最新電大《光伏技術(shù)與應(yīng)用概論》形考作業(yè)任務(wù)01.doc

1、最新電大光伏技術(shù)與應(yīng)用概論形考作業(yè)任務(wù)01最新電大光伏技術(shù)與應(yīng)用概論形考作業(yè)任務(wù)01-04網(wǎng)考試題及答案 100通過 考試說明：光伏技術(shù)與應(yīng)用概論形考共有4個(gè)任務(wù)。任務(wù)1至任務(wù)4是客觀題，任務(wù)1至任務(wù)4需在考試中多次抽取試卷，直到出現(xiàn)01任務(wù)001、02任務(wù)001、03任務(wù)001、04任務(wù)001試卷，就可以按照該套試卷答案答題。做考題時(shí)，利用本文檔中的查找工具，把考題中的關(guān)鍵字輸?shù)讲檎夜ぞ叩牟檎覂?nèi)容框內(nèi)，就可迅速查找到該題答案。本文庫還有其他教學(xué)考一體化答案，敬請查看。 01任務(wù) 01任務(wù)001 一、單項(xiàng)選擇題（共10道試題，共20分。） 1.常用于太陽電池和組件效率測試時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)為（）。 A.

2、AM0 B.AM1 C.AM1.5 D.AM2 2.總輻射計(jì)探測到的是太陽的（）。 A.直射太陽輻射 B.反射的太陽輻射 C.太陽的總輻射量 D.折射太陽輻射 3.太陽發(fā)射的電磁輻射在大氣頂上隨（）的分布叫太陽光譜。 A.時(shí)間 B.空間 C.距離 D.波長 4.我國太陽能分布最豐富的是（）地區(qū)。 A.青藏高原 B.內(nèi)蒙古 C.寧夏 D.陜西 5.太陽常數(shù)的參考值為Isc=（）±7W/m2。 A.1357 B.1367 C.1377 D.1387 6.下列哪項(xiàng)不屬于太陽能開發(fā)利用的特點(diǎn)（）。 A.數(shù)量巨大 B.安全 C.分散性 D.效率高 7.原則上，太陽能可以直接或間接轉(zhuǎn)換成任何形式

3、的能量，但轉(zhuǎn)換次數(shù)越多，最終太陽能轉(zhuǎn)換的效率便越（）。 A.高 B.低 C.不變 D.未知 8.太陽大氣的最外層稱為（）。 A.光球 B.色球 C.日冕 D.針狀體 9.太陽常數(shù)的常用單位是（）。 A.w/m2 B.KW/m2 C.w/m D.KW/m 10.太陽常數(shù)Isc的定義為：在平均日地距離時(shí)，地球大氣層上界（）于太陽光線表面的單位面積上單位時(shí)間內(nèi)所接收到的太陽輻射能。 A.平行 B.垂直 C.傾斜30° D.傾斜60° 二、多項(xiàng)選擇題（共10道試題，共30分。） 1.總輻射計(jì)探測到的是太陽的（）。 A.直接太陽輻射 B.漫射太陽輻射 C.反射太陽輻射 D.折射太陽輻

4、射 2.我國（）等西部地區(qū)光照資尤為豐富。 A.青藏高原 B.內(nèi)蒙古 C.寧夏 D.陜西 3.以下（）地區(qū)屬于我國太陽能熱能資分布五類地區(qū)。 A.湖南 B.四川 C.廣西 D.貴州 4.地球太陽能資豐富程度中高地區(qū)有（）。 A.中東 B.美國 C.中非 D.中國 5.以下（）地區(qū)屬于我國太陽能熱能資分布二類地區(qū)。 A.河北西北部 B.北部 C.寧夏南部 D.東南部 6.以下（）地區(qū)屬于我國太陽能熱能資分布四類地區(qū)。 A.江西 B.遼寧 C.浙江 D.云南 7.以下（）地區(qū)屬于我國太陽能熱能資分布一類地區(qū)。 A.甘肅北部 B.南部 C.寧夏北部 D.陜西北部 8.太陽能開發(fā)利用的主要步驟有（）。

5、 A.太陽能采集 B.太陽能轉(zhuǎn)換 C.太陽能貯存 D.太陽能輸送 9.地球太陽能資豐富程度中低地區(qū)有（）。 A.東歐 B.新西蘭 C.朝鮮 D.日本 10.太陽大氣大概可以分為（）等層次。 A.光球 B.色球 C.日冕 D.針狀體 三、判斷題（共10道試題，共20分。） 1.除了原子能、地?zé)岷突鹕奖l(fā)的能量外，地面上大部分能均直接或間接同太陽有關(guān)。 A.錯(cuò)誤 B.正確 2.地面太陽輻射包括直接輻射和折射輻射。 A.錯(cuò)誤 B.正確 3.輻照度計(jì)用來測定太陽的總輻射量。 A.錯(cuò)誤 B.正確 4.太陽常數(shù)的常用單位為W/m2。 A.錯(cuò)誤 B.正確 5.根據(jù)各地接受太陽總輻射量的多少，可將我國劃分為五

