光纖的環(huán)境性能

1、光纖的環(huán)境性能第一節(jié) 光纖環(huán)境性能測試的目的隨著人們對信息需求的日益增長及光纖通信技術(shù)的日趨成熟，光纖光纜正在以架空、直埋、管道、溝道、隧道、水下等敷設(shè)方式在各種各樣的實(shí)際使用環(huán)境中，織制著縱橫穿插的光纜網(wǎng)絡(luò)。光纖光纜跨越各種溫區(qū)，要能經(jīng)受不同環(huán)境條件的作用。為確保光纖能在各種嚴(yán)酷環(huán)境條件下正常工作，我們應(yīng)當(dāng)仿照光纖實(shí)際使用場所的溫度、潮濕、高溫高濕、高溫、核輻射等環(huán)境條件設(shè)計(jì)出溫度循環(huán)、浸水、高溫高濕、高溫、核輻射等試驗(yàn)來檢驗(yàn)光纖對氣候的適應(yīng)性、耐核輻射等性能是否符合要求。人們正是在充分爭辯光纖的環(huán)境性能的根底上，設(shè)法改進(jìn)光纖的材料選擇、構(gòu)造設(shè)計(jì)、制造工藝、正確選擇涂覆、套塑材料及相應(yīng)的涂覆

2、工藝和合理選擇光纜材料、光纜構(gòu)造和成纜工藝。假設(shè)我們從理論和試驗(yàn)中找出致使光纖環(huán)境性能下降的緣由所在，那么改善光纖環(huán)境性能的方法也就指日可待了。其次節(jié) 測量方法光纖環(huán)境性能試驗(yàn)主要包括溫度循環(huán)。浸水、高溫高濕、核輻射等。溫度循環(huán)試驗(yàn)用來驗(yàn)證光纖的氣候適應(yīng)性能，浸水試驗(yàn)是考察光纖的耐水侵蝕性能，高溫高濕試驗(yàn)則是推斷光纖耐高溫高濕作用的性能，高溫試驗(yàn)是用來評價(jià)光纖耐高溫的性能，核輻射試驗(yàn)用以檢測光纖耐 射線輻射的耐輻照性能。下面對光纖環(huán)境性能的測量原理、試驗(yàn)裝臵和試驗(yàn)程序等作簡潔介紹。一、溫度循環(huán)測量原理光纖溫度循環(huán)試驗(yàn)的測量原理是通過模擬光纖在儲存、運(yùn)輸和使用期間可能經(jīng)受的最壞溫度變化來確定A1

3、a-A1d 多模光纖和B1-B4 單模光纖對溫度變化的衰減穩(wěn)定性，即光纖的衰減溫度特性。光纖的溫度衰減特性試驗(yàn)是將受試的整筒光纖放在氣候室內(nèi)，在溫度循環(huán)試驗(yàn)規(guī)定的溫度范圍內(nèi)進(jìn)展溫度循環(huán)試驗(yàn)，以確定溫度變化時(shí)，光纖的附加損耗量。溫度循環(huán)試驗(yàn)完畢后，可按下式計(jì)算出光纖的平均附加損耗： 10LPlogP0(dB/km)(7.1)式中：P分別在試驗(yàn)點(diǎn) T 、T 、保溫后的穩(wěn)定光功率；ABP 參考溫度 T 的光功率；00L試樣長度。另外，我們還可以用光時(shí)域反射計(jì)(OTDR)直接測量不同溫度點(diǎn)的 OTDR 曲線， 從而確定光纖的溫度附加損耗量。試驗(yàn)裝臵光纖的溫度衰減特性的試驗(yàn)裝臵主要由衰減測量裝臵和氣候室

