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文檔簡介
1、熱電效應 所謂的熱電效應,是當受熱物體中的電子(洞),因隨著溫度梯度由高溫區(qū)往低溫區(qū)移動時,所產(chǎn)生電流或電荷堆積的一種現(xiàn)象。而這個效應的大小,則是用稱為thermopower(Q)的參數(shù)來測量,其定義為Q=E/-dT(E為因電荷堆積產(chǎn)生的電場,dT則是溫度梯度)。 在無外磁場存在時,它包括三個效應,西伯克(Seebeck)效應、帕爾帖(Peltire)效應和湯姆遜(Thomson)效應。下面就介紹一下這三個效應。 有兩種不同導體組成的開路中,如果導體的兩個結(jié)點存在溫度差,這開路中將產(chǎn)生電動勢E。這就是西伯克效應。由于西伯克效應而產(chǎn)生的電動勢稱作溫差電動勢。材料的西伯克效應的大小,用溫差電動勢率
2、 表示。材料相對于某參考材料的溫差電動勢率為(1)1. 西伯克(seebeck)效應 由兩種不同材料P、N所組成的電偶,它們的溫差電動勢率 等于與之差,即(2)熱電制冷中用P型半導體和N型半導體組成電偶。兩材料對應的 和 ,一個為負,一個為正。取其絕對值相加,并將 直接簡化記作 a,有(3)2. 帕爾帖(peltire)效應 電流流過兩種不同導體的界面時,將從外界吸收熱量,或向外界放出熱量。這就是帕爾帖效應。由帕爾帖效應產(chǎn)生的熱流量稱作帕爾帖熱,用符號 表示。對帕爾帖效應的物理解釋是:電荷載體在導體中運動形成電流。由于電荷載體在不同的材料中處于不同的能級,當它從高能級向低能級運動時,便釋放出多
3、余的能量;相反,從低能級向高能級運動時,從外界吸收能量。能量在兩材料的交界面處以熱的形式吸收或放出。材料的帕爾貼效應強弱用它相對于某參考材料的帕爾貼系數(shù) 表示(4) 類似的,對于P型半導體和N型半導體組成的電偶,其帕爾貼系數(shù) (或簡單記作 ),有(5) 帕爾貼效應與西伯克效應都是溫差電效應,二者有密切聯(lián)系。事實上,它們互為反效應,一個是說電偶中有溫差存在時會產(chǎn)生電動勢;一個是說電偶中有電流通過時會產(chǎn)生溫差。溫差電動勢率 a 與帕爾貼系數(shù) 之間存在下述關(guān)系(6)式中 T - 結(jié)點處的溫度,K。 3. 湯姆遜效應 電流通過具有溫度梯度的均勻?qū)w時,導體將吸收或放出熱量。這就是湯姆遜效應。由湯姆遜效
4、應產(chǎn)生的熱流量,稱湯姆遜熱,用符號 表示(7)式中 - 湯姆遜系數(shù), ; - 溫度差,K; I - 電流,A。 熱電效應的應用 熱電制冷又稱作溫差電制冷,或半導體制冷,它是利用熱電效應(即帕米爾效應)的一種制冷方法。1834年法國物理學家帕爾帖在銅絲的兩頭各接一根鉍絲,在將兩根鉍絲分別接到直流電源的正負極上,通電后,發(fā)現(xiàn)一個接頭變熱,另一個接頭變冷。這說明兩種不同材料組成的電回路在有直流電通過時,兩個接頭處分別發(fā)生了吸放熱現(xiàn)象。這就是熱電制冷的依據(jù)。半導體材料具有較高的熱電勢可以成功地用來做成小型熱電制冷器。圖1示出N型半導體和P型半導體構(gòu)成的熱電偶制冷元件。用銅板和銅導線將N型半導體和P型半導體連接成一個回路,銅板和銅導線只起導電的作用。此時,一個接點變熱,一個接點變冷。如果電流方向反向,那么結(jié)點處的冷熱作用互易。 熱電制冷器的產(chǎn)
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