6汽車(chē)電工與電子技術(shù)基礎(chǔ)

1、汽車(chē)電工與電子技術(shù)基礎(chǔ)主講：伍時(shí)和三亞學(xué)院 理工學(xué)院第六章 常用半導(dǎo)體器件及應(yīng)用第六章 常用半導(dǎo)體器件及應(yīng)用要點(diǎn)：1、半導(dǎo)體的基本知識(shí)。2、常用半導(dǎo)體器件的特性及其在汽車(chē)中的應(yīng)用。3、晶體管基本應(yīng)用電路的分析。4、穩(wěn)壓電路的組成。汽車(chē)整流調(diào)壓電路。第六章第六章 常用半導(dǎo)體器件及應(yīng)用第六章 常用半導(dǎo)體器件及應(yīng)用第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介第二節(jié) 晶體管基本應(yīng)用電路第三節(jié) 集成運(yùn)放及應(yīng)用第四節(jié) 直流穩(wěn)壓電源第六章一、半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性：(可做成溫度敏感元件，如熱敏電阻)。摻雜性：往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，導(dǎo)電 能力明顯改變(可做成各種不同用途的半導(dǎo) 體器件，如二極管、三極管和晶閘管等）。光敏性：當(dāng)受到光照

2、時(shí)，導(dǎo)電能力明顯變化 (可做 成各種光敏元件，如光敏電阻、光敏二極 管、光敏三極管等)。熱敏性：當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，導(dǎo)電能力顯著增強(qiáng)第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介半導(dǎo)體定義 導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的一些物質(zhì)。 如：鍺(Ge)，硅(Si)，硒(Xe)以及大多數(shù)金屬氧化物和硫化物等。第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介硅單晶中的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介1、 本征半導(dǎo)體 完全純凈的、具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體，稱(chēng)為本征半導(dǎo)體。晶體中原子的排列方式硅單晶中的共價(jià)健結(jié)構(gòu)共價(jià)健共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子，稱(chēng)為價(jià)電子。 Si Si Si Si價(jià)電子第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介 Si Si Si Si價(jià)電子 價(jià)電子在獲得一定能量（溫度升高或受光照）后，即

3、可掙脫原子核的束縛，成為自由電子（帶負(fù)電），同時(shí)共價(jià)鍵中留下一個(gè)空位，稱(chēng)為空穴（帶正電）。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理：這一現(xiàn)象稱(chēng)為本征激發(fā)?？昭?溫度愈高，晶體中產(chǎn)生的自由電子便愈多。自由電子 在外電場(chǎng)的作用下，空穴吸引相鄰原子的價(jià)電子來(lái)填補(bǔ)，而在該原子中出現(xiàn)一個(gè)空穴，其結(jié)果相當(dāng)于空穴的運(yùn)動(dòng)（相當(dāng)于正電荷的移動(dòng)）。第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子被緊緊束縛在共價(jià)鍵中，稱(chēng)為束縛電子，常溫下束縛電子很難脫離共價(jià)鍵成為自由電子，因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。形成共價(jià)鍵后，每個(gè)原子的最外層電子是八個(gè)，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。共價(jià)鍵有很強(qiáng)的結(jié)合力，使原子規(guī)則排列，形成晶體。 Si S

4、i Si Si第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理 當(dāng)半導(dǎo)體兩端加上外電壓時(shí)，在半導(dǎo)體中將出現(xiàn)兩部分電流 (1)自由電子作定向運(yùn)動(dòng) 電子電流 (2)價(jià)電子遞補(bǔ)空穴 空穴電流由于電子和空穴成對(duì)地產(chǎn)生的同時(shí)，又不斷復(fù)合。在一定溫度下，載流子的產(chǎn)生和復(fù)合達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，半導(dǎo)體中載流子便維持一定的數(shù)目。自由電子和空穴都稱(chēng)為載流子。第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介注意： (2) 溫度愈高， 載流子的數(shù)目愈多,半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能 也就愈好。 所以，溫度對(duì)半導(dǎo)體器件性能影響很大。(1) 本征半導(dǎo)體中載流子數(shù)目極少, 其導(dǎo)電性能很差；第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介 摻雜后自由電子數(shù)目大量增加，自由電子導(dǎo)電成為這種半導(dǎo)體的主要導(dǎo)電方式，稱(chēng)

