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1、晶閘管及模塊晶閘管及模塊 圖圖2-7 晶閘管的外形、結(jié)構(gòu)和電氣圖形符號(hào)晶閘管的外形、結(jié)構(gòu)和電氣圖形符號(hào) a) 外形外形 b) 結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu) c) 電氣圖形符號(hào)電氣圖形符號(hào) 晶閘管具有上述特性的原因可以用晶閘管具有上述特性的原因可以用雙晶體管模型雙晶體管模型來(lái)解釋?zhuān)簛?lái)解釋?zhuān)核喈?dāng)于由它相當(dāng)于由V1(P1N1P2)和)和V2(N1P2N2),如圖),如圖2-8示。示。當(dāng)當(dāng)S閉合時(shí),閉合時(shí),V1的的IC1 為為V2的的Ib2;V2的的IC2 為為V1的的Ib1;通過(guò)兩個(gè)管子的電流放大,立即通過(guò)兩個(gè)管子的電流放大,立即形成強(qiáng)烈正反饋形成強(qiáng)烈正反饋,瞬時(shí)使兩管飽瞬時(shí)使兩管飽和導(dǎo)通,也就是和導(dǎo)通,也就是晶閘管

2、導(dǎo)通。晶閘管導(dǎo)通。設(shè)設(shè)V1、V2的共基極接法的電流放大倍數(shù)為的共基極接法的電流放大倍數(shù)為 1和和 2,均小于,均小于1。則有:。則有:111CBOAcIII222CBOKcIIIGAKIII21ccAIII(2-2)(2-1)(2-3)(2-4)式中式中 1和和 2分別是晶體管分別是晶體管V1和和V2的共基極電流增益;的共基極電流增益;ICBO1和和ICBO2分別是分別是V1和和V2的共基極漏電流。的共基極漏電流。)(121CBO2CBO1G2AIIII 由以上式(由以上式(2-1)(2-4)可得)可得(2-5) 圖圖2-9 晶閘管的伏安特性晶閘管的伏安特性 IG2 IG1 IG 正向轉(zhuǎn)正向轉(zhuǎn)

3、折電壓折電壓Ubo正向?qū)ㄑ┍罁舸㎡+UA-UA-IAIAIHIG2IG1IG=0UboUDSMUDRMURRMURSM+反向特性反向特性 其伏安特性類(lèi)似其伏安特性類(lèi)似二極管二極管的的反向特性。反向特性。 晶閘管處于反向阻斷狀態(tài)晶閘管處于反向阻斷狀態(tài)時(shí),只有極小的時(shí),只有極小的反向漏電流反向漏電流通通過(guò)。過(guò)。 當(dāng)反向電壓超過(guò)一定限度,當(dāng)反向電壓超過(guò)一定限度,到到反向擊穿電壓反向擊穿電壓后,外電路如后,外電路如無(wú)限制措施,則反向漏電流急無(wú)限制措施,則反向漏電流急劇增大,導(dǎo)致晶閘管發(fā)熱損壞。劇增大,導(dǎo)致晶閘管發(fā)熱損壞。 圖圖2-9 晶閘管的伏安特性晶閘管的伏安特性 IG2IG1IG正向正向轉(zhuǎn)折轉(zhuǎn)折

4、電壓電壓Ubo正向?qū)ㄑ┍罁舸㎡+UA-UA-IAIAIHIG2IG1IG=0UboUDSMUDRMURR MURSM+ 圖圖2-10 晶閘管的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程波形晶閘管的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程波形陽(yáng)極電流穩(wěn)陽(yáng)極電流穩(wěn)態(tài)值的態(tài)值的90%100%90%10%uAKttO0tdtrtrrtgrURRMIRMiA陽(yáng)極電流穩(wěn)陽(yáng)極電流穩(wěn)態(tài)值的態(tài)值的10%圖圖2-10 晶閘管的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程波形晶閘管的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程波形100%反向恢復(fù)反向恢復(fù)電流最大電流最大值值尖峰電壓尖峰電壓90%10%uAKttO0tdtrtrrtgrURRMIRMiAa)b)IOUIG=0GT1T2雙向晶閘管(雙向晶閘管(Triode AC

5、 SwitchTRIAC或或Bidirectional triode thyristor) 可以認(rèn)為是一對(duì)可以認(rèn)為是一對(duì)反并聯(lián)聯(lián)反并聯(lián)聯(lián) 接接的普通晶閘管的集成的普通晶閘管的集成。 門(mén)極使器件在主電極的正門(mén)極使器件在主電極的正反兩方向均可觸發(fā)導(dǎo)通,在第反兩方向均可觸發(fā)導(dǎo)通,在第和第和第III象限有象限有對(duì)稱(chēng)的伏安特對(duì)稱(chēng)的伏安特性性。 雙向晶閘管通常用在交流雙向晶閘管通常用在交流電路中,因此不用平均值而用電路中,因此不用平均值而用有效值來(lái)表示其額定電流值。有效值來(lái)表示其額定電流值。圖圖2-11 雙向晶閘管的電氣圖形雙向晶閘管的電氣圖形符號(hào)和伏安特性符號(hào)和伏安特性a) 電氣圖形符號(hào)電氣圖形符號(hào) b

6、) 伏安特性伏安特性 a)KGAb)UOIIG=0逆導(dǎo)晶閘管(逆導(dǎo)晶閘管(Reverse Conducting ThyristorRCT) 是將是將晶閘管反并聯(lián)一個(gè)晶閘管反并聯(lián)一個(gè)二極管二極管制作在同一管芯上制作在同一管芯上的功率集成器件,不具有的功率集成器件,不具有承受承受反向電壓反向電壓的能力,一的能力,一旦承受反向電壓即開(kāi)通。旦承受反向電壓即開(kāi)通。 具有正向壓降小、關(guān)斷具有正向壓降小、關(guān)斷時(shí)間短、高溫特性好、額時(shí)間短、高溫特性好、額定結(jié)溫高等優(yōu)點(diǎn),可用于定結(jié)溫高等優(yōu)點(diǎn),可用于不需要阻斷反向電壓的電不需要阻斷反向電壓的電路中。路中。 圖圖2-12 逆導(dǎo)晶閘管的電氣圖形符號(hào)逆導(dǎo)晶閘管的電氣圖形符號(hào)和伏安特性和伏安特性 a) 電氣圖形符號(hào)電氣圖形符號(hào) b) 伏安特性伏安特性 AGKa)AK光強(qiáng)度強(qiáng)弱b)OUIA光控晶閘管(光控晶閘管(Light Triggered ThyristorLTT) 是利用一定波長(zhǎng)的是利用一定波長(zhǎng)的光光照信號(hào)照信號(hào)觸發(fā)導(dǎo)通的晶閘管。觸發(fā)導(dǎo)通的晶閘管。 由于采用光觸發(fā)保證由于采用光觸發(fā)保證了主電路與控制電路之間了主電路與控制電路之間的的絕緣絕緣,而且可以避免電,而且可以避免電磁干擾的影響,因此光控磁干擾的

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