模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)拉扎維第篇噪聲一PPT學(xué)習(xí)教案

1、會(huì)計(jì)學(xué)1模擬模擬CMOS集成電路集成電路(jchng-dinl)設(shè)設(shè)計(jì)拉扎維第篇噪聲一計(jì)拉扎維第篇噪聲一第一頁(yè)，共40頁(yè)。)2上一講頻率特性電路(dinl)性能指標(biāo)隨信號(hào)頻率的變化特性考慮(kol)電容、電感等參數(shù)對(duì)頻率敏感的元件的影響Av =VYVX用s域分析(fnx)法來分析(fnx)頻率特性密勒定理Z1 =Z(1 Av )Z2 =Z1(1 A v )一種為了方便電路分析而進(jìn)行的電路轉(zhuǎn)換X和和Y之間只有一個(gè)信號(hào)通之間只有一個(gè)信號(hào)通路時(shí)往往不適用阻抗Z和信號(hào)主通路并聯(lián)時(shí)適用極點(diǎn)-節(jié)點(diǎn)的關(guān)聯(lián)每個(gè)節(jié)點(diǎn)對(duì)應(yīng)一個(gè)極點(diǎn)節(jié)點(diǎn)之間有相互作用時(shí)不再是每個(gè)節(jié)點(diǎn)貢獻(xiàn)一個(gè)極點(diǎn)H ( s ) = A v 0 V o

2、utV in( 1 +( s )sp 1)( 1 +1sp 2)( 1 +sp 3西電微電子學(xué)院董剛模擬集成電路設(shè)計(jì)第1頁(yè)/共40頁(yè)第二頁(yè)，共40頁(yè)。(s) =Vin s s out =1in = s s s Rin = 23DB +CGDCDB) + sRS (1+ gmRD )CGD上一講共源級(jí)的頻率特性傳輸函數(shù)（增益）和輸入阻抗用極點(diǎn)-節(jié)點(diǎn)關(guān)聯(lián)法計(jì)算(j sun)簡(jiǎn)單直觀。有誤差；沒反映出零點(diǎn)Vout gm RD(1 + )(1 + )in outRS CGS + (1 + g m RD )CGD 1(CGD + CDB ) RDVoutVin(s) = 1 z + 1 + 1 p1 p

3、 2 用完整等效電路推導(dǎo)(tudo)法計(jì)算復(fù)雜，但結(jié)果精確，反映了零點(diǎn)的影響1+ RD (CGD + CDB )s 1CGDs(1+ gm RD + RDCDBs) CGS svo (sCGD gm )RDvi s RS RD (CGSCGD +CGSC西電微電子學(xué)院董剛模擬(mn)集成電路設(shè)計(jì) + RSCGS + RD (CGD +CDB) +1第2頁(yè)/共40頁(yè)第三頁(yè)，共40頁(yè)。1 11+ = 24 Sm上一講源跟隨器1、做電壓(diny)平移2、做阻抗轉(zhuǎn)換緩沖器Av =1gm RS+ (1+) 1+傳輸函數(shù)和極零點(diǎn)：根據(jù)(gnj)該式，合理設(shè)計(jì)可獲得期望帶寬、相位裕度等指標(biāo)輸入阻抗：Zin

4、 =VX 1 1 gm 1I X sCGD sCGS sCGS gmb + sCL vo gm + sCGSvi s RS (CGS CL + CGS CGD + CGDCL ) + s(gm RS CGD + CL + CGS ) + gm輸出阻抗：Z OUT = (sRS CGS + 1) /( g m + sCGS ) 1 / g（低頻(dpn)時(shí)）， R（高頻時(shí)）西電微電子學(xué)院董剛模擬集成電路設(shè)計(jì)第3頁(yè)/共40頁(yè)第四頁(yè)，共40頁(yè)。1vovi+S)5上一講共柵級(jí)Rin小，Rout大傳輸(chun sh)函數(shù)：無密勒電容項(xiàng)，高帶寬(s) =(gm + gmb )RD1+ (gm + gmb

