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文檔簡介

1、晶閘管制造工藝流程圖解主講：楊傳東硅 單 晶N-基區(qū)鋁鎵擴(kuò)散N-PP氧 化NpPSiO2SiO2正 刻N(yùn)-PPSiO2SiO2發(fā)射區(qū)磷擴(kuò)散N-PPN+SiO2SiO2磷擴(kuò)散后漂去氧化層N-PPN+割 圓燒 結(jié)N-PPMON+AL陰極鍍膜N-PPMON-ALAL鋁 反 刻N(yùn)-PPMOALALN+臺面造型N-PPMOALALN+磨一角和二角，圖中未顯示實(shí)際的磨角結(jié)構(gòu)PNPN+AL臺面保護(hù)N-PPMORTVALN+實(shí)際的晶閘管縱向結(jié)構(gòu)ALRTVN+AKG高溫固化及存儲芯片測試門極參數(shù)：VGT，IGT 25通態(tài)參數(shù)：VTM，IH，di/dt 25 DV/DT， 125斷態(tài)參數(shù)：VDRM/IDRM VR

2、RM/IRRM 25 125開關(guān)參數(shù)：tgt 25 tq 25按客戶其他要求測試可控硅成管成管封裝示意可控硅芯片門極引線銀片定位帶陶瓷環(huán)臺面銅塊陽極陰極臺面銅塊成管測試門極參數(shù): VGT，IGT 25通態(tài)參數(shù): VTM，IH，di/dt 25 DV/DT， 125斷態(tài)參數(shù): VDRM/IDRM VRRM/IRRM 25 125開關(guān)參數(shù): tgt 25 tq 25按客戶其他要求測試包 裝 入 庫發(fā) 貨祝大家工作生活愉快可控硅結(jié)構(gòu)術(shù)語 陰極發(fā)射區(qū)N-PPMORTVALN+鉬基片長基區(qū)短基區(qū) 陽極區(qū)短路點(diǎn)門極可控硅芯片各個結(jié)構(gòu)件的功能陰極發(fā)射區(qū)可控硅的陰極影響的主要參數(shù)，IGT，VGT，IH，VDRM/IDRM，DV/DT，VTM，DI/DT短基區(qū)可控硅的門極的引出影響的主要參數(shù):IGT，VGT，IH，tgt,VDRM/IDRM，DV/DT，VTM，DI/DT長基區(qū)承受可控硅的正反向阻斷電壓影響的主要參數(shù)，IGT，VGT，IH，tq,VDRM/IDRM，VRRM/IRRM，DV/DT，VTM陽極區(qū)可控硅的陽極影響的主要參數(shù):ITSM，VRRM/IRRM，VTM可控硅的結(jié)構(gòu)和符號：1、結(jié)構(gòu)：四層半導(dǎo)體N1P2N2P1J1J2J3三個PN結(jié)三個電極陽極A：從P1引出陰極K：從N2引出控制極G：從P2

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