提高內(nèi)量子效率IQEppt課件

1、提高內(nèi)量子效率(IQE)成員：安如陽、易小斌、陳榮昌、葉武海、何超文LED外延構(gòu)造的內(nèi)量子效率(IQE)對芯片的發(fā)光亮度有著決議性的影響。有些人誤解為IQE由MOCVD工藝決議，其實IQE應(yīng)該是由外延資料的設(shè)計決議。而國內(nèi)短少的恰恰是外延構(gòu)造的設(shè)計人才，只會用設(shè)備的人不一定可以長出高質(zhì)量的資料。半導(dǎo)體資料的選擇右圖示出了-及-族元素的帶隙(Bandgap)與晶格常數(shù)(Lattice Constant)的關(guān)系。直接帶隙和間接帶隙半導(dǎo)體，選擇哪一類半導(dǎo)體更能提高內(nèi)量子效率呢？直接帶隙資料的導(dǎo)帶底與價帶頂在同一K空間，電子與空穴可以有效地再復(fù)合，躍遷復(fù)合發(fā)光概率大。發(fā)光復(fù)合發(fā)光概率大對提高發(fā)光效率是

2、必要的，因此發(fā)光二極管經(jīng)常用直接躍遷型能帶構(gòu)造的晶體制造。圖1.直接帶隙圖2.間接帶隙內(nèi)量子效率的定義內(nèi)量子效率int是一個微觀過程復(fù)合載流子產(chǎn)生的光子數(shù)與復(fù)合載流子總數(shù)之比。由于無法去計數(shù)復(fù)合載流子總數(shù)和產(chǎn)生的光子總數(shù)。因此普通是經(jīng)過丈量LED輸出的光功率來評價這一效率。直接躍遷過程比間接躍遷過程簡單，其內(nèi)量子效率取決于少數(shù)載流子的輻射復(fù)合與非輻射復(fù)合的壽命。直接躍遷的內(nèi)量子效率可以表示為從上式可見，提高內(nèi)量子效率主要在于提高資料的純度、完好性和改良PN結(jié)制造工藝的完美性，以降低非輻射復(fù)合中心的濃度。間接躍遷的復(fù)合輻射過程是經(jīng)過一些發(fā)光中心來實現(xiàn)的，這就使得過程復(fù)雜化，間接躍遷過程的內(nèi)量子效

3、率可粗略地表示為恰中選擇發(fā)光中心，使它具有較高的濃度及適當(dāng)?shù)碾婋x能和大的復(fù)合截面，并盡能夠提高資料純度和完好性，以降低焠滅中心的濃度，提高i。復(fù)合的類型輻射型復(fù)合，伴隨光的輻射復(fù)合，電子與空穴復(fù)合釋放的能量產(chǎn)生光子。常見的復(fù)合方式：1、電子與空穴的碰撞復(fù)合、2、經(jīng)過雜質(zhì)能級的復(fù)合、3、經(jīng)過相鄰能級的復(fù)合、4、激子復(fù)合。非輻射型復(fù)合，不伴隨光輻射的復(fù)合，電子與空穴復(fù)合釋放的能量轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃?。常見的?fù)合方式：1、伴隨多數(shù)聲子的復(fù)合、2、俄歇復(fù)合、3、器件外表的復(fù)合。輻射型復(fù)合直接帶隙資料中，電子和空穴復(fù)合時，其發(fā)光躍遷有多種能夠性，如下圖，圖7與圖8是普通AlGaInP紅光LED產(chǎn)生光的原理，而圖9

4、是AlGaInN的藍光及綠光LED的產(chǎn)生原理a.帶間復(fù)合b.自在激子相互抵消c.在能帶勢能動搖區(qū)，部分束縛激子的復(fù)合因雜質(zhì)而產(chǎn)生的發(fā)光再復(fù)合過程a.受主與導(dǎo)帶復(fù)合b.施主與價帶復(fù)合c.施主與受主復(fù)合d.激子的再復(fù)合輻射和非輻射之間的競爭決議了LED的內(nèi)量子效率：式中， 非輻射復(fù)合中心密度 非輻射復(fù)合中心能級密度 輻射復(fù)合中心密度 輻射復(fù)合中心能級密度 非輻射復(fù)合概率 輻射復(fù)合概率 n、p 自在電子和空穴濃度 由內(nèi)量子效率的表達式可以顯而易知，發(fā)光中心密度大，非輻射復(fù)合中心密度小，發(fā)光中心淺，自在電子密度越大，那么內(nèi)量子效率越高。 制造發(fā)光二極管的原資料和各道加工工藝均要防止非輻射復(fù)合中心如位錯

5、和深能級雜質(zhì)的引入，這是提高內(nèi)量子效率的重要措施。異質(zhì)構(gòu)造異質(zhì)結(jié)是由兩塊不同帶隙能量的單晶半導(dǎo)體銜接而成的。理想的異質(zhì)結(jié)是由晶格參數(shù)失配很小小于0.1%的資料制成。雙異質(zhì)構(gòu)造雙異質(zhì)結(jié)是由一層窄帶隙P型有源層夾在n型和p型的寬帶隙導(dǎo)電層中。雙異質(zhì)結(jié)添加了有源區(qū)中過剩載流子的濃度，從而添加了輻射復(fù)合的概率。雙異質(zhì)結(jié)LED的能帶圖利用異質(zhì)構(gòu)造，會使得資料組分的變化引起帶隙的變化。當(dāng)然，單異質(zhì)構(gòu)造和雙異質(zhì)構(gòu)造都要求資料之間具有較好的晶格匹配。晶格常數(shù)相差較大，異質(zhì)界面上會產(chǎn)生很高的缺陷通常是位錯密度，晶格缺陷會導(dǎo)致非輻射復(fù)合。雙異質(zhì)構(gòu)造中的有源層變薄能添加輻射復(fù)合概率和減小再吸收。量子阱量子阱構(gòu)造QW

