實(shí)驗(yàn)二-反相器版圖繪制

1、實(shí)驗(yàn)二、版圖基礎(chǔ)一、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1、熟悉cadence定制設(shè)計(jì)軟件平臺(tái)的基本界面與使用、設(shè)計(jì)文件組織方式。2、了解工藝文件、版圖設(shè)計(jì)等的人致概念，熟悉cadence軟件版圖設(shè)計(jì)相關(guān)的功能。3、繪制反相器版圖二、Cadence定制軟件平臺(tái)的基本界面與使用1、進(jìn)入cadence軟件按照實(shí)驗(yàn)一中的說明依次啟動(dòng)VMWARE、LmuxAS4虎擬機(jī)、然后打開一個(gè)終端窗II。在終端中輸入以卜命令:icfb/岀現(xiàn)的主窗II如圖1亠1所示:主菜單命令行佇息窗I1CIW圖2-2-lCandence主窗II注意以下幾個(gè)事項(xiàng)：（1）輸入icfb/后，終端窗II的前臺(tái)由丁在運(yùn)行該cadence軟件，不再接受新的命令。如果要

2、在終端窗II中運(yùn)行其他命令，可以重新打開一個(gè)終端，或者使用命令bg將cadence軟件轉(zhuǎn)入后臺(tái)運(yùn)行，這時(shí)原來的終端窗I1就可以重新接受命令了。ctrl+z（同時(shí)按Ctrl鍵和字母z鍵）bgIs可以看到Is命令可以執(zhí)行了?；蛘呖梢栽趩?dòng)icfb軟件時(shí)用icfb&/代替icfb&/,則可以在啟動(dòng)時(shí)自動(dòng)進(jìn)入后臺(tái)狀態(tài)?？梢試L試打開和關(guān)閉icfb幾次，實(shí)驗(yàn)bg,&等的效果（2）主窗II分為信息窗IICIW、命令行以及主菜單。信息窗II會(huì)給出一些系統(tǒng)信息（如出錯(cuò)信息，程序運(yùn)行情況等）。在命令行中可以輸入某些命令。2、設(shè)計(jì)文件組織結(jié)構(gòu)與主窗II菜單設(shè)計(jì)文件組織結(jié)構(gòu)Cadence的設(shè)計(jì)文件組織分為設(shè)計(jì)庫(kù)（li

3、brary）、類（category,【叮以不用）、單兀（cell）、視圖（view）四級(jí)。并在庫(kù)定義文件cds.lib中進(jìn)行定義設(shè)計(jì)壞境中可見的設(shè)計(jì)庫(kù)。cds.lib|libraiyl|celll|一viewl|-iew2III一|I-viewN|I-cell2|一viewl|-xiew2TOC o 1-5 h zIII-|-viewN|libraiy?|celll|一viewl|-xiew2III-|-viewN|I-cell2|一viewl|-xiew2III-|viewNlibrary（庫(kù)）是一組設(shè)計(jì)單元的集合，存放一些單元（cell）。一個(gè)單元是由多種視圖（view）組成的。單元可以是

4、一個(gè)簡(jiǎn)單的單元，像一個(gè)與非門，也可以是比較復(fù)雜的單元（由子單元組合而成）。View是某一個(gè)單元的不同表示形式，例如常用的schematic是單元的電路圖，symbol是單元的符號(hào),layout是單元的版圖等等。操作：打開軟件后，在主窗口中點(diǎn)選tooZlibraryManager,觀察設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的組織結(jié)構(gòu)；選中某個(gè)library中一個(gè)cell的一個(gè)view，打開査看，然后關(guān)閉LibraryManager:WorkArea:/rootAleEditViewDesignManagerndedhostlocicfb&hostlochostlochostlochostlochostlochost.lot?

