第4節(jié) AAS干擾以及抑制

1、第四節(jié)第四節(jié)原子吸收光譜法的原子吸收光譜法的干擾及抑制干擾及抑制一、干擾及消除方法一、干擾及消除方法干擾干擾非光譜干擾非光譜干擾光光 譜譜 干干 擾擾物理干擾物理干擾化學(xué)干擾化學(xué)干擾電離干擾電離干擾譜線干擾譜線干擾背景干擾背景干擾( (一一) ) 物理干擾物理干擾1. 物理干擾物理干擾 物理干擾是非選擇性干擾，對(duì)試樣物理干擾是非選擇性干擾，對(duì)試樣中各元素的影響基本相同。中各元素的影響基本相同。 是由于試液和標(biāo)準(zhǔn)溶液的物理性質(zhì)是由于試液和標(biāo)準(zhǔn)溶液的物理性質(zhì)的差異，引起進(jìn)樣速度、進(jìn)樣量、霧化的差異，引起進(jìn)樣速度、進(jìn)樣量、霧化效率、原子化效率的變化所產(chǎn)生的干擾。效率、原子化效率的變化所產(chǎn)生的干擾。2

2、. 常見(jiàn)的物理干擾常見(jiàn)的物理干擾 試液的粘度：影響試樣噴入的速度。試液的粘度：影響試樣噴入的速度。 表面張力：影響霧滴的大小及分布。表面張力：影響霧滴的大小及分布。 溶劑的蒸氣壓：影響蒸發(fā)速度和溶劑的蒸氣壓：影響蒸發(fā)速度和 凝聚損失。凝聚損失。 霧化氣體壓力：影響噴入量的多少。霧化氣體壓力：影響噴入量的多少。 試液的密度：影響霧化效率。試液的密度：影響霧化效率。3. 消除方法消除方法 配制與待測(cè)試樣有相似組成的標(biāo)準(zhǔn)溶液，并在相同配制與待測(cè)試樣有相似組成的標(biāo)準(zhǔn)溶液，并在相同 條件下進(jìn)行測(cè)試，是消除干擾的常用有效方法。條件下進(jìn)行測(cè)試，是消除干擾的常用有效方法。 待測(cè)元素含量不低時(shí)，應(yīng)用簡(jiǎn)單的稀釋試

3、液的方待測(cè)元素含量不低時(shí)，應(yīng)用簡(jiǎn)單的稀釋試液的方 法也是減少以至消除干擾的方法。法也是減少以至消除干擾的方法。 盡可能避免使用粘度大的硫酸、磷酸處理試樣。盡可能避免使用粘度大的硫酸、磷酸處理試樣。 引入有機(jī)溶劑，將影響這些因素，可減少或消除引入有機(jī)溶劑，將影響這些因素，可減少或消除 干擾。干擾。 使用標(biāo)準(zhǔn)加入法可消除干擾。使用標(biāo)準(zhǔn)加入法可消除干擾。( (二二) ) 化學(xué)干擾化學(xué)干擾化學(xué)干擾：化學(xué)干擾： 化學(xué)干擾具有選擇性，它對(duì)試樣中各種元化學(xué)干擾具有選擇性，它對(duì)試樣中各種元素的影響各不相同，要消除其影響應(yīng)根據(jù)元素素的影響各不相同，要消除其影響應(yīng)根據(jù)元素的不同性質(zhì)選擇合適的方法。的不同性質(zhì)選擇合

4、適的方法。 待測(cè)元素與共存元素發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生待測(cè)元素與共存元素發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成了難揮發(fā)或難解離的化合物，使基態(tài)原子成了難揮發(fā)或難解離的化合物，使基態(tài)原子數(shù)目減少所產(chǎn)生的干擾稱為數(shù)目減少所產(chǎn)生的干擾稱為 。原子吸收光譜分析原子吸收光譜分析的主要干擾的主要干擾 消除的方法消除的方法:1. 加入干擾抑制劑加入干擾抑制劑 抑制劑有釋放劑、保護(hù)劑和基抑制劑有釋放劑、保護(hù)劑和基體改進(jìn)劑三種。體改進(jìn)劑三種。(1) 釋放劑釋放劑 當(dāng)待測(cè)元素和干擾元素在火焰中形成當(dāng)待測(cè)元素和干擾元素在火焰中形成穩(wěn)定的化合物時(shí)，加入另一種物質(zhì)，使與穩(wěn)定的化合物時(shí)，加入另一種物質(zhì)，使與干擾元素化合，生成更穩(wěn)定或更難揮發(fā)的干擾元