6、類地區(qū)。 A.錯(cuò)誤 B.正確 6.直接接收到的、不改變方向的太陽輻射稱為直接太陽輻射。 A.錯(cuò)誤 B.正確 7.原則上，太陽能可以直接或間接轉(zhuǎn)換成任何形式的能量，但轉(zhuǎn)換次數(shù)越多，最終太陽能轉(zhuǎn)換的效率便越低。 A.錯(cuò)誤 B.正確 8.太陽輻射的能流密度高。 A.錯(cuò)誤 B.正確 9.大氣層的影響不僅與太陽光的入射方向有關(guān)，而且還與大氣中吸收、散射、反射太陽輻射的物質(zhì)有關(guān)。 A.錯(cuò)誤 B.正確 10.AM0是太陽光在大氣層外時(shí)的情況。 A.錯(cuò)誤 B.正確 四、閱讀理解（共10道試題，共30分。） 1.將下列世界氣候帶一一對應(yīng)。 1).赤道帶 A.緯度10º回歸線（23.5º） B

7、.回歸線至極圈（23.5º66.5º） C.南北緯10º以內(nèi) 2).熱帶 A.緯度10º回歸線（23.5º） B.回歸線至極圈（23.5º66.5º） C.南北緯10º以內(nèi) 3).溫帶 A.緯度10º回歸線（23.5º） B.回歸線至極圈（23.5º66.5º） C.南北緯10º以內(nèi) 2.將下列省份地區(qū)與太陽能資分布情況一一對應(yīng)。 1).山東 A.二類 B.三類 C.四類 2).江西 A.二類 B.三類 C.四類 3).寧夏南部 A.二類 B.三類 C.四類 3.將

8、下列概念與意義一一對應(yīng)。 1).太陽常數(shù) A.描述大氣層上的太陽輻射強(qiáng)度 B.太陽發(fā)射的電磁輻射在大氣頂上隨波長的分布 C.太陽光線穿過地球大氣的路徑與太陽光線在天頂角方向時(shí) 2).太陽光譜 A.描述大氣層上的太陽輻射強(qiáng)度 B.太陽發(fā)射的電磁輻射在大氣頂上隨波長的分布 C.太陽光線穿過地球大氣的路徑與太陽光線在天頂角方向時(shí) 3).大氣光學(xué)質(zhì)量 A.描述大氣層上的太陽輻射強(qiáng)度 B.太陽發(fā)射的電磁輻射在大氣頂上隨波長的分布 C.太陽光線穿過地球大氣的路徑與太陽光線在天頂角方向時(shí) 4.將下列地球太陽能資分布情況與地區(qū)一一對應(yīng)。 1).豐富程度最高地區(qū) A.中國 B.印度 C.日本 2).豐富程度中高

9、地區(qū) A.中國 B.印度 C.日本 3).豐富程度中低地區(qū) A.中國 B.印度 C.日本 5.將下列太陽結(jié)構(gòu)與能量傳播方式一一對應(yīng)。 1).核反應(yīng)區(qū) A.輻射 B.對流 C.對流和輻射 2).輻射區(qū) A.輻射 B.對流 C.對流和輻射 3).對流區(qū) A.輻射 B.對流 C.對流和輻射 6.將下列太陽能轉(zhuǎn)換成不同形式的能量需要的不同能量轉(zhuǎn)換器一一對應(yīng)。 1).光合作用 A.太陽能轉(zhuǎn)換成熱能 B.太陽能轉(zhuǎn)換成電能 C.太陽能轉(zhuǎn)換成生物質(zhì) 2).集熱器 A.太陽能轉(zhuǎn)換成熱能 B.太陽能轉(zhuǎn)換成電能 C.太陽能轉(zhuǎn)換成生物質(zhì) 3).太陽電池 A.太陽能轉(zhuǎn)換成熱能 B.太陽能轉(zhuǎn)換成電能 C.太陽能轉(zhuǎn)換成生物

10、質(zhì) 7.將下列大氣層的影響情況一一對應(yīng)。 1).大氣的吸收作用 A.各種氣體分子、水分子（云霧）、塵埃等 B.氧（O2）、臭氧（O3）和水氣（H2O） C.云層反射 2).大氣的散射作用 A.各種氣體分子、水分子（云霧）、塵埃等 B.氧（O2）、臭氧（O3）和水氣（H2O） C.云層反射 3).大氣的反射作用 A.各種氣體分子、水分子（云霧）、塵埃等 B.氧（O2）、臭氧（O3）和水氣（H2O） C.云層反射 8.將下列太陽大氣結(jié)構(gòu)與名稱一一對應(yīng)。 1).光球 A.最外層 B.中層 C.最底層 2).色球 A.最外層 B.中層 C.最底層 3).日冕 A.最外層 B.中層 C.最底層 9.將下

11、列大氣光學(xué)質(zhì)量數(shù)值與實(shí)際情況一一對應(yīng)。 1).AM0 A.太陽光直接垂直照射到地球表面的情況 B.太陽光照射到一般地面的情況 C.太陽光在大氣層外 2).AM1 A.太陽光直接垂直照射到地球表面的情況 B.太陽光照射到一般地面的情況 C.太陽光在大氣層外 3).AM1.5 A.太陽光直接垂直照射到地球表面的情況 B.太陽光照射到一般地面的情況 C.太陽光在大氣層外 10.將下列大氣光學(xué)質(zhì)量數(shù)值與情況一一對應(yīng)。 1).AM1 A.B.C.2).AM1.5 A.B.C.3).AM2 A.B.C.02任務(wù) 02任務(wù)001 一、單項(xiàng)選擇題（共10道試題，共20分。） 1.（），硅太陽電池開始在地面應(yīng)用

