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文檔簡介
1、1234污染源污染源控制控制 通風和氣通風和氣流組織流組織 空氣空氣凈化凈化污染檢測技術污染檢測技術污染對人的影響污染對人的影響目標:目標:Ci EgEg= 3.2eV-e+h 380nm2TiO22CO ,H O,etc-e或2VOCsH O2O-2O+VOCsHO24光催化材料光催化材料22442OeHH O 222222hvTiOehHCHOH OhHCOOH2HHCOOHhCOH 2526270510152025300.010.020.030.040.050.060.0時間(分鐘)濃度(mg/m3)00.511.522.533.544.5濃度(ppmv)出出口口一一氧氧化化碳碳進進口口
2、一一氧氧化化碳碳進進口口二二氧氧化化碳碳出出口口二二氧氧化化碳碳進進口口甲甲苯苯出出口口甲甲苯苯打打開開紫紫外外燈燈關關閉閉紫紫外外燈燈280.010.020.030.040.050.060.0P25+絲光沸石P25+SiO2(SD-400J)P25+Al2O3純P25: 1.05mg/cm2P25+SiO2(SD-520)P25+斜發(fā)沸石(290目)P25+斜發(fā)沸石(325目)P25+斜發(fā)沸石(含鐵325目)P25+斜發(fā)沸石(2,神石)P25+ZSM-5(1)P25+人造沸石(1:1)P25+斜發(fā)沸石(1,神石)P25+SiO2(SD-520L)P25+ZSM-5(2)(1:1)P25+ZSM-5(3)Doped absorbentsReaction effectivenesss()291mNTUinoutinCCeC*mmiNTUASt300.07次次/h3132初始濃度初始濃度 6 ppm3 初始濃度初始濃度 229 ppm3 33稀釋比為稀釋比為1 1:10001000情況下未經情況下未經放電處理的細菌生長跡象放電處理的細菌生長跡象44稀釋比為稀釋比為1 1:10001000情況下經(情況下經(8 kV8 kV)放電處理的細菌生長跡象放電處理的細菌生長跡象4434353637383940物理污染物理污染化學污染化
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