5、素化合，生成更穩(wěn)定或更難揮發(fā)的化合物，從而使待測(cè)元素從干擾元素的化化合物，從而使待測(cè)元素從干擾元素的化合物中釋放出來(lái)，這種加入的物質(zhì)稱為合物中釋放出來(lái)，這種加入的物質(zhì)稱為 。例如：例如： 測(cè)定植物中的測(cè)定植物中的Ca時(shí)，加入時(shí)，加入Mg和硫酸，可和硫酸，可使使Ca從磷酸鹽中釋放出來(lái)。從磷酸鹽中釋放出來(lái)。 PO43 -干擾干擾Ca的測(cè)定，生成難揮發(fā)的的測(cè)定，生成難揮發(fā)的Ca2P2O7，可加入，可加入La、Sr鹽類，它們與鹽類，它們與PO43-生成更穩(wěn)定的磷酸鹽生成更穩(wěn)定的磷酸鹽(LaPO4)，把，把Ca釋放出來(lái)，釋放出來(lái)，抑制抑制PO43-對(duì)鈣測(cè)定的化學(xué)干擾。對(duì)鈣測(cè)定的化學(xué)干擾。(2) 保護(hù)劑保

6、護(hù)劑 保護(hù)劑大多是絡(luò)合劑，它能與被測(cè)元保護(hù)劑大多是絡(luò)合劑，它能與被測(cè)元素生成穩(wěn)定且易分解的絡(luò)合物；或與干擾素生成穩(wěn)定且易分解的絡(luò)合物；或與干擾元素生成對(duì)熱穩(wěn)定性更強(qiáng)的絡(luò)合物，以防元素生成對(duì)熱穩(wěn)定性更強(qiáng)的絡(luò)合物，以防止被測(cè)元素與干擾組分生成難解離的化合止被測(cè)元素與干擾組分生成難解離的化合物，即起了保護(hù)作用。物，即起了保護(hù)作用。例如：例如： PO43-干擾干擾Ca的測(cè)定，當(dāng)加的測(cè)定，當(dāng)加EDTA后，后，生成生成EDTA-Ca配合物，該配合物既穩(wěn)定配合物，該配合物既穩(wěn)定又易破壞。又易破壞。 Al對(duì)對(duì)Ca、Mg的測(cè)定有干擾，在火焰中的測(cè)定有干擾，在火焰中生成難揮發(fā)和解離的生成難揮發(fā)和解離的MgO.Al

7、2O3，可用，可用8-羥基喹啉作保護(hù)劑，生成對(duì)熱更穩(wěn)定的羥基喹啉作保護(hù)劑，生成對(duì)熱更穩(wěn)定的Al(C9H6ON)3。(3)基體改進(jìn)劑基體改進(jìn)劑 石墨爐原子吸收光譜分析中，加入石墨爐原子吸收光譜分析中，加入某些化學(xué)試劑于試液或石墨管中，改某些化學(xué)試劑于試液或石墨管中，改變基體或被測(cè)元素化合物的熱穩(wěn)定性，變基體或被測(cè)元素化合物的熱穩(wěn)定性，避免化學(xué)干擾，這些化學(xué)試劑稱為基避免化學(xué)干擾，這些化學(xué)試劑稱為基體改進(jìn)劑。體改進(jìn)劑。例如：例如： 測(cè)定測(cè)定NaCl基體中痕量基體中痕量Cd，加入基體改進(jìn)劑，加入基體改進(jìn)劑NH4NO3，使，使NaCl基體轉(zhuǎn)變成易揮發(fā)的基體轉(zhuǎn)變成易揮發(fā)的NH4Cl和和NaNO3，基體在