5、 )RS (1+1CSgm + gmb + RSs)(1+ RDCD s)輸入阻抗(sh r z kn)：頻率增大時(shí)，ZL趨近于0，Rin趨近于Rin =1/(gm+gmb)Z L + rO Z L 11 + ( g m + g mb )rO ( g m + g mb )rO g m + g mbZ L = R D1sC D輸出阻抗(sh ch z kn)R out = 1 + ( gm+ gmb) ro R S1sC+ ro | ( R D1sC D西電微電子學(xué)院董剛模擬集成電路設(shè)計(jì)第4頁(yè)/共40頁(yè)第五頁(yè)，共40頁(yè)。6上一講共源共柵級(jí)Rin和Rout大，高增益密勒效應(yīng)(xioyng)小，高頻

6、極點(diǎn)(jdin)為了(wi le)保證放大器的穩(wěn)定性，通常設(shè)計(jì)fpX最大輸出阻抗頻率增大時(shí)下降，影響共源共柵電流鏡的精度Z out (1 + g m 2 rO 2 ) Z X + rO 2 (1 / sCY )Z X = rO1 ( sC X ), 忽略CGD1西電微電子學(xué)院董剛模擬集成電路設(shè)計(jì)第5頁(yè)/共40頁(yè)第六頁(yè)，共40頁(yè)。1 s 1 + 1 )7上一講電流(dinli)源負(fù)載的差分放大器差模頻率特性用半電路法分析CL包括CDB3、CGD3（G點(diǎn)為交流(jioli)地）、CDB1用共源放大器傳輸函數(shù)結(jié)論得：ACMDM = gm1 gm2(gm1 + gm2 )(rO3sCP) +1 (RD

7、1sCLVoutVin( s ) = Av 0 s p 1 z s p 2+ 1 高頻(o pn)時(shí)共模抑制能力下降主極點(diǎn)為：f p1 = 1 / 2CL (rO1 rO 3 )西電微電子學(xué)院董剛模擬集成電路設(shè)計(jì)第6頁(yè)/共40頁(yè)第七頁(yè)，共40頁(yè)。=L=8上一講電流(dinli)鏡負(fù)載的差分放大器vout gmNrON (2gmP + sCE )vin 2rONrOPCECLs2 +(2rON + rOP)CE + rOP(1+ 2gmPrON )CL s + 2gmP(rON + rOP)鏡像極點(diǎn)通常比輸出極點(diǎn)大，即p1 p2 ，因此有： p1 =( 2 rON2 g mP ( rON + r

8、OP )+ rOP )C E + rOP (1 + 2 g mP rON )C L忽略(hl)分母中第一項(xiàng)并假 設(shè) 2 g mP rON ff 1，則： p1 1C（ rOP rON ）1 1 p1 p 2rON rOP CE CLg mP (rON + rOP ) p 2 g mPCEZ = 2 p 2 = 2 g mPCE西電微電子學(xué)院董剛模擬集成電路(jchng-dinl)設(shè)計(jì)第7頁(yè)/共40頁(yè)第八頁(yè)，共40頁(yè)。9本講 噪聲(zoshng)噪聲的統(tǒng)計(jì)(tngj)特性噪聲(zoshng)譜（頻域）幅值分布（時(shí)域）相關(guān)噪聲源和非相關(guān)噪聲源噪聲的類型熱噪聲閃爍噪聲電路中噪聲的表示單級(jí)放大器中的噪

9、聲共源、共柵、共漏、共源共柵差分對(duì)中的噪聲噪聲帶寬西電微電子學(xué)院董剛模擬集成電路設(shè)計(jì)第8頁(yè)/共40頁(yè)第九頁(yè)，共40頁(yè)。10為什么要學(xué)習(xí)(xux)噪聲知識(shí)？電路(dinl)能處理的信號(hào)的最小值等于噪聲的水平(shupng)設(shè)計(jì)AIC時(shí)通常需要考慮噪聲指標(biāo)體現(xiàn)在信噪比（SNR）這一指標(biāo)上低噪聲AIC在很多領(lǐng)域有重要應(yīng)用西電微電子學(xué)院董剛模擬集成電路設(shè)計(jì)第9頁(yè)/共40頁(yè)第十頁(yè)，共40頁(yè)。11統(tǒng)計(jì)學(xué)特性(txng)噪聲是一個(gè)隨機(jī)(su j)過程每一時(shí)刻(shk)的幅值是不能預(yù)測(cè)的哪些特性可以被預(yù)測(cè)？平均功率、功率譜密度（噪聲譜）、幅值分布西電微電子學(xué)院董剛模擬集成電路設(shè)計(jì)第10頁(yè)/共40頁(yè)第十一頁(yè)，共