5、為電子半導(dǎo)體或N型半導(dǎo)體。摻入五價(jià)元素 Si Si Si Sip+多余電子磷原子在常溫下即可變?yōu)樽杂呻娮邮ヒ粋€(gè)電子變?yōu)檎x子 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的雜質(zhì)（某種元素）,形成雜質(zhì)半導(dǎo)體。 在N 型半導(dǎo)體中自由電子是多數(shù)載流子，空穴是少數(shù)載流子。第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介2、N型半導(dǎo)體和 P 型半導(dǎo)體 摻雜后空穴數(shù)目大量增加，空穴導(dǎo)電成為這種半導(dǎo)體的主要導(dǎo)電方式，稱(chēng)為空穴半導(dǎo)體或 P型半導(dǎo)體。摻入三價(jià)元素 Si Si Si Si 在 P 型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子，自由電子是少數(shù)載流子。B硼原子接受一個(gè)電子變?yōu)樨?fù)離子空穴無(wú)論N型或P型半導(dǎo)體都是電中性的，對(duì)外不顯電性。2、N型半導(dǎo)體和 P 型半導(dǎo)體第一節(jié)

6、 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意表示法P型半導(dǎo)體+N型半導(dǎo)體第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介 1. 在雜質(zhì)半導(dǎo)體中多數(shù)載流子的數(shù)量與 （a. 摻雜濃度、b.溫度）有關(guān)。 2. 在雜質(zhì)半導(dǎo)體中少數(shù)載流子的數(shù)量與 （a. 摻雜濃度、b.溫度）有關(guān)。 3. 當(dāng)溫度升高時(shí)，少數(shù)載流子的數(shù)量 （a. 減少、b. 不變、c. 增多）。abc 4. 在外加電壓的作用下，P 型半導(dǎo)體中的電流主要是 ，N 型半導(dǎo)體中的電流主要是 。 （a. 電子電流、b.空穴電流） ba提問(wèn)第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介在同一片半導(dǎo)體基片上，分別制造P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體，經(jīng)過(guò)載流子的擴(kuò)散，在它們的交界面處就形成了PN結(jié)。1. PN結(jié)的形成二、PN結(jié)第一節(jié)

7、 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場(chǎng)少子的漂移運(yùn)動(dòng)濃度差P 型半導(dǎo)體N 型半導(dǎo)體 擴(kuò)散的結(jié)果使空間電荷區(qū)變寬?？臻g電荷區(qū)也稱(chēng) PN 結(jié) 擴(kuò)散和漂移這一對(duì)相反的運(yùn)動(dòng)最終達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。形成空間電荷區(qū) 內(nèi)電場(chǎng)越強(qiáng)，漂移運(yùn)動(dòng)越強(qiáng)，而漂移使空間電荷區(qū)變薄。二、PN結(jié)第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介 （1）. PN 結(jié)加正向電壓（正向偏置）PN 結(jié)變窄 P接正、N接負(fù) 外電場(chǎng)IF 內(nèi)電場(chǎng)被削弱，多子的擴(kuò)散加強(qiáng)，形成較大的擴(kuò)散電流。 PN 結(jié)加正向電壓時(shí)，PN結(jié)變窄，正向電流較大，正向電阻較小，PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。內(nèi)電場(chǎng)PN+E2. PN結(jié)的單向?qū)щ娦缘谝还?jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介（2）. PN 結(jié)加反向電壓（

