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文檔簡介
1、儀器分析課程第五章 伏安與極譜分析(二)廈門大學(xué)精品課程儀器分析(含實(shí)驗(yàn))二、影響擴(kuò)散電流的主要因素1被測物質(zhì)的濃度 id=kc c id但汞滴滴落時(shí)間若過短(2s),則擴(kuò)散電流與濃度不成線性關(guān)系(由于下滴速度過快而攪動(dòng)溶液,使電流增大),最合適的汞滴下落時(shí)間為36秒=t時(shí)(t:滴汞落下時(shí)間t=max)則 imax=708nD1/2m2/31/6c擴(kuò)散電流隨的增大而增大至汞滴落下時(shí)為最大,在實(shí)際應(yīng)用中應(yīng)該測量在汞滴落下時(shí)間內(nèi)的平均擴(kuò)散電流。平均極限擴(kuò)散電流id=1/t0tdt=607 nD1/2m2/3t1/6c(25) 尤考維奇方程id=kc=6/7 imax測量峰高的方法測量峰高的方法2毛
2、細(xì)管特性(m2/3t1/6,毛細(xì)管常數(shù)) idm2/3t1/6影響m,t的因素均會(huì)引起擴(kuò)散電流的變化,如汞柱高度和滴汞電極電位等。汞柱高度的影響:由于汞流速與汞柱壓力p成正比,m = kp,而滴落時(shí)間則與汞柱壓力 p成反比 t = k2/p m2/3t1/6 =(k21/6k12/3)/p1/2 idm2/3t1/6 idp1/2h1/2實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,汞柱高度提高1 cm,擴(kuò)散電流增加 2%溫度的影響 擴(kuò)散電流方程式 id=607 nD1/2m2/3t1/6c中,除反應(yīng)電子轉(zhuǎn)移數(shù)n以外,其余各項(xiàng)都是溫度的函數(shù),室溫下,擴(kuò)散電流的溫度系數(shù)約為1.3%/,實(shí)驗(yàn)中要求控溫在正負(fù)0.5以內(nèi)。三、極譜分
3、析中的干擾電流 (一)殘余電流:電解電流和充電電流在外加電壓未到達(dá)被測物質(zhì)的分解電壓,仍有微小的電流通過電解池,一般為10-1A1電解電流,易于在DME上還原的微量雜質(zhì)如O2,Cu2+, Fe3+等,量值很小,通??赏ㄟ^除O2,純化試劑等手段減小。2充電電流,引起殘余電流的主要原因。在KCl溶液中,經(jīng)研究表明滴汞的表面電荷,表面引力與施加電壓有如下關(guān)系。當(dāng)E-0.56V時(shí),滴汞表面帶負(fù)電荷。(1)當(dāng)P、A相觸,DME與SCE短路,DME與SCE具有相同的正電位,滴汞表面帶正電荷(結(jié)合表面電荷與電壓關(guān)系圖說明)汞滴表面排斥溶液中的正離子,吸引負(fù)離子,形成雙電層,相當(dāng)于一個(gè)電容器。如果汞滴面積不變
4、,在汞滴雙電層上充以相當(dāng)?shù)碾姾擅芏榷蛊渚哂懈使姌O的電位時(shí),充電就停止。電容電流很快趨向零。但由于汞滴不斷下落,面積在不斷變化,為保持一定的電荷密度,使之與SCE具有相同的正電位,必須不斷地向汞滴雙電層充電,所以產(chǎn)生了連續(xù)不斷的電容電流。只有當(dāng)P在C點(diǎn)時(shí)(KCl溶液E=-0.56V)時(shí),汞滴不帶電荷,故不存在雙電層,電容電流為零。當(dāng)P繼續(xù)向B移動(dòng)至接觸,外加電壓向汞滴充電,汞滴表面帶負(fù)電荷,不產(chǎn)生電容電流。為解決充電電流問題,促使新極譜方法的提出,如方波、脈沖等。 (二)遷移電流由于電極時(shí)被分析離子的靜電吸引力,而使更多的離子趨向電極表面,并在電極上還原所產(chǎn)生的電流。電荷的移動(dòng)形成電流!消除
5、:通過加入大量惰性電解質(zhì)如KCl,KNO3,NH4Cl等。一般C惰性 50100C分析(三)極譜極大 1現(xiàn)象:被測物在滴汞電極上還原或氧化時(shí),隨外加電壓的增加在極譜波的前部電流急劇增大到一極大值,隨后有降到正常的擴(kuò)散電流數(shù)值。2原因:與毛細(xì)管有關(guān)毛細(xì)管末端對電極屏蔽作用滴汞電極表面極化不均勻,汞滴上部屏蔽作用大汞滴下部電流密度上部汞滴下部電位7) 第二波:2H+H2O2+2eH2O (pH7) H2O2+2e2OH (pH7)第一波半波電位約0.2V(vs.SCE)第二波半波電位約0.9V(vs.SCE)室溫中空氣飽和溶液中含氧約 8ppm (2.5 104M) 氧的極譜圖1 空氣飽和0.05mol/lKCl溶液2 溶液中+0.02%動(dòng)物膠3 2中通N2除O22.2.消除:通惰性氣體,常用N2pH7溶液中用Na2S2O3pH7通N2,強(qiáng)酸中用Na2CO3或Fe粉(五)其他干擾元素: 1共存物重疊干擾,
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