涂膠機設(shè)備單機試運轉(zhuǎn)及驗收范例

1、涂膠機設(shè)備單機試運轉(zhuǎn)及驗收范例試運轉(zhuǎn)前應(yīng)檢查以下工程，并應(yīng)在符合要求后進行單機試運轉(zhuǎn)：1環(huán)境溫度應(yīng)為233,相對濕度應(yīng)為30%70%,潔凈度等級應(yīng)不低于 ISO7級，室內(nèi)燈光應(yīng)為黃色；2電源供電電壓允許偏差應(yīng)為額定電壓(380V)的10%,電源頻率偏差允 許應(yīng)為標準頻率(50Hz)的2%；3壓縮空氣進氣壓力應(yīng)為(0.50.7) MPa,進氣流量不小于500L/min；4氮氣供氣壓力應(yīng)為(0.30.4) MPa；5排氣通道應(yīng)通暢，管道直徑應(yīng)不小于10mm；6接地引出端應(yīng)與廠房接地系統(tǒng)穩(wěn)固連接，接地電阻小于4Q。驗收工程應(yīng)符合以下要求：1壓縮空氣氣源接口應(yīng)能承受不小于0.7 MPa的氣源壓力；2氮

2、氣氣源接口應(yīng)能承受不小于0.5MPa的氣源壓力；3自動狀態(tài)下設(shè)備能進行晶片涂膠前清洗，涂膠后去邊動作；4選6英寸圓片2片，8英寸圓片2片，基片上旋涂膜厚3|am4|jm光刻 膠，待基片干燥后，測量基片厚度。按照圖2所示在基片的上、下、左、右、中 五個區(qū)域中隨機各取一點，利用臺階儀對其厚度進行測量，記錄測量值，并計算 出它們的平均值。取基片厚度中的最大值和最小值，使用公式E.1A.2 1得出膜 厚均勻性應(yīng)不大于3%；/二(Hmax- Hmin) /2P(E.1A.2 1)式中：A一基片膜厚均勻性；Hmax基片厚度最大值；Hmin基片厚度最小值；圖涂層厚度均勻性測量點示意圖5選25片8英寸圓片進行

3、膜厚3 |am4|jm光刻膠旋涂，按測試膜厚均勻性 的方法，取得各片的膜厚平均值，計算出本組25片的平均值PAVG取膜厚最 大值和最小值，使用公式E.1A.2 1計算本組晶片的片間均勻性應(yīng)在3%之間；Zb =(Pmax - Pmin)/2Pavg(E.1A.2-1)式中：Zb_基片片間均勻性；Pmax基片膜厚最大值；Pm”一基片膜厚最小值；PMG一基片膜厚平均值。6使用轉(zhuǎn)速儀測量設(shè)備最高轉(zhuǎn)速應(yīng)符合指標要求，測量值與設(shè)定值之間的差 值應(yīng)在土 1 rpm內(nèi)；7按常用工藝溫度要求分別設(shè)置溫控溫度，開啟加熱，待溫度穩(wěn)定后，使用 外表溫度計測量熱板工位區(qū)域上下左右四個點溫度記錄測量值，測量值與溫控儀 顯

4、示值之差不超過1 ;8設(shè)備正常運行時，用聲級計在其水平面四個方向上，離地高度1.2 m,距離 機殼1 m處測量噪聲，以每天暴露時間8 h計，其等效連續(xù)A聲級噪聲不應(yīng)大于 85 dB(A)oE.3去膠機試運轉(zhuǎn)前應(yīng)檢查以下工程，并應(yīng)在符合要求后進行單機試運轉(zhuǎn)：1環(huán)境溫度應(yīng)為233,相對濕度應(yīng)為30%70%,潔凈度等級應(yīng)不低于 ISO8 級；2電源供電電壓允許偏差應(yīng)為額定電壓(380V)的10%,電源頻率偏差允 許應(yīng)為標準頻率(50Hz)的2%；3壓縮空氣進氣壓力應(yīng)為(0,40.6) MPa；4氮氣供氣壓力應(yīng)為(0.40.6) MPa；5氧氣供氣壓力應(yīng)為(0.30.45) MPa；6接地引出端應(yīng)與廠

5、房接地系統(tǒng)穩(wěn)固連接，接地電阻小于4Q。驗收工程應(yīng)符合以下要求：1壓縮空氣氣源接口應(yīng)能承受不小于0.7MPa的氣源壓力;2氮氣氣源接口應(yīng)能承受不小于0.7MPa的氣源壓力；3氧氣氣源接口應(yīng)能承受不小于0.5 MPa的氣源壓力，最大流量不應(yīng)超過1000 seem；4射頻電源功率應(yīng)在（30150） W范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)；5使用6寸和8寸的硅片各5片,外表涂覆厚度為Rm5|am微米的光刻膠， 用輪廓測試儀測量得出厚度，在規(guī)定的去膠時間3min30min內(nèi)去膠結(jié)束后， 利用輪廓測試儀測量剩余膠的厚度，通過公式E.1B.2 1得出去膠速率，應(yīng)滿足 指標要求；1/ - (B-A) /t式中：v 去膠速率；B去膠

6、前光刻膠厚度；力去膠后剩余光刻膠厚度；t規(guī)定去膠時間。6使用6寸和8寸的硅片各3片,外表涂覆一定厚度lum5Hm的膠，在 圖2所示位置用輪廓測試儀測量得出片內(nèi)每點的厚度，在去膠工藝結(jié)束后，再次 測量片內(nèi)每個測試點剩余膠的厚度，通過公式E.1B.2 2計算平均去膠厚度，通 過公式計算每一張硅片的片內(nèi)去膠均勻性，每一張硅片的片內(nèi)去膠均 勻性均應(yīng)不大于10%；(E.1B.2-2)式中：C去膠厚度;Bi一去膠前硅片厚度;Ai去膠后硅片厚度。P = (MAX(Bi-Ai)-MIN(Bi-Ai) )/2C(E.1B.2-3)式中：P去膠均勻性圖硅片測試點示意圖7取6寸和8寸的硅片各5片，根據(jù)硅片尺寸大小分為兩組，按E.1B.2 (6) 提供的方法，算出各組中每一張硅片的平均去膠厚度，通過公式(E.1B.24)計 算出本組5片硅片的平均去膠厚度，再用公式(E.1B.2 5)計算出每一組硅片的 片間去膠均勻性，每一組硅片的片間去膠均勻性均應(yīng)不大于12睨D = UCi/5(E.1B.2-4)式中：D去膠厚度；Ci-一尹均去膠厚度。E= (MAX Ci-MIN Ci ) /2D(E.1