半導(dǎo)體光刻膠行業(yè)專題報(bào)告

1、 半導(dǎo)體光刻膠行業(yè)專題報(bào)告國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體光刻膠迎發(fā)展良機(jī) 光刻是半導(dǎo)體制造微圖形工藝的核心，光刻膠是關(guān)鍵材料光刻膠是光刻工藝中最關(guān)鍵材料，國(guó)產(chǎn)替代需求緊迫。光刻工藝是指在光照作用下，借助 光刻膠將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù)，在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，隨著集成電路線寬縮 小、集成度大為提升，光刻工藝技術(shù)難度大幅提升，成為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵技術(shù)之一。 同時(shí)，器件和走線的復(fù)雜度和密集度大幅度提升，高端制程關(guān)鍵層次需要兩次甚至多次曝 光來(lái)實(shí)現(xiàn)。其中，光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。 目前，日本和美國(guó)光刻膠巨頭完全主導(dǎo)了高端光刻膠市場(chǎng)。2019 年 7 月的日韓貿(mào)易摩擦 中，日

2、本通過(guò)限制對(duì)韓出口光刻膠，引發(fā)韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈震蕩。中美貿(mào)易摩擦大背景下， 光刻膠也成為深刻影響中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈安全的關(guān)鍵材料。光刻膠是光刻工藝的核心材料光刻膠又稱光致抗蝕劑，它是指由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑三種主要成分構(gòu)成的對(duì)光敏感 的混合液體。在紫外光、電子束、離子束、X 射線等輻射的作用下，其感光樹(shù)脂的溶解度 及親和性由于光固化反應(yīng)而發(fā)生變化，經(jīng)適當(dāng)溶劑處理，溶去可溶部分可獲得所需圖像。 生產(chǎn)光刻膠的原料包括光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹(shù)脂、單體及其 他助劑等。根據(jù) 2020 年前瞻產(chǎn)業(yè)研究院報(bào)告2020-2025 年中國(guó)光刻膠行業(yè)市場(chǎng)前瞻與投 資規(guī)劃分析報(bào)告數(shù)據(jù)顯示，樹(shù)脂

3、占光刻膠總成本的 50%，在光刻膠各成分的中占比最大， 其次是占 35%的單體和占 15%的光引發(fā)劑及其他助體。半導(dǎo)體光刻膠行業(yè)壁壘明顯，市場(chǎng)遭遇國(guó)外壟斷半導(dǎo)體光刻膠屬高精尖材料，隨光刻工藝演進(jìn)細(xì)分種類繁多光刻膠所屬產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋范圍廣泛，從上游的基礎(chǔ)化工材料行業(yè)和精細(xì)化學(xué)品行業(yè)，到中游 光刻膠制備，再到下游電子加工商和電子產(chǎn)品應(yīng)用終端。光刻膠是微電子領(lǐng)域微細(xì)圖形加 工核心上游材料，占據(jù)了電子材料至高點(diǎn)。光刻膠專用化學(xué)品具有市場(chǎng)集中度高、技術(shù)壁壘高、客戶壁壘高的特點(diǎn)。相同用途的光刻 膠需要大量投資，行業(yè)退出壁壘較大，同時(shí)光刻膠專用化學(xué)品相似特征較多，例如品種多， 用量少，品質(zhì)要求高等特點(diǎn)。又由于市

4、場(chǎng)相比下游行業(yè)的市場(chǎng)份額小，因此行業(yè)的集中度 高；光刻膠用于微小圖形的加工，生產(chǎn)工藝復(fù)雜，技術(shù)壁壘較高。多重技術(shù)因素綜合考慮 使光刻膠的技術(shù)壁壘較高；光刻膠的客戶壁壘較高，市場(chǎng)上光刻膠產(chǎn)品的更新速度較快， 光刻膠廠家為了實(shí)現(xiàn)技術(shù)保密性，從而會(huì)與上游的原料供應(yīng)商保持密切合作關(guān)系，共同研 發(fā)新技術(shù)，增大了客戶的轉(zhuǎn)換成本。因此，光刻膠行業(yè)的上下游合作處于互相依賴互相依 存的關(guān)系，使得客戶的進(jìn)入壁壘較高。為了匹配集成電路對(duì)密度和集成度水平，制備光刻膠的分辨率水平由紫外寬譜逐步至 g 線 （436nm）、i 線（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）、F2（157nm），以及最先進(jìn) 的

