01 第四章 常用半導(dǎo)體器件原理

1、模擬電子電路與技術(shù)基礎(chǔ)西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院主講教師：張進(jìn)成1教材：模擬電子電路及技術(shù)基礎(chǔ)（第二版），孫肖子主編，西安電子科技大學(xué)出版社，2008年1月授課順序：第二篇（半導(dǎo)體器件及集成電路原理基礎(chǔ)篇）：410章第一篇（模擬集成電路系統(tǒng)應(yīng)用基礎(chǔ)篇）：13章教師聯(lián)系方式：電子郵件：2電路定義：把晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元器件及布線連接在一起，實(shí)現(xiàn)一定功能的電子系統(tǒng)。電路分類(lèi):按功能分：模擬電路、數(shù)字電路、數(shù)/?；旌想娐钒葱问椒郑河≈瓢咫娐贰⒈『衲せ旌霞呻娐?、半導(dǎo)體集成電路電路發(fā)展趨勢(shì)：SoC（系統(tǒng)集成、片上系統(tǒng)）電路的作用：將人類(lèi)帶入智器時(shí)代。3第四章 常用半導(dǎo)體器件原理4-1

2、半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)4-2 PN結(jié)4-3 晶體二極管4-4 雙極型晶體管4-5 場(chǎng)效應(yīng)管44.1半導(dǎo)體物理基礎(chǔ) 簡(jiǎn)單介紹半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識(shí)，包括本征半導(dǎo)體，雜質(zhì)半導(dǎo)體，PN結(jié)；分別討論晶體二極管的特性和典型應(yīng)用電路，雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)、工作機(jī)理、特性和應(yīng)用電路，重點(diǎn)是掌握器件的特性。 媒質(zhì)導(dǎo)體：對(duì)電信號(hào)有良好的導(dǎo)通性，如絕大多數(shù)金屬，電解液，以及電離氣體。絕緣體：對(duì)電信號(hào)起阻斷作用，如玻璃和橡膠，其電阻率介于108 1020 m。 半導(dǎo)體：導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，如硅 (Si) 、鍺 (Ge) 和砷化鎵 (GaAs) 。半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力隨溫度、光照和摻雜等因素發(fā)生顯著變化，這些特點(diǎn)使

3、它們成為制作半導(dǎo)體元器件的重要材料。導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體在電阻率上并無(wú)絕對(duì)明確的界限，根本區(qū)別在于性質(zhì)上。5III-V族半導(dǎo)體Ga(Al,In)AsGa(Al,In)PGa(Al,In)NIV族半導(dǎo)體: Ge, GeSi, Si, SiC, CII-VI族半導(dǎo)體Zn(Mg,Cd,Hg)OZn(Mg,Cd,Hg)S半導(dǎo)體體系6金屬半導(dǎo)體（豐富多彩）絕緣體IV族III-V族II-VI族GeSiGeSiSiCC?Ga(Al,In)AsGa(Al,In)PGa(Al,In)N?Zn(Mg,Cd,Hg)OZn(Mg,Cd,Hg)S?半導(dǎo)體體系光電器件(GaN,GaP)微波器件(GaAs,InP)功率器件

4、(AlGaN/GaN)多功能性：生物芯片，壓電傳感器，聲表面波器件，透明電極，納米結(jié)構(gòu)高溫器件高壓器件74.1.1本征半導(dǎo)體 純凈的單晶半導(dǎo)體稱(chēng)為本征半導(dǎo)體。硅和鍺的原子最外層軌道上都有四個(gè)電子，稱(chēng)為價(jià)電子，每個(gè)價(jià)電子帶一個(gè)單位的負(fù)電荷。因?yàn)檎麄€(gè)原子呈電中性，而其物理化學(xué)性質(zhì)很大程度上取決于最外層的價(jià)電子，所以研究中硅和鍺原子可以用簡(jiǎn)化模型代表 。8每個(gè)原子最外層軌道上的四個(gè)價(jià)電子為相鄰原子核所共有，形成共價(jià)鍵。共價(jià)鍵中的價(jià)電子是不能導(dǎo)電的束縛電子。 價(jià)電子可以獲得足夠大的能量，掙脫共價(jià)鍵的束縛，游離出去，成為自由電子，并在共價(jià)鍵處留下帶有一個(gè)單位的正電荷的空穴。這個(gè)過(guò)程稱(chēng)為本征激發(fā)。本征激發(fā)

