抗注：輸入阻抗取決于天線本身的結(jié)構(gòu)與尺寸、工作頻率以及鄰近天注：輸入阻抗取決于天線本身的結(jié)構(gòu)與尺寸、工作頻率以及鄰近天線周圍物體等的影響。線周圍物體等的影響。 天線有效長(zhǎng)度定義：在保持實(shí)際天線最大天線有效長(zhǎng)度定義：在保持實(shí)際天線最大輻射方向上的場(chǎng)強(qiáng)值不變的條件下輻射方向上的場(chǎng)強(qiáng)值不變的條件下, , 假設(shè)天線假設(shè)天線上電流分布為均勻分布時(shí)天線的等效長(zhǎng)度。上電流分布為均勻分布時(shí)天線的等效長(zhǎng)度。5.4.6 5.4

19、.6 有效長(zhǎng)度有效長(zhǎng)度h2hI0輸入阻抗和輸入電壓輸入阻抗和輸入電壓 和電流和電流 的關(guān)系是的關(guān)系是inUinIinininininXRIUZ天線的有效長(zhǎng)度愈長(zhǎng)天線的有效長(zhǎng)度愈長(zhǎng), , 輻射能力愈強(qiáng)。輻射能力愈強(qiáng)。第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:355.3 對(duì)稱振子天線 由兩根由兩根粗細(xì)和長(zhǎng)度都相同粗細(xì)和長(zhǎng)度都相同的直導(dǎo)線構(gòu)的直導(dǎo)線構(gòu)成，中間為饋電端。成，中間為饋電端。一、結(jié)構(gòu)一、結(jié)構(gòu)zrrImdzzhh二、對(duì)稱陣子上的電流分布二、對(duì)稱陣子上的電流分布電流分布電流分布-輻射場(chǎng)輻射場(chǎng)I(a)(b)II(c) 工程上近似認(rèn)為

20、對(duì)稱陣子天線視作終工程上近似認(rèn)為對(duì)稱陣子天線視作終端開(kāi)路傳輸線兩端逐漸張開(kāi)形成的。端開(kāi)路傳輸線兩端逐漸張開(kāi)形成的。第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35 其上電流分布為：其上電流分布為：)(sin)(zlIzIm 4422半波振子半波振子 全波振子全波振子 三、對(duì)稱陣子的輻射場(chǎng)三、對(duì)稱陣子的輻射場(chǎng) 在距中心點(diǎn)為在距中心點(diǎn)為z z處取電流元段處取電流元段dzdz, , 則它對(duì)遠(yuǎn)區(qū)場(chǎng)的貢獻(xiàn)為則它對(duì)遠(yuǎn)區(qū)場(chǎng)的貢獻(xiàn)為1sin)(601rjedzzIrjdEzrrImdzzhh1r1ll1 1、dzdz段線元的輻射場(chǎng)段線元的輻射場(chǎng)第五

21、章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35 對(duì)于遠(yuǎn)區(qū)輻射場(chǎng)，場(chǎng)點(diǎn)距離遠(yuǎn)大于對(duì)于遠(yuǎn)區(qū)輻射場(chǎng)，場(chǎng)點(diǎn)距離遠(yuǎn)大于天線尺寸，可有如下近似：天線尺寸，可有如下近似：11/,/rrcoscos2221zrrzzrr2 2、對(duì)稱振子天線的輻射場(chǎng)、對(duì)稱振子天線的輻射場(chǎng)zrrImdzzhh1r1ll 整個(gè)天線的遠(yuǎn)區(qū)輻射場(chǎng)為：整個(gè)天線的遠(yuǎn)區(qū)輻射場(chǎng)為：llrjmlldzrezlIjdEE11)(sinsin60llzrjmdzezlIrj)cos()(sinsin60dzzzhreIjlrjm)coscos()(sinsin2600第五章 天線基本原理與