5、 EUV(13.5nm)線水平。同時(shí)，雙重曝光（Double-Patterning）在 16nm 制程被臺(tái)積電 引入，多重曝光（Multiple-Patterning）在之后的先進(jìn)制程被相繼采用實(shí)現(xiàn)更小的線寬， 先進(jìn)制程需要更多的曝光層數(shù)為光刻膠用量提供增長(zhǎng)空間。全球半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)演進(jìn)，光刻膠發(fā)展空間擴(kuò)大隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)發(fā)展，半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，技術(shù)上發(fā)展出了適配 EUV 光刻的光刻膠。根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)，2016 年全球半導(dǎo)體用光刻膠及配套材料市場(chǎng)分別達(dá)到 14.5 億美元和 19.1 億美元，分別較 2015 年同比增長(zhǎng) 9.0%和 8.0%。2017 和 2018 年全 球

6、半導(dǎo)體用光刻膠市場(chǎng)已分別達(dá)到 16.0 億美元和 17.3 億美元，2019 年，全球半導(dǎo)體光 刻膠市場(chǎng)達(dá)到 17.7 億美元。從半導(dǎo)體光刻膠細(xì)分市場(chǎng)分析，根據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)的 統(tǒng)計(jì)，2018 年高端的干法和濕法 ArF 光刻膠占據(jù) 42%市場(chǎng)份額，KrF 和 g 線/i 線分別占 據(jù) 22%和 24%市場(chǎng)份額。我們認(rèn)為隨著 12 寸先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)線的興建和多次曝光工藝 的大量應(yīng)用，193nm ArF 及其它先進(jìn)光刻膠的需求量將快速增加。器件尺寸隨摩爾定律縮小，光刻膠不斷革新，多重曝光帶來(lái)用量提升邏輯制程跟隨摩爾定律，器件線寬由原來(lái)的微米級(jí)水平進(jìn)入納米級(jí)水平，帶動(dòng)光刻膠不斷 革新來(lái)適配更

7、短的曝光光源。2019 年臺(tái)積電在 N7+引入了四層 EUV 光罩，而在 N5 將 EUV 層數(shù)提升到 14-15 層，EUV 光刻膠隨之進(jìn)入商用。隨著芯片集成度提升，電路層數(shù)不斷增加，光刻層數(shù)不斷增加，光刻膠用量隨之提升。同 時(shí)，多重曝光也被引入制造關(guān)鍵層。2014 年，臺(tái)積電將雙重曝光（double patterning）引 入 20nm 制程，通過(guò)兩次曝光制造一層電路，之后多重曝光被引入更先進(jìn)工藝，臺(tái)積電在 14nm 至第一代 N7 制程使用 DUV 進(jìn)行多重曝光。DRAM 工藝演進(jìn)方向類似邏輯制程，同樣推動(dòng)光刻膠革新。DRAM 由于芯片設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn) 單、標(biāo)準(zhǔn)化程度高、工藝制程轉(zhuǎn)變快，如同

8、邏輯制程一樣緊跟摩爾定律，通過(guò)構(gòu)件縮小增 加器件密度以提高存儲(chǔ)容量。目前，隨著處理圖形的尺度不斷縮小，線寬減少越來(lái)越困難， 需要通過(guò) 193nm 浸沒(méi)式光刻多重曝光滿足需求。2019 年美國(guó) DRAM 巨頭美光科技的 DRAM 技術(shù)路線圖公布該公司所有 10nm 級(jí)節(jié)點(diǎn)都依賴于雙重、三重或四重 patterning 的 深紫外光刻技術(shù)(DUVL)。2020 年 3 月，全球 DRAM 龍頭三星電子宣布，該公司已成功交 付基于極紫外光刻 (EUV) 技術(shù)的 10 納米級(jí) (D1x) DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)速率）DRAM 模塊，將 EUV 光刻引入 DRAM 生產(chǎn)。NAND Flash 堆疊層數(shù)

