《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》（第五版）教學(xué)課件：第7章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器

1、第七章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器第七章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器7.1 概述能存儲(chǔ)大量二值信息的器件一、一般結(jié)構(gòu)形式輸入/出電路I/O輸入/出控制！單元數(shù)龐大！輸入/輸出引腳數(shù)目有限二、分類(lèi)1、從存/取功能分：只讀存儲(chǔ)器(Read-Only-Memory）隨機(jī)讀/寫(xiě)（Random-Access-Memory）2、從工藝分：雙極型MOS型7.2 ROM7.2.1 掩模ROM一、結(jié)構(gòu)二、舉例地 址數(shù) 據(jù)A1A0D3D2D1D0000101011011100100111110A0An-1W0W(2n-1)D0Dm兩個(gè)概念：存儲(chǔ)矩陣的每個(gè)交叉點(diǎn)是一個(gè)“存儲(chǔ)單元”，存儲(chǔ)單元中有器件存入“1”，無(wú)器件存入“0”存儲(chǔ)器的容量：“字

2、數(shù) x 位數(shù)”掩模ROM的特點(diǎn)：出廠時(shí)已經(jīng)固定，不能更改，適合大量生產(chǎn)簡(jiǎn)單，便宜，非易失性7.2.2 可編程ROM（PROM）總體結(jié)構(gòu)與掩模ROM一樣，但存儲(chǔ)單元不同7.2.2 可編程ROM（PROM）總體結(jié)構(gòu)與掩模ROM一樣，但存儲(chǔ)單元不同寫(xiě)入時(shí)，要使用編程器7.2.3 可擦除的可編程ROM（EPROM）總體結(jié)構(gòu)與掩模ROM一樣，但存儲(chǔ)單元不同一、用紫外線擦除的PROM（UVEPROM）二、電可擦除的可編程ROM（E2PROM）總體結(jié)構(gòu)與掩模ROM一樣，但存儲(chǔ)單元不同三、快閃存儲(chǔ)器（Flash Memory）為提高集成度，省去T2（選通管）改用疊柵MOS管（類(lèi)似SIMOS管）7.3 隨機(jī)存儲(chǔ)

3、器RAM7.3.1 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）一、結(jié)構(gòu)與工作原理二、SRAM的存儲(chǔ)單元六管N溝道增強(qiáng)型MOS管7.3.2* 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元是利用MOS管柵極電容可以存儲(chǔ)電荷的原理7.4 存儲(chǔ)器容量的擴(kuò)展7.4.1 位擴(kuò)展方式適用于每片RAM,ROM字?jǐn)?shù)夠用而位數(shù)不夠時(shí)接法：將各片的地址線、讀寫(xiě)線、片選線并聯(lián)即可例：用八片1024 x 1位 1024 x 8位的RAM7.4.2 字?jǐn)U展方式適用于每片RAM,ROM位數(shù)夠用而字?jǐn)?shù)不夠時(shí)1024 x 8RAM例：用四片256 x 8位1024 x 8位 RAM0001110110111011011111100001110110111011011111107.5 用存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)組合邏輯函數(shù)一、基本原理從ROM的數(shù)據(jù)表可見(jiàn)：若以地址線為輸入變量，則數(shù)據(jù)線即為一組關(guān)于地址變量的邏輯函數(shù)地 址數(shù) 據(jù)A1A0D3D2D1D0000101011011100100111110A0An-1W0W(2n-1)7.5 用存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)組合邏輯函數(shù)一、基本原理從ROM的數(shù)據(jù)表可見(jiàn)：若以地址線為輸入變量，則數(shù)據(jù)線即為一組關(guān)于地址變量的邏輯函數(shù)地 址數(shù) 據(jù)A1A0D3D2D1D000010101101