8、反向偏置）外電場(chǎng) P接負(fù)、N接正 內(nèi)電場(chǎng)PN+E第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介PN 結(jié)變寬（2）. PN 結(jié)加反向電壓（反向偏置）外電場(chǎng) 內(nèi)電場(chǎng)被加強(qiáng)，少子的漂移加強(qiáng)，由于少子數(shù)量很少，形成很小的反向電流。IR P接負(fù)、N接正 溫度越高少子的數(shù)目越多，反向電流將隨溫度增加。 PN 結(jié)加反向電壓時(shí)，PN結(jié)變寬，反向電流較小，反向電阻較大，PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)。內(nèi)電場(chǎng)PN+E第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介1、基本結(jié)構(gòu)PN結(jié)加上管殼和引線(xiàn)，就成為半導(dǎo)體二極管。PNPN符號(hào)陽(yáng)極陰極三、 半導(dǎo)體二極管第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介一、 半導(dǎo)體二極管第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介(a) 點(diǎn)接觸型(b)面接觸型 結(jié)面積小、結(jié)電容小、正向電流小。用于檢波和變

9、頻等高頻電路。 結(jié)面積大、正向電流大、結(jié)電容大，用于工頻大電流整流電路。(c) 平面型 用于集成電路制作工藝中。PN結(jié)結(jié)面積可大可小，用于大功率整流和開(kāi)關(guān)電路中。1、基本結(jié)構(gòu)三、 半導(dǎo)體二極管第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介陰極引線(xiàn)陽(yáng)極引線(xiàn)二氧化硅保護(hù)層P型硅N型硅( c ) 平面型金屬觸絲陽(yáng)極引線(xiàn)N型鍺片陰極引線(xiàn)外殼( a ) 點(diǎn)接觸型鋁合金小球N型硅陽(yáng)極引線(xiàn)PN結(jié)金銻合金底座陰極引線(xiàn)( b ) 面接觸型圖 67 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和符號(hào) 二極管的結(jié)構(gòu)示意圖陰極陽(yáng)極( d ) 符號(hào)D1、基本結(jié)構(gòu)第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介2、 伏安特性UIE+-正向偏置UIE+-反向偏置第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介硅管0.5V,鍺管0.1V

10、。反向擊穿電壓U(BR)導(dǎo)通壓降 外加電壓大于死區(qū)電壓二極管才能導(dǎo)通。 外加電壓大于反向擊穿電壓二極管被擊穿，失去單向?qū)щ娦浴Ｕ蛱匦苑聪蛱匦蕴攸c(diǎn)：非線(xiàn)性硅0.60.8V鍺0.20.3VUI死區(qū)電壓PN+PN+反向電流在一定電壓范圍內(nèi)保持常數(shù)。第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介2、 伏安特性第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介3、主要參數(shù)1）. 最大整流電流 IOM二極管長(zhǎng)期使用時(shí)，允許流過(guò)二極管的最大正向平均電流。2）. 反向工作峰值電壓URWM是保證二極管不被擊穿而給出的反向峰值電壓，一般是二極管反向擊穿電壓UBR的一半或三分之二。二極管擊穿后單向?qū)щ娦员黄茐?，甚至過(guò)熱而燒壞。3）. 反向峰值電流IRM指二極管加最高反向工

11、作電壓時(shí)的反向電流。反向電流大，說(shuō)明管子的單向?qū)щ娦圆睿琁RM受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流較大，為硅管的幾十到幾百倍。第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介4、二極管極性判斷第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介1）. 符號(hào) UZIZIZM UZ IZ2）. 伏安特性 穩(wěn)壓管正常工作時(shí)加反向電壓使用時(shí)要加限流電阻 穩(wěn)壓管反向擊穿后，電流變化很大，但其兩端電壓變化很小，利用此特性，穩(wěn)壓管在電路中可起穩(wěn)壓作用。_+UIODZ穩(wěn)定電流正向特性同二極管Izmin4、 穩(wěn)壓二極管第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介(a)(b)(c)限流電阻第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介穩(wěn)壓二極管的汽車(chē)上的應(yīng)用穩(wěn)壓二極管技術(shù)數(shù)據(jù)為：穩(wěn)壓值UZW=1