5、ocurrenhostlocLibraryCellView0currenhostlococurrenkfExanpLesUS_8thsabcahdlLibanalogLibbasiccdsDefTechLibC3mc_tffunctionalreEWinrfExvwplerfLibtesttest2J：F_exampleschenatic卜ENDOFILoa.dinStales.劇加L、MessagesfileisM/root/LibManagerLog-.MouseShowCategoriesShowFiles査看主窗口的菜單點(diǎn)選各個(gè)菜單，看一下每個(gè)菜單下面大致有哪些子條目。例女II在Fil

6、e菜單卜，主要的菜單項(xiàng)有New、Open、import、export、re&esh、Exit等。例女IINew菜單項(xiàng)的子菜單卜有Library、Cellview兩項(xiàng)。Library項(xiàng)打開NewLibraiy窗II,Cellview項(xiàng)打開CreateNewFile窗II:open菜單可以選擇打開某一個(gè)設(shè)計(jì)，通過librarymanager也可以達(dá)到同樣的目的；impoitexport用J：將設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)導(dǎo)入/導(dǎo)出該cadence設(shè)計(jì)壞境；其他各個(gè)菜單項(xiàng)就不一一列舉了，在隨后的實(shí)驗(yàn)中用到時(shí)再做說明。三、版圖設(shè)計(jì)Z前的準(zhǔn)備工作1、設(shè)計(jì)壞境與工藝文件設(shè)置版圖設(shè)計(jì)需耍準(zhǔn)備的外部文件主要有兩個(gè)，一個(gè)是&spl

7、ay文件(displaydrf),另一個(gè)是工藝文件(*tf)。其中，工藝文件用丁淀義版圖設(shè)計(jì)中與工藝相關(guān)的一些信息，例如表示有源區(qū)、多晶硅、金屬等的各個(gè)圖層；&splay文件用丁定義各個(gè)圖層的顯示方式。需要首先將這兩個(gè)文件放置到相應(yīng)的位置。工藝文件將display.drf和csmc0p6um.tf拷貝到/root目錄下。關(guān)閉cadence軟件，然后重新啟動(dòng)(icfb)軟件選項(xiàng)設(shè)置主窗口optionsuserpreference,在彈出的設(shè)置窗口中將undolimit設(shè)置為10。(3)建立工藝庫(kù)(technologylibrary)：新建一個(gè)庫(kù)(library),而且該庫(kù)的類型為technolo

8、gylibrary。主窗口中File直New盤Library(1),會(huì)出現(xiàn)NewLibraiy設(shè)置窗II確定Compileanewtechfile被選中(2),然后將路徑設(shè)置為你希望該庫(kù)存放的位置，例如這里我們?cè)O(shè)置為共享目剝mnt/hgfs/vlsi_database(3),也可以通過雙擊Directory欄來完成該操作。然后“Name”欄輸入工藝庫(kù)的名字，例如我們?nèi)∶麨閏smc.tf(4),然后點(diǎn)0K(5)。Name(t)Directory(nonlibraryuncuiories)蠶簇腫護(hù)擊該欄中/nnt/hgfs/vlldatabaaoDontneedatecnfiieNoDMDesig

9、nManagericfbLog:/root/CDS.IogIUlrary.I1Cellview.ZATIONn-sHome|rashNewLibrary0KCancelDefaultsApplyHelpLibrary(5)TechnoloqyAleIFile|ToolsOptions|New|jOpen.IImport1ExportRefresh.1MakeReadOnly.:QoseData.IDefragmentDataExit.Ifyouv/illbecreatingmasklayoutorotherphysicaldatainthislibrary,youwillneedatechno

10、logyfile.IfyouplantouseonlyschematicorIIDLdata,atechnotodYfileisnotrequired.2anewtechfileAttachtoanexistingtechfile在隨后出現(xiàn)的對(duì)話框中ASCIITechnologyFile一項(xiàng)中輸入csmc0p6um.tf，然口點(diǎn)“OK”會(huì)出現(xiàn)一個(gè)信息窗I丨，提示己經(jīng)成功建立工藝庫(kù)。2、基礎(chǔ)知識(shí)講解:、圖層本部分，我們將練習(xí)繪制一個(gè)反相器的版圖。首先，來了解一下需要用到的圖層：本課程中使用CSMC雙硅雙金屬混合信號(hào)工藝，主要的設(shè)計(jì)層包括TBtub,n阱,作為pmos器件襯底TOThinOxide