6、：有源層的厚度可以和晶體中電子的德布羅意波長相比較或比它小，載流子會被量子限域。量子阱構(gòu)造是異質(zhì)構(gòu)造的一種特殊構(gòu)造。量子阱能帶圖電子阻撓層的量子阱在量子阱和P型導(dǎo)電層之間以帶隙更寬的P型資料Eg3Eg1Eg2制造電子阻撓層，防止電子漏入P型導(dǎo)電區(qū)來提高注入效率。有源層是一個右邊和左邊勢壘為U1和U2的非對稱QW多量子阱多量子阱：兩種不同半導(dǎo)體資料薄層交替生長構(gòu)成的多層構(gòu)造，勢壘層足夠厚，相鄰勢阱之間載流子波函數(shù)之間耦合很小，多層構(gòu)造構(gòu)成許多分別的量子阱。簡單而言，就是由多個勢阱構(gòu)成的量子阱構(gòu)造。上圖是雙異質(zhì)構(gòu)造以下圖是多量子阱構(gòu)造比較4個500埃厚的量子阱，2000埃厚及7500埃厚的DH 在

7、室溫，592nm時的發(fā)光效率與電流的關(guān)系。光子循環(huán)光子循環(huán)是自發(fā)的光沒有被吸收而被活性層吸收再變成載流子，可以節(jié)省電流、添加內(nèi)量子效率。光子循環(huán)有個局限性，就是大面積才會有明顯的效果。改良內(nèi)部構(gòu)造1.改善電流分布簡單引見一下資料參數(shù)和構(gòu)造對IQE的影響雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)造：兩側(cè)的覆層Cladding Layer的禁帶寬度要大于活性層Active Layer，AL采用量子阱構(gòu)造能更好的限制載流子，提高IQE。然而，采用量子阱AL，妨礙載流子在相鄰阱的挪動，所以采用多量子阱構(gòu)造，Barrier需求足夠透明低和薄以 防止載流子在每個阱內(nèi)的不均勻分配。活性層Active Layer活性層Active Laye

8、r厚度也對IQE有很大影響，不能太厚，也不能太薄，每種資料有其最正確范圍?；钚詫訁㈦s：活性層絕對不可以重參雜，要么輕參雜，低過覆層Cladding Layer的參雜濃度，每種資料有其最正確范圍，活性層經(jīng)常也不參雜?；钚詫舆\用p型參雜多過運用n型參雜，p型參雜可以確保載流子在活性層內(nèi)的均勻分布。活性層參雜有益處也有害處，參雜濃度添加，輻射載流子的壽命縮短，導(dǎo)致輻射效率添加。但是，高濃度參雜也引入缺陷。有趣的是MOCVD生長在有些時候還依賴于參雜，雜質(zhì)可以作為外表活化劑，添加外表分散系數(shù)，從而改善晶體質(zhì)量。例如，InGaN運用Si參雜可以改善晶體質(zhì)量。覆層參雜覆層Cladding Layer參雜：

9、覆層的電阻率是決議覆層濃度的重要參數(shù)，濃度一定要低到缺乏以在覆層中產(chǎn)生熱效應(yīng)，但是覆層參雜又必需高過活性層AL用來定義PN結(jié)的位置。每種資料有其最正確范圍。但是p型濃度典型要高過n型。覆層中p型雜質(zhì)濃度過低將使電子從AL中逸出，從而降低IQE。晶體中雜質(zhì)和缺陷紅外輻射復(fù)合中心：禁帶中構(gòu)成深能級的Au、Cu、Cr等重金屬，Na、Li等堿金屬，以及O、C等元素。非輻射復(fù)合中心:晶體中的位錯是PN結(jié)面不平而導(dǎo)致輻射不均勻或者使雜質(zhì)向位錯線集結(jié)。PN結(jié)移位：PN結(jié)移位會影響IQE，特別是Zn、Be等小原子，可以隨便分散過活性層(AL)，到下覆層(CL)。同時，Zn、Be的分散系數(shù)非常依賴濃度，當(dāng)濃度超

10、越極限，分散速度大大提高，所以制造時必需格外小心。資料中存在紅外輻射復(fù)合中心和非輻射復(fù)合中心會減低可見光的發(fā)光效率。晶格匹配：晶格不匹配增大，晶格位錯線呈現(xiàn)黑色，導(dǎo)致IQE下降。雖然GaAs和InP中晶格匹配與IQE有很強的關(guān)系，但GaN中這種關(guān)系卻不明顯，這主要是GaN中位錯的電學(xué)活性很低，另外，載流子在GaN的分散長度很短，假設(shè)位錯間的平均間隔大于分散長度，特別是空穴的分散長度，那么位錯上的非輻射復(fù)合就不嚴(yán)重。另外一種解釋是，InGaN之所以具有高效率是由于化合物的成分動搖限制了載流子分散到位錯線。緩沖層在襯底上生長一層緩沖層可以減少因外延層與襯底間晶格失配引起的大量位錯。例如在藍寶石襯底上生長簡單GaN緩沖層其位錯密度仍在108109個每平方厘米，但是經(jīng)過側(cè)向過生長外延GaN緩沖層，改良緩沖工藝，可