8、灰化階段就會(huì)完全除去。，基體在灰化階段就會(huì)完全除去。 測(cè)定水中痕量硅時(shí)，易形成解離溫度很高的測(cè)定水中痕量硅時(shí)，易形成解離溫度很高的SiC，原子化溫度必須高于原子化溫度必須高于3000K，當(dāng)加入基體改進(jìn)劑，當(dāng)加入基體改進(jìn)劑CaO后，由于生成易解離的硅化鈣，降低了原子化溫度，后，由于生成易解離的硅化鈣，降低了原子化溫度，提高了硅的原子化效率。提高了硅的原子化效率。 測(cè)定銅時(shí)，加入基體改進(jìn)劑硫脲，可防止生成測(cè)定銅時(shí)，加入基體改進(jìn)劑硫脲，可防止生成CuCl，從而消除了氯化物對(duì)測(cè)定銅的干擾。，從而消除了氯化物對(duì)測(cè)定銅的干擾。 2. 選擇合適的原子化條件選擇合適的原子化條件 采用高溫火焰。在低溫火焰中看到

9、的化學(xué)干擾，采用高溫火焰。在低溫火焰中看到的化學(xué)干擾， 大多在高溫火焰中消失。大多在高溫火焰中消失。 例如：磷酸在空氣例如：磷酸在空氣-乙炔火焰中會(huì)降低鈣的吸光度，乙炔火焰中會(huì)降低鈣的吸光度，但在但在N2O-乙炔火焰中卻呈現(xiàn)增感效果。乙炔火焰中卻呈現(xiàn)增感效果。 火焰部位不同，化學(xué)干擾也不相同?；鹧娌课徊煌瘜W(xué)干擾也不相同。 例如：在乙炔例如：在乙炔-空氣火焰中，火焰上部磷酸的干擾空氣火焰中，火焰上部磷酸的干擾較小，而在火焰下部干擾較大。較小，而在火焰下部干擾較大。( (三三) ) 電離干擾電離干擾 1.電離干擾電離干擾 某些易電離元素在火焰中產(chǎn)生電離，某些易電離元素在火焰中產(chǎn)生電離，使基態(tài)原

10、子數(shù)減少，降低了元素測(cè)定的靈使基態(tài)原子數(shù)減少，降低了元素測(cè)定的靈敏度，這種干擾稱為電離干擾。敏度，這種干擾稱為電離干擾。2. 與電離干擾有關(guān)的因素與電離干擾有關(guān)的因素 電離干擾與原子化溫度和被測(cè)元素的電電離干擾與原子化溫度和被測(cè)元素的電離電位及濃度有關(guān)。離電位及濃度有關(guān)。例如：堿金屬的電離電位低，一般低于例如：堿金屬的電離電位低，一般低于6eV， 電離干擾就明顯。電離干擾就明顯。(1) 元素的電離隨火焰溫度的升高而增加，元素的電離隨火焰溫度的升高而增加，(2) 元素的電離隨元素的電離電位及濃度的元素的電離隨元素的電離電位及濃度的 減小而增大。減小而增大。3. 消除方法消除方法 采用低溫火焰。采

11、用低溫火焰。 但這種方法有時(shí)對(duì)金屬的原子化不利。但這種方法有時(shí)對(duì)金屬的原子化不利。 加入消電離劑加入消電離劑(或稱電離抑制劑或稱電離抑制劑)， 可消除電離干擾?？上婋x干擾。消電離劑：消電離劑：一般是比被測(cè)元素電離電位低的元素，在一般是比被測(cè)元素電離電位低的元素，在相同條件下，消電離劑首先被電離，產(chǎn)生大量電子，相同條件下，消電離劑首先被電離，產(chǎn)生大量電子，抑制了被測(cè)元素的電離。抑制了被測(cè)元素的電離。(有時(shí)消電離劑元素的電離電有時(shí)消電離劑元素的電離電位也不一定比被測(cè)元素低，由于加入的消電離劑量大，位也不一定比被測(cè)元素低，由于加入的消電離劑量大，盡管其電離電位稍高于被測(cè)元素，由于電離平衡的關(guān)盡管

12、其電離電位稍高于被測(cè)元素，由于電離平衡的關(guān)系，仍會(huì)起抑制作用系，仍會(huì)起抑制作用)。 例如：例如： 在測(cè)定在測(cè)定Ba時(shí)，為了了解電離干時(shí)，為了了解電離干擾的情況，做了兩個(gè)實(shí)驗(yàn)：擾的情況，做了兩個(gè)實(shí)驗(yàn)：(1) 在純水中測(cè)量在純水中測(cè)量Ba的吸光度，的吸光度，繪制繪制A-c曲線曲線(如圖中的如圖中的1)。(2) 加入加入0.2% KCl(K的電離電位的電離電位為為4.3eV)，測(cè)量，測(cè)量Ba吸光度，繪吸光度，繪制制A-c曲線曲線(如圖中的如圖中的2) 。圖圖5 鋇的電離干擾及消除鋇的電離干擾及消除濃度濃度/ug.mL-11.純水溶液純水溶液2.加加0.2% KCl溶液溶液解 釋： 從圖中可見(jiàn)，加入從