5、產(chǎn)生成對(duì)的自由電子和空穴，所以本征半導(dǎo)體中自由電子和空穴的數(shù)量相等。9價(jià)電子的反向遞補(bǔ)運(yùn)動(dòng)等價(jià)為空穴在半導(dǎo)體中自由移動(dòng)。因此，在本征激發(fā)的作用下，本征半導(dǎo)體中出現(xiàn)了帶負(fù)電的自由電子和帶正電的空穴，二者都可以參與導(dǎo)電，統(tǒng)稱(chēng)為載流子。 自由電子和空穴在自由移動(dòng)過(guò)程中相遇時(shí)，自由電子填入空穴，釋放出能量，從而消失一對(duì)載流子，這個(gè)過(guò)程稱(chēng)為復(fù)合。 101、自由電子（負(fù)電荷）：部分價(jià)電子掙脫共價(jià)鍵束縛離開(kāi)原子而成為自由電子；自由電子可以在單晶體中自由移動(dòng)；2、空穴（正電荷）：失去價(jià)電子的共價(jià)鍵處留下一個(gè)空位，即空穴；空穴的移動(dòng)：相鄰共價(jià)鍵中的電子在空位正電荷的吸引下會(huì)填補(bǔ)這個(gè)空位，即空位發(fā)生了移動(dòng)。空穴的

6、移動(dòng)實(shí)際上是束縛電子的反移動(dòng)。3、自由電子和空穴都可以參與導(dǎo)電，這是半導(dǎo)體不同于金屬（只有自由電子）的區(qū)別之一。4、本征激發(fā)：本征半導(dǎo)體受外界能量（熱、電和光等）激發(fā)，同時(shí)產(chǎn)生電子、空穴對(duì)的過(guò)程。11平衡狀態(tài)時(shí)，載流子的濃度不再變化。分別用ni和pi表示自由電子和空穴的濃度 (cm-3) ，理論上 其中 T 為絕對(duì)溫度 (K) ；EG0 為T(mén) = 0 K時(shí)的禁帶寬度，硅原子為1.21 eV，鍺為0.78 eV；k = 8.63 10- 5 eV / K為玻爾茲曼常數(shù)；A0為常數(shù)，硅材料為3.87 1016 cm- 3 K- 3 / 2，鍺為1.76 1016 cm- 3 K- 3 / 2。 自

7、由電子共價(jià)鍵復(fù)合激發(fā)禁帶寬度導(dǎo)帶價(jià)帶12 T ni (pi) ;T=300K(27) ni =1.43*1010cm-3 原子密度：5*1022cm-3 本征半導(dǎo)體導(dǎo)電能力弱本征載流子濃度隨溫度升高近似指數(shù)上升。2、禁帶寬度越大，導(dǎo)電性能越差（絕緣性能越好）1、本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性能對(duì)溫度的變化很敏感；134.1.2N 型半導(dǎo)體和 P 型半導(dǎo)體 本征激發(fā)產(chǎn)生的自由電子和空穴的數(shù)量相對(duì)很少，這說(shuō)明本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。 我們可以人工少量摻雜某些元素的原子，從而顯著提高半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力，這樣獲得的半導(dǎo)體稱(chēng)為雜質(zhì)半導(dǎo)體。根據(jù)摻雜元素的不同，雜質(zhì)半導(dǎo)體分為 N 型半導(dǎo)體和 P 型半導(dǎo)體。 14一、N

8、型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)原子，即構(gòu)成 N 型半導(dǎo)體。N 型半導(dǎo)體中每摻雜一個(gè)雜質(zhì)元素的原子，就提供一個(gè)自由電子，從而大量增加了自由電子的濃度一一施主電離多數(shù)載流子一一自由電子少數(shù)載流子一一空穴但半導(dǎo)體仍保持電中性 熱平衡時(shí)，雜質(zhì)半導(dǎo)體中多子濃度和少子濃度的乘積恒等于本征半導(dǎo)體中載流子濃度 ni 的平方，所以空穴的濃度 pn為 因?yàn)?ni 容易受到溫度的影響發(fā)生顯著變化，所以 pn 也隨環(huán)境的改變明顯變化。 自由電子濃度雜質(zhì)濃度15二、P 型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入三價(jià)原子，即構(gòu)成 P 型半導(dǎo)體。P 型半導(dǎo)體中每摻雜一個(gè)雜質(zhì)元素的原子，就提供一個(gè)空穴，從而大量增加了空穴的濃度一一受主電離多

