常用半導(dǎo)體材料

1、第一章常用半導(dǎo)體材料一、選擇題1、PN結(jié)加正向電壓時(shí)，耗盡層將（）A.變窄B.基本不變C.變寬D.不確定2、當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)和集電結(jié)應(yīng)為（）A.前者正偏、后者正偏B.前者正偏、后者反偏C.前者反偏、后者正偏D.前者反偏、后者反偏3、在一個(gè)由NPN型晶體管構(gòu)成的放大電路中，關(guān)于晶體管三個(gè)電極的電位，下列說法正確的是（）A.集電極電位一定最高B.集電極電位一定最低C.發(fā)射極電位一定最高D.基極電位一定最低4、在基本共射極放大電路中，若適當(dāng)增加RC,則電壓放大倍數(shù)和輸出電阻將分別變化為（）A.放大倍數(shù)變大，輸出電阻變大B.放大倍數(shù)變大，輸出電阻不變C.放大倍數(shù)變小，輸出電阻變大D.放大

2、倍數(shù)變小，輸出電阻變小TOC o 1-5 h z5、晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的偏置情況是（）。A.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏B.發(fā)射結(jié)、集電結(jié)反偏C.發(fā)射結(jié)、集電結(jié)均正偏D.發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏6、工作在放大區(qū)的三極管，如果當(dāng)IB從12yA增大到22yA時(shí)，IC從1mA增加到2mA,那BC么它的卩約為（）A83B91C100D1677、當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管的反向飽和電流將（）A增大B減小C不變D變化趨勢(shì)不明顯8、在本征半導(dǎo)體中加入元素可形成N型半導(dǎo)體，加入元素可形成P型半導(dǎo)體。（）A、六價(jià)；三價(jià)B、五價(jià)，三價(jià)C、三價(jià)；六價(jià)D、三價(jià)；五價(jià)9、某NPN型三極管的輸出特性曲線如圖所示，當(dāng)V

3、ce=6V時(shí)，其電流放大系數(shù)卩為（）CEA、0=100B、C、D、卩=25卩=150卩=50)10、當(dāng)穩(wěn)壓管在正常穩(wěn)壓工作時(shí)，其兩端施加的外部電壓的特點(diǎn)為（A.反向偏置但不擊穿B.正向偏置但不擊穿C.正向偏置且被擊穿D.反向偏置且被擊穿11、雙極型晶體管工作在飽和區(qū)的偏置條件是（）。A.發(fā)射結(jié)正偏；集電結(jié)正偏B.發(fā)射結(jié)正偏；集電結(jié)反偏C.發(fā)射結(jié)反偏；集電結(jié)正偏D.發(fā)射結(jié)反偏；集電結(jié)反偏12、在某放大電路中，測(cè)的三極管三個(gè)電極的靜態(tài)電位分別為0V，-10V，-9.3V,則這只三極管是（）。A.NPN型硅管B.NPN型鍺管PNP型硅管D.PNP型鍺管13、PN結(jié)加正向電壓時(shí)，其正向電流是由（）的。

4、A.多數(shù)載流子擴(kuò)散形成B.多數(shù)載流子漂移形成C.少數(shù)載流子擴(kuò)散形成D.少數(shù)載流子漂移形成TOC o 1-5 h z14、工作在放大狀態(tài)的晶體三極管，流過發(fā)射結(jié)的電流主要是（）A.漂移電流B.復(fù)合電流C.穿透電流D.擴(kuò)散電流15、當(dāng)溫度升高時(shí)，晶體管的“、ICBO和uBE的變化情況為（）A、增加,/CB0和UBE減小和ICBO增加，UBe減小C、和UBE減小,/CB0增加、B、ICBO和Ube都增加16、場(chǎng)效應(yīng)管（FET）本質(zhì)上是一個(gè)（）A、電流控制電流源器件B、電流控制電壓源器件C、電壓控制電流源器件D、電壓控制電壓源器件17、在某放大電路中，測(cè)得晶體管三個(gè)極的靜態(tài)電位分別為OV、11.3V和