4、組成。衰減測量裝臵應(yīng)承受 GB/T 15972.4-2022光纖總標(biāo)準(zhǔn)第 4 局部：傳輸特性和光學(xué)特性試驗(yàn)方法中規(guī)定的傳輸功率監(jiān)視法和 GB/T 15972.4 規(guī)定的后向散射法中的衰減測量裝臵來測定被測光纖的溫度衰減變化。氣候室氣候室的體積大小應(yīng)適合容納被試光纖線盤，氣候室的溫度應(yīng)地規(guī)定試驗(yàn)溫度范圍內(nèi)，其溫度把握精度應(yīng)在3內(nèi)。承受強(qiáng)制空氣循環(huán)來維持氣候室內(nèi)溫度均勻，氣候室的設(shè)臵及關(guān)心設(shè)備的安放要避開冷凝水滴落到受試光纖試樣上。試驗(yàn)程序試樣為出廠長度或按產(chǎn)品規(guī)定的長度，并應(yīng)為可到達(dá)所需試驗(yàn)準(zhǔn)確度的適當(dāng)長度。建議被試光纖最短長度為：多模光纖(A1aA1d)應(yīng)不短于 1000m，單模光纖(B1B4

5、)應(yīng)不短于 2022m。假設(shè)受試光纖經(jīng)滑石粉處理，那么應(yīng)從該試樣光纖中抽出一段未涂抹滑石粉的光纖進(jìn)展試驗(yàn)。為了得到具有重復(fù)性的試驗(yàn)結(jié)果，試驗(yàn)光纖應(yīng)松馳地繞在線盤上并臵于氣候室內(nèi)。試驗(yàn)結(jié)果可能會受到光纖彎曲半徑的影響?；谶@個(gè)考慮， 試樣松繞成卷并用滑石粉材料處理，以便使卷繞的緊挨各圈，彼此能自由地移動(dòng)。受試光纖可以以水平或垂直方式繞成最小彎曲直徑為 150mm，以避開發(fā)生宏彎作用。被測光纖試樣放入氣候室內(nèi)，在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)經(jīng)受各種溫度變化。試驗(yàn)條件， 如表 7.1 所示。表 7.1預(yù)處理?xiàng)l件最低溫度溫度循環(huán)試驗(yàn)條件溫度測試條件T標(biāo)稱值 2h,23,50RH-60或-40A最高溫度TB+85或+7

6、0在每個(gè)溫度下最小的持續(xù)時(shí)間t12h最大的溫度速率斜坡速率1/min需要完成的循環(huán)次數(shù)循環(huán)次數(shù)2試驗(yàn)具體步驟與內(nèi)容大致如下：試驗(yàn)前應(yīng)將被試光纖試樣臵于正常試驗(yàn)大氣環(huán)境中預(yù)處理時(shí)，目視檢查外觀，然后將試樣光纖的兩端分別與穩(wěn)定光源和光檢測系統(tǒng)連接好，待監(jiān)測系統(tǒng)穩(wěn)定后測定環(huán)境溫度下的衰減基準(zhǔn)值。將處于環(huán)境溫度下的試樣光纖臵入氣候室，并將試樣光纖兩端引出氣候室外，與穩(wěn)定光源和光檢測系統(tǒng)連接好或與光時(shí)域反射計(jì)連接好。再以適當(dāng)?shù)睦鋮s速率將氣候室溫度降到規(guī)定的低溫 T ，待室內(nèi)溫度到達(dá)穩(wěn)定后，接著使試樣光纖A在 T 溫度下保溫適當(dāng)?shù)臅r(shí)間 t (t 2h)。然后以適當(dāng)?shù)募訜崴俾蕦夂蚴覝囟壬鼳11高至規(guī)定的高

7、溫 T ，待室內(nèi)溫度穩(wěn)定后，使試樣光纖在 TBB溫度下保溫適當(dāng)?shù)臅r(shí)間 t ，再以適當(dāng)?shù)睦鋮s速率將氣候室溫度降至環(huán)境溫度。上述的降溫、保溫、升1溫、保溫過程構(gòu)成了一個(gè)溫度循環(huán)。如圖 7.1 所示。圖 7.1 一個(gè)溫度循環(huán)的試驗(yàn)氣候室內(nèi)溫度循環(huán)曲線在一個(gè)溫度循環(huán)過程中要記錄好溫度點(diǎn)環(huán)境溫度 T 、TAB下經(jīng)過保溫時(shí)間 t1后輸出光功率 P 、P 、P 。0AB光纖溫度衰減特性試驗(yàn)時(shí)，被測光纖試樣應(yīng)經(jīng)受兩個(gè)溫度循環(huán)過程。試驗(yàn)完畢后，依據(jù)式(7.1)計(jì)算出光纖的平均附加損耗量。二、溫度時(shí)延漂移測量原理當(dāng)今光纖光纜被廣泛使用在不同的敷設(shè)方式和環(huán)境中，敷設(shè)方式有架空、管道、直埋、纜溝和水下等，使用環(huán)境溫度