11、,有源區(qū)，作為mos的源漏區(qū)GTgate,多晶硅1,作為mos柵極SPP+注入?yún)^(qū)SNN+注入?yún)^(qū)W1接觸孔，金屬1到多晶硅和有源區(qū)的接觸孔A1鋁1,第一層金屬W2通孔金屬1和金屬2的接觸孔A2鋁2,第二層金屬CPbondpad,pad開孑LIM第二層多晶硅電阻阻擋層PCpolyCap,用作多晶硅電容上極板和多晶硅電阻的第二層多晶硅詳細(xì)的工藝信息請(qǐng)參考設(shè)計(jì)規(guī)則(0.6umDPDMMixedSignalTechnologyTopologicalDesignRule,pdf)，本次實(shí)驗(yàn)將會(huì)用到的層為TB、TO、GT、SP、SN、WKAl、W2、A2這些圖層，對(duì)于我們的設(shè)計(jì)工具來說，是通過工藝文件來進(jìn)行

12、定義的。圖層的顯示方式,是通過&splay.dif文件來進(jìn)行定義的。可以使用Vi或者文本編輯器打開這兩個(gè)文件，查看一下人致的內(nèi)容。具體的繪制過程中，以不同的顏色或者圖案來表示不同的圖層，把這些圖層按照一定的關(guān)系和規(guī)則繪制在一起，最終形成表示半導(dǎo)體器件和互聯(lián)關(guān)系的版圖。完成的版圖在經(jīng)過設(shè)計(jì)驗(yàn)證后，可以用于制造掩模，最終在半導(dǎo)體制造廠完成生產(chǎn)制造。(2)、設(shè)計(jì)規(guī)則繪制版圖的過程中，必須遵循一定的設(shè)計(jì)規(guī)則。這是因?yàn)樽罱K版圖是要用丁芯片制造的,所以繪制的必須是符合生產(chǎn)工藝要求的版圖，而工藝耍求就是通過設(shè)計(jì)規(guī)則來進(jìn)行定義的。在繪制過程中按照設(shè)計(jì)規(guī)則進(jìn)行版圖設(shè)計(jì)，然后再經(jīng)過設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(DRC,desig

13、nrulecheck)來確保完成的版圖沒有違反設(shè)計(jì)規(guī)則。設(shè)計(jì)規(guī)則主要是定義每個(gè)圖層的一些基本要求，以及不同的圖層Z河的關(guān)系，例如金屬的最小寬度，金屬上放置接觸孔時(shí)，必須有多少的覆蓋等。查看實(shí)驗(yàn)二的參考文件夾中的0.6umDPDMMixedSignalTechnologyTopologicalDesignRule,pdf來建立對(duì)設(shè)計(jì)規(guī)則的人致概念。3、一些預(yù)先的工作(1)、建立一個(gè)設(shè)計(jì)庫(kù)：我們打算繪制的反相器版圖，實(shí)際上是建立反相器“單元”(Cell)的一個(gè)版圖視圖(layoutview)。我們前而講到過，單元是放在設(shè)計(jì)庫(kù)中的。所以，需要先建立一個(gè)設(shè)計(jì)庫(kù)。主窗口中Fil曲New玄Library,

14、會(huì)出現(xiàn)NewLibraiy設(shè)置窗II,與前面建立工藝庫(kù)不同的是，這次要確定“Attachtoanexistingtechfile”選項(xiàng)被選中。庫(kù)名“Name”可以自行設(shè)定，例如設(shè)定為testl,然后點(diǎn)“OK”。然后會(huì)彈出設(shè)置Technology庫(kù)的窗口,選中csmcjf,然后“OK”這樣，一個(gè)新的設(shè)計(jì)庫(kù)“testl”就建好了。主窗口中ToolsetLibraryManager,會(huì)看到Library列表中增加了一個(gè)新的庫(kù)“testl”。選中該庫(kù)（鼠標(biāo)左鍵在窗口中點(diǎn)擊testl）,會(huì)看到cell和view兩欄都是空白的，這是因?yàn)檫@個(gè)庫(kù)中目前還沒有任何設(shè)計(jì)單元存在。X(2)、建立反相器設(shè)計(jì)單TC(c