12、。 A.1958年 B.20世紀(jì)70年代初 C.20世紀(jì)70年代末 D.20世紀(jì)80年代初 2.用（）制造的半導(dǎo)體器件，耐高溫和抗輻射性能較好，特別適宜制作光伏器件和大功率器件。 A.鍺 B.硅 C.硒 D.硼 3.導(dǎo)電類型是（）所專有的一個(gè)概念。 A.導(dǎo)體 B.半導(dǎo)體 C.金屬材料 D.絕緣體 4.光伏產(chǎn)業(yè)鏈的中游環(huán)節(jié)包括（）。 A.硅料，硅片 B.電池片，電池組件 C.應(yīng)用系統(tǒng) D.硅片，電池片，電池組件 5.當(dāng)硅中摻入III族元素時(shí)，如（）等，就會(huì)形成P型材料。 A.磷 B.銻 C.砷 D.硼 6.1954年，第一塊實(shí)用的單晶硅光電池效率為（）。 A.5 B.6 C.7 D.8 7.用于

13、地面已批量生產(chǎn)的太陽電池材料主要有單晶硅、多晶硅與（）。 A.非晶硅薄膜 B.GaAs C.InP D.CdTe薄膜 8.薄膜電池材料目前不包括（）。 A.非晶硅薄膜 B.多晶硅（微晶硅）薄膜 C.單晶硅薄膜 D.CuInSe2(CuInS2)薄膜 9.光伏效應(yīng)的英文簡稱是（）。 A.PC B.PT C.PE D.PV 10.光電轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)的基本裝置是（）。 A.硅料 B.硅片 C.太陽電池 D.太陽電池方陣 二、多項(xiàng)選擇題（共10道試題，共30分。） 1.20世紀(jì)70年代初，（）開始引人到電池的制造工藝中，太陽電池轉(zhuǎn)換效率有了較大提高。 A.背表面場 B.細(xì)柵金屬化 C.淺結(jié)表面擴(kuò)散 D.表面

14、織構(gòu)化 2.近年來針對單晶硅太陽電池轉(zhuǎn)換效率開發(fā)了許多新技術(shù)，主要有（）。 A.單雙層減反射膜 B.激光刻槽埋藏柵線技術(shù) C.絨面技術(shù) D.背點(diǎn)接觸電極克服表面柵線遮光問題 E.高效背反射器技術(shù) F.光吸收技術(shù) 3.常用的半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)有（）。 A.禁帶寬度 B.電阻率 C.載流子遷移率 D.非平衡載流子壽命 E.位錯(cuò)密度 4.常用的半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)有（）。 A.禁帶寬度 B.電阻率 C.載流子遷移率 D.非平衡載流子壽命 E.位錯(cuò)密度 5.高純多晶硅是（）的主要原料。 A.帶狀多晶硅 B.鑄造多晶硅 C.區(qū)熔單晶硅 D.直拉單晶硅 6.鑄造多晶硅在（）方面不如單晶硅。 A.力學(xué)性質(zhì)

15、 B.光學(xué)性質(zhì) C.熱學(xué)性質(zhì) D.電學(xué)性能 7.薄膜電池材料包括（）。 A.非晶硅薄膜 B.多晶硅（微晶硅）薄膜 C.CdTe D.CdS薄膜 E.CuInSe2(CuInS2)薄膜 8.半導(dǎo)體材料的電阻率介于（）和（）之間。 A.非絕緣體 B.絕緣體 C.金屬 D.非金屬 9.光伏產(chǎn)業(yè)鏈包括（）環(huán)節(jié)。 A.硅料 B.硅片 C.電池片 D.電池組件 E.應(yīng)用系統(tǒng) 10.半導(dǎo)體材料按化學(xué)成分和內(nèi)部結(jié)構(gòu)，大致可分為（）。 A.元素半導(dǎo)體 B.化合物半導(dǎo)體 C.無定形半導(dǎo)體材料 D.有機(jī)增導(dǎo)體材料 三、判斷題（共10道試題，共20分。） 1.硅太陽電池于1958年首先在航天器上得到應(yīng)用。 A.錯(cuò)誤

16、B.正確 2.由于生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大，生產(chǎn)工藝的改進(jìn)，晶體硅太陽電池組件的制造成本2021年有望降至1美元/Wp。 A.錯(cuò)誤 B.正確 3.光伏材料又稱太陽電池材料，只有半導(dǎo)體材料具有這種功能。 A.錯(cuò)誤 B.正確 4.位錯(cuò)是晶體中最常見的一類晶體缺陷。 A.錯(cuò)誤 B.正確 5.20世紀(jì)70年代末硅太陽電池開始在地面應(yīng)用。 A.錯(cuò)誤 B.正確 6.太陽能發(fā)電是一種新興的可再生能利用方式。 A.錯(cuò)誤 B.正確 7.禁帶寬度越大，晶體管正常工作的高溫限也越高。 A.錯(cuò)誤 B.正確 8.對于非晶態(tài)半導(dǎo)體，位錯(cuò)也是反映其晶格完整性的特性參數(shù)。 A.錯(cuò)誤 B.正確 9.金屬的電阻率很高，絕緣體的電阻率非常小