8、為-50+60，因此要求光纖的性能要有高度的穩(wěn)定性。長期以來，人們始終關(guān)心的光纖溫度特性包括溫度特性和時(shí)延溫度特性。由于過去的光纖通信承受的是異步數(shù)字傳輸，不考慮時(shí)鐘溫度漂移問題。當(dāng)今，隨著光同步數(shù)字傳輸網(wǎng)的普及應(yīng)用，人們開頭重視時(shí)鐘漂移問題，也開頭爭辯 光纖脈 沖時(shí)延溫度 特性。 盡管光 纖的時(shí) 延溫度系數(shù) 很小， 但其對40Gbit/s 速率的高速系統(tǒng)仍有影響。眾所周知，光脈沖通過長度為 L 的光纖的群時(shí)延為: L Vg LN c(7.2)式中：L 為光纖長度，N 為光纖材料群折射率，c 為真空中的光速。當(dāng)溫度發(fā)生變化時(shí)，群時(shí)延也發(fā)生變化，將時(shí)延 對溫度 T 求導(dǎo)可得：d 1 L dNdL

9、 N(7.3)dTc dTdT 實(shí)際上，光纖時(shí)延溫度的變化是一種慢變化，稱為溫度漂移。我們定義單位長度單位溫度 間隔時(shí)延變 化量為光 纖溫度時(shí) 延漂移常數(shù) ，記作 Kfps/(km)，表示式為：，單位為K d 1 1 dNN dL (7.4)fdTLc dTLdT 式中：第一項(xiàng)為哪一項(xiàng)由于光纖材料群折射率隨溫度變化而引起的，其次項(xiàng)是由于光纖物理變化引起的。溫度時(shí)延漂移常數(shù)的測量原理是利用應(yīng)變測量儀，在頻域法中，測量同一波長下溫度變化引起的正弦波調(diào)制信號的相位移，即：=2f =2fk LT(7.5)f將式(7.5)稍作變換得 k ：fkf2fL T(7.6)式中：f 為調(diào)制頻率；L 為試樣光纖長

10、度；T 為溫度間隔。在一般狀況下，時(shí)延隨溫度的變化并不完全是線性關(guān)系。試驗(yàn)時(shí)應(yīng)多項(xiàng)選擇擇一些試驗(yàn)溫度點(diǎn)，由測量取得的多組數(shù)據(jù)求出擬合曲線，從而確定不同溫度間隔內(nèi)的平均時(shí)延漂移常數(shù)。試驗(yàn)裝臵光纖溫度時(shí)延漂移常數(shù)的試驗(yàn)裝臵與色散測量試驗(yàn)裝臵根本一樣。所不同的是光纖先后放入溫箱和冰柜中，光纜放在人工氣候室內(nèi)。溫度變化范圍為-40+60之間。色散測量的是不同波長間的時(shí)延差，而溫度時(shí)延漂移常數(shù)是測量不同溫度下的時(shí)延差。光纖溫度時(shí)延漂移常數(shù)測量用的試驗(yàn)裝臵是應(yīng)變測量儀色散測量儀加應(yīng)變測量軟件。試驗(yàn)程序光纖時(shí)延溫度常數(shù)的試驗(yàn)方法與單模光纖色散系數(shù)的試驗(yàn)方法根本一樣，所不同的是，對色散測量的是同一溫度下室溫不

11、同波長間的時(shí)延差；對時(shí)延溫度漂移，測量的是同一波長下工作波長，如1310nm，溫度變化引起的光脈沖時(shí)延的變化。如將石英玻璃光纖的熱膨脹系數(shù)、石英玻璃在 1310nm 處的群折射率和折射率隨溫度變化值代入式(7.4)可算出 k 36ps/(km)，式(7.4)估算 k 時(shí)，未ff考慮光纖預(yù)涂覆材料的影響，實(shí)際上，不同的涂覆材料和工藝，光纖的溫度時(shí)延漂移常數(shù)相差很大，大約在 30200ps/(km)之間。另外，成纜光纖的溫度時(shí)延漂移常數(shù)會大一些，具體數(shù)值取決于光纜構(gòu)造設(shè)計(jì)和填充材料。一般要求光纖的溫度時(shí)延漂移常數(shù)以 40ps/(km)為好。三、浸水測量原理光纖浸水試驗(yàn)的測量原理是通過將多模光纖(A