15、ell)的版圖視圖(layoutview)。在主窗丨I中File&NewJicellview,或者LibraryManager窗口中使用菜單FigNewCellView,彈出的窗口中確定LibraryName為前面新建的設(shè)計(jì)庫(kù)(1),CellName可以自己決定，例如我們輸入inv_l(2),ViewName輸入“l(fā)ayoutw(3),此項(xiàng)也可以不填，通過下面的Tool下拉菜單選中Virtuoso,則會(huì)自動(dòng)改變?yōu)閘ayout最后點(diǎn)“0K”(4)。LibraryManager:WorkArea:/rootHelpFileEditViewDesignManagerShowCategoriesSho

16、wFilesLibrarytestlViewUS_8thsabcahdlLibanalogLibbasiccdsDefTechLibcsmctffunctionalrefWinrfExamplesrfLibtesttest2VCreateNewFileCancelDefaultsHelpToolLibrarypathfileComposer-SchematicComposer-Symbol:Graphics-Editor/ot/cdsl邊.Hierarchy-EditorI”ModelV/HterSpectreHDL-EditorMessagesLogfileis/root/libManage

17、r.log”Text-EditorVIIDL-Editor和mm3VHDLAMS-EditorVerilogEditorJ.VerilogA-EditorAleToolsOptionsImiWrilogAMSE(JitorMrtuoso|、設(shè)置圖層和圖層顯示上一步點(diǎn)OK后，自動(dòng)打開了兩個(gè)窗口:inv_l的layout編輯窗口,以及LSW窗口。Layout窗口X：5.5TonisDesignWindowOBaU?FeitV?hfyCnmiBctiviiyOptxmsRoutingggLSW旦EgSortbditHelpdrcsmc.tfShow(MljflCUtVASNSB|euEirEfqzc

18、TAA/當(dāng)前選中的圖層所有可用匪Jnd|do7nsIsIPDIdrvPS|dnd/11tuosoLayoutEditing:testlinv_llayoutY：5(F)SttlACt：0DRD：OFFdX：-1RhiZoottAbsoLuteScal(hiCLftoudeSmgleSeleotPtNleHiMousePcpUp0關(guān)丁-LSW和版圖的很多選項(xiàng)和功能，在以后的實(shí)驗(yàn)中會(huì)慢慢熟悉，這里我們先來設(shè)置一下LSW中顯示的圖層，以及改變圖層顏色和圖案的方法。設(shè)置LSW中顯示的圖層：我們看到，LSW中顯示的圖層很多，但對(duì)于一個(gè)簡(jiǎn)單單元的layout,可能只需要用到其中的一小部分。為了方便起見，我

19、們可以修改LSW中顯示的圖層（這樣并沒有刪除圖層，隨時(shí)都可以更改讓其恢復(fù)顯示）LSW窗口中選中EditiSetValidLayers,會(huì)出現(xiàn)一個(gè)“SetValidLayers”窗口缺省是全部選中的狀態(tài)，即每個(gè)圖層后面的選擇框是黑色的。因?yàn)槲覀冃枰O(shè)置選中的圖層較少，可以先點(diǎn)擊左上角的按鈕“NoneValid”，這時(shí)可以看到所仃的選擇框都變成未被選中的狀態(tài)。然后再逐個(gè)選中需要顯示的圖層即可需要選中顯示的圖層包括前面第四部分列出的設(shè)計(jì)圖層:TB、TO、GT、SP、SN、町、Al、W2、A2,以及用丁標(biāo)記的A1TEXT、A2TEXT、TEXT、boarder.prBoundry層。（注意：應(yīng)被選擇的