9、大幅增加，為光刻膠用量帶來(lái)增長(zhǎng)機(jī)會(huì)為了增加器件密度以提高存儲(chǔ)容量，NAND Flash 工藝從 2D 架構(gòu)轉(zhuǎn)向 3D 堆疊架構(gòu)，由 于堆疊層數(shù)不斷增加以提高存儲(chǔ)容量，光刻工藝次數(shù)增加，光刻膠用量隨之增加。截至 2020 年，三星、鎧俠、美光、英特爾、西部數(shù)據(jù)、SK 海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)推出或量產(chǎn) 3D NAND 產(chǎn)品。128 層是目前已經(jīng)量產(chǎn)的最高層數(shù)，三星、SK 海力士已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并 且三星計(jì)劃 2021 年量產(chǎn) 176 層 3D NAND Flash，而 SK 海力士也正在研發(fā) 176 層 3D NAND Flash。日企壟斷半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)，高端市場(chǎng)頭部聚集效應(yīng)越發(fā)明顯全球半導(dǎo)體光刻膠

10、市場(chǎng)主要被日本企業(yè)高度壟斷，并且在越高端市場(chǎng)壟斷地位越明顯。目 前，全球半導(dǎo)體光刻膠主要龍頭是 TOK（東京應(yīng)化）、信越化學(xué)、JSR（日本合成橡膠）、 住友化學(xué)、富士膠片等日本公司和美國(guó)的陶氏化學(xué)，這些龍頭企業(yè)總計(jì)占據(jù)各半導(dǎo)體光刻 膠細(xì)分領(lǐng)域超過(guò) 85%市場(chǎng)份額，其中頭部日企在各個(gè)細(xì)分領(lǐng)域都占據(jù)主導(dǎo)地位。根據(jù)前瞻 產(chǎn)業(yè)研究院整理統(tǒng)計(jì)，2019 年 g/i 線光刻膠市場(chǎng)上，來(lái)自日本的 TOK、JSR、住友化學(xué)和 富士膠片分別占據(jù) 26%、15%、15%、8%的份額，總計(jì)達(dá)到 64%的全球 g 線和 i 線光刻 膠市場(chǎng)份額。而來(lái)自美國(guó)的陶氏化學(xué)、韓國(guó)的東進(jìn)半導(dǎo)體和其他公司分別占據(jù) 18%、13%

11、和 5%的市場(chǎng)份額。全球 KrF 光刻膠市場(chǎng)份額向日本頭部企業(yè)集聚效應(yīng)較 g/i 線光刻膠更加明顯。根據(jù)前瞻產(chǎn) 業(yè)研究院整理統(tǒng)計(jì)，2019 年日本龍頭企業(yè) TOK、信越化學(xué)和 JSR 在全球 KrF 光刻膠細(xì)分 市場(chǎng)分別占據(jù) 34%、22%和 18%份額，總計(jì)達(dá)到 74%。美國(guó)的陶氏化學(xué)和其他廠商分別 占據(jù) 11%和 15%的市場(chǎng)份額。在其他企業(yè)中，韓國(guó)企業(yè)占據(jù) 5%的市場(chǎng)份額。在目前先進(jìn)邏輯制程和先進(jìn)存儲(chǔ)器的主力 ArF 光刻膠市場(chǎng)，日本企業(yè)壟斷地位進(jìn)一步增 強(qiáng)。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院整理統(tǒng)計(jì)，2019 年日本龍頭企業(yè) JSR、信越化學(xué)、TOK 和住友 化學(xué)包攬前四，分別占據(jù)全球 ArF 光刻膠

12、細(xì)分市場(chǎng) 25%、23%、20%和 15%市場(chǎng)份額， 總計(jì)市場(chǎng)份額達(dá)到 83%。而第五名的美國(guó)陶氏化學(xué)在 ArF 光刻膠領(lǐng)域只占據(jù) 4%的市場(chǎng)份 額。最先進(jìn)的 EUV 光刻膠領(lǐng)域則完全被日本企業(yè)所主導(dǎo)，日本的 JSR、TOK、信越化學(xué)成為 EUV 光刻膠市場(chǎng)上僅有的實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)廠商。目前引入 EUV 工藝的僅有三星電子和臺(tái)積電兩 家公司，日本企業(yè)將工廠布局到韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣，以便保證以地理優(yōu)勢(shì)的保持市場(chǎng)份額。 2020 年 7 月，TOK 宣布在韓國(guó)仁川松島工廠開(kāi)始生產(chǎn) EUV 光刻膠，方便供應(yīng)三星和 SK 海力；2020 年 10 月 15 日，日經(jīng)新聞報(bào)道信越化工計(jì)劃在中國(guó)臺(tái)灣云林縣和日本江津興