12、1aA1d)和單模光纖(B1B4) 浸入蒸餾水或去礦物或離子水中來模擬光纖在實(shí)際使用、儲存和運(yùn)輸中可能遇到浸水環(huán)境條件來確定光纖的耐浸水適用性。我們可以借助插入損耗法和后向散射法來測量經(jīng)規(guī)定的浸水時(shí)間后浸泡的光纖試樣的衰減變化。試驗(yàn)裝臵光纖浸水試驗(yàn)的試驗(yàn)裝臵主要由水箱和衰減測量裝臵組成。水箱浸泡光纖試驗(yàn)的水箱裝滿蒸餾水，去礦物水或離子水。水的 PH 值為 5.0 8.0。衰減測量裝臵應(yīng)承受 GB/T 15972.4-2022光纖總標(biāo)準(zhǔn)第 4 局部：傳輸特性和光學(xué)特性試驗(yàn)方法中規(guī)定的插入損耗法和后向散射法中的衰減測量裝臵來測定浸水后的光纖衰減變化。試驗(yàn)程序?yàn)榇_保光纖光傳輸性能測量的重復(fù)性，被測多

13、模光纖(A1aA1d)的最短長度為 1000m，單模光纖(B1B4)的最短長度則為 2022m。水箱外部的光纖試樣長度越短越好。所制備的光纖試樣不會影響到其受試結(jié)果。光纖試樣應(yīng)松繞成盤，而且光纖兩端應(yīng)保持在水外，試樣光纖以最小彎曲直徑 150mm 水平或垂直繞成盤， 以防止引起宏觀彎曲損耗。光纖試樣被放入布滿水的水箱中，水溫為 235。光纖試樣在水箱中放臵30 天。接著，可以用插入法和后向散射法，在規(guī)定波長下，測量浸水前、浸水中和浸水后的光纖試樣的衰減變化。四、高溫高濕測量原理光纖高溫高濕試驗(yàn)原理是通過模擬光纖在實(shí)際使用、儲存和運(yùn)輸中可能經(jīng)受到的高溫高潮濕環(huán)境條件來確定適用性。高溫高濕試驗(yàn)是通

14、過觀看規(guī)定時(shí)間范圍內(nèi)恒溫下高潮濕對光纖的作用，從而到達(dá)評價(jià)光纖的有用性能的目的。這個(gè)試驗(yàn)給出一個(gè)有用的方法。試驗(yàn)裝臵光纖的高溫、高濕試驗(yàn)的試驗(yàn)裝臵主要由氣候室、增濕器和衰減測量裝臵組成。氣候室氣候室的體積大小應(yīng)適應(yīng)容納被測光纖線盤，而且便于試驗(yàn)中測量裝臵的接入。同時(shí)，氣候室也能在規(guī)定的精度內(nèi)保持給定的高溫存高濕。高溫高濕氣候室和關(guān)心設(shè)備的安放應(yīng)避開冷凝水滴落到光纖試樣上。增濕器用去礦物水或去離子水來獲得規(guī)定的濕度。試驗(yàn)裝臵的銹或腐蝕雜質(zhì)都不應(yīng)作用到光纖試樣上。應(yīng)當(dāng)依據(jù)增濕器制造廠家說明書要求把握加到增濕器中的水量。衰減測量裝臵承受 GB/T 15972.4-2022光纖總標(biāo)準(zhǔn)第 4 局部：傳輸