10、40頁(yè)。1 +T / 21 +T / 2 2t 12平均功率有些隨機(jī)(su j)過程的平均功率也不可預(yù)測(cè)電路(dinl)中大多數(shù)噪聲源有固定的平均功率，可以預(yù)測(cè)均方根值（root mean square）的定義(dngy)：平均功率的定義：Pav = lim T / 2t T2x (t)dtrms = Pav = limT T / 2 x (t)dt平均功率只反映了噪聲的功率特性若x(t)為電壓信號(hào)，則Pav單位為V2（幅值特性），沒反映頻率特性西電微電子學(xué)院董剛模擬集成電路設(shè)計(jì)第11頁(yè)/共40頁(yè)第十二頁(yè)，共40頁(yè)。13噪聲(zoshng)譜又稱為(chn wi)“功率譜密度” (PSD: P

11、ower spectral density) ；PSD定義為：在每個(gè)頻率上信號(hào)定義為：在每個(gè)頻率上信號(hào)(xnho)具有的功率的大??；具有的功率的大?。环从沉嗽肼暤墓β屎皖l率兩方面的特性反映了噪聲的功率和頻率兩方面的特性X(t)信號(hào)的信號(hào)的PSD寫為寫為SX(f)；SX(f)定義為：定義為：f附近1Hz帶寬內(nèi)X(t)具有的平均功率；單位V2/Hz電路中大多數(shù)噪聲源有可預(yù)測(cè)的噪聲譜西電微電子學(xué)院董剛模擬集成電路設(shè)計(jì)第12頁(yè)/共40頁(yè)第十三頁(yè)，共40頁(yè)。214噪聲譜PSD在整個(gè)(zhngg)頻率范圍內(nèi)為相同值白噪聲定理適用于線性時(shí)不變系統(tǒng)(xtng)分析電路噪聲時(shí)的理論依據(jù)線性時(shí)不變系統(tǒng)：具有疊加性

12、、均勻(jnyn)性并且系統(tǒng)參數(shù)不隨時(shí)間變化的系統(tǒng)SY ( f ) = S X ( f ) H ( f ) , H ( f ) = H (s = 2jf )西電微電子學(xué)院董剛模擬集成電路設(shè)計(jì)第13頁(yè)/共40頁(yè)第十四頁(yè)，共40頁(yè)。15噪聲(zoshng)譜被H(f)“整形”電話系統(tǒng)帶寬(di kun)為4KHz，聲音信號(hào)的高頻部分被濾除西電微電子學(xué)院(xuyun)董剛模擬集成電路設(shè)計(jì)第14頁(yè)/共40頁(yè)第十五頁(yè)，共40頁(yè)。 f 116“雙邊(shungbin)”譜和“單邊”譜參考文獻(xiàn)1X(t)如果是實(shí)數(shù)，則SX(f)為f的偶函數(shù)（“雙邊(shungbin)”譜）從數(shù)學(xué)角度看f1，f2頻率范圍內(nèi)x(

13、t)總f 2功率Pf1,f2 Pf 1, f 2 = f 2 S X ( f )df + f 1 S X ( f )df用帶通濾波器測(cè)量的結(jié)果 f 2為“單邊”譜（0到+Hz） = f 1 2S X ( f )df“雙邊雙邊(shungbin)”譜譜西電微電子學(xué)院董剛模擬集成電路(jchng-dinl)設(shè)計(jì)“單邊單邊”譜譜第15頁(yè)/共40頁(yè)第十六頁(yè)，共40頁(yè)。17幅值分布(fnb)概率密度函數(shù)噪聲瞬時(shí)值不可(bk)預(yù)測(cè)，但通過長(zhǎng)期觀察、統(tǒng)計(jì)，可以得到每個(gè)值出現(xiàn)的概率大小PDF：Probability density function，定義，定義(dngy)為：為：PX (x)dx = x X