12、0V，Izmax=12mA，Izmin=2mA，負(fù)載電阻RL=2k，輸入電壓Ui=12V，限流電阻R=200 。 若負(fù)載電阻變化范圍為1.5 k 4 k ，是否還能穩(wěn)壓？RLUiUORDZIIzILUZ+儀表等效電阻第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介UZW=10V Ui=12VR=200 Izmax=12mAIzmin=2mARL=2k (1.5 k 4 k) IL=Uo/RL=UZ/RL=10/2=5（mA）I= （Ui - UZ）/R=（12-10）/0.2=10 （mA） IZ = I - IL=10-5=5 （mA）RL=1.5 k , IL=10/1.5=6.7（mA）, IZ =10-6.7=3.

13、3（mA）RL=4 k , IL=10/4=2.5（mA）, IZ =10-2.5=7.5（mA）負(fù)載變化,但iZ仍在12mA和2mA之間,所以穩(wěn)壓管仍能起穩(wěn)壓作用已知：解：RLUiUORDZIIzILUZ儀表等效電阻第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介(1) 穩(wěn)定電壓UZ 穩(wěn)壓管正常工作(反向擊穿)時(shí)管子兩端的電壓。(2) 電壓溫度系數(shù) 環(huán)境溫度每變化1C引起穩(wěn)壓值變化的百分?jǐn)?shù)。(3) 動(dòng)態(tài)電阻(4) 穩(wěn)定電流 IZ 、最大穩(wěn)定電流 IZM(5) 最大允許耗散功率 PZM = UZ IZMrZ愈小，曲線(xiàn)愈陡，穩(wěn)壓性能愈好。5. 主要參數(shù)第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介NNP基極發(fā)射極集電

14、極NPN型BECBECPNP型PPN基極發(fā)射極集電極符號(hào)：BECIBIEICBECIBIEICNPN型三極管PNP型三極管1 基本結(jié)構(gòu)基區(qū)：最薄，摻雜濃度最低發(fā)射區(qū)：摻雜濃度最高發(fā)射結(jié)集電結(jié)BECNNP基極發(fā)射極集電極結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：集電區(qū)：面積最大2. 三極管放大的外部條件BECNNPEBRBECRC發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏 PNP發(fā)射結(jié)正偏 VBVE集電結(jié)反偏 VCVE集電結(jié)反偏 VCVB 3. 各電極電流關(guān)系及電流放大作用IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.020.040.060.080.100.0010.701.502.303.103.950.0010.721.542.363.184.0

15、5結(jié)論:1）三電極電流關(guān)系 IE = IB + IC2） IC IB ， IC IE 3） IC IB 把基極電流的微小變化能夠引起集電極電流較大變化的特性稱(chēng)為晶體管的電流放大作用。 實(shí)質(zhì):用一個(gè)微小電流的變化去控制一個(gè)較大電流的變化，是CCCS器件。4.三極管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律BECNNPEBRBECIEIBEICEICBO 基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴(kuò)散可忽略。 發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴(kuò)散，形成發(fā)射極電流IE。進(jìn)入P 區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復(fù)合，形成電流IBE ，多數(shù)擴(kuò)散到集電結(jié)。從基區(qū)擴(kuò)散來(lái)的電子作為集電結(jié)的少子，漂移進(jìn)入集電結(jié)而被收集，形成ICE。 集電結(jié)反偏，有少子形成的反向

16、電流ICBO。5. 三極管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律IC = ICE+ICBO ICEICIBBECNNPEBRBECIEIBEICEICBOIB = IBE- ICBO IBE ICE 與 IBE 之比稱(chēng)為共發(fā)射極電流放大倍數(shù)集射極穿透電流, 溫度ICEO(常用公式)若IB =0, 則 IC ICE06 特性曲線(xiàn) 即管子各電極電壓與電流的關(guān)系曲線(xiàn)，是管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的外部表現(xiàn)，反映了晶體管的性能，是分析放大電路的依據(jù)。為什么要研究特性曲線(xiàn)： 1）直觀地分析管子的工作狀態(tài) 2）合理地選擇偏置電路的參數(shù)，設(shè)計(jì)性能良好的電路 重點(diǎn)討論應(yīng)用最廣泛的共發(fā)射極接法的特性曲線(xiàn)發(fā)射極是輸入回路、輸出回路的公共端