15、特性和光學(xué)特性試驗(yàn)方法中規(guī)定的插入損耗法和后向散射法中的衰減測量裝臵來測定被測光纖的衰減變化。試驗(yàn)程序?yàn)榇_保被測光纖光傳輸性能測量的重復(fù)性對被測多模光纖 (A1aA1d)的最短長度為 1000m；對被測的單模光纖(B1B4)的最短長度則為 2022m。位于氣候室外的光纖試樣長度越短越好。假設(shè)氣候室外的光纖試樣長度超過試樣光纖總長度的 10應(yīng)記載于試驗(yàn)報(bào)告中。光纖試樣的制備不應(yīng)影響到其被測的性能。光纖試樣應(yīng)松繞成線盤，而且被涂上例如滑石粉材料，以求線盤上的彼此緊靠的各圈光纖可自由移動(dòng)，光纖試樣可以以水平或垂直繞成最小彎曲直徑為 150mm 的線圈，以免產(chǎn)生宏觀彎曲作用。假設(shè)光纖試樣用滑石粉處理，

16、那么應(yīng)從該光纖試樣中抽一段未涂滑石粉的光纖， 暴露到試驗(yàn)環(huán)境中進(jìn)展試驗(yàn)。高溫高濕試驗(yàn)的試驗(yàn)條件為：溫度為+85，相對濕度為+85，持續(xù)試驗(yàn)時(shí)間為 30 天。受試光纖的衰減測量是在規(guī)定的波長下，用插入法或后向散射法測量試驗(yàn)前、試驗(yàn)中一旦試樣穩(wěn)定在規(guī)定的溫度和相對濕度下和試驗(yàn)后的光纖衰減變化。五、高溫測量原理光纖高溫試驗(yàn)的測量原理是通過模擬多模光纖(A1aA1d)和單模光纖(B1 B4)在實(shí)際使用、儲存和運(yùn)輸中所經(jīng)受的高溫環(huán)境條件作用下，測量光纖衰減變化來確定光纖的適用性。這個(gè)試驗(yàn)?zāi)康氖窃诮o定的時(shí)間范圍內(nèi)觀看高溫對光纖的作用。試驗(yàn)裝臵光纖高溫試驗(yàn)的試驗(yàn)裝臵主要由高溫箱和衰減測量裝臵組成。高溫箱高溫

17、箱的體積大小應(yīng)能容納被測光纖線盤，并不會使輻射熱直接作用到試樣光纖上，且便于試驗(yàn)條件下測量裝臵的接入。高溫箱還應(yīng)具有在規(guī)定的精度范圍內(nèi)保持規(guī)定的溫度的力量。可承受強(qiáng)制空氣循環(huán)方法來保持高溫箱內(nèi)的溫度均勻。衰減測量裝臵光纖高溫環(huán)境下的衰減變化測量裝臵承受的是 GB/T 15972.4-2022光纖總標(biāo)準(zhǔn)第 4 局部：傳輸特性和光學(xué)特性試驗(yàn)方法規(guī)定的插入法和后向散射法中的衰減測量裝臵。試驗(yàn)程序?yàn)楂@得測量的重復(fù)性，光纖高溫環(huán)境下衰減變化測量所需多模光纖最短長度為 1000m，單模光纖最短長度為 2022m。放在高溫箱外的光纖試樣長度應(yīng)越短越好。光纖試樣的制備應(yīng)不影響在受試條件下的性能。建議將光纖試樣

18、松繞成線盤， 并用諸如滑石粉等材料涂抹，以便使繞成的彼此緊靠的光纖圈可自由移動(dòng)。光纖試樣可水平或垂直地繞成一個(gè)最小彎曲直徑為 150mm 的線盤，以防產(chǎn)生任何宏觀彎曲作用。假設(shè)試樣光纖被涂抹滑石粉處理，那么應(yīng)從該試樣光纖中抽出一段未涂抹滑石粉的光纖暴露到試驗(yàn)環(huán)境中進(jìn)展試驗(yàn)。光纖高溫試驗(yàn)的試驗(yàn)條件：溫度為+85，持續(xù)試驗(yàn)時(shí)間為 30 天。盡管高溫試驗(yàn)不把握濕度，但是試驗(yàn)開頭時(shí) 35下相對濕度不低于 50，衰減測量是在規(guī)定的波長下，用插入法或后向散射法來測量試驗(yàn)前、試驗(yàn)中一旦試樣穩(wěn)定在規(guī)定的溫度和試驗(yàn)后被測光纖的衰減變化。六、核輻照測量原理為確保敷入有背景輻射和有害核輻射環(huán)境中的光纖能夠安全牢靠地

