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文檔簡介

1、Good is good, but better carries it.精益求精,善益求善。CPU芯片的制作過程轉(zhuǎn)載自21IC.comCPU是計算機的心臟,它是決定計算機性能的最重要的部件。同樣CPU也是現(xiàn)代社會飛速運轉(zhuǎn)的動力源泉,在任何電子設(shè)備上都可以找到微芯片的身影。不過能完成復(fù)雜功能的CPU確是以沙子為原料做成的,不得不驚嘆于人類的智慧!Intel公布了大量圖文資料,詳細(xì)展示了從沙子到芯片的全過程,滿足你的好奇心。簡單地說,處理器的制造過程可以大致分為沙子原料(石英)、硅錠、晶圓、光刻(平版印刷)、蝕刻、離子注入、金屬沉積、金屬層、互連、晶圓測試與切割、核心封裝、等級測試、包裝上市等諸多

2、步驟,而且每一步里邊又包含更多細(xì)致的過程。下邊就圖文結(jié)合,一步一步看看:=CPU制造:第一階段圖文直播:沙子:硅是地殼內(nèi)第二豐富的元素,而脫氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25的硅元素,以二氧化硅(SiO2)的形式存在,這也是半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。(原文件名:1.jpg)HYPERLINK/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=3620831&bbs_page_no=1&bbs_id=2060l#引用圖片硅熔煉:12英寸/300毫米晶圓級,下同。通過多步凈化得到可用于半導(dǎo)體制造質(zhì)量的硅,學(xué)名電子級硅(EGS),平均每一百萬個硅原子中最多只有一個雜質(zhì)原子。此圖展示了是如何通過硅凈

3、化熔煉得到大晶體的,最后得到的就是硅錠(Ingot)。(原文件名:2.jpg)HYPERLINK/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=3620831&bbs_page_no=1&bbs_id=2060l#引用圖片單晶硅錠:整體基本呈圓柱形,重約100千克,硅純度99.9999。(原文件名:3.jpg)HYPERLINK/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=3620831&bbs_page_no=1&bbs_id=2060l#引用圖片=CPU制造:第二階段圖文直播:硅錠切割:橫向切割成圓形的單個硅片,也就是我們常說的晶圓(Wafer)。順便說,這下知道為什么晶

4、圓都是圓形的了吧?(原文件名:4.jpg)HYPERLINK/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=3620831&bbs_page_no=1&bbs_id=2060l#引用圖片晶圓:切割出的晶圓經(jīng)過拋光后變得幾乎完美無瑕,表面甚至可以當(dāng)鏡子。事實上,Intel自己并不生產(chǎn)這種晶圓,而是從第三方半導(dǎo)體企業(yè)那里直接購買成品,然后利用自己的生產(chǎn)線進(jìn)一步加工,比如現(xiàn)在主流的45nmHKMG(高K金屬柵極)。值得一提的是,Intel公司創(chuàng)立之初使用的晶圓尺寸只有2英寸/50毫米。(原文件名:5.jpg)HYPERLINK/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=36208

5、31&bbs_page_no=1&bbs_id=2060l#引用圖片=CPU制造:第三階段圖文直播:光刻膠(PhotoResist):圖中藍(lán)色部分就是在晶圓旋轉(zhuǎn)過程中澆上去的光刻膠液體,類似制作傳統(tǒng)膠片的那種。晶圓旋轉(zhuǎn)可以讓光刻膠鋪的非常薄、非常平。(原文件名:6.jpg)HYPERLINK/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=3620831&bbs_page_no=1&bbs_id=2060l#引用圖片光刻一:光刻膠層隨后透過掩模(Mask)被曝光在紫外線(UV)之下,變得可溶,期間發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)類似按下機械相機快門那一刻膠片的變化。掩模上印著預(yù)先設(shè)計好的電路圖案,紫外線透

6、過它照在光刻膠層上,就會形成微處理器的每一層電路圖案。一般來說,在晶圓上得到的電路圖案是掩模上圖案的四分之一。(原文件名:7.jpg)HYPERLINK/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=3620831&bbs_page_no=1&bbs_id=2060l#引用圖片光刻二:由此進(jìn)入50-200納米尺寸的晶體管級別。一塊晶圓上可以切割出數(shù)百個處理器,不過從這里開始把視野縮小到其中一個上,展示如何制作晶體管等部件。晶體管相當(dāng)于開關(guān),控制著電流的方向。現(xiàn)在的晶體管已經(jīng)如此之小,一個針頭上就能放下大約3000萬個。(原文件名:8.jpg)HYPERLINK/bbs/bbs_cont

7、ent.jsp?bbs_sn=3620831&bbs_page_no=1&bbs_id=2060l#引用圖片=CPU制造:第四階段圖文直播:溶解光刻膠:光刻過程中曝光在紫外線下的光刻膠被溶解掉,清除后留下的圖案和掩模上的一致。(原文件名:9.jpg)HYPERLINK/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=3620831&bbs_page_no=1&bbs_id=2060l#引用圖片蝕刻:使用化學(xué)物質(zhì)溶解掉暴露出來的晶圓部分,而剩下的光刻膠保護(hù)著不應(yīng)該蝕刻的部分。(原文件名:10.jpg)HYPERLINK/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=3620831&

8、bbs_page_no=1&bbs_id=2060l#引用圖片清除光刻膠:蝕刻完成后,光刻膠的使命宣告完成,全部清除后就可以看到設(shè)計好的電路圖案。(原文件名:11.jpg)HYPERLINK/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=3620831&bbs_page_no=1&bbs_id=2060l#引用圖片=CPU制造:第五階段圖文直播:光刻膠:再次澆上光刻膠(藍(lán)色部分),然后光刻,并洗掉曝光的部分,剩下的光刻膠還是用來保護(hù)不會離子注入的那部分材料。(原文件名:12.jpg)HYPERLINK/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=3620831&bbs_pag