20、是后而標(biāo)記為“餾”的層）選擇完成后，點(diǎn)擊“OK”o完成以上操作后，可以看到LSW窗II中變?yōu)橹伙@示所設(shè)置的圖層了。設(shè)置圖層的顏色圖案：LSW窗口中選中Edi謚DisplayResourceEditor,會(huì)出現(xiàn)一個(gè)DisplayResourceEditorII,在這里可以改變圖層的顏色和圖案。由于時(shí)間關(guān)系,本次實(shí)驗(yàn)中不進(jìn)行該操作，有興趣的同學(xué)可以在完成實(shí)驗(yàn)后自己進(jìn)行操作。（4）、Layout窗II介紹：版圖窗II由三部分組成：Iconmenu,menubanner,statusbanner.Iconmenu（圖標(biāo)菜單）缺省時(shí)位丁版圖圖框的左邊，列出了一些最常用的命令的圖標(biāo)，要查看圖標(biāo)所代表的指令

21、，只需要將鼠標(biāo)滑動(dòng)到想要查看的圖標(biāo)上，圖標(biāo)卜方即會(huì)顯示出相應(yīng)的指令。menubanner（菜單欄），包含了編輯版圖所需要的各項(xiàng)指令，并按相應(yīng)的類別分組。statusbanner（狀態(tài)顯示欄），位于menubanner的上方，顯示的是坐標(biāo)、當(dāng)前編輯指令等狀態(tài)信息。請(qǐng)熟悉一下版圖編輯窗口中各個(gè)部分的狀態(tài)，功能，以及菜單和圖標(biāo)對(duì)應(yīng)的內(nèi)容。隨后的反相器版圖設(shè)計(jì)工作將主要在該窗I中進(jìn)行。layout選項(xiàng)設(shè)置:layout窗口中選中Optionsdisplay,會(huì)出現(xiàn)一個(gè)display選項(xiàng)設(shè)置窗II。將其中的Xsnapspacing和Ysnapspacing設(shè)置為0.1,然后點(diǎn)OK關(guān)掉該設(shè)置窗口。在開始正

22、式的版圖設(shè)計(jì)Z前，最好可以先熟悉一下layoutII中各個(gè)菜單和圖標(biāo)，尤其是各個(gè)編輯功能的使用方法。隨便繪制一些圖形。常用的編輯功能都在“create”、“Edit”兩個(gè)菜單中。其中一部分也可以通過窗I咗側(cè)的圖標(biāo)欄來選中。試用的時(shí)候請(qǐng)注意盡最記住菜單中每個(gè)編輯選項(xiàng)后而標(biāo)明的快捷鍵，使用熟練后可以明顯提高繪圖效率。兒個(gè)常用的指令及相應(yīng)的快捷鍵列舉如2ZoomIn放大Zoomoutby2縮小2倍(Z)Save保存編輯(Delete刪除編輯(Del)Undo取消編輯(U)Redo-恢復(fù)編輯(U)Move移動(dòng)(m)Stretch一一一伸縮(S)Rectangle一編輯矩形圖形(r)Polygon編輯多

23、邊形圖形(P)Path編輯布線路徑(P)Copy-復(fù)制編輯(C)到此為止，我們已經(jīng)完成了必要的設(shè)置，町以正式開始反相器版圖的設(shè)計(jì)了。四、反相器版圖設(shè)計(jì)先來看一個(gè)已經(jīng)完成的反相器版圖:VirtuosoLayoutEditing:test2abclayoutXX：1.9Y：0.8(F)Select:0DRD:OFFdX:-10.4Dist：12.76Ond:ToolsDesignWindowCreateEditVerifyOmnectivltyOptionsRoutingHelp:.：.(.：7尸=-.*-I-.3.1I：*工:/.*/*I*J*IJ1.!4*4*(A1（第一層金屬）bedSP(P