13、 建廠房，借此提升中國(guó)臺(tái)灣工廠產(chǎn)能 5 成和日本工廠產(chǎn)能 2 成，并利用中國(guó)臺(tái)灣工廠生產(chǎn) EUV 光刻膠，來(lái)應(yīng)對(duì)臺(tái)積電對(duì) EUV 光刻膠持續(xù)增長(zhǎng)的需求。根據(jù)該報(bào)道，富士膠片和住 友化學(xué)也計(jì)劃進(jìn)軍 EUV 光刻膠市場(chǎng)。由此可見(jiàn)，日本這些頭部企業(yè)在全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)上，不僅在總體市場(chǎng)份額和技術(shù)層 面領(lǐng)先行業(yè)，并且各自在不同細(xì)分領(lǐng)域占據(jù)廣泛市場(chǎng)，建立起完善的產(chǎn)品線。例如東京應(yīng) 化，產(chǎn)品涵蓋從橡膠類光刻膠到 g 線到 i 線、KrF、ArF 到 EUV，以及離子束光刻膠；信 越化學(xué)產(chǎn)品線同樣全面涵蓋主流半導(dǎo)體光刻膠。國(guó)產(chǎn)光刻膠產(chǎn)品結(jié)構(gòu)不平衡，高端半導(dǎo)體光刻膠依賴進(jìn)口近幾年全球光電產(chǎn)業(yè)、消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)向

14、我國(guó)轉(zhuǎn)移的趨勢(shì)愈加明顯，下游產(chǎn)品 PCB、LCD、 半導(dǎo)體等產(chǎn)業(yè)鏈迅速發(fā)展。中國(guó)的光刻膠產(chǎn)品需求格局與全球光刻膠市場(chǎng)類似，PCB、LCD、 半導(dǎo)體和其他光刻膠市場(chǎng)份額占比平衡。然而，由于我國(guó)光刻膠行業(yè)發(fā)展和起步時(shí)間較晚 以及高端光刻膠行業(yè)壁壘高企，造成國(guó)產(chǎn)光刻膠應(yīng)用結(jié)構(gòu)較為單一，主要集中于 PCB 光 刻膠、TN/STN-LCD光刻膠中低端產(chǎn)品。高端產(chǎn)品則需要從國(guó)外大量進(jìn)口，例如TFT-LCD、 半導(dǎo)體光刻膠等。根據(jù)中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)，從下游市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)來(lái)看，2018 年我國(guó) PCB 光刻膠產(chǎn)值占比為 94.4%，而 LCD 和半導(dǎo)體用光刻膠產(chǎn)值占比分別僅為 2.7%和 1.6%。半導(dǎo)體光刻膠

15、作為光刻膠中最高端的組成部分，我國(guó)本土企業(yè)目前僅占有較低的市場(chǎng)份額。 根據(jù)中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)，2017 年我國(guó)是全球最大的半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)，份額占全球 32%， 我們認(rèn)為隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造份額提升，我國(guó)半導(dǎo)體光刻膠需求將持續(xù)提升。然而半導(dǎo)體 光刻膠自給率低，適用于 6 英寸硅片的 g 線和 i 線光刻膠的自給率約為 20%，適用于 8 英 寸硅片的 KrF 光刻膠的自給率不足 5%，而適用于 12 寸硅片的 ArF 光刻膠則完全依靠進(jìn) 口。目前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體光刻膠的市場(chǎng)主要被日本、美國(guó)企業(yè)所占據(jù)，主要體現(xiàn)在高分辨率的 KrF 和 ArF 光刻膠核心技術(shù)基本被壟斷，產(chǎn)品也出自壟斷公司。以史為鑒，半導(dǎo)