17、，半導(dǎo)體材料的電阻率介于兩者之間。 A.錯(cuò)誤 B.正確 10.載流子即半導(dǎo)體中參加導(dǎo)電的電子和空穴。 A.錯(cuò)誤 B.正確 四、閱讀理解（共10道試題，共30分。） 1.將下列太陽電池種類與電池組件光電轉(zhuǎn)換效率一一對應(yīng)。 1).單晶硅 A.68 B.1416 C.1517 2).多晶硅 A.68 B.1416 C.1517 3).非晶硅 A.68 B.1416 C.1517 2.將下列半導(dǎo)體材料種類與代表材料一一對應(yīng)。 1).元素半導(dǎo)體 A.砷化鎵 B.氧化物玻璃 C.硅 2).化合物半導(dǎo)體 A.砷化鎵 B.氧化物玻璃 C.硅 3).無定形半導(dǎo)體材料 A.砷化鎵 B.氧化物玻璃 C.硅 3.將下

18、列半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)與其性質(zhì)一一對應(yīng)。 1).禁帶寬度 A.反映材料的導(dǎo)電能力 B.反映半導(dǎo)體材料在外界作用（如光或電場）下內(nèi)部的載流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過渡的弛豫特性 C.反映組成這種材料的原子中價(jià)電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到自由狀態(tài)所需的能量 2).電阻率、載流子遷移率 A.反映材料的導(dǎo)電能力 B.反映半導(dǎo)體材料在外界作用（如光或電場）下內(nèi)部的載流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過渡的弛豫特性 C.反映組成這種材料的原子中價(jià)電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到自由狀態(tài)所需的能量 3).非平衡載流子壽命 A.反映材料的導(dǎo)電能力 B.反映半導(dǎo)體材料在外界作用（如光或電場）下內(nèi)部的載流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過渡的弛豫特

19、性 C.反映組成這種材料的原子中價(jià)電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到自由狀態(tài)所需的能量 4.將下列切割方式與特點(diǎn)一一對應(yīng)。 1).外圓切割 A.刀片薄，晶體損失少，不受硅棒直徑限制 B.刀片薄，晶體損失最少 C.刀片厚，晶體損失多 2).內(nèi)圓切割 A.刀片薄，晶體損失少，不受硅棒直徑限制 B.刀片薄，晶體損失最少 C.刀片厚，晶體損失多 3).帶鋸切割 A.刀片薄，晶體損失少，不受硅棒直徑限制 B.刀片薄，晶體損失最少 C.刀片厚，晶體損失多 5.將下列太陽電池種類與實(shí)驗(yàn)室最大效率一一對應(yīng)。 1).單晶硅太陽電池 A.12 B.20.4 C.25 2).多晶硅太陽電池 A.12 B.20.4 C.25 3)

20、.非晶硅單結(jié)太陽電池 A.12 B.20.4 C.25 6.將下列硅片幾何尺寸參數(shù)一一對應(yīng)。 1).THK A.厚度 B.總厚度偏差 C.翹曲度 2).TTV A.厚度 B.總厚度偏差 C.翹曲度 3).Warp A.厚度 B.總厚度偏差 C.翹曲度 7.將下列硅太陽電池發(fā)展歷程一一對應(yīng)。 1).1958年 A.硅太陽電池于1958年首先在航天器上得到應(yīng)用 B.把表面鈍化技術(shù)、降低接觸復(fù)合效應(yīng)、后處理提高載流子壽命、改進(jìn)陷光效應(yīng)引入到電池的制造工藝中 C.把背表面場、細(xì)柵金屬化、淺結(jié)表面擴(kuò)散和表面織構(gòu)化開始引人到電池的制造工藝中 2).20世紀(jì)70年代初 A.硅太陽電池于1958年首先在航天器

21、上得到應(yīng)用 B.把表面鈍化技術(shù)、降低接觸復(fù)合效應(yīng)、后處理提高載流子壽命、改進(jìn)陷光效應(yīng)引入到電池的制造工藝中 C.把背表面場、細(xì)柵金屬化、淺結(jié)表面擴(kuò)散和表面織構(gòu)化開始引人到電池的制造工藝中 3).20世紀(jì)80年代初 A.硅太陽電池于1958年首先在航天器上得到應(yīng)用 B.把表面鈍化技術(shù)、降低接觸復(fù)合效應(yīng)、后處理提高載流子壽命、改進(jìn)陷光效應(yīng)引入到電池的制造工藝中 C.把背表面場、細(xì)柵金屬化、淺結(jié)表面擴(kuò)散和表面織構(gòu)化開始引人到電池的制造工藝中 8.將下列事件與時(shí)間關(guān)系等一一對應(yīng)。 1).9年 A.法國物理學(xué)家A.E.Becqueral第一次在實(shí)驗(yàn)室中發(fā)現(xiàn)液體的光生伏特效應(yīng) B.在固態(tài)硒（Se）的系統(tǒng)中