24、+注入?yún)^(qū))V1S源M.leHiNousePopUp()nou3eL.MouseSingleSelectPtR.hiUndo()該圖所用的圖層已經(jīng)做了相應(yīng)的標(biāo)注，人家可以觀察一下。版圖中上半部分為一個(gè)PMOS晶體管，卜半部分為一個(gè)NMOS晶體管，最上和最卜方分別是接通電源（VDD）和地（GND）的金屬連線?？梢钥吹剑嗑Ч瑁℅T）與有源區(qū)（TO）相交，就形成了一個(gè)晶體管，其中GT是柵極，TO層被GT層相隔形成的兩個(gè)方形區(qū)域分別是源極和漏極。這個(gè)晶體管是NMOS還是PMOS是通過覆蓋苗源區(qū)的離子注入層是SP（P+注入?yún)^(qū)，則為PMOS）,還是SN（N+注入?yún)^(qū)，則為NMOS）來進(jìn)行區(qū)別的。而PMOS晶

25、體管或者NNIOS晶體管的三個(gè)極必須何與電源、地Z間的連接以及其他連接，才能形成一個(gè)邏輯門，這是通過在有源區(qū)（TO）、多晶硅（GT）上放置接觸孔（W1）,連接到金屬層（A1）,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)連接的。卜面我們來繪制一個(gè)類似的反相器版圖。注意：在繪制版圖的過程中，注意多進(jìn)行幾次保存,（快捷鍵F2,或者菜單中DesigiiaSave）,以免因誤操作或者其他意外使完成的設(shè)計(jì)丟失。X1、畫pmos部分（IX畫出有源區(qū)在LSW中，點(diǎn)擊選中TO（dg）,注意這時(shí)LSW頂部顯示TO字樣，說明TO層為當(dāng)前所選中的繪圖層。然后回到Layout窗II中。點(diǎn)擊iconmenu（窗II左側(cè)）中的（或者使用快捷鍵r,或者使用頂

26、部菜單中的creatarectangle）,在窗II中畫一個(gè)寬為3.8u,長(zhǎng)為2.8u的矩形。畫一個(gè)指定尺寸的rectangle有很多種方法，這里列舉其中的三種：A、點(diǎn)-5J后在繪圖區(qū)點(diǎn)鼠標(biāo)左鍵確定方形的第一個(gè)頂點(diǎn)，然后斜向上劃出一個(gè)矩形,注意觀察窗II頂部顯示的dxdy值，當(dāng)改變?yōu)閐x3.8dy2.8時(shí)松開鼠標(biāo)。B|B3IEKEBVirtuosoLayoutEditing:testIinv_llayoutX:6.9Y:8.7(F)Select:0DRD:OFFdX:3.8dY:2.8Dist:8ToolsDesignWindowCreateEditVerifyConnectivityOpti

27、onsRoutingHelp3.8u可以先畫岀一個(gè)寬度為0.6u的矩形，然后從有源區(qū)的一條邊量出1.6u的距離，然后選中GT矩形，使用move命令(快捷鍵氓或edit菜單)，將其移動(dòng)到想耍放置的位置。畫注入?yún)^(qū)和N阱一個(gè)完整的PMOS晶體管在有源區(qū)Z外，還應(yīng)該有P+離子注入?yún)^(qū)和N阱。分別対應(yīng)SP和TB層。所以需要在剛才圖形的基礎(chǔ)上添加一個(gè)SP層的矩形，這一矩形需耍從TO的矩形向外延伸至少0.6m接著，我們還耍再使用TB層畫一個(gè)矩形，它至少需要從SP矩形向外延伸1.8u。如下圖所示：這樣，一個(gè)pmos的版圖就人致完成了。接著我們要給這個(gè)管子布線。布線pmos管必須連接到輸入信號(hào)源和電源上，因此我們