22、技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35sincos)coscos(60llerIjrjmsincos)coscos(),(llF 則則對(duì)稱振子天線的輻射方向圖對(duì)稱振子天線的輻射方向圖為：為：結(jié)論：結(jié)論：對(duì)稱振子天線的方向函數(shù)與方位角對(duì)稱振子天線的方向函數(shù)與方位角 無(wú)關(guān)，其方向圖是無(wú)關(guān)，其方向圖是以振子軸線為基準(zhǔn)的旋轉(zhuǎn)對(duì)稱圖形以振子軸線為基準(zhǔn)的旋轉(zhuǎn)對(duì)稱圖形對(duì)稱振子的臂長(zhǎng)會(huì)影響到方向圖對(duì)稱振子的臂長(zhǎng)會(huì)影響到方向圖二維二維三維三維 對(duì)稱振子天線最常用的為對(duì)稱振子天線最常用的為半波振子天線半波振子天線和和全波振子天線全波振子天線。第五章 天線基本原理與

23、技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35sin)cos2cos(),(),( fF半波振子天線的輻射特性：半波振子天線的輻射特性： 1 1）將）將 代入，得半波振子天線的方向函數(shù)：代入，得半波振子天線的方向函數(shù)：4,2l 2 2）由方向系數(shù)求解公式，得：）由方向系數(shù)求解公式，得：64. 1D3) 3) 方向圖的半功率主瓣寬度等于方程的解方向圖的半功率主瓣寬度等于方程的解: : 21sin)cos2cos()(F7825 . 04 4）半波振子的輻射電阻為）半波振子的輻射電阻為R=73.1 ()第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線

24、電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35sin1)coscos(),(F全波振子天線的輻射特性：全波振子天線的輻射特性： 1 1）將）將 代入，得半波振子天線的方向函數(shù)：代入，得半波振子天線的方向函數(shù)：2,2l 2 2）由方向系數(shù)求解公式，得：）由方向系數(shù)求解公式，得：41. 2D3) 3) 方向圖的半功率主瓣寬度等于方程的解方向圖的半功率主瓣寬度等于方程的解: : 8 .4725 . 04 4）半波振子的輻射電阻為）半波振子的輻射電阻為R=199 ()sin21)coscos(),(f21sin21)coscos(),(f第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線

25、電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:355.5 陣列天線 將多個(gè)天線組合起來(lái)，可增強(qiáng)或減小某方向天線輻射，將多個(gè)天線組合起來(lái)，可增強(qiáng)或減小某方向天線輻射，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)天線方向圖的控制。從而實(shí)現(xiàn)對(duì)天線方向圖的控制。電流元電流元半波振子半波振子振子天線振子天線 陣列天線：將多個(gè)陣列天線：將多個(gè)相同類型天線相同類型天線按一定按一定規(guī)律排列規(guī)律排列、饋電饋電而而形成的天線系統(tǒng)。形成的天線系統(tǒng)。第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35美國(guó)（美國(guó)（VLAVLA，2727個(gè)個(gè)2525米口徑天線組成）米口徑天線組成）第五章 天

26、線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35#11nI#221ijnnIMI e 設(shè)兩個(gè)半波振子天線如圖排列，設(shè)兩個(gè)半波振子天線如圖排列，則則1 1# #，2 2# #方向函數(shù)相同，均為方向函數(shù)相同，均為 sin)cos2cos(),(0F一、二元天線陣列一、二元天線陣列兩個(gè)天線饋電電流：兩個(gè)天線饋電電流： 11101160( , )nj rIEjFer 22202260(, )nj rIEjFer 則兩個(gè)陣元在遠(yuǎn)區(qū)則兩個(gè)陣元在遠(yuǎn)

27、區(qū)p p點(diǎn)產(chǎn)生電場(chǎng)分別為：點(diǎn)產(chǎn)生電場(chǎng)分別為： 2r1r12第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:352r1r12場(chǎng)點(diǎn)位于遠(yuǎn)區(qū)，可引入如下近似：場(chǎng)點(diǎn)位于遠(yuǎn)區(qū)，可引入如下近似：12/rrcos12drr1212注意注意： 為場(chǎng)點(diǎn)與為場(chǎng)點(diǎn)與天線單元軸向天線單元軸向夾角；夾角； 為為場(chǎng)點(diǎn)與場(chǎng)點(diǎn)與天線陣軸向天線陣軸向夾角；夾角；11060( , )nj rIEjFer 2(cos )20160( , )cosnjr dIEjFerd 1cos060( , )ijnj rj dM IejFeer cos1ijj dM E ee第五章 天線