22、也觀察到了光伏效應(yīng) C.貝爾實(shí)驗(yàn)室Chapin等人開發(fā)出第一塊實(shí)用的效率為6的單晶硅光電池 2).187_年 A.法國物理學(xué)家A.E.Becqueral第一次在實(shí)驗(yàn)室中發(fā)現(xiàn)液體的光生伏特效應(yīng) B.在固態(tài)硒（Se）的系統(tǒng)中也觀察到了光伏效應(yīng) C.貝爾實(shí)驗(yàn)室Chapin等人開發(fā)出第一塊實(shí)用的效率為6的單晶硅光電池 3).1954年 A.法國物理學(xué)家A.E.Becqueral第一次在實(shí)驗(yàn)室中發(fā)現(xiàn)液體的光生伏特效應(yīng) B.在固態(tài)硒（Se）的系統(tǒng)中也觀察到了光伏效應(yīng) C.貝爾實(shí)驗(yàn)室Chapin等人開發(fā)出第一塊實(shí)用的效率為6的單晶硅光電池 9.將下列影響光電轉(zhuǎn)換效率的主要因素與產(chǎn)生的可能原因一一對應(yīng)。 1)

23、.反射遮蔭等光學(xué)損失 A.P/N結(jié)區(qū)復(fù)合 B.封裝材料透光率 C.逆變器等電器損耗 2).載流子復(fù)合損失 A.P/N結(jié)區(qū)復(fù)合 B.封裝材料透光率 C.逆變器等電器損耗 3).連接轉(zhuǎn)換等電學(xué)損失 A.P/N結(jié)區(qū)復(fù)合 B.封裝材料透光率 C.逆變器等電器損耗 10.將下列線切割經(jīng)常出現(xiàn)的問題與可能的原因一一對應(yīng)。 1).斷線 A.切割工藝出現(xiàn)異常 B.硅棒對接位置不好 C.加工好的硅片在空氣中停留時(shí)間過長 2).跳線 A.切割工藝出現(xiàn)異常 B.硅棒對接位置不好 C.加工好的硅片在空氣中停留時(shí)間過長 3).花片 A.切割工藝出現(xiàn)異常 B.硅棒對接位置不好 C.加工好的硅片在空氣中停留時(shí)間過長 03任

24、務(wù) 03任務(wù)001 一、單項(xiàng)選擇題（共10道試題，共20分。） 1.太陽電池組件通常是由多個(gè)電池（）而成。 A.串聯(lián) B.并聯(lián) C.串聯(lián)或并聯(lián) D.串疊 2.硅晶體中任一原子最多形成（）個(gè)共價(jià)鍵。 A.1 B.2 C.3 D.4 3.太陽電池串疊時(shí)，能夠吸收較高能量光譜的電池放在（）。 A.上層 B.下層 C.中間 D.任意 4.鑄造多晶硅太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率要比直接單晶硅低（）。 A.12 B.23 C.34 D.45 5.單晶硅電池的顏色多為（）。 A.白色 B.金色 C.綠色 D.深藍(lán) 6.薄膜電池迅速發(fā)展的最大優(yōu)勢是（）。 A.成本優(yōu)勢 B.轉(zhuǎn)換效率提高空間大 C.利用范圍更加廣泛

25、D.對環(huán)境危害小 7.（）是制造光伏器件和微波器件及集成電路的重要材料。 A.砷化鎵 B.磷化錮 C.銻化錮 D.碳化硅 8.單結(jié)GaAs太陽電池的轉(zhuǎn)換效率已達(dá)（）。 A.24 B.25 C.26 D.27 9.有“第三代太陽電池”之稱的是（）太陽電池。 A.非晶硅a-Si薄膜 B.碲化鎘CdTe薄膜 C.銅銦硒化物（CIS/CIGS）薄膜 D.染料敏化納米晶（DSSC） 10.太陽電池材料缺陷屬于下列（）影響太陽電池轉(zhuǎn)換效率的主要因素。 A.反射及遮蔽等光學(xué)性能損失 B.載流子遷移復(fù)合損失 C.連接轉(zhuǎn)換等電學(xué)損失 D.其它損失 二、多項(xiàng)選擇題（共10道試題，共30分。） 1.薄膜太陽電池得到

26、迅速發(fā)展的原因主要有（）。 A.成本優(yōu)勢 B.轉(zhuǎn)換效率提高空間大 C.利用范圍更加廣泛 D.對環(huán)境危害小 2.20世紀(jì)70年代初，（）開始引人到電池的制造工藝中，太陽電池轉(zhuǎn)換效率有了較大提高。 A.背表面場 B.細(xì)柵金屬化 C.淺結(jié)表面擴(kuò)散 D.表面織構(gòu)化 3.硅晶太陽電池存在著固有弱點(diǎn)主要有（）。 A.光電轉(zhuǎn)換理論效率相對較低 B.光吸收系數(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于其他太陽光電材料 C.相對成本較高 D.尺寸相對較小 4.太陽電池組件具有的主要特點(diǎn)有（）。 A.滿足不同電壓輸出要求 B.有足夠的機(jī)械強(qiáng)度 C.有明顯的電性能增益 D.提高利用效率 5.多晶硅結(jié)構(gòu)在陽光下可通過控制氮化硅減反射膜的厚度，呈現(xiàn)（）