14、x + dx的概率許多隨機(jī)量的PDF表現(xiàn)為高斯（正態(tài)）分布，如電阻的噪聲西電微電子學(xué)院董剛模擬集成電路設(shè)計(jì)第16頁(yè)/共40頁(yè)第十七頁(yè)，共40頁(yè)。1 + T / 21 +T / 2 1 +T / 221 +T / 21 +T / 218t t t t t 相關(guān)噪聲源和非相關(guān)噪聲源電路中通常同時(shí)存在多個(gè)噪聲源相關(guān)噪聲源噪聲功率(gngl)不可以直接疊加非相關(guān)噪聲源不相關(guān)器件產(chǎn)生的噪聲；噪聲功率(gngl)可以直接疊加Pav = lim T T / 2 x1 (t ) + x2 (t )2 dt= lim T T / 2 x1 (t ) (t )dt + lim T T / 2 x2 (t ) 2

15、dt+ lim T T / 2 2 x1 (t ) x2 (t )dt= Pav1 + Pav 2 + lim T T / 2 2 x1 (t ) x2 (t )dt西電微電子學(xué)院董剛模擬(mn)集成電路設(shè)計(jì)x1(t)和和x2(t)不存在不存在相關(guān)相關(guān)(xinggun)性時(shí)，第三項(xiàng)性時(shí)，第三項(xiàng)為零；為零；相關(guān)相關(guān)(xinggun)時(shí)第三項(xiàng)不為時(shí)第三項(xiàng)不為零；零；相關(guān)相關(guān)(xinggun)性越高（波形性越高（波形相似程度），第三相似程度），第三項(xiàng)的值越大項(xiàng)的值越大第17頁(yè)/共40頁(yè)第十八頁(yè)，共40頁(yè)。119相關(guān)噪聲源和非相關(guān)噪聲源比賽前體育場(chǎng)中的觀眾(gunzhng)交談，產(chǎn)生非相關(guān)(xingg

16、un)噪聲，總噪聲功率低AIC設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)(shj)中研究中研究的噪聲源通常的噪聲源通常是不相關(guān)的，比賽中，觀眾齊 因此噪聲功率聲吶喊，產(chǎn)生相 可直接疊加關(guān)噪聲，總噪聲功率高Pav = Pav1 + Pav 2 + limt T西電微電子學(xué)院董剛模擬集成電路設(shè)計(jì)T / 2 2 x1 (t ) x2 (t )dt+T / 2第18頁(yè)/共40頁(yè)第十九頁(yè)，共40頁(yè)。20本講 噪聲(zoshng)噪聲的統(tǒng)計(jì)(tngj)特性噪聲(zoshng)譜（頻域）幅值分布（時(shí)域）相關(guān)噪聲源和非相關(guān)噪聲源噪聲的類型熱噪聲閃爍噪聲電路中噪聲的表示單級(jí)放大器中的噪聲共源、共柵、共漏、共源共柵差分對(duì)中的噪聲噪聲帶寬西電微電子

17、學(xué)院董剛模擬集成電路設(shè)計(jì)第19頁(yè)/共40頁(yè)第二十頁(yè)，共40頁(yè)。21噪聲(zoshng)的分類“環(huán)境環(huán)境(hunjng)”噪聲和器件噪聲噪聲和器件噪聲“環(huán)境環(huán)境”噪聲噪聲(zoshng)指來自電源線、地線、襯底等指來自電源線、地線、襯底等“外環(huán)境外環(huán)境”的噪聲（干擾）的噪聲（干擾）器件噪聲指構(gòu)成AIC的器件本身所產(chǎn)生的噪聲，如電阻、MOS管等器件噪聲熱噪聲電阻噪聲、MOS管的溝道熱噪聲閃爍噪聲MOS管管西電微電子學(xué)院董剛模擬集成電路設(shè)計(jì)第20頁(yè)/共40頁(yè)第二十一頁(yè)，共40頁(yè)。2222熱噪聲來源導(dǎo)體中載流子的隨機(jī)運(yùn)動(dòng)，引起導(dǎo)體兩端電壓波動(dòng)(bdng)隨機(jī)運(yùn)動(dòng)程度與絕對(duì)溫度有關(guān)，因此噪聲譜與絕對(duì)溫度

18、(wnd)成正比電阻的熱噪聲極性不重要，但在分析電路(dinl)時(shí)要保持不變?cè)肼曌V密度：SV(f)=4kTR教材上默認(rèn)f=1HzVn = 4 kTR ( f ); I n =4 kTR( f )R = 50 , T = 300 K Vn = 0.91 nV / Hz西電微電子學(xué)院董剛模擬集成電路設(shè)計(jì)第21頁(yè)/共40頁(yè)第二十二頁(yè)，共40頁(yè)。14 R C f + 12 2 2 2n23RC電路的輸出噪聲計(jì)算(j sun)RC電路的輸出噪聲譜和總噪聲功率開關(guān)電容電路的采樣噪聲VoutVR(s) =1sRC + 1Sout ( f ) = SR ( f )VoutVR2( j) = 4kTR 2 2

