腦電圖的基本內(nèi)容

1、腦電圖的基本內(nèi)容腦電的歷史 1875年Caton首次描記出動(dòng)物大腦皮層的電位 1890年Back證明腦電活動(dòng)是獨(dú)立存在的 1912年Kaufman證明腦電是一種自發(fā)電位，并通過動(dòng)物實(shí)驗(yàn)癲癇模型記錄了癲癇放電 1924年Hans Berger首次使用頭皮電極描記了人類的腦電活動(dòng) 1936年以后隨著腦電圖技術(shù)的完善在臨床得到廣泛的應(yīng)用腦電圖的適應(yīng)證 中樞神經(jīng)系統(tǒng)疾病，特別是發(fā)作性疾病，如癲癇 癲癇手術(shù)治療的術(shù)前定位 圍產(chǎn)期異常的新生兒監(jiān)測(cè) 腦外傷及大腦手術(shù)后監(jiān)測(cè) 危重病人監(jiān)測(cè) 睡眠障礙 腦死亡的判定 EEG是用來建立癲癇診斷的僅有的2種客觀手段之一（另外是MEG，但不作為常規(guī)檢查使用），可以通過異

2、常放電的表現(xiàn)確定癲癇發(fā)作的類型，有助于對(duì)局灶性癲癇進(jìn)行定位。還有助于觀察抗癲癇藥物的有效性腦電圖的禁忌證 顱腦外傷及顱腦手術(shù)后頭皮破裂或手術(shù)切口未愈合時(shí) 對(duì)正在服用抗癲癇藥物的病人進(jìn)行常規(guī)腦電圖檢查時(shí)，一般不應(yīng)減藥、停藥，避免導(dǎo)致病情反復(fù)及可能出現(xiàn)的癲癇持續(xù)狀態(tài) 苯二氮卓類藥物可能使EEG產(chǎn)生大量快波而影響判讀，可在EEG檢查前一天停藥，而繼續(xù)服用其他抗癲癇藥物 例外的情況是在進(jìn)行外科手術(shù)前的癲癇源定位時(shí)，需要減藥甚至停藥以獲得發(fā)作期EEG為目的，并非常規(guī)檢查 電極的安裝 10-20國際標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng) 在矢狀位上以鼻根（Nasion）和枕后粗隆（Inion）作為基準(zhǔn) 在冠狀位以雙側(cè)的外耳孔為基準(zhǔn)，通

3、過頭頂正中點(diǎn)（Cz）的連線各分為兩個(gè)10%和四個(gè)20%加以分割 以Cz為中心，在頭頂形成數(shù)個(gè)同心圓，電極均勻放置并標(biāo)記各電極的名稱 在安放時(shí)左側(cè)的F3為F7與Fz的中點(diǎn)，P3為T5與Pz的中點(diǎn)，右側(cè)的F4與P4也以同樣方法安放 前額區(qū)（Fp）：位于雙眼瞳孔的上方，其連線與鼻根部的距離占矢狀位聯(lián)線的10% 中額區(qū)（F）：位于前額區(qū)和中央?yún)^(qū)等距離之點(diǎn)，各占矢狀位連線的20% 中央?yún)^(qū)（C）：位于鼻根與枕后粗隆形成的連線與雙側(cè)外耳孔形成的連線的交會(huì)點(diǎn)（即百會(huì)穴）旁開3cm 頂區(qū)（P）：位于枕區(qū)與中央?yún)^(qū)等距離之點(diǎn)，各占20% 枕區(qū)（O）：位于枕后粗隆上方（占10%）并旁開各3cm 前顳區(qū)（Ta）：位于眼

4、外眥與耳屏水平等距離之點(diǎn) 中顳區(qū)（Tm）：位于外耳孔上方(距外耳孔的距離占雙外耳孔連線的10%) 后顳區(qū)（Tp）：位于枕區(qū)與中顳區(qū)等距離之點(diǎn) 額中央（Fz）：位于額部中線位置，距雙側(cè)中額區(qū)各3cm 中央（Cz）：位于鼻根與枕后粗隆形成的連線與雙側(cè)外耳孔形成的連線的交會(huì)點(diǎn)（即百會(huì)穴） 頂中央（Pz）：位于頂部中線位置，距離雙側(cè)頂區(qū)各3cm 導(dǎo)聯(lián)耳極導(dǎo)聯(lián)平均導(dǎo)聯(lián)耳極導(dǎo)聯(lián)平均導(dǎo)聯(lián)1Fp1-A1Fp1-AVFp1-A1Fp1-AV2Fp2-A2Fp2- AVFp2-A2Fp2- AV3F3-A1F3- AVF3-A1F3- AV4F4-A2F4- AVF4-A2F4- AV5C3-A1C3- AVC3

5、-A1C3- AV6C4-A2C4- AVC4-A2C4- AV7P3-A1P3-AVP3-A1P3-AV8P4-A2P4-AVP4-A2P4-AV9O1-A1O1-AVO1-A1O1-AV10O2-A2O2-AVO2-A2O2-AV11F7-A1F7-AVF7-A1F7-AV12F8-A2F8-AVF8-A2F8-AV13T5-A1T5-AVT5-A1T5-AV14T6-A2T6-AVT6-A2T6-AV15T7-A1T7-AVT7-A1T7-AV16T8-A2T8-AVT8-A2T8-AV17Pz-A2Pz-AV18Cz-A2Cz-AV18導(dǎo)聯(lián)16導(dǎo)聯(lián)單極導(dǎo)聯(lián)導(dǎo)聯(lián)1234567891011