27、等不同的顏色。 A.黑色 B.金色 C.綠色 D.深藍(lán) 6.對于太陽電池來說，為了得到高的轉(zhuǎn)換效率，要求材料有大的（）和適中的（）。 A.禁帶寬度 B.電阻率 C.載流子遷移率 D.非平衡載流子壽命 E.位錯(cuò)密度 7.可做太陽電池材料的材料有（）。 A.硅晶材料 B.薄膜電池材料 C.GaAs半導(dǎo)體材料 D.其他類型太陽電池材料 8.與其他太陽電池相比，制造單晶硅太陽電池（）。 A.所用硅材料比較豐富 B.制造技術(shù)比較成熟 C.轉(zhuǎn)換效率較高 D.結(jié)晶中缺陷較小 9.常用的半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)有（）。 A.禁帶寬度 B.電阻率 C.載流子遷移率 D.非平衡載流子壽命 E.位錯(cuò)密度 10.近年來針

28、對單晶硅太陽電池轉(zhuǎn)換效率開發(fā)了許多新技術(shù)，主要有（）。 A.單雙層減反射膜 B.激光刻槽埋藏柵線技術(shù) C.絨面技術(shù) D.背點(diǎn)接觸電極克服表面柵線遮光問題 E.高效背反射器技術(shù) F.光吸收技術(shù) 三、判斷題（共10道試題，共20分。） 1.太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率指的是照射到太陽電池表面上的陽光被轉(zhuǎn)換成可用電流的光子數(shù)與入射光子總量的比例。 A.錯(cuò)誤 B.正確 2.硅晶體的半導(dǎo)體性于共價(jià)鍵。 A.錯(cuò)誤 B.正確 3.光電器件對半導(dǎo)體材料特性的要求中，高的靈敏度和短的弛豫時(shí)間二者難于兼顧。 A.錯(cuò)誤 B.正確 4.直拉（CZ）硅單晶主要用來制作大功率整流元件和閘流管等電力電子器件。 A.錯(cuò)誤 B.正確

29、5.共價(jià)鍵的飽和性是指一個(gè)電子和另外一個(gè)電子配對以后，就不能再和第三個(gè)電子配對。 A.錯(cuò)誤 B.正確 6.當(dāng)P型半導(dǎo)體材料和N型半導(dǎo)體材料相連接，將在晶體中P型和N型材料之間形成界面，即P-N結(jié)。 A.錯(cuò)誤 B.正確 7.染料敏化納米晶太陽電池的制造成本高于傳統(tǒng)的硅晶太陽電池。 A.錯(cuò)誤 B.正確 8.共價(jià)鍵的方向性是指原子只能在特定的方向上形成共價(jià)鍵。 A.錯(cuò)誤 B.正確 9.非晶硅太陽電池的結(jié)構(gòu)最常采用的是P-N結(jié)構(gòu)。 A.錯(cuò)誤 B.正確 10.傳統(tǒng)硅晶太陽電池的性能隨溫度升高而下降。 A.錯(cuò)誤 B.正確 四、閱讀理解（共10道試題，共30分。） 1.將下列半導(dǎo)體材料種類與代表材料一一對應(yīng)

30、。 1).元素半導(dǎo)體 A.砷化鎵 B.氧化物玻璃 C.硅 2).化合物半導(dǎo)體 A.砷化鎵 B.氧化物玻璃 C.硅 3).無定形半導(dǎo)體材料 A.砷化鎵 B.氧化物玻璃 C.硅 2.將下列硅太陽電池種類與工業(yè)化生產(chǎn)光電轉(zhuǎn)換效率一一對應(yīng)。 1).單晶硅 A.79 B.1517 C.1618 2).多晶硅 A.79 B.1517 C.1618 3).非晶硅 A.79 B.1517 C.1618 3.將下列影響太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率的主要因素一一對應(yīng)。 1).反射遮蔭等光學(xué)損失 A.溫度及衰減損失 B.逆變器等電器損耗 C.封裝材料透光率 2).載流子復(fù)合損失 A.溫度及衰減損失 B.逆變器等電器損耗 C

31、.封裝材料透光率 3).連接轉(zhuǎn)換等電學(xué)損失 A.溫度及衰減損失 B.逆變器等電器損耗 C.封裝材料透光率 4.將下列太陽電池種類一一對應(yīng)。 1).化合物晶體 A.砷化鎵 B.染料敏化 C.銅銦鎵硒 2).化合物薄膜 A.砷化鎵 B.染料敏化 C.銅銦鎵硒 3).有機(jī)染料 A.砷化鎵 B.染料敏化 C.銅銦鎵硒 5.將下列太陽電池種類與實(shí)驗(yàn)室最大效率一一對應(yīng)。 1).單晶硅太陽電池 A.12 B.20.4 C.25 2).多晶硅太陽電池 A.12 B.20.4 C.25 3).非晶硅單結(jié)太陽電池 A.12 B.20.4 C.25 6.將下列半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)與其性質(zhì)一一對應(yīng)。 1).禁帶寬度