13、圖中可見(jiàn)，加入0.2% KCl后，可抑制后，可抑制Ba的電離的電離(Ba的電離電位為的電離電位為5.21eV)使使A-c曲線呈線性關(guān)系。曲線呈線性關(guān)系。 這說(shuō)明這說(shuō)明K的電離所產(chǎn)生的大量電子和離子，可使的電離所產(chǎn)生的大量電子和離子，可使Ba的電離平衡向中性原子方向移動(dòng)，即：的電離平衡向中性原子方向移動(dòng)，即：K = K+ + eBa+ + e = Ba( (四四) ) 譜線干擾譜線干擾 1.譜線干擾：譜線干擾：指單色器光譜通帶內(nèi)除了被測(cè)元素吸指單色器光譜通帶內(nèi)除了被測(cè)元素吸收線外，還進(jìn)入了發(fā)射線的鄰近線或其它吸收線，收線外，還進(jìn)入了發(fā)射線的鄰近線或其它吸收線，使分析方法的靈敏度和準(zhǔn)確度下降。使分

14、析方法的靈敏度和準(zhǔn)確度下降。 (1) 吸收線與相鄰譜線不能完全分開(kāi)吸收線與相鄰譜線不能完全分開(kāi) 主要是空心陰極燈的雜質(zhì)元素或填充氣體的發(fā)主要是空心陰極燈的雜質(zhì)元素或填充氣體的發(fā)射線與待測(cè)元素共振線的重疊干擾。射線與待測(cè)元素共振線的重疊干擾。 (2) 待測(cè)元素的分析線與共存元素的吸收線重疊待測(cè)元素的分析線與共存元素的吸收線重疊 是指試樣中共存元素的吸收線與被測(cè)元素的共是指試樣中共存元素的吸收線與被測(cè)元素的共振線重疊引起的干擾。振線重疊引起的干擾。2. 消除方法：消除方法： 采用減小狹縫寬度，采用減小狹縫寬度， 降低燈電流降低燈電流, 用高純單元素的空心陰極燈，用高純單元素的空心陰極燈， 分離共存

15、干擾元素，分離共存干擾元素， 采用其它分析線。采用其它分析線。(五) 背景干擾 1.背景干擾：背景干擾：主要是指原子化過(guò)程中產(chǎn)生的分主要是指原子化過(guò)程中產(chǎn)生的分子吸收和固體顆粒產(chǎn)生的光散射干擾效應(yīng)。子吸收和固體顆粒產(chǎn)生的光散射干擾效應(yīng)。 背景干擾來(lái)自于原子化器中的背景發(fā)射及背景干擾來(lái)自于原子化器中的背景發(fā)射及背景吸收，在光源一節(jié)中已闡述，用光源的調(diào)背景吸收，在光源一節(jié)中已闡述，用光源的調(diào)制可以消除背景發(fā)射的影響，但調(diào)制不能消除制可以消除背景發(fā)射的影響，但調(diào)制不能消除背景吸收的影響。背景吸收的影響。背景干擾往往使吸光度增大，產(chǎn)生正誤差。背景干擾往往使吸光度增大，產(chǎn)生正誤差。 (1) (1) 分子

16、吸收分子吸收 指原子化過(guò)程中生成的氣體分子，指原子化過(guò)程中生成的氣體分子，氧化物、氫氧化物和鹽類分子對(duì)輻射氧化物、氫氧化物和鹽類分子對(duì)輻射的吸收，是一種寬帶吸收。的吸收，是一種寬帶吸收。 堿金屬鹵化物堿金屬鹵化物 有很強(qiáng)的分子吸收。有很強(qiáng)的分子吸收。 例如：例如：KBr, KI，CaCl2和高濃度和高濃度NaCl在在200 400nm均有吸收。均有吸收。 消除方法：消除方法：采用高溫火焰，可使分子解采用高溫火焰，可使分子解離從而消除干擾。離從而消除干擾。 堿土金屬化合物堿土金屬化合物 Ca(OH)2在在530560nm有吸收，有吸收，干擾干擾Ba 553.6 nm的測(cè)定；的測(cè)定； Mg(OH)