9、數(shù)載流子一一空穴少數(shù)載流子一一自由電子但半導(dǎo)體仍保持電中性而自由電子的濃度 np 為環(huán)境溫度也明顯影響 np 的取值。 空穴濃度摻雜濃庹16本征半導(dǎo)體載流子受溫度、光照影響大；雜質(zhì)半導(dǎo)體載流子主要受摻雜濃度控制；174.1.3漂移電流和擴(kuò)散電流 半導(dǎo)體中載流子進(jìn)行定向運(yùn)動(dòng)，就會(huì)形成半導(dǎo)體中的電流。半導(dǎo)體電流半導(dǎo)體電流漂移電流：在電場(chǎng)的作用下，自由電子會(huì)逆著電場(chǎng)方向漂移，而空穴則順著電場(chǎng)方向漂移，這樣產(chǎn)生的電流稱(chēng)為漂移電流，該電流的大小主要取決于載流子的濃度，遷移率和電場(chǎng)強(qiáng)度。擴(kuò)散電流：半導(dǎo)體中載流子濃度不均勻分布時(shí)，載流子會(huì)從高濃度區(qū)向低濃度區(qū)擴(kuò)散，從而形成擴(kuò)散電流，該電流的大小正比于載流子的

10、濃度差即濃度梯度的大小。184.2PN 結(jié) 通過(guò)摻雜工藝，把本征半導(dǎo)體的一邊做成 P 型半導(dǎo)體，另一邊做成 N 型半導(dǎo)體，則 P 型半導(dǎo)體和 N 型半導(dǎo)體的交接面處會(huì)形成一個(gè)有特殊物理性質(zhì)的薄層，稱(chēng)為 PN 結(jié)。 4.2.1PN 結(jié)的形成 多子擴(kuò)散空間電荷區(qū)，內(nèi)建電場(chǎng)和內(nèi)建電位差的產(chǎn)生 少子漂移動(dòng)態(tài)平衡19空間電荷區(qū)又稱(chēng)為耗盡區(qū)或勢(shì)壘區(qū)。在摻雜濃度不對(duì)稱(chēng)的 PN 結(jié)中，耗盡區(qū)在重?fù)诫s一邊延伸較小，而在輕摻雜一邊延伸較大。204.2.2PN 結(jié)的單向?qū)щ娞匦?一、正向偏置的 PN 結(jié)正向偏置耗盡區(qū)變窄擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)加強(qiáng)，漂移運(yùn)動(dòng)減弱正向電流二、反向偏置的 PN 結(jié)反向偏置耗盡區(qū)變寬擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)減弱，漂移運(yùn)

11、動(dòng)加強(qiáng)反向電流21PN 結(jié)的單向?qū)щ娞匦裕篜N 結(jié)只需要較小的正向電壓，就可以使耗盡區(qū)變得很薄，從而產(chǎn)生較大的正向電流，而且正向電流隨正向電壓的微小變化會(huì)發(fā)生明顯改變。而在反偏時(shí)，少子只能提供很小的漂移電流，并且基本上不隨反向電壓而變化。22PN結(jié)電流方程i=IS(equ/kT-1)= IS(eu/UT-1)q : 電子電荷量，1.6*10-19 CT : 熱力學(xué)溫度(K); K : 玻爾茲曼常數(shù)（8.63*10-6V/K）;IS : 反向飽和電流，與PN結(jié)材料、制作工藝、溫度等有關(guān)UT=kT/q : 溫度的電壓當(dāng)量或熱電壓。在T=300K(27 )時(shí)， UT =26mV 正 : U UT ,