6、12131415161718縱聯(lián)Fp1-F7F7-T3T3-T5Fp1-F3F3-C3C3-P3P3-O1Fz-CzCz-PzFp2-F8F8-T4T4-T6Fp2-F4F4-C4C4-P4P4-O2O2-O1O1-T5橫聯(lián)A1-F7F7-F3F3-FzFz-F4F4-F8F8-A2A1-T3T3-C3C3-CzCz-C4C4-T4T4-A2T5-P3P3-PzPz-P4P4-T6Fp1-Fp2O1-O2環(huán)聯(lián)O1-T5T5-T3T3-F7F7-Fp1Fp1-Fp2Fp2-F8F8-T4T4-T6T6-O2O2-O1Fz-F7F7-F8F8-FzCz-T3T3-T4T4-CzFz-CzCz-Pz

7、縱聯(lián)Fp1-F7F7-T3T3-T5Fp1-F3F3-C3C3-P3P3-O1Fz-CzCz-PzFp2-F8F8-T4T4-T6Fp2-F4F4-C4C4-P4P4-O2橫聯(lián)A1-F7F7-F3F3-FzFz-F4F4-F8F8-A2A1-T3T3-C3C3-CzCz-C4C4-T4T4-A2T5-P3P3-PzPz-P4P4-T6環(huán)聯(lián)O1-T5T5-T3T3-F7F7-Fp1Fp1-Fp2Fp2-F8F8-T4T4-T6T6-O2O2-O1Fz-F7F7-F8F8-FzCz-T3T3-T4T4-Cz18導(dǎo)聯(lián)16導(dǎo)聯(lián)雙極導(dǎo)聯(lián)腦電圖的基本內(nèi)容頻率波幅波形位相出現(xiàn)方式出現(xiàn)部位生理反應(yīng)性腦電圖的基

8、本內(nèi)容 頻率（次/秒，HZ） 頻帶：0.5-3HZ，額部（少量） 頻帶：4-7HZ，顳部（少量） 頻帶：8-13HZ，頂枕 頻帶：14-17HZ，額 頻帶：18-30HZ，額、中央 頻帶：30HZ，額，前中央 14HZ波可統(tǒng)稱波或快波 這些頻帶均可見于正常人。腦電圖的基本內(nèi)容 波幅（微伏，V） 低波幅：25微伏 中波幅：25-50或25-75微伏 高波幅：50（快波）或75微伏 一般常用的定標(biāo)為1mm1 V腦電圖的基本內(nèi)容 波形 1 單型波 正弦樣波：上升支及下降支光滑對(duì)稱。正常波、波、波的主要波形，波也可以為正弦樣波 棘波：上升支陡峭，下降支稍有坡度，周期小于80ms，紙速為30mm/s時(shí)小

9、于2mm 尖波：波形與棘波相似，時(shí)限80-200ms。棘波和尖波為異常波，最常見于癲癇，但不能稱之為癲癇波。 三相波：頻率常為2-3Hz，常見于代謝性腦病。 波：出現(xiàn)于注視復(fù)雜圖形時(shí)，常位于枕部，3-5Hz，高波幅的正相三角波，閉目時(shí)消失。 2 復(fù)合波 復(fù)形波：波上重疊有或頻帶內(nèi)的小波，常見于皮層下病變。 復(fù)合波： 棘(尖)慢波綜合：由一個(gè)棘（尖）波與一個(gè)2-5Hz的慢波組成。異常波。 多棘慢波綜合：一個(gè)以上棘（尖）波與一個(gè)慢波組成。異常波。 K-綜合波：一個(gè)高波幅1Hz左右的慢波。繼之以12-14Hz節(jié)律，出現(xiàn)于深睡中。 手套型波：睡眠中額部最后一組睡眠紡錘組成，其最后一個(gè)波為6-12Hz，

10、類似手套之拇指，其前方的睡眠紡錘相當(dāng)于其它各指。也可見于錐體外系疾患。含義有爭議，目前的腦電圖分析中，已很少提及。 梳型節(jié)律：7-11Hz，中央?yún)^(qū)明顯，為正常節(jié)律。腦電圖的基本內(nèi)容 位相 同步或同時(shí)相 負(fù)相（陰性） 正相（陽性） 位相倒置（慢波） 針鋒相對(duì)（尖波）只有在雙極導(dǎo)聯(lián)出現(xiàn)腦電圖的基本內(nèi)容 出現(xiàn)方式 波：單個(gè)形式出現(xiàn) 活動(dòng)：數(shù)個(gè)相鄰的波有相似之處時(shí)稱為活動(dòng)。 節(jié)律：3個(gè)以上相同波連續(xù)出現(xiàn)。按持續(xù)時(shí)間分短程（3s)。 散在：單個(gè)波的形式無規(guī)則的出現(xiàn)。 偶見：在全部描記中僅出現(xiàn)1-2次。 周期性：某種腦波有規(guī)則的間隔反復(fù)出現(xiàn)。 同步性或非同步性 爆發(fā)性：某種腦波突然出現(xiàn)、突然消失并突出于背景活動(dòng)。 高度失率：異常波既不對(duì)稱也不同步。腦電圖的基本內(nèi)容 出現(xiàn)部位 廣泛性：遍布兩側(cè)半球各區(qū)，基本對(duì)稱。 彌散性：遍布兩側(cè)半球各區(qū)