17、2在在360390nm有吸收，有吸收，干擾干擾Cr 357.9 nm的測(cè)定。的測(cè)定。 半分解產(chǎn)物半分解產(chǎn)物 火焰燃燒中產(chǎn)生的半分解產(chǎn)物在一定波段有火焰燃燒中產(chǎn)生的半分解產(chǎn)物在一定波段有吸收。吸收。 如如OH在在309330nm及及281206nm有吸收，有吸收，分別干擾分別干擾Cu 324.7nm及及Mg 285.2nm的測(cè)定；的測(cè)定； CH在在387410nm有吸收，有吸收， C2在在486474nm有吸收。有吸收。 無(wú)機(jī)酸無(wú)機(jī)酸 在小于在小于250nm波長(zhǎng)時(shí)，波長(zhǎng)時(shí)，H2SO4和和H3PO4有很強(qiáng)的分子吸收，而有很強(qiáng)的分子吸收，而HNO3和和HCl吸收很小。吸收很小。 消除方法：消除方法：

18、盡可能使用盡可能使用HNO3、HCl溶溶解試樣，而不用解試樣，而不用H2SO4、 H3PO4 火焰氣體火焰氣體 空氣空氣-乙炔火焰在波長(zhǎng)乙炔火焰在波長(zhǎng)250nm以下，有明顯以下，有明顯的吸收。的吸收。 消除方法：消除方法： 采用零點(diǎn)扣除采用零點(diǎn)扣除(調(diào)零調(diào)零)的方法消除。的方法消除。 更換火焰，采用空氣更換火焰，采用空氣-氫氣火焰來(lái)測(cè)定氫氣火焰來(lái)測(cè)定Zn, Cd等吸收線在短波的元素等吸收線在短波的元素。 (2) 光散射 光散射干擾：光散射干擾：原子化過(guò)程產(chǎn)生的微小固體顆粒原子化過(guò)程產(chǎn)生的微小固體顆粒使光產(chǎn)生散射，使沒(méi)被吸收的光不能達(dá)到檢測(cè)使光產(chǎn)生散射，使沒(méi)被吸收的光不能達(dá)到檢測(cè)器被檢測(cè)，吸光度

19、增加，稱為器被檢測(cè)，吸光度增加，稱為“假吸收假吸收”。 散射光強(qiáng)度與光波長(zhǎng)的四次方成反比，所以波長(zhǎng)散射光強(qiáng)度與光波長(zhǎng)的四次方成反比，所以波長(zhǎng)短的分析線散射影響大。短的分析線散射影響大。 石墨爐原子化法背景吸收干擾比火焰原子化法嚴(yán)石墨爐原子化法背景吸收干擾比火焰原子化法嚴(yán)重，有時(shí)不扣除背景就不能進(jìn)行測(cè)定。光散射使待測(cè)重，有時(shí)不扣除背景就不能進(jìn)行測(cè)定。光散射使待測(cè)元素的吸光度增加。元素的吸光度增加。消除方法：消除方法：采用采用“調(diào)零調(diào)零”的方法消除。的方法消除。2. 光譜背景校正的原理光譜背景校正的原理 當(dāng)存在背景吸收時(shí)，測(cè)得的總吸光度當(dāng)存在背景吸收時(shí)，測(cè)得的總吸光度At為為被測(cè)元素?zé)o背景吸收時(shí)的

20、吸光度被測(cè)元素?zé)o背景吸收時(shí)的吸光度Ax與背景吸光與背景吸光度度Ab之和，即：之和，即：At = Ax + Ab 如果設(shè)法測(cè)出如果設(shè)法測(cè)出Ab，從，從At中扣除，則背景吸收中扣除，則背景吸收達(dá)到校正，就能得到被測(cè)元素的凈吸光度，即：達(dá)到校正，就能得到被測(cè)元素的凈吸光度，即：Ax = At - Ab = Kc3.背景的校正的方法背景的校正的方法 背景的校正，人們?cè)岢鲞^(guò)各種方法：背景的校正，人們?cè)岢鲞^(guò)各種方法： 配制與基體組分相同的試劑溶液，可以較有效地配制與基體組分相同的試劑溶液，可以較有效地進(jìn)行背景校正。進(jìn)行背景校正。 利用空白試劑溶液進(jìn)行背景扣除是一種簡(jiǎn)便、易利用空白試劑溶液進(jìn)行背景扣除是