28、基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35則則p點(diǎn)總的疊加場(chǎng)為：點(diǎn)總的疊加場(chǎng)為：12EEE(cos )11ijdEMe第一陣元輻射場(chǎng)第一陣元輻射場(chǎng)與陣列組成有關(guān)的因子與陣列組成有關(guān)的因子cosdi令令兩單元天線在兩單元天線在p點(diǎn)輻射場(chǎng)的總相位差點(diǎn)輻射場(chǎng)的總相位差其中其中i是由饋電電流相位差所引起是由饋電電流相位差所引起cosd是由波程差所引起的相位差是由波程差所引起的相位差則：則：1jMesin21cos12cosMjarctgMMMe( )jFe第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電

29、子工程學(xué)院3:35則則p點(diǎn)總的疊加場(chǎng)為：點(diǎn)總的疊加場(chǎng)為：1060( , ) ( )njj rIEjFFe er 兩個(gè)天線合成波的方向圖為：兩個(gè)天線合成波的方向圖為：0( , )( , ) ( )FFF 陣元方向圖陣元方向圖陣列因子陣列因子 方向函數(shù)乘積定理：相似元所構(gòu)成的天線陣列的方方向函數(shù)乘積定理：相似元所構(gòu)成的天線陣列的方向性函數(shù)等于各陣元單獨(dú)存在時(shí)的方向性函數(shù)（稱之向性函數(shù)等于各陣元單獨(dú)存在時(shí)的方向性函數(shù)（稱之為為元因子元因子）和陣方向函數(shù)（稱之為）和陣方向函數(shù)（稱之為陣因子陣因子）的乘積。）的乘積。 第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程

30、學(xué)院電子工程學(xué)院3:351 1、陣因子、陣因子 只與只與天線陣結(jié)構(gòu)參數(shù)天線陣結(jié)構(gòu)參數(shù)（陣元間距（陣元間距d d、陣元間、陣元間饋電電流幅值比饋電電流幅值比M M、饋電相位差、饋電相位差 ）有關(guān)。）有關(guān)。關(guān)于陣因子的討論：關(guān)于陣因子的討論：( )Fi2 2、當(dāng)天線陣等幅饋電時(shí)（、當(dāng)天線陣等幅饋電時(shí)（M=1M=1），則：），則：( )1 12cos2 cos2F 3 3、通過(guò)調(diào)整天線陣的、通過(guò)調(diào)整天線陣的排列排列及及饋電方式饋電方式，可實(shí)現(xiàn)對(duì)天線陣最，可實(shí)現(xiàn)對(duì)天線陣最終方向圖的控制。終方向圖的控制。4 4、在陣元間距固定，且陣元等幅饋電時(shí)，通過(guò)改變饋電相、在陣元間距固定，且陣元等幅饋電時(shí)，通過(guò)改變

31、饋電相差差 即可改變天線陣方向圖即可改變天線陣方向圖相控陣天線工作原理相控陣天線工作原理。i第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35第五章第五章 天線理論基礎(chǔ)天線理論基礎(chǔ)陣元間距及饋電方式對(duì)陣因子的影響分析：陣元間距及饋電方式對(duì)陣因子的影響分析：若陣元等幅饋電：若陣元等幅饋電：1 1、 時(shí)：時(shí)：,02d d IjIe12cos( )cos2dfcoscos2 0.2 0.4 0.6 0.8 13021060240902701203001503301800最大輻射方向在陣側(cè)向最大輻射方向在陣側(cè)向側(cè)射陣側(cè)射陣2 2、 時(shí)：時(shí)：,

32、2dcos( )cos2dfcoscos()22 0.2 0.4 0.6 0.8 13021060240902701203001503301800最大輻射方向在陣軸向最大輻射方向在陣軸向端射陣端射陣第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:353 3、 時(shí)：時(shí)：,42d cos( )cos2df(cos1)cos4 0.2 0.4 0.6 0.8 13021060240902701203001503301800單向端射陣單向端射陣。4 4、 時(shí)：時(shí)：,42dcos( )cos2df(cos1)cos4 0.2 0.4 0.6 0.