17、 共發(fā)射極電路輸入回路輸出回路 測(cè)量晶體管特性的實(shí)驗(yàn)線(xiàn)路ICEBmAAVUCEUBERBIBECV+1）. 輸入特性特點(diǎn):非線(xiàn)性死區(qū)電壓：硅管0.5V，鍺管0.1V。正常工作時(shí)發(fā)射結(jié)電壓： NPN型硅管 UBE 0.60.7VPNP型鍺管 UBE 0.2 0.3VIB(A)UBE(V)204060800.40.8UCE1VO2）. 輸出特性IB=020A40A60A80A100A36IC(mA )1234UCE(V)912O放大區(qū)輸出特性曲線(xiàn)通常分三個(gè)工作區(qū)：(1) 放大區(qū) 在放大區(qū)有 IC= IB ，也稱(chēng)為線(xiàn)性區(qū)，具有恒流特性。 在放大區(qū)，發(fā)射結(jié)處于正向偏置、集電結(jié)處于反向偏置，晶體管工作于

18、放大狀態(tài)。IB=020A40A60A80A100A36IC(mA )1234UCE(V)912O（2）截止區(qū)IB 0 以下區(qū)域?yàn)榻刂箙^(qū)，有 IC 0 。 在截止區(qū)發(fā)射結(jié)處于反向偏置，集電結(jié)處于反向偏置，晶體管工作于截止?fàn)顟B(tài)。飽和區(qū)截止區(qū)（3）飽和區(qū) 當(dāng)UCE UBE時(shí)，晶體管工作于飽和狀態(tài)。 在飽和區(qū)，IB IC，發(fā)射結(jié)處于正向偏置，集電結(jié)也處于正偏。 深度飽和時(shí)， 硅管UCES 0.3V， 鍺管UCES 0.1V。特性曲線(xiàn) 即管子各電極電壓與電流的關(guān)系曲線(xiàn)，是管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的外部表現(xiàn)，反映了晶體管的性能，是分析放大電路的依據(jù)。為什么要研究特性曲線(xiàn)： 1）直觀地分析管子的工作狀態(tài) 2）合理

19、地選擇偏置電路的參數(shù)，設(shè)計(jì)性能良好的電路 重點(diǎn)討論應(yīng)用最廣泛的共發(fā)射極接法的特性曲線(xiàn)7 主要參數(shù)1. 電流放大系數(shù)，直流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)當(dāng)晶體管接成發(fā)射極電路時(shí)， 表示晶體管特性的數(shù)據(jù)稱(chēng)為晶體管的參數(shù)，晶體管的參數(shù)也是設(shè)計(jì)電路、選用晶體管的依據(jù)。注意： 和 的含義不同，但在特性曲線(xiàn)近于平行等距并且ICE0 較小的情況下，兩者數(shù)值接近。常用晶體管的 值在20 200之間。例：在UCE= 6 V時(shí)， 在 Q1 點(diǎn)IB=40A, IC=1.5mA； 在 Q2 點(diǎn)IB=60 A, IC=2.3mA。在以后的計(jì)算中，一般作近似處理： = 。IB=020A40A60A80A100A36IC(m

20、A )1234UCE(V)9120Q1Q2在 Q1 點(diǎn)，有由 Q1 和Q2點(diǎn)，得2.集-基極反向截止電流 ICBO ICBO是由少數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)所形成的電流，受溫度的影響大。 溫度ICBOICBOA+EC3.集-射極反向截止電流(穿透電流)ICEOAICEOIB=0+ ICEO受溫度的影響大。溫度ICEO，所以IC也相應(yīng)增加。三極管的溫度特性較差。4. 集電極最大允許電流 ICM5. 集-射極反向擊穿電壓U(BR)CEO 集電極電流 IC上升會(huì)導(dǎo)致三極管的值的下降，當(dāng)值下降到正常值的三分之二時(shí)的集電極電流即為 ICM。 當(dāng)集射極之間的電壓UCE 超過(guò)一定的數(shù)值時(shí)，三極管就會(huì)被擊穿。手冊(cè)上給