21、一種簡(jiǎn)便、易行的方法，尤其是對(duì)于基體組分較為明確的樣品。行的方法，尤其是對(duì)于基體組分較為明確的樣品。 石墨爐原子化法中，選用適當(dāng)?shù)幕w改進(jìn)劑也有石墨爐原子化法中，選用適當(dāng)?shù)幕w改進(jìn)劑也有一些效果。一些效果。4. 常用的儀器背景校正的方法常用的儀器背景校正的方法 目前，都是采用一些儀器技術(shù)來(lái)校正背景，主要有：目前，都是采用一些儀器技術(shù)來(lái)校正背景，主要有： 儀器調(diào)零吸收法儀器調(diào)零吸收法 鄰近線校正背景法鄰近線校正背景法 氘燈校正背景法氘燈校正背景法 塞曼塞曼(Zeeman)效應(yīng)校正背景法效應(yīng)校正背景法氘燈校正背景法：氘燈校正背景法：氘燈在大多數(shù)儀器中都有裝配。氘燈在大多數(shù)儀器中都有裝配。 氘燈校正

22、背景原理氘燈校正背景原理 銳線光源測(cè)定的吸光度值為原子吸收與背銳線光源測(cè)定的吸光度值為原子吸收與背景吸收的總吸光度景吸收的總吸光度(At) 。氘燈連續(xù)光源所測(cè)吸。氘燈連續(xù)光源所測(cè)吸光度為背景吸收光度為背景吸收(Ab)，(因?yàn)檫B續(xù)光源被基態(tài)原因?yàn)檫B續(xù)光源被基態(tài)原子的吸收值相對(duì)于總吸收值是可以忽略不計(jì)子的吸收值相對(duì)于總吸收值是可以忽略不計(jì)的的)，因此氘燈連續(xù)光源的吸光度值即為背景，因此氘燈連續(xù)光源的吸光度值即為背景吸收。將銳線光源吸光度減去氘燈連續(xù)光源吸吸收。將銳線光源吸光度減去氘燈連續(xù)光源吸光度值，即為校正背景后的被測(cè)元素的吸光度光度值，即為校正背景后的被測(cè)元素的吸光度值值(Ax = At Ab

23、 )。 氘燈校正背景的特點(diǎn)氘燈校正背景的特點(diǎn) 氘燈校正背景裝置簡(jiǎn)單，可校正吸光氘燈校正背景裝置簡(jiǎn)單，可校正吸光度為度為0.5以內(nèi)的背景干擾，提高了測(cè)定的以內(nèi)的背景干擾，提高了測(cè)定的準(zhǔn)確度。準(zhǔn)確度。 只能在氘燈輻射較強(qiáng)的波長(zhǎng)范圍只能在氘燈輻射較強(qiáng)的波長(zhǎng)范圍(190350nm)內(nèi)應(yīng)用。內(nèi)應(yīng)用。 氘燈連續(xù)光源法對(duì)高背景吸收的校正氘燈連續(xù)光源法對(duì)高背景吸收的校正有困難。有困難。(2) 塞曼塞曼(Zeeman)效應(yīng)校正背景法效應(yīng)校正背景法 Zeeman效應(yīng)效應(yīng): 是指在磁場(chǎng)作用下簡(jiǎn)并的譜線發(fā)生分裂的是指在磁場(chǎng)作用下簡(jiǎn)并的譜線發(fā)生分裂的現(xiàn)象。現(xiàn)象。 Zeeman 效應(yīng)背景校正法是磁場(chǎng)將吸收線效應(yīng)背景校正法是磁場(chǎng)將吸收線分裂為具有不同偏振方向的組分，利用這些分分裂為具有不同偏振方向的組分，利用這些分裂的偏振成分來(lái)區(qū)分被測(cè)元素和背景的吸收。裂的偏振成分來(lái)區(qū)分被測(cè)元素和背景的吸收。 塞曼塞曼(Zeeman) 背景原理背景原