33、8 13021060240902701203001503301800單向端射陣單向端射陣。第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35天線方向圖乘積原理的應(yīng)用：天線方向圖乘積原理的應(yīng)用： 天線陣的最終方向圖由陣元方向圖和陣因子方向圖直接天線陣的最終方向圖由陣元方向圖和陣因子方向圖直接相乘獲得：相乘獲得： （1 1）陣元或陣因子零點(diǎn)方向?yàn)榉较驁D零點(diǎn)；）陣元或陣因子零點(diǎn)方向?yàn)榉较驁D零點(diǎn)； （2 2）陣元和陣因子共同最大方向?yàn)榉较驁D最大方向；）陣元和陣因子共同最大方向?yàn)榉较驁D最大方向； （3 3）零點(diǎn)間存在波瓣（旁瓣）。）零點(diǎn)間存在波

34、瓣（旁瓣）。第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35解：解：dMi, 0, 1已知已知單元天線為半波振子單元天線為半波振子0cos(cos )2( , )sinf 則此二元陣列天線的方向函數(shù)則此二元陣列天線的方向函數(shù)0( , )( , ) ( )fff coscos( cos )2fcos2cos did例例5-4：等幅同相二元半波振子陣，陣元中心距：等幅同相二元半波振子陣，陣元中心距 ，求作陣列天線在如圖所示坐標(biāo)系中求作陣列天線在如圖所示坐標(biāo)系中yoz，xoz及及xoy平面平面上的方向圖。上的方向圖。 1 2 x z y

35、d 第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35coscos)(fzsin)cos2cos(),(0f第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35yozyoz面：面：動(dòng)畫演示動(dòng)畫演示xozxoz面：面：動(dòng)畫演示動(dòng)畫演示xoyxoy面：面：動(dòng)畫演示動(dòng)畫演示3 3維方向圖：維方向圖：第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35 例例5-55-5：如圖所示，求等幅反相二元半波振子陣三個(gè)：如圖所示，求等幅反

36、相二元半波振子陣三個(gè)主坐標(biāo)平面的方向圖，陣元間距主坐標(biāo)平面的方向圖，陣元間距 。2d解：解：2, 1dMi已知已知 )cos2sin(2|1 |1 |)cos4(jjeMeFcos4cosdi單元天線為半波振子單元天線為半波振子sin)cos2cos(),(0F則此二元陣列天線的方向函數(shù)則此二元陣列天線的方向函數(shù))(),(),(0FFF)(),(),(0fff歸一化得：歸一化得：第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35yz第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3

37、:35例例5-65-6：繪出如圖所示二元半波振子陣的方向圖。陣列：繪出如圖所示二元半波振子陣的方向圖。陣列結(jié)構(gòu)參數(shù)為結(jié)構(gòu)參數(shù)為 ， ， 。2i 4d1M解：解：cos22( )cos(cos )44f陣元在場(chǎng)點(diǎn)處的總相位差及陣函數(shù)分別為陣元在場(chǎng)點(diǎn)處的總相位差及陣函數(shù)分別為sin)cos2cos(),(0F第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35yozyoz: :xozxoz: :xoyxoy: :第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35二、二、N N 元均

38、勻直線陣列元均勻直線陣列 工程上一般采用多個(gè)（工程上一般采用多個(gè)（N2)N2)陣元組成天線陣，以獲得更陣元組成天線陣，以獲得更高的方向性。高的方向性。1 1、N N元直線陣的陣函數(shù)元直線陣的陣函數(shù)第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35以陣列中第一個(gè)單元天線作為相位基準(zhǔn)：以陣列中第一個(gè)單元天線作為相位基準(zhǔn)：1),(01rjeFEE第二個(gè)單元天線：輻射場(chǎng)的幅值差異不計(jì)，相位差為第二個(gè)單元天線：輻射場(chǎng)的幅值差異不計(jì)，相位差為 cosdi則第則第N N個(gè)單元天線的相位差為：個(gè)單元天線的相位差為：)cos)(1() 1(dNNiN

39、N個(gè)相似元陣元在個(gè)相似元陣元在p p處的輻射場(chǎng)疊加，表示為處的輻射場(chǎng)疊加，表示為1 ),() 1(2011NjjjrjNkkeeeeFEEE)2sin()2sin(1121NeeeNjjjN1 ) 1(2Njjjeee第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35整理可得遠(yuǎn)區(qū)輻射場(chǎng)表達(dá)式為：整理可得遠(yuǎn)區(qū)輻射場(chǎng)表達(dá)式為： )21(0)2sin()2sin(),(iNrjeNFEEcosid是相鄰陣元至場(chǎng)點(diǎn)的輻射場(chǎng)總相位差是相鄰陣元至場(chǎng)點(diǎn)的輻射場(chǎng)總相位差由上式得由上式得N N元均勻直線陣列的陣函數(shù)元均勻直線陣列的陣函數(shù)F()為為)co