32、A.反映材料的導(dǎo)電能力 B.反映半導(dǎo)體材料在外界作用（如光或電場）下內(nèi)部的載流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過渡的弛豫特性 C.反映組成這種材料的原子中價(jià)電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到自由狀態(tài)所需的能量 2).電阻率、載流子遷移率 A.反映材料的導(dǎo)電能力 B.反映半導(dǎo)體材料在外界作用（如光或電場）下內(nèi)部的載流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過渡的弛豫特性 C.反映組成這種材料的原子中價(jià)電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到自由狀態(tài)所需的能量 3).非平衡載流子壽命 A.反映材料的導(dǎo)電能力 B.反映半導(dǎo)體材料在外界作用（如光或電場）下內(nèi)部的載流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過渡的弛豫特性 C.反映組成這種材料的原子中價(jià)電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到自由

33、狀態(tài)所需的能量 7.將下列硅太陽電池發(fā)展歷程一一對應(yīng)。 1).1958年 A.硅太陽電池于1958年首先在航天器上得到應(yīng)用 B.把表面鈍化技術(shù)、降低接觸復(fù)合效應(yīng)、后處理提高載流子壽命、改進(jìn)陷光效應(yīng)引入到電池的制造工藝中 C.把背表面場、細(xì)柵金屬化、淺結(jié)表面擴(kuò)散和表面織構(gòu)化開始引人到電池的制造工藝中 2).20世紀(jì)70年代初 A.硅太陽電池于1958年首先在航天器上得到應(yīng)用 B.把表面鈍化技術(shù)、降低接觸復(fù)合效應(yīng)、后處理提高載流子壽命、改進(jìn)陷光效應(yīng)引入到電池的制造工藝中 C.把背表面場、細(xì)柵金屬化、淺結(jié)表面擴(kuò)散和表面織構(gòu)化開始引人到電池的制造工藝中 3).20世紀(jì)80年代初 A.硅太陽電池于195

34、8年首先在航天器上得到應(yīng)用 B.把表面鈍化技術(shù)、降低接觸復(fù)合效應(yīng)、后處理提高載流子壽命、改進(jìn)陷光效應(yīng)引入到電池的制造工藝中 C.把背表面場、細(xì)柵金屬化、淺結(jié)表面擴(kuò)散和表面織構(gòu)化開始引人到電池的制造工藝中 8.將下列太陽電池種類與實(shí)驗(yàn)室最大效率一一對應(yīng)。 1).多晶硅 A.11.83 B.12 C.20.4 2).非晶硅單結(jié) A.11.83 B.12 C.20.4 3).非晶硅多結(jié) A.11.83 B.12 C.20.4 9.將下列線切割經(jīng)常出現(xiàn)的問題與可能的原因一一對應(yīng)。 1).斷線 A.切割工藝出現(xiàn)異常 B.硅棒對接位置不好 C.加工好的硅片在空氣中停留時(shí)間過長 2).跳線 A.切割工藝出現(xiàn)

35、異常 B.硅棒對接位置不好 C.加工好的硅片在空氣中停留時(shí)間過長 3).花片 A.切割工藝出現(xiàn)異常 B.硅棒對接位置不好 C.加工好的硅片在空氣中停留時(shí)間過長 10.將下列新型太陽電池的名稱及其主要特性描述一一對應(yīng)。 1).PREL A.埋柵 B.高效背表面反射器 C.發(fā)射極鈍化及背面局部擴(kuò)散 2).BCSC A.埋柵 B.高效背表面反射器 C.發(fā)射極鈍化及背面局部擴(kuò)散 3).BSR A.埋柵 B.高效背表面反射器 C.發(fā)射極鈍化及背面局部擴(kuò)散 04任務(wù) 04任務(wù)001 一、單項(xiàng)選擇題（共10道試題，共20分。） 1.用戶太陽能電是指（）安裝的太陽能電。 A.獨(dú)立 B.并網(wǎng) C.混合 D.以上

36、皆不是 2.太陽能光伏水泵系統(tǒng)中不具備的元件是（）。 A.太陽電池方陣 B.控制器 C.電動(dòng)機(jī) D.蓄電池 3.半透明幕墻多采用（）電池。 A.單晶硅 B.多晶硅 C.非晶硅薄膜 D.其他 4.目前光伏發(fā)電成本高于常規(guī)能發(fā)電（）。 A.1-2倍 B.2-3倍 C.3-4倍 D.3-5倍 5.孤島效應(yīng)是（）的特有現(xiàn)象。 A.獨(dú)立光伏發(fā)電系統(tǒng) B.并網(wǎng)光伏發(fā)電系統(tǒng) C.混合光伏發(fā)電系統(tǒng) D.以上皆不是 6.目前光伏組件材料壽命最長約（）多年。 A.10 B.20 C.30 D.40 7.下列具體應(yīng)用實(shí)例不屬于有蓄電池直流系統(tǒng)的是（）。 A.草坪燈 B.高速公路監(jiān)控 C.直流光伏水泵 D.移動(dòng)通訊基