19、2 2P ,out 04kTR4 R C f + 1df =kT 1pF電容時(shí)為64.3VC 與R無關(guān)，只能增大(zn d)C來減小噪聲西電微電子學(xué)院(xuyun)董剛模擬集成電路設(shè)計(jì)第22頁(yè)/共40頁(yè)第二十三頁(yè)，共40頁(yè)。2224用電流源來表示熱噪聲噪聲可以用串連(chun lin)電壓源來表示，也可以用并聯(lián)電流源表示多種表示(biosh)的意義Vn = 4 kTR ( f ); I n =4 kTR( f )選擇合適的表示法，會(huì)降低電路分析的復(fù)雜度完整表征噪聲需要這兩種表示法見“輸入(shr)參考噪聲”部分西電微電子學(xué)院董剛模擬集成電路設(shè)計(jì)第23頁(yè)/共40頁(yè)第二十四頁(yè)，共40頁(yè)。22222

20、5MOS管溝道區(qū)的熱噪聲工作在飽和區(qū)的長(zhǎng)溝道MOS管不是體效應(yīng)系數(shù)。長(zhǎng)溝道MOS管的=2/3亞微米(wi m)MOS管會(huì)很大（0.25微米(wi m)工藝時(shí)為2.5）單個(gè)MOS管能產(chǎn)生的最大熱噪聲電壓：Vn2= I n rO = 4 kT ( g m ) rO3減少gm可降低噪聲。當(dāng)gm不影響其他關(guān)鍵指標(biāo)時(shí)，應(yīng)盡量小西電微電子學(xué)院董剛模擬(mn)集成電路設(shè)計(jì)第24頁(yè)/共40頁(yè)第二十五頁(yè)，共40頁(yè)。26MOS管歐姆管歐姆(u m)區(qū)的熱噪聲區(qū)的熱噪聲歐姆(u m)區(qū)熱噪聲柵、源、漏的材料(cilio)電阻引入的熱噪聲一般不考慮西電微電子學(xué)院董剛模擬集成電路設(shè)計(jì)第25頁(yè)/共40頁(yè)第二十六頁(yè)，共40

21、頁(yè)。227MOS管的閃爍噪聲來源載流子在柵和襯底界面(jimin)處的俘獲與釋放，導(dǎo)致源漏電流有噪聲用與柵極串聯(lián)的電壓源來模擬載流子俘獲(fhu)與釋放多發(fā)生在低頻下1/f噪聲噪聲(zoshng)其噪聲功率與所選工藝密切有關(guān)Vn =K 1CoxWL fK數(shù)量級(jí)10 25V 2 F減少1/f噪聲主要靠增大器件面積西電微電子學(xué)院董剛模擬集成電路設(shè)計(jì)第26頁(yè)/共40頁(yè)第二十七頁(yè)，共40頁(yè)。 2 K 1 22K 3gm28MOS管的閃爍噪聲1/f噪聲的轉(zhuǎn)角頻率fC定義為：熱噪聲和1/f噪聲曲線的交叉點(diǎn)用來界定(ji dn)1/f噪聲起主導(dǎo)作用的頻段與面積和偏置電流有關(guān)。對(duì)于給定的L，fC相對(duì)(xing

22、du)固定。亞微米MOS管的fC在500KHz-1MHz之間4kT gm gm 3 CoxWL fcVn =K 1CoxWL ffc （對(duì)長(zhǎng)溝道(u do)器件）CoxWL 8kT西電微電子學(xué)院董剛模擬集成電路設(shè)計(jì)第27頁(yè)/共40頁(yè)第二十八頁(yè)，共40頁(yè)。222 2263222129MOS管的總噪聲(zoshng)在1KHz1MHz頻帶內(nèi)，計(jì)算NMOS管源漏電流的總噪聲(zoshng)熱噪聲(zoshng)： I n = 4 kT ( g m )3I n ,tot = 4 kT ( g m )(10 10 ) 4 kT ( g m ) 10 63 31/f噪聲噪聲(zoshng)：Vn ,1/