40、s(21sin)cos(2sin2sin2sin)(ddNNFii)cos(21sin)cos(2sin2sin2sin)(dNdNNNfii歸一化得：歸一化得：第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:351.1.當(dāng)當(dāng) 0 0時(shí)，陣函數(shù)有最大值時(shí)，陣函數(shù)有最大值2.2.主瓣寬度隨主瓣寬度隨N N的增加而變得尖銳，方向性增強(qiáng)的增加而變得尖銳，方向性增強(qiáng)N元均勻直線陣列歸一化陣函數(shù)的通用曲線元均勻直線陣列歸一化陣函數(shù)的通用曲線 說(shuō)明：說(shuō)明：第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子

41、工程學(xué)院3:35關(guān)于關(guān)于N N元直線天線陣輻射方向圖的討論：元直線天線陣輻射方向圖的討論：當(dāng)當(dāng) 0 0時(shí)，陣函數(shù)取最大值時(shí)，陣函數(shù)取最大值。cosid0dim cos0i1 1、當(dāng)各陣元、當(dāng)各陣元同相饋電同相饋電，即，即2m最大輻射方向在陣的兩側(cè)：最大輻射方向在陣的兩側(cè)：側(cè)射陣側(cè)射陣di2 2、當(dāng)各陣元、當(dāng)各陣元饋電相差滿足饋電相差滿足或0m最大輻射方向在陣兩端：最大輻射方向在陣兩端：端射陣端射陣 通過(guò)控制各陣元饋電電流相位差來(lái)補(bǔ)償波程相位差，使通過(guò)控制各陣元饋電電流相位差來(lái)補(bǔ)償波程相位差，使各陣元輻射場(chǎng)在固定方向同相疊加，從而形成最大輻射。各陣元輻射場(chǎng)在固定方向同相疊加，從而形成最大輻射。第

42、五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35 在陣元間距和工作頻率固定的條件下，通過(guò)改變陣元的在陣元間距和工作頻率固定的條件下，通過(guò)改變陣元的饋電相差，可改變天線陣的最大輻射方向饋電相差，可改變天線陣的最大輻射方向相控陣天線工相控陣天線工作原理作原理。3 3、對(duì)于任意饋電相差、對(duì)于任意饋電相差)arccos(dim 功 分 器 移相器 相控陣?yán)走_(dá)天線結(jié)構(gòu)原理 第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:355.6 地面對(duì)天線特性的影響1 1、地面可視作導(dǎo)電媒質(zhì)分界面，影

43、響天線輻射特性；、地面可視作導(dǎo)電媒質(zhì)分界面，影響天線輻射特性；2 2、實(shí)際地面起伏不平，且導(dǎo)電特性各不相同；、實(shí)際地面起伏不平，且導(dǎo)電特性各不相同；3 3、本章分析將地面視作無(wú)限大理想導(dǎo)電平面。、本章分析將地面視作無(wú)限大理想導(dǎo)電平面。一、遠(yuǎn)離地面架設(shè)的天線一、遠(yuǎn)離地面架設(shè)的天線 （h h ） 天線遠(yuǎn)地架設(shè)時(shí)，地面的影天線遠(yuǎn)地架設(shè)時(shí)，地面的影響主要為電磁傳播的響主要為電磁傳播的多徑效應(yīng)多徑效應(yīng)。 若天線輸入功率為若天線輸入功率為 ，天線，天線效率效率 ，則最大輻射方向上，則最大輻射方向上 inPAinAmPGrE601第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)