21、出的數(shù)值是25C、基極開(kāi)路時(shí)的擊穿電壓U(BR) CEO。6. 集電極最大允許耗散功耗PCM PCM取決于三極管允許的溫升，消耗功率過(guò)大，溫升過(guò)高會(huì)燒壞三極管。 PC PCM =IC UCE 硅管允許結(jié)溫約為150C，鍺管約為7090C。ICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作區(qū)由三個(gè)極限參數(shù)可畫(huà)出三極管的安全工作區(qū)ICUCEO晶體管參數(shù)與溫度的關(guān)系1、溫度每增加10C，ICBO增大一倍。硅管優(yōu) 于鍺管。2、溫度每升高 1C，UBE將減小 (22.5)mV， 即晶體管具有負(fù)溫度系數(shù)。3、溫度每升高 1C， 增加 0.5%1.0%。符號(hào)光的顏色視發(fā)光材料的波長(zhǎng)而定。如采用磷砷化鎵，可發(fā)出

22、紅光或黃光；如采用磷化鎵，可發(fā)出綠光。它的電特性與一般二極管類(lèi)似，正向電壓較一般二極管高，1.53V，電流為幾 幾十mA。發(fā)光二極管當(dāng)在發(fā)光二極管（LED）上加正向電壓，并有足夠大的正向電流時(shí)，就能發(fā)出可見(jiàn)的光。這是由于電子與空穴復(fù)合而釋放能量的結(jié)果。光電器件1 發(fā)光二極管2 光電二極管將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電流信號(hào)。IU 照度增加符號(hào)發(fā)光二極管光電二極管是在反向電壓作用下工作。當(dāng)無(wú)光照時(shí)，和普通二極管一樣，其反向電流很小。當(dāng)有光照時(shí)，其反向電流增大，稱(chēng)為光電流。光電二極管將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電流信號(hào)。光電三極管是用入射光照度E來(lái)控制集電極電流，符號(hào)光電三極管CEICUCEOE5E4E3E2E1E=03 光

23、電三極管光電器件第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介反向截止正向截止正向觸發(fā)導(dǎo)通正向保持導(dǎo)通五、晶閘管簡(jiǎn)介第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介電磁感應(yīng)無(wú)觸點(diǎn)電子點(diǎn)火電路（3）、輸出級(jí)主要參數(shù)二、集成運(yùn)算放大器的理想化條件和特性1、理想化條件二、集成運(yùn)算放大器的理想化條件和傳輸特性2、傳輸特性第四節(jié) 直流穩(wěn)壓電源第四節(jié) 直流穩(wěn)壓電源第四節(jié) 直流穩(wěn)壓電源第八節(jié)第八節(jié)第八節(jié)第八節(jié)第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介電橋平衡時(shí)IG=0R3R1I4C A B R4IR2I1D RxUSRIGI 2GI33、電橋平衡第一節(jié) 半導(dǎo)體簡(jiǎn)介電路模型鏈接圖一、支路電流法以支路電流為未知參變量，利用基爾霍夫電流電壓定律列出方程求解電路電壓電流的方法。I3R3I1US1R1I2US2R21）、假定各支路電流的參考方向。2）、用n-1個(gè)節(jié)點(diǎn)列出節(jié)點(diǎn)電流方程。3）、選擇網(wǎng)孔列出回路電壓方程。4）、聯(lián)立方程求解。代入數(shù)據(jù)解得：第二節(jié) 晶體管基本應(yīng)用電路二、疊加原理I3R3I1US1R1I2US2R2I3R3I1US1R1I2U