16、體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移激發(fā)中國(guó)光刻膠產(chǎn)業(yè)機(jī)遇半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移和分工，日本光刻膠崛起1970 年代，日本成為全球電子產(chǎn)業(yè)和半導(dǎo)體市場(chǎng)中心，日本企業(yè)抓住本土產(chǎn)業(yè)機(jī)遇切入 光刻膠市場(chǎng)。1990 年代，持續(xù)投入的日本企業(yè)成功取代歐美廠商成為半導(dǎo)體光刻膠主導(dǎo)， TOK、信越化學(xué)、JSR、住友化學(xué)富士膠片等企業(yè)在 g 線、i 線、KrF、ArF 和 EUV 光刻 膠市場(chǎng)都占據(jù)主導(dǎo)。在集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展史上，歐美廠商領(lǐng)導(dǎo)了前期光刻膠產(chǎn)品的研發(fā)1950 年代貝爾實(shí)驗(yàn)室嘗試開(kāi)發(fā)全球首塊集成電路的過(guò)程中，采用了重鉻酸鹽明膠體系， 半導(dǎo)體光刻膠由此誕生?？逻_(dá)尋找具備強(qiáng)附著力的材料，并最終開(kāi)發(fā)出環(huán)化橡膠-雙疊氮體 系：該體系由環(huán)化聚

17、異戊二烯橡膠與雙疊氮 2,6-二(4-疊氮苯)-4-甲基環(huán)己酮混合而成?？?達(dá)將此光刻膠命名為 Kodak Thin Film Resist（柯達(dá)薄膜抗蝕劑），也即 KTFR 光刻膠。 該體系在 1957-1972 年間一直為半導(dǎo)體工業(yè)的主力體系，為半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展立下了汗 馬功勞。直至 1972 年，半導(dǎo)體工藝制程節(jié)點(diǎn)發(fā)展到 2m，觸及 KTFR 光刻膠分辨率的 極限。1970 年代，美國(guó) Azoplate 發(fā)明重氮萘醌-酚醛樹(shù)脂光刻膠，并命名為“AZ 光刻膠”。AZ 光刻膠在 1972 年已經(jīng)基本占據(jù)全部市場(chǎng)，并在此后 25 年間維持了 90%以上的市場(chǎng)份額。 伴隨著光刻技術(shù)的發(fā)展，重氮萘

18、醌系光刻膠的性能也在不斷提升，其曝光光源可以采用 g 線、i 線。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移與分工細(xì)化，日本光刻膠借機(jī)崛起1970 年代，隨著日本電子產(chǎn)業(yè)領(lǐng)頭的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全面崛起，日本廠商在光刻膠研發(fā)方面 開(kāi)始起步。1968 年，東京應(yīng)化研發(fā)出首個(gè)環(huán)化橡膠系光刻膠產(chǎn)品 MOR-81，1972 年其 開(kāi)發(fā)出日本首個(gè)重氮醌類光刻膠 OFPR-2。1980 年代東京應(yīng)化進(jìn)入到 g 線/i 線光刻膠業(yè) 務(wù)-TSMR 產(chǎn)品。JSR 于 1979 年進(jìn)入半導(dǎo)體材料業(yè)務(wù)，開(kāi)始銷(xiāo)售首個(gè)光刻膠產(chǎn)品 CIR。1980 年代到 1990 年代，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在日美貿(mào)易摩擦影響下開(kāi)始沒(méi)落。然而，日本的 光刻膠產(chǎn)業(yè)抓住制程發(fā)展的機(jī)

19、遇以及與韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣區(qū)位優(yōu)勢(shì)，成為市場(chǎng)霸主。IBM 在 1980 年代早期就突破了 KrF 光刻，并在 1980 年代早期至 1995 年的十余年時(shí)間一直保 持 KrF 光刻膠技術(shù)壟斷地位。由于此期間，半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)主要集中在 1.5m-0.35m， 這一范圍的工藝可以用 i 線光刻實(shí)現(xiàn)，因此 KrF 光刻膠的市場(chǎng)增速緩慢，并未大規(guī)模放 量。1995 年日本 TOK 成功突破了高分辨率 KrF 正性光刻膠并實(shí)現(xiàn)了商業(yè)化銷(xiāo)售，打破 了 IBM 對(duì)于 KrF 光刻膠的壟斷，而當(dāng)時(shí)的半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)發(fā)展到了 0.25-0.35m，逼 近了 i 線光刻的極限。雖然伴隨半導(dǎo)體第二次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，芯片制造中心

