北京理工大學半導體物理復習

1、半導體物理學半導體物理學考試時間：考試時間：1月月30日日下午下午14:00-16:00考試題型 1、填空： 6分 2、名詞解釋：15分 3、簡答：24分 4、畫圖：10分 5、推導：20分 6、計算：25分第一章第一章 1. 基本概念基本概念2. 基本理論基本理論1. 基本概念基本概念2. 基本理論基本理論1. 基本概念基本概念2. 基本理論基本理論。3. 推導與計算推導與計算1. 1.對導（價）帶分為無限多無限小的能量間隔的情況有：對導（價）帶分為無限多無限小的能量間隔的情況有：E(E(E+dEE+dE) )2.2.量子態(tài)數(shù)：量子態(tài)數(shù)：dZdZ=g gc c(E)(E)dEdE3.3.載流

2、子占據(jù)能量為載流子占據(jù)能量為E E的量子態(tài)的概率的量子態(tài)的概率f(E)f(E)4.4.在能量在能量E(E(E+dEE+dE) )間有載流子數(shù)：間有載流子數(shù)：f(E) f(E) g gc c(E)(E)dEdE5.5.把所有能量區(qū)間中的載流子數(shù)相加，即從導（價）帶底（頂）到把所有能量區(qū)間中的載流子數(shù)相加，即從導（價）帶底（頂）到導（價）帶頂（底）對導（價）帶頂（底）對f(E) f(E) g gc c(E)(E)dEdE進行進行，得到半導體中導，得到半導體中導（價）帶的載流子總數(shù)（價）帶的載流子總數(shù)6.6.載流子總數(shù)載流子總數(shù)/ /半導體體積半導體體積=載流子濃度載流子濃度TkEENTkEENnC

3、FcFCc000expexp32/30*)2(2hTkmNnc)exp(22030*023TkEEhTkmpFVp)exp(00TkEENpFVV30*2322hTkmNpV第四章第四章1. 基本概念基本概念2. 基本理論基本理論3. 推導與計算推導與計算EnqJEvdnqEpqnqJJJpnpn)(pnpqnq)(pniipnqnpqnq第五章第五章 1. 基本概念基本概念2. 基本理論基本理論2. 基本理論基本理論3. 推導與計算推導與計算2000expivcvcnTkEENNpnTkEENnFnCc00exp)exp(00TkEENpVFpVTkEEnTkEEnTkEENniFniFFn

4、FnCc00000expexpexpTkEEnTkEEpTkEENpFpiiFpFVFpV00000expexpexpTkEEnTkEEpnpnFpFniFpFn02000expexp3. 推導與計算推導與計算qTkDnn0qTkDpp0 nnxqnJ0漂 dxxdnqDJnn0擴0擴漂nnnJJJ dxxdnDxnnn00 TkExqVENxncFc00exp dxxdVTkqxndxxdn00000()()pnpnk Tk Td pd nJJJqp Eqn EqdxqdxppppgpxEpxpExpDtp22nnnngnxEnxnExnDtn22第六章第六章 1. 基本概念基本概念2. 基

5、本理論基本理論3. 推導與計算推導與計算FpFnDEEqV20ln)(1iADFpFnDnNNqTkEEqV TkqVnnDnp000expTkqVppDnp000expTkqVxqVnTkxEEnxnDncnn0000)(exp)(exp)(TkxqVqVpxpDn00)(exp)(3. 推導與計算推導與計算D0000000()expexp,()()exp1nnnpnnnnnnqVqVqVpxppk Tk TqVpxpxppk T2020nnnppdpppDdx 0expexpnnnPppppxxpxpxpABLDLL，= 000,()expnnnnnnxppqVxxpxpk T ：邊邊界界

6、條條件件 000exp1 expnnnnpxxqVpxppk TL00( )()(1)npnpnqVpnk TpdpxJxqDxxdxqD peL 0022()()()() ()(1) (1)npppnppnqVpik TniADqVk TsJJxJxJxJxqD nqD neNNJ e第七章第七章 1. 基本概念基本概念2. 基本理論基本理論圖圖7-5 7-5 金屬與金屬與n n型半導體接觸能帶圖型半導體接觸能帶圖第八章第八章 1. 基本概念基本概念2. 基本理論基本理論 外場作用下半導體表面狀態(tài)的分析（能帶圖）；外場作用下半導體表面狀態(tài)的分析（能帶圖）；MISMIS結(jié)結(jié)構(gòu)的構(gòu)的C-VC-V特