28、必須在原圖基礎(chǔ)上布金屬線。a、首先我們要完成有源區(qū)(源區(qū)和漏區(qū))的連接。在源區(qū)和漏區(qū)上用W1(dg)層畫contact接觸孔，尺寸為0.6u乘0.6u的矩形。b、我們需要使用多個(gè)通孔，但沒有必要每個(gè)都畫一遍，可以使用copy命令（選中通孔后按快捷鍵c,或者使用edit菜單），將一個(gè)通孔拷貝為多個(gè)。c、將兩個(gè)contact上下對(duì)齊擺放，間距為0.8u,然后用金屬層Al畫一個(gè)寬為1.2u的矩形，覆蓋在contact上，注意兩邊延伸出去的金屬都為0.3uo然后將該金屬和contace的組合復(fù)制一份，分別放在源區(qū)和漏區(qū)，注意contact到GT的最小距離為0.6u。202304060布線完畢后的版圖如

29、卜圖所示:熟悉makecell和flatteno按ESC鍵回到選擇狀態(tài)，然后按住鼠標(biāo)左鍵圈選畫好的全部版圖，然后使用EditaHierarchyamakecell,在岀現(xiàn)的對(duì)話框中cell欄輸入pmos,這樣，就建立了一個(gè)新的cell,cell名稱為pmoso可以使用libraiymanager查看testl庫(kù)中的變化。注意：這個(gè)時(shí)候inv_l版圖窗II中前面所繪制的版圖，變成了對(duì)cellpmos的一個(gè)調(diào)用，如果不想保持這種調(diào)用關(guān)系，可以選中這個(gè)uistaiice,然后用EditBHierarchyaflatten來去除與pmoscellZ間的調(diào)用關(guān)系。2、畫NMOS部分。我們注意到，其實(shí)NM

30、OS對(duì)以從PMOS的版圖中修改得到，這樣就沒有必耍再?gòu)牧汩_始來畫NMOS了。(1)、在inv_l的layout窗【I中按快捷鍵i(或使用createainstance),在窗口中輸入Libraiy:testlCell:pmosMew:layout或者點(diǎn)browse”,然后在出現(xiàn)的窗口中依次選中testl,pmos,layout，然后點(diǎn)close可以達(dá)到跟上面直接輸入同樣的效果。然后點(diǎn)“hide”，會(huì)看到一個(gè)黃色的圖形出現(xiàn)，在layout窗II中合適的位置上點(diǎn)擊鼠標(biāo)左鍵,就添加了-個(gè)pmos的instance,然后按ESC鍵,結(jié)束添加instance命令，回到選擇狀態(tài)。然后選中這個(gè)instanc

31、e,用EditQHierarchyflatten來進(jìn)行flatteno這時(shí)，該部分圖形中的每個(gè)層又可以單獨(dú)進(jìn)行編輯了。（2）、選中該部分中的NWELL層，刪除（del鍵），然后選中SP層，按快捷鍵q（或使用EditaProperties）,在出現(xiàn)的窗II中將layer欄由SP改為SN。這時(shí)，一個(gè)NMOS晶體管己經(jīng)完成了，但我們?yōu)榱藢MOS、NMOS的寬度比改為2：1,再進(jìn)行一下修改，將NMOS晶體管的寬度改為1.4u?？梢酝ㄟ^刪除和stretch命令，來達(dá)到修改的目的。將橫向并排的兩個(gè)contact刪除掉，然后按快捷鍵s（或者使用EditQStretch）,進(jìn)入stretch命令狀態(tài)。在nmos圖形的左側(cè)開始，按鼠標(biāo)左鍵，框選住卜半部分，即劃出一個(gè)如卜圖所示的黃框：松開鼠標(biāo)左鍵，把鼠標(biāo)移回到mnosF方，然后再點(diǎn)一次鼠標(biāo)左鍵，松開后上下移動(dòng)鼠標(biāo)，會(huì)發(fā)現(xiàn)卜半部的圖形隨Z移動(dòng)。這時(shí)如果原先設(shè)定了一個(gè)標(biāo)尺，可以將其精確的移動(dòng)到想要移動(dòng)的位置：或者在沒有標(biāo)尺可以參照的情況卜，也可以計(jì)算一下想耍移動(dòng)的距離，例如這里是需要向上移動(dòng)1