37、站 8.目前國內(nèi)外普遍采用的并網(wǎng)光伏發(fā)電系統(tǒng)是（）。 A.有逆流型并網(wǎng)系統(tǒng) B.無逆流型并網(wǎng)系統(tǒng) C.切換型并網(wǎng)系統(tǒng) D.直、交型并網(wǎng)系統(tǒng) 9.光伏發(fā)電與其它常規(guī)能發(fā)電相比，發(fā)電成本（）。 A.偏高 B.偏低 C.一致 D.無法測算 10.太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中一般可選用性能較好的（）逆變器。 A.正弦波 B.余弦波 C.正切波 D.余切波 二、多項(xiàng)選擇題（共10道試題，共30分。） 1.獨(dú)立光伏發(fā)電系統(tǒng)的特點(diǎn)主要有（）。 A.建設(shè)成本一般較高 B.維護(hù)成本也較高 C.需儲(chǔ)能元件 D.與公用電網(wǎng)相連 2.下列具體應(yīng)用實(shí)例屬于有蓄電池直流系統(tǒng)的（）。 A.手電 B.手機(jī)充電器 C.路燈 D.殺蟲燈

38、 3.光伏建筑一體化的優(yōu)點(diǎn)主要有（）。 A.節(jié)地 B.節(jié)能 C.節(jié)材 D.減少環(huán)境污染 4.光伏方陣與建筑的集成主要分為（）方式。 A.屋頂光伏電站 B.墻面光伏電站 C.光電幕墻 D.光電采光頂 E.光電遮陽板 5.太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中對逆變器提出的要求主要有（）。 A.能輸出電壓穩(wěn)定的交流電 B.輸出交流電的頻率穩(wěn)定 C.具有一定的過載能力 D.逆變效率要高 6.獨(dú)立光伏發(fā)電系統(tǒng)對鉛酸蓄電池提出的要求主要有（）。 A.自放電率低 B.使用壽命相對較長 C.深放電能力強(qiáng) D.充電效率高 E.能在艱苦環(huán)境下工作 7.獨(dú)立光伏發(fā)電系統(tǒng)的構(gòu)成部件主要有（）。 A.太陽電池方陣 B.控制器 C.蓄電

39、池組 D.逆變器 8.光伏采光頂?shù)囊笾饕校ǎ?A.安全 B.抗風(fēng)性 C.防水 D.防雷 E.采光 9.半透明幕墻的特點(diǎn)有（）。 A.透光率高 B.價(jià)格低 C.生產(chǎn)方便 D.光能利用率較低 10.光伏方陣與建筑的結(jié)合主要分為（）方式。 A.屋頂光伏電站 B.墻面光伏電站 C.光電幕墻 D.光電采光頂 E.光電遮陽板 三、判斷題（共10道試題，共20分。） 1.高速公路監(jiān)控屬于有蓄電池的直流系統(tǒng)。 A.錯(cuò)誤 B.正確 2.充放電開關(guān)只能是繼電器。 A.錯(cuò)誤 B.正確 3.太陽電池在陽光照射下產(chǎn)生的是直流電。 A.錯(cuò)誤 B.正確 4.“孤島效應(yīng)”是并網(wǎng)光伏發(fā)電系統(tǒng)的特有現(xiàn)象。 A.錯(cuò)誤 B.正

40、確 5.單體太陽電池是組成太陽電池組件的最小單元，其面積大小不同，其功率也不相同。 A.錯(cuò)誤 B.正確 6.將直流電轉(zhuǎn)變成交流電的變流裝置稱為整流裝置 A.錯(cuò)誤 B.正確 7.光伏建筑一體化屬于并網(wǎng)光伏發(fā)電系統(tǒng)。 A.錯(cuò)誤 B.正確 8.充放電開關(guān)實(shí)際上是一個(gè)廣義上的開關(guān)元件，它可以是一個(gè)繼電器、三極管等元件，也可以是MOS管、晶閘管或是機(jī)械等類型的元件。 A.錯(cuò)誤 B.正確 9.并網(wǎng)光伏發(fā)電系統(tǒng)是現(xiàn)在和將來太陽能光伏發(fā)電的主流。 A.錯(cuò)誤 B.正確 10.“孤島效應(yīng)”是獨(dú)立光伏發(fā)電系統(tǒng)的特有現(xiàn)象。 A.錯(cuò)誤 B.正確 四、閱讀理解（共10道試題，共30分。） 1.將獨(dú)立光伏發(fā)電系統(tǒng)構(gòu)件與功能

41、一一對應(yīng)。 1).電纜 A.電能儲(chǔ)存裝置 B.電氣連接 C.控制充放電 2).充放電控制器 A.電能儲(chǔ)存裝置 B.電氣連接 C.控制充放電 3).儲(chǔ)能元件 A.電能儲(chǔ)存裝置 B.電氣連接 C.控制充放電 2.將下列光伏建筑一體化（BIPV）的主要形式與典型應(yīng)用實(shí)例一一對應(yīng)。 1).光伏屋頂或墻體系統(tǒng) A.德國寶馬世界屋面 B.北京南站太陽能屋頂 C.我國奧林匹克國家體育館 2).光伏采光頂系統(tǒng) A.德國寶馬世界屋面 B.北京南站太陽能屋頂 C.我國奧林匹克國家體育館 3).光伏幕墻系統(tǒng) A.德國寶馬世界屋面 B.北京南站太陽能屋頂 C.我國奧林匹克國家體育館 3.將下列并網(wǎng)太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)與特點(diǎn)一一對應(yīng)。 1).有逆流型并網(wǎng)系統(tǒng) A.剩余電力可輸入國家電網(wǎng)，無蓄電池 B.