44、電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35水平極化波水平極化波R R1 1LhhjinAefrPGE212)(160垂直（地面）極化波垂直（地面）極化波R R1 1 LhhjinAefrPGE212)(160二、近地架設(shè)的天線二、近地架設(shè)的天線 天線遠(yuǎn)地架設(shè)時(shí)，地面上存在感應(yīng)的傳導(dǎo)電流而形成天線遠(yuǎn)地架設(shè)時(shí)，地面上存在感應(yīng)的傳導(dǎo)電流而形成二次輻射源。遠(yuǎn)區(qū)輻射電場(chǎng)由天線和二次源共同形成。二次輻射源。遠(yuǎn)區(qū)輻射電場(chǎng)由天線和二次源共同形成。 二次輻射源可由二次輻射源可由原天線對(duì)地面的鏡像原天線對(duì)地面的鏡像代替。代替。第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程

45、學(xué)院3:351 1、鏡像電流、鏡像電流 垂直電流垂直電流HEHE水平電流水平電流 HEHE像電流像電流像電流像電流 2 2、垂直地面近地架設(shè)的天線、垂直地面近地架設(shè)的天線 半波天線半波天線全波天線全波天線正像正像負(fù)像負(fù)像第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35 近地近地垂直架設(shè)垂直架設(shè)的天線，原天線與像天線可視作的天線，原天線與像天線可視作等幅饋等幅饋電電二元天線陣，二元天線陣，陣元間距為陣元間距為2h2h， 饋電相位：饋電相位： 1 1）天線長(zhǎng)度等于半波長(zhǎng)）天線長(zhǎng)度等于半波長(zhǎng)奇數(shù)倍時(shí)：同相奇數(shù)倍時(shí)：同相； 2 2）天線長(zhǎng)度

46、等于半波長(zhǎng)）天線長(zhǎng)度等于半波長(zhǎng)偶數(shù)倍時(shí)：相差偶數(shù)倍時(shí)：相差。結(jié)論：結(jié)論： 例例5-95-9：半波振子天線垂直架設(shè)在地表面上，：半波振子天線垂直架設(shè)在地表面上，架設(shè)高度架設(shè)高度 H = 0.25H = 0.25，0.50.5， 0.750.75, , ，做出這四種情況下天線子午面（過(guò)振子軸線與地做出這四種情況下天線子午面（過(guò)振子軸線與地面垂直的剖面）的方向圖。面垂直的剖面）的方向圖。解：本題實(shí)際上為求解等幅同相饋電二元陣解：本題實(shí)際上為求解等幅同相饋電二元陣在不同陣元間距下的方向圖。在不同陣元間距下的方向圖。第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)

47、院電子工程學(xué)院3:35)coscos(sincos2cos),(Hf陣軸與振子軸重合即陣軸與振子軸重合即由前面討論，二元陣方向函數(shù)：由前面討論，二元陣方向函數(shù)：)coscos()(Hf半波振子天線方向函數(shù)：半波振子天線方向函數(shù)：sincos2cos),(f則總的方向圖因子為：則總的方向圖因子為：090 用觀察用觀察射線與地表面的夾角射線與地表面的夾角 表示，表示， 則總的歸一化方向函數(shù)為則總的歸一化方向函數(shù)為)sincos(cossin2cos),(Hf第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35 結(jié)論：結(jié)論：1.1. 地面以下

48、場(chǎng)強(qiáng)為零。地面以下場(chǎng)強(qiáng)為零。2.2. 隨著架設(shè)高度隨著架設(shè)高度 H H 的增加，方向圖的波瓣數(shù)也增多，但天的增加，方向圖的波瓣數(shù)也增多，但天線的主向總是沿地表方向。線的主向總是沿地表方向。3.3. 垂直接地天線比同等臂長(zhǎng)自由空間的對(duì)稱振子天線方向垂直接地天線比同等臂長(zhǎng)自由空間的對(duì)稱振子天線方向系數(shù)系數(shù)D D提高一倍。提高一倍。第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35 半波天線半波天線全波天線全波天線負(fù)像負(fù)像負(fù)像負(fù)像 3 3、平行地面近地架設(shè)的天線、平行地面近地架設(shè)的天線 近地近地水平架設(shè)水平架設(shè)的天線，原天線與像天線可視作的天線，原天線與像天線可視作等幅、反等幅、反向饋電向饋電二元天線陣，二元天線陣，陣元間距為陣元間距為2h2h。結(jié)論：結(jié)論：第五章 天線基本原理與技術(shù)微波技術(shù)與天線微波技術(shù)與天線電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院3:35地面仰角地面仰