20、遷往韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣，但是日本憑借先發(fā) 的材料和設(shè)備優(yōu)勢(shì)，以及與韓、臺(tái)地理近的優(yōu)勢(shì)，日本的 KrF 光刻膠迅速放量占據(jù)市場(chǎng)。 此外，1986 年的半導(dǎo)體行業(yè)大衰退導(dǎo)致美國(guó)光刻機(jī)廠商遭受重創(chuàng)，光刻機(jī)市場(chǎng)由美國(guó)廠 商主導(dǎo)逐步演變?yōu)榧涯芎湍峥禐辇堫^的時(shí)代。半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)由此進(jìn)入日本廠商作為霸 主的時(shí)代。如今，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)衰退，光刻機(jī)龍頭已經(jīng)旁落荷蘭光刻機(jī)公司 ASML。失去本土 半導(dǎo)體制造市場(chǎng)和光刻機(jī)設(shè)備市場(chǎng)協(xié)同的日本光刻膠產(chǎn)業(yè)憑借高度的技術(shù)壁壘和市場(chǎng)壁 壘，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全球化分工浪潮中依然占據(jù)高端市場(chǎng)的壟斷地位。日本光刻膠在高端的 ArF 和 EUV 光刻膠市場(chǎng)，日本廠商進(jìn)一步鞏固霸主地位。

21、以日本為鑒，中國(guó)已成全球最大半導(dǎo)體市場(chǎng)，為光刻膠自主發(fā)展提供空間如同 1980 年代的日本，今日的中國(guó)已成為世界電子產(chǎn)業(yè)的核心。21 世紀(jì)起，隨著個(gè)人計(jì) 算機(jī)產(chǎn)業(yè)向手機(jī)產(chǎn)業(yè)邁進(jìn)，終端產(chǎn)品更加復(fù)雜多樣，中國(guó)大陸的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了低端組 裝和制造承接、長(zhǎng)期的技術(shù)引進(jìn)和消化吸收、高端人才培育等較長(zhǎng)的時(shí)間周期，逐步完成 了原始積累，并以國(guó)家戰(zhàn)略及政策為驅(qū)動(dòng)力，推動(dòng)了全產(chǎn)業(yè)鏈的高速發(fā)展。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo) 體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2020 年上半年中國(guó)制造的計(jì)算機(jī)、手機(jī)、彩電和汽車(chē)產(chǎn)量分別占據(jù)全 球 90%、90%、70%和 32%。隨著 5G、智慧物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的到來(lái)，以及產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境完善、 人才回流、政策支持、資本青

22、睞等眾多因素，中國(guó)大陸的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)得以在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn) 快速與全面布局，正逐步驅(qū)使全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移。伴隨著成為世界電子產(chǎn)業(yè)核心，中國(guó)目前已經(jīng)成為最大的半導(dǎo)體市場(chǎng)，并且繼續(xù)保持最快 的增速。根據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)，2019 年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為 4120 億美元，因?yàn)橹忻蕾Q(mào)易摩擦和終端市場(chǎng)疲軟，較 2018 年的 4687 億美元同比下降 12.11%。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（CSIA）統(tǒng)計(jì)，2019 年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額為 7562 億元人民幣，較 2018 年增長(zhǎng) 16%。另?yè)?jù) CSIA 統(tǒng)計(jì)在 2020 年上半年，全球遭遇新 冠疫情反復(fù)和中美貿(mào)易摩擦的背景下，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額達(dá)到 3639 億元，逆勢(shì)同 比增長(zhǎng) 16.1%，成為全球產(chǎn)業(yè)最大增長(zhǎng)引擎。隨著 5G、消費(fèi)電子、汽車(chē)電子等下游產(chǎn)業(yè) 的進(jìn)一步興起，預(yù)計(jì)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將會(huì)進(jìn)一步增長(zhǎng)。中國(guó)晶圓制造產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)張，半導(dǎo)體光刻膠迎歷史機(jī)遇中國(guó)已進(jìn)入晶圓產(chǎn)能提升周期，半導(dǎo)體光刻膠需求有望持續(xù)擴(kuò)大。根據(jù) SEMI2018 年中 國(guó)半導(dǎo)體硅晶圓展望報(bào)告，預(yù)計(jì)到 2020 年中國(guó)晶圓制造廠產(chǎn)能將達(dá)到每月 400 萬(wàn)片。 另?yè)?jù) SEMI 在 2020 年 10 月的報(bào)告預(yù)計(jì)，到 2024 年至少有 38 個(gè)新的 300mm 晶圓廠投 產(chǎn)，其中中國(guó)大陸預(yù)計(jì)將建