12、 e u/UT 1 , iISe u/UT反 : U UT , e u/UT 7V ) 2 齊納擊穿 重?fù)诫s，外加反向電壓 耗盡區(qū)很窄 強(qiáng)電場(chǎng) 耗盡區(qū)中性原子的價(jià)電子直接拉出共價(jià)鍵，產(chǎn)生大量電子、空穴對(duì)，使反向電流急劇增大 ; (UBR 5V) UBR介于57V時(shí)，兩種擊穿都有?？赡嫘裕篜=UI 0 且超過(guò)特定值 UD(on) 時(shí)，iD 變得明顯，此時(shí)認(rèn)為二極管導(dǎo)通，UD(on) 稱(chēng)為導(dǎo)通電壓 (死區(qū)電壓) ； uD 0 時(shí)，二極管是截止的； 當(dāng)反向電壓足夠大時(shí)，PN 結(jié)擊穿，二極管中的反向電流急劇增大，二極管被擊穿。28二、二極管的管壓降當(dāng)電源電壓 E 變化時(shí)，負(fù)載線平移到新的位置，雖然 I

13、D 有比較大的變化，UD 變化卻不大，仍然近似等于 UD(on) ，所以也可以認(rèn)為 UD(on) 是導(dǎo)通的二極管兩端固定的管壓降。 三、二極管的電阻直流電阻交流電阻29RD 和 rD 隨工作點(diǎn)的位置變化而改變4.3.2溫度對(duì)二極管伏安特性的影響 T 增大； Is 增大，T增大10倍，Is增大一倍。 減小， 雪崩擊穿電壓增大，齊納擊穿電壓減小。304.3.3二極管的近似伏安特性和簡(jiǎn)化電路模型 31【例 4.3.1】電路如圖 (a) 所示，計(jì)算二極管中的電流 ID 。已知二極管的導(dǎo)通電壓UD(on) = 0.6 V，交流電阻 rD 近似為零。解：可以判斷二極管處于導(dǎo)通狀態(tài)，將相應(yīng)的電路模型代入，得

14、到圖 (b) 。節(jié)點(diǎn) A 的電壓 UA = E - I1R1 = - I2R2 = - E + UD(on) = - 5.4 ，解得 I1 = 5.7 mA，I2 = 5.4 mA，于是 ID = I1 + I2 = 11.1 mA 。32工作電流IZ可以在IZmin到IZmax的較大范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，兩端的反向電壓成為穩(wěn)定電壓UZ。IZ應(yīng)大于IZmin以保證較好的穩(wěn)壓效果。同時(shí)，外電路必須對(duì)IZ進(jìn)行限制，防止其太大使管耗過(guò)大，甚至燒壞PN結(jié)，如果穩(wěn)壓二極管的最大功耗為PM，則IZ應(yīng)小于IZmax = PM / UZ。 4.3.4穩(wěn)壓二極管 334.3.4穩(wěn)壓二極管 通常: UZ 7V時(shí)具有正溫度系

15、數(shù)(因雪崩擊穿具有正溫系數(shù))； UZ在5V到7V之間時(shí)，溫度系數(shù)可達(dá)最小 3435例4.3.2穩(wěn)壓二極管電路如圖所示，穩(wěn)定電壓 UZ = 6 V。當(dāng)限流電阻 R = 200 時(shí)，求工作電流 IZ 和輸出電壓 UO；當(dāng)R = 11 k 時(shí)，再求 IZ 和 UO 。 解：當(dāng) R = 200 時(shí)，穩(wěn)壓二極管 DZ處于擊穿狀態(tài)當(dāng) R = 11 k 時(shí)，DZ 處于截止?fàn)顟B(tài)，IZ = 036其它二極管簡(jiǎn)介 一、變?nèi)荻O管 如前所述，PN結(jié)加反向電壓時(shí)，結(jié)上呈現(xiàn)勢(shì)壘電容，該電容隨反向電壓增大而減小。利用這一特性制作的二極管，稱(chēng)為變?nèi)荻O管。它的電路符號(hào)如圖所示。變?nèi)荻O管的結(jié)電容與外加反向電壓的關(guān)系由式(1