23、f=K 1CoxWL fI n ,1 / f=K 1 2C OX WL fg mI n ,1 /, ftot=2Kg mC OX WL KHz1MHzdff=2Kg mC OX WLln 10 3 =26.91Kg mC OX WL西電微電子學(xué)院(xuyun)董剛模擬集成電路設(shè)計(jì)第28頁(yè)/共40頁(yè)第二十九頁(yè)，共40頁(yè)。30本講 噪聲(zoshng)噪聲(zoshng)的統(tǒng)計(jì)特性噪聲(zoshng)譜（頻域）幅值分布（時(shí)域）相關(guān)噪聲源和非相關(guān)噪聲源噪聲的類型熱噪聲閃爍噪聲電路中噪聲的表示單級(jí)放大器中的噪聲共源、共柵、共漏、共源共柵差分對(duì)中的噪聲噪聲帶寬西電微電子學(xué)院董剛模擬集成電路設(shè)計(jì)第29頁(yè)/

24、共40頁(yè)第三十頁(yè)，共40頁(yè)。2RDgm +31電路中噪聲的表示表示方法一輸出參考噪聲電壓(diny)：把輸入置零，計(jì)算電路中各噪聲源在輸出端產(chǎn)生的總噪聲這種表示法的不足：輸出參考噪聲與電路增益有關(guān)，Vn,out2= 4kT gm +3K 1 2 4kT 2CoxWL f RD 無法(wf)比較不同電路的噪聲性能M1管的熱噪聲管的熱噪聲+M1管的管的1/f噪聲噪聲+ RD的熱噪聲的熱噪聲西電微電子學(xué)院董剛模擬西電微電子學(xué)院董剛模擬(mn)集成電路設(shè)計(jì)集成電路設(shè)計(jì)第30頁(yè)/共40頁(yè)第三十一頁(yè)，共40頁(yè)。32電路中噪聲的表示表示方法二輸入?yún)⒖?cnko)噪聲電壓：在輸入端用一個(gè)信號(hào)源來代表所有噪聲源

25、的影響Vn2,in =Vn2,outAv2輸入?yún)⒖荚肼暦从?fnyng)了輸入信號(hào)被噪聲“侵害”的程度，能用于不同電路的噪聲指標(biāo)的比較西電微電子學(xué)院董剛模擬集成電路設(shè)計(jì)第31頁(yè)/共40頁(yè)第三十二頁(yè)，共40頁(yè)。Vn,out Vn,outVn,in22RD 2 2gm + 22V33電路中噪聲(zoshng)的表示計(jì)算(j sun)輸入?yún)⒖荚肼曤妷? 2= 2 = 2 2Av gm RD2Vn,in= 4kT gm +3K 1 2 4kT 2 1CoxWL f RD gm RD= 4kT2 K 1 4kT3gm CoxWL f gm RD等效熱噪聲電阻RT ：電路在單位(dnwi)帶寬內(nèi)的總的輸入

26、n,in,熱噪聲部分= 4kT（2 1 2 ）3gm gm RD參考熱噪聲等于RT 的熱噪聲RT =2 1 23gm gm RD西電微電子學(xué)院董剛模擬集成電路設(shè)計(jì)第32頁(yè)/共40頁(yè)第三十三頁(yè)，共40頁(yè)。34電路中噪聲的表示僅用與輸入串聯(lián)的電壓源來表示輸入?yún)⒖荚肼暿遣粔虻脑撾娐酚梢恍盘?hào)源Vin驅(qū)動(dòng)，信號(hào)源輸出阻抗為sL1，電路輸入阻抗為1/sCin。若僅用輸入?yún)⒖?cnko)電壓源來表示噪聲，則當(dāng)L1增大時(shí)，計(jì)算得到的輸出噪聲會(huì)越來越小，與事實(shí)(shsh)不符。事實(shí)上輸出噪聲(zoshng)與L1和Cin無關(guān)西電微電子學(xué)院董剛模擬集成電路設(shè)計(jì)第33頁(yè)/共40頁(yè)第三十四頁(yè)，共40頁(yè)。35電路中噪聲(zoshng)的表示用串聯(lián)電壓源和并聯(lián)電流(dinli)源共同來表示輸入?yún)⒖荚肼暣?lián)電壓源和并聯(lián)電流源的計(jì)算方法：針對(duì)信號(hào)源內(nèi)阻為零和無窮大