19、工作，有必要爭辯測量暴露在輻射環(huán)境中的成纜或未成纜單模光纖或多模光纖中產(chǎn)生的輻照感應(yīng)衰減的增加。這主要是由于光纖玻璃缺陷部位俘獲了輻射分解的電子和空穴造成的即形成了色心。光纖核輻照測量原理是承受衰減測量中的截?cái)喾▉泶_定光纖在環(huán)境背景下的輻照感應(yīng)衰減。通過監(jiān)測試樣光纖暴露在輻照前后及期間的功率來實(shí)現(xiàn)光纖在有害核輻照環(huán)境下的輻照感應(yīng)衰減。由于光或熱作用導(dǎo)致的色心削減產(chǎn)生了恢復(fù)效應(yīng)減小了輻照感應(yīng)衰減?；謴?fù)效應(yīng)可在 104102 時(shí)間范圍內(nèi)發(fā)生，這使得輻照引起的衰減變化特征變得很簡單。由于衰減與很多變量有關(guān)，如：試驗(yàn)環(huán)境溫度、試樣構(gòu)造、施加于試樣的輻射總劑量和劑量率以及測量衰減所使用的光平。試驗(yàn)裝臵兩

20、種輻照環(huán)境下的光纖核輻照試驗(yàn)裝臵，如圖 7.2 和 7.3 所示。兩種試驗(yàn)裝臵主要由輻照源、光源、光濾波器/單色儀、光探測器、光功率計(jì)和輻射劑量計(jì)等組成。圖 7.2 環(huán)境背景輻照試驗(yàn)裝臵圖 7.3 有害核環(huán)境輻照試驗(yàn)裝臵輻照源環(huán)境背景輻照試驗(yàn)應(yīng)承受一個(gè) Co鈷或等效的電離源以不大于 0.2Gy/h 的低劑量率產(chǎn)生 輻射。有害核環(huán)境輻照試驗(yàn)應(yīng)承受一個(gè) Co鈷或等效的電離源以 0.05Gy/s 至 2.5Gy/s 范圍內(nèi)所需的劑量產(chǎn)生輻射。光源應(yīng) 采 用諸 如鹵 鎢 燈、 一組 激光 器或 LED 等光 源來 產(chǎn)生 850nm 、1300nm(1310nm)、1550nm 工作波長。在完成測量的時(shí)

21、間內(nèi)，光源強(qiáng)度應(yīng)保持穩(wěn)定。從光源耦合到試驗(yàn)光纖中的功率應(yīng)不大于-30dBm(1.0W)。光源應(yīng)用占空比為 50的脈沖信號進(jìn)展調(diào)制。光濾波器/單色儀應(yīng)用一組濾光器材或單色儀獲得波長為 85020nm、1300(1310) 20nm 和 155020nm 的光。濾光器 3dB 光譜寬度大于 25nm。包層模剝除器必要時(shí)，應(yīng)在試樣光纖輸入端和輸出端承受包層模剝除器以剝除包層模。假設(shè)光纖涂覆材料設(shè)計(jì)成可去除包層模涂覆材料折射率略高于玻璃包層折射率，則不要求包層模剝除器。光纖固定和定位裝臵試樣光纖應(yīng)固定在諸和真空吸盤能穩(wěn)定支撐試樣輸入端的裝臵上，以便試樣端可與輸入光進(jìn)展重復(fù)定位。輸入端注入模擬器 多模光

22、纖折射率漸變型應(yīng)用一穩(wěn)態(tài)模濾模器去掉高階傳輸模，在光纖輸入端建立穩(wěn)態(tài)條件。 單模光纖一光學(xué)透鏡系統(tǒng)或尾纖可用于鼓勵(lì)被試光纖。耦合進(jìn)試樣光纖中的光功率在試驗(yàn)期間應(yīng)保持穩(wěn)定。假設(shè)承受一光學(xué)透鏡系統(tǒng)，一種使光纖定位較不敏感的方法就是對光纖輸入端進(jìn)展空間和角度的滿注入；假設(shè)承受尾纖，可能有必要承受折射率匹配材料來消退干預(yù)效應(yīng)。應(yīng)承受高階模濾模器來濾除高階模。光探測器應(yīng)承受在接收光強(qiáng)范圍內(nèi)線性并穩(wěn)定的光探測器。典型系統(tǒng)可包括承受電流輸入前臵放大器進(jìn)展放大的光生伏打型光電二極管，由鎖相放大器進(jìn)展同步檢測。光功率計(jì)應(yīng)承受適宜的光功率計(jì)測定從光源耦合進(jìn)試樣的光功率，確保它不大于1.0W 或按產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的值。