5、12V,貝9這只三極管是（）A、NPN型硅管B、NPN型鍺管C、PNP型硅管D、PNP型鍺管18、穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在（）A、正向?qū)˙、正向擊穿C、反向截止D、反向擊穿19、下列三極管中，一定工作在放大狀態(tài)的是（）oV9.33V71.x2廠、5.7%6V163V5VABCD20、PN結(jié)反向偏置電壓的數(shù)值增大，但小于擊穿電壓，則（）A、其反向電流增大B、其反向電流減小C、其反向電流基本不變D、其正向電流增大21、二極管的反向飽和電流在20C時(shí)是5yA,溫度每升高10C，其值增大一倍，當(dāng)溫度為40C時(shí)，反向飽和電流值為（）A、10pAB、15yAC、20yAD、40yA22、A、C、N溝道增

6、強(qiáng)型MOS管D、N溝道耗盡型MOS管23、共發(fā)射極接法的晶體管，工作在放大狀態(tài)下，對(duì)直流而言其（）出均A、輸入具有近似的恒壓特性，而輸題具有5恒流別測(cè)得兩個(gè)放輸出均中三極的恒流特極電位如圖C、輸入和輸出均具有近似的恒壓特性5所示輸入具有近似們的管腳性，分而輸出具有恒壓魅并判斷性這兩個(gè)三極管是NPN型還是PNP型，硅管還是鍺管。梓打2324、測(cè)得放大電路中三極管各極電位如圖，貝則該三極f為（）A、NPN型硅管B、NPN型鍺管C、PNP型硅管D、PNP型鍺管（a）25、二極管加正向電壓時(shí)，其正向電流是由題的前提是兩個(gè)三極管均工作在放大區(qū)。）A、多數(shù)載流子擴(kuò)散形成B、多數(shù)載流子漂發(fā)射極CC、3少數(shù)基

7、流子瞟移形成集）電極數(shù)載三極管流子擴(kuò)散形成類型是NPN鍺管。（b）2一發(fā)射極e,3一一級(jí)b,1一電極c,三極管二、填空題類型是PNP硅管。1、二極管最主要的特性是。加正向電壓，加反向電壓截止。TOC o 1-5 h z2、半導(dǎo)體中有兩種載流子，即和。3、本征硅中摻入5價(jià)元素的原子，則多數(shù)載流子是，摻雜越多，則其數(shù)量越；相反少數(shù)載流子是，摻雜越多，則其數(shù)量越。4、半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是由形成的，少數(shù)載流子是由產(chǎn)生的。5、PN結(jié)外加反向電壓時(shí)其空間電荷區(qū)寬度將，PN結(jié)中電流占優(yōu)勢(shì)。6、溫度升高時(shí)，二極管的反向飽和電流將_。7、當(dāng)溫度升高時(shí)，晶體管的輸出特性曲線之間的間隔。8、工作在放大區(qū)的某三極管，如果當(dāng)IB從12yA增大到22yA時(shí)，IC從1mA變?yōu)?mA，那BC、計(jì)算題1、在下圖所示穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路中，已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓電壓UZ=6V，最小穩(wěn)定電流5mA，最大穩(wěn)定電流125mAZminZmax負(fù)載電阻R6000。求：限流電阻R的L么它的卩約為。取值范圍。R?1O-M=IOV0/2)1T1O2、電路如圖（a）所示，其輸入電壓ul1和ul2的波形如圖（b）所示，二極管導(dǎo)通電壓UD并標(biāo)出幅值。3、電路如圖所示，設(shè)所有穩(wěn)壓管均為硅管（正向?qū)妷簽閂d=0.7V）,且穩(wěn)定電壓V=8V,已知Vi=15sineYV）,試畫出v的波形