16、5)決定。它的主要參數(shù)有：變?nèi)葜笖?shù)、結(jié)電容的壓控范圍及允許的最大反向電壓等。變?nèi)荻O管符號(hào)37其它二極管簡(jiǎn)介 二、 光電二極管 光電二極管是一種將光能轉(zhuǎn)換為電能的半導(dǎo)體器件，其結(jié)構(gòu)與普通二極管相似，只是管殼上留有一個(gè)能入射光線的窗口。圖示出了光電二極管的電路符號(hào)，其中，受光照區(qū)的電極為前級(jí)，不受光照區(qū)的電極為后級(jí)。 和普通二極管相比，在結(jié)構(gòu)上不同的是，為了便于接受入射光照，PN結(jié)面積盡量做的大一些，電極面積盡量小些，而且PN結(jié)的結(jié)深很淺，一般小于1微米。 前級(jí)后級(jí)光電二極管符號(hào) 38其它二極管簡(jiǎn)介 三、 發(fā)光二極管 發(fā)光二極管是一種將電能轉(zhuǎn)換為光能的半導(dǎo)體器件。它由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，其電路符號(hào)如

17、圖所示。當(dāng)發(fā)光二極管正偏時(shí)，注入到N區(qū)和P區(qū)的載流子被復(fù)合時(shí)，會(huì)發(fā)出可見(jiàn)光和不可見(jiàn)光。 發(fā)光二極管符號(hào) 四、激光二極管39其它二極管簡(jiǎn)介藍(lán)色發(fā)光二極管40 其它二極管簡(jiǎn)介 五、 肖特基二極管 當(dāng)金屬與N型半導(dǎo)體接觸時(shí)，在其交界面處會(huì)形成勢(shì)壘區(qū)，利用該勢(shì)壘制作的二極管，稱(chēng)為肖特基二極管或表面勢(shì)壘二極管。它的原理結(jié)構(gòu)圖和對(duì)應(yīng)的電路符號(hào)如圖124所示。N型半導(dǎo)體(a)金屬(b)肖特基二極管結(jié)構(gòu)與符號(hào)(a)結(jié)構(gòu)示意圖；(b)電路符號(hào)+與PN結(jié)二極管比較：相同點(diǎn)：具有單向?qū)щ娦?；相異點(diǎn)：肖特基二極管是依靠多數(shù)載流子工作的器件，無(wú)少子存 儲(chǔ)效應(yīng)（CD），高頻特性好。 導(dǎo)通電壓和反向擊穿電壓均比PN結(jié)低。4

18、14.3.5二極管應(yīng)用電路舉例 一、整流電路 例4.3.3分析圖 (a) 所示的二極管整流電路的工作原理，其中二極管D的導(dǎo)通電壓UD(on) = 0.7 V，交流電阻rD 0。輸入電壓ui的波形如圖 (b) 所示。 42解：當(dāng)ui 0.7 V時(shí)，D處于導(dǎo)通狀態(tài)，等效成短路，所以輸出電壓uo = ui - 0.7；當(dāng)ui 0時(shí)，D1和D2上加的是正向電壓，處于導(dǎo)通狀態(tài)，而D3和D4上加的是反向電壓，處于截止?fàn)顟B(tài)。輸出電壓uo的正極與ui的正極通過(guò)D1相連，它們的負(fù)極通過(guò)D2相連，所以u(píng)o = ui；當(dāng)ui 2.7 V時(shí)，D導(dǎo)通，所以u(píng)o = 2.7 V；當(dāng)ui 2.7 V時(shí)，D截止，其支路等效為

19、開(kāi)路，uo = ui。于是可以根據(jù)ui的波形得到uo的波形，如圖 (c) 所示，該電路把ui超出2.7 V的部分削去后進(jìn)行輸出，是上限幅電路。 47例4.3.7二極管限幅電路如圖 (a) 所示，其中二極管D1和D2的導(dǎo)通電壓UD(on) = 0.3 V，交流電阻rD 0。輸入電壓ui的波形在圖 (b) 中給出，作出輸出電壓uo的波形。 48解：D1處于導(dǎo)通與截止之間的臨界狀態(tài)時(shí)，其支路兩端電壓為 - E - UD(on) = - 2.3 V。當(dāng)ui - 2.3 V時(shí)，D1截止，支路等效為開(kāi)路，uo = ui。所以D1實(shí)現(xiàn)了下限幅；D2處于臨界狀態(tài)時(shí)，其支路兩端電壓為 E + UD(on) =