9、e_no=1&bbs_id=2060l#引用圖片離子注入(IonImplantation):在真空系統(tǒng)中,用經(jīng)過加速的、要摻雜的原子的離子照射(注入)固體材料,從而在被注入的區(qū)域形成特殊的注入層,并改變這些區(qū)域的硅的導(dǎo)電性。經(jīng)過電場加速后,注入的離子流的速度可以超過30萬千米每小時。(原文件名:13.jpg)HYPERLINK/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=3620831&bbs_page_no=1&bbs_id=2060l#引用圖片清除光刻膠:離子注入完成后,光刻膠也被清除,而注入?yún)^(qū)域(綠色部分)也已摻雜,注入了不同的原子。注意這時候的綠色和之前已經(jīng)有所不同。(原文件

10、名:14.jpg)HYPERLINK/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=3620831&bbs_page_no=1&bbs_id=2060l#引用圖片=CPU制造:第六階段圖文直播:晶體管就緒:至此,晶體管已經(jīng)基本完成。在絕緣材(品紅色)上蝕刻出三個孔洞,并填充銅,以便和其它晶體管互連。(原文件名:15.jpg)HYPERLINK/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=3620831&bbs_page_no=1&bbs_id=2060l#引用圖片電鍍:在晶圓上電鍍一層硫酸銅,將銅離子沉淀到晶體管上。銅離子會從正極(陽極)走向負(fù)極(陰極)。(原文件名:16.j

11、pg)HYPERLINK/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=3620831&bbs_page_no=1&bbs_id=2060l#引用圖片銅層:電鍍完成后,銅離子沉積在晶圓表面,形成一個薄薄的銅層。(原文件名:17.jpg)HYPERLINK/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=3620831&bbs_page_no=1&bbs_id=2060l#引用圖片=CPU制造:第七階段圖文直播:拋光:將多余的銅拋光掉,也就是磨光晶圓表面。(原文件名:18.jpg)HYPERLINK/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=3620831&bbs_pa

12、ge_no=1&bbs_id=2060l#引用圖片金屬層:晶體管級別,六個晶體管的組合,大約500納米。在不同晶體管之間形成復(fù)合互連金屬層,具體布局取決于相應(yīng)處理器所需要的不同功能性。芯片表面看起來異常平滑,但事實上可能包含20多層復(fù)雜的電路,放大之后可以看到極其復(fù)雜的電路網(wǎng)絡(luò),形如未來派的多層高速公路系統(tǒng)。(原文件名:19.jpg)HYPERLINK/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=3620831&bbs_page_no=1&bbs_id=2060l#引用圖片=CPU制造:第八階段圖文直播:晶圓測試:內(nèi)核級別,大約10毫米/0.5英寸。圖中是晶圓的局部,正在接受第一次功

13、能性測試,使用參考電路圖案和每一塊芯片進(jìn)行對比。(原文件名:20.jpg)HYPERLINK/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=3620831&bbs_page_no=1&bbs_id=2060l#引用圖片晶圓切片(Slicing):晶圓級別,300毫米/12英寸。將晶圓切割成塊,每一塊就是一個處理器的內(nèi)核(Die)。(原文件名:21.jpg)HYPERLINK/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=3620831&bbs_page_no=1&bbs_id=2060l#引用圖片丟棄瑕疵內(nèi)核:晶圓級別。測試過程中發(fā)現(xiàn)的有瑕疵的內(nèi)核被拋棄,留下完好的準(zhǔn)備進(jìn)入下一

14、步。(原文件名:22.jpg)HYPERLINK/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=3620831&bbs_page_no=1&bbs_id=2060l#引用圖片=CPU制造:第九階段圖文直播:單個內(nèi)核:內(nèi)核級別。從晶圓上切割下來的單個內(nèi)核,這里展示的是Corei7的核心。(原文件名:23.jpg)HYPERLINK/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=3620831&bbs_page_no=1&bbs_id=2060l#引用圖片封裝:封裝級別,20毫米/1英寸。襯底(基片)、內(nèi)核、散熱片堆疊在一起,就形成了我們看到的處理器的樣子。襯底(綠色)相當(dāng)于一個底

15、座,并為處理器內(nèi)核提供電氣與機械界面,便于與PC系統(tǒng)的其它部分交互。散熱片(銀色)就是負(fù)責(zé)內(nèi)核散熱的了。(原文件名:24.jpg)HYPERLINK/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=3620831&bbs_page_no=1&bbs_id=2060l#引用圖片處理器:至此就得到完整的處理器了(這里是一顆Corei7)。這種在世界上最干凈的房間里制造出來的最復(fù)雜的產(chǎn)品實際上是經(jīng)過數(shù)百個步驟得來的,這里只是展示了其中的一些關(guān)鍵步驟。(原文件名:25.jpg)HYPERLINK/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=3620831&bbs_page_no=1&bbs_id=2060l#引用圖片=CPU制造:第十階段圖文直播:等級測試:最后一次測試,可以鑒別出每一顆處理器的關(guān)鍵特性,比如最高頻率、功耗、發(fā)熱量等,并決定處理器的等級,比如適合做成最高端的Corei7-975Extreme,還是低端型號Corei7-920。(原文件名:26.jpg)HYPERLINK/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=3620831&bbs_page_no=1&bbs_id=2060l#引用圖片裝箱:根據(jù)等級測試結(jié)果將同樣

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