20、2.3 V。當(dāng)ui 2.3 V時(shí)，D2導(dǎo)通，uo = 2.3 V；當(dāng)ui 2.3 V時(shí)，D2截止，支路等效為開(kāi)路，uo = ui。所以D2實(shí)現(xiàn)了上限幅。綜合uo的波形如圖 (c) 所示，該電路把ui超出 2.3 V的部分削去后進(jìn)行輸出，完成雙向限幅。 49三、電平選擇電路 例4.3.9圖 (a) 給出了一個(gè)二極管電平選擇電路，其中二極管D1和D2為理想二極管，輸入信號(hào)ui1和ui2的幅度均小于電源電壓E，波形如圖 (b) 所示。分析電路的工作原理，并作出輸出信號(hào)uo的波形。 50解：因?yàn)閡i1和ui2均小于E，所以D1和D2至少有一個(gè)處于導(dǎo)通狀態(tài)。不妨假設(shè)ui1 ui2時(shí)，D2導(dǎo)通，D1截止，

21、uo = ui2；只有當(dāng)ui1 = ui2時(shí)，D1和D2才同時(shí)導(dǎo)通，uo = ui1 = ui2。uo的波形如圖 (b) 所示。該電路完成低電平選擇功能，當(dāng)高、低電平分別代表邏輯1和邏輯0時(shí)，就實(shí)現(xiàn)了邏輯“與”運(yùn)算。 514.4雙極型晶體管 NPN型晶體管 PNP型晶體管 晶體管的物理結(jié)構(gòu)有如下特點(diǎn)：發(fā)射區(qū)相對(duì)基區(qū)重?fù)诫s；基區(qū)很薄，只有零點(diǎn)幾到數(shù)微米；集電結(jié)面積大于發(fā)射結(jié)面積。 52發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。一、發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子 電子注入電流IEN， 空穴注入電流IEP二、基區(qū)中自由電子邊擴(kuò)散 邊復(fù)合 基區(qū)復(fù)合電流IBN三、集電區(qū)收集自由電子 收集電流ICN 反向飽和電流ICBO4.4.1晶

22、體管的工作原理53晶體管三個(gè)極電流與內(nèi)部載流子電流的關(guān)系： 54共發(fā)射極直流電流放大倍數(shù)：共基極直流電流放大倍數(shù)：換算關(guān)系：晶體管的放大能力參數(shù) 55晶體管的極電流關(guān)系 描述： 描述： 564.4.2晶體管的伏安特性 一、輸出特性 放大區(qū)(發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏 ) 共發(fā)射極交流電流放大倍數(shù)： 共基極交流電流放大倍數(shù)： 近似關(guān)系： 恒流輸出和基調(diào)效應(yīng)飽和區(qū)(發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏 ) 飽和壓降 uCE(sat) 截止區(qū)(發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏 ) 極電流絕對(duì)值很小57二、輸入特性 當(dāng)uBE大于導(dǎo)通電壓 UBE(on) 時(shí)，晶體管導(dǎo)通，即處于放大狀態(tài)或飽和狀態(tài)。這兩種狀態(tài)下uBE近似等于UBE(

23、on) ，所以也可以認(rèn)為UBE(on) 是導(dǎo)通的晶體管輸入端固定的管壓降；當(dāng)uBE 0，所以集電結(jié)反偏，假設(shè)成立，UO = UC = 4 V；當(dāng)UI = 5 V時(shí)，計(jì)算得到UCB = - 3.28 V 0，所以晶體管處于飽和狀態(tài)，UO = UCE(sat) 。 61例4.4.2晶體管直流偏置電路如圖所示，已知晶體管的UBE(on) = - 0.7 V， = 50。判斷晶體管的工作狀態(tài)，并計(jì)算IB、IC和UCE。 解：圖中晶體管是PNP型，UBE(on) = UB - UE = (UCC - IBRB) - IERE = UCC - IBRB - (1+b)IBRE = - 0.7 V，得到IB = - 37.4 A 0，所以晶體管處于放大或飽和狀態(tài)。IC = bIB = - 1.87 mA，UCB = UC - UB = (UCC - ICRC) - (UCC - IBRB) = - 3.74 V | UGS(