23、輻射劑量計(jì)應(yīng)承受熱致發(fā)光 LiF 或 CaF 晶體檢測器(TLD)測定試樣光纖接收到的輻射劑量。溫度受控試驗(yàn)箱溫度受控試驗(yàn)箱應(yīng)能將規(guī)定溫度保持在2以內(nèi)。試驗(yàn)線軸試驗(yàn)線軸對本試驗(yàn)所承受的輻射不應(yīng)起屏蔽或吸取作用。試驗(yàn)程序試樣臵入試驗(yàn)箱以前，應(yīng)對輻照源劑量均勻性和強(qiáng)度進(jìn)展校準(zhǔn)。將四個(gè)TLD 臵于輻照區(qū)，使它們的中心放在試樣所在線軸或線盤軸線上。承受四個(gè) TLD 以便于獲得具有代表性的平均值。應(yīng)承受等于或略大于實(shí)際試驗(yàn)劑量的校準(zhǔn)系統(tǒng)。為保證明際試驗(yàn)劑量測量的最大可能的準(zhǔn)確度，TLD 只限于使用一次。被測光纖端面應(yīng)光滑、清潔并與光纖軸垂直。環(huán)境背景輻照試驗(yàn)測量試樣暴露在輻照源前后衰減變化的測量步驟如下

24、： 將光纖或光纜試樣繞成圈或繞在線軸或線盤上臵于圖 7.2 所示的試驗(yàn)箱中； 將光纖輸入端和輸出端放在定位裝臵上，并分別與光源和探測器對準(zhǔn)； 試驗(yàn)前，應(yīng)對試樣在 255的溫箱中預(yù)處理 1h，或在該溫度下按產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的時(shí)間預(yù)處理； 按截?cái)喾ǎ瑴y量試樣在規(guī)定波長下的衰減值，并記錄暴露于輻射源之前光纖的衰減值 A ；1 承受經(jīng)校準(zhǔn)的功率計(jì)測量試樣輸入端圖 7.2 中 A 點(diǎn)的功率。需要時(shí)， 應(yīng)調(diào)整光源功率使得 A 點(diǎn)功率小于 1.0W 或按產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中的規(guī)定； 按要求制備試樣端面，并將試樣端對中在試驗(yàn)裝臵上； 在輻射源關(guān)閉的狀況下，應(yīng)對試樣的輸入端進(jìn)展定位，以便在探測器上獲得最大光功率。一旦調(diào)好之后

25、，在輻照試驗(yàn)期間不應(yīng)轉(zhuǎn)變輸入端光注入條件； 輻照前，應(yīng)在規(guī)定的試驗(yàn)溫度下對全部試驗(yàn)波長測量輸出功率； 將某種曲線記錄儀或適宜的測量裝臵連接到檢測系統(tǒng)進(jìn)展連續(xù)功率測量，應(yīng)調(diào)整測量設(shè)備。使檢測信號不超過設(shè)備的極限； 通過使試樣經(jīng)受不大于 0.2Gy/h 的劑量率來測量由于暴露于輻照而產(chǎn)生的環(huán)境背景輻射效應(yīng)。試樣應(yīng)經(jīng)受至少為 1Gy 的最小總劑量； 在輻照周期內(nèi)應(yīng)記錄試樣輸出功率； 在完成輻照過程的 2h 之內(nèi)，應(yīng)按截?cái)喾ㄟM(jìn)展試樣的衰減測量，應(yīng)記錄暴露于輻射源之后試樣的衰減值 A ；1 對要求的試驗(yàn)溫度和波長，重復(fù)步驟。對每一個(gè)要求的溫度，必需承受的未經(jīng)輻照的試樣。有害環(huán)境試驗(yàn)在暴露于輻射源前后及期間，測量試樣中傳輸功率的程序如下所述； 按要求制備短段試樣(12m)端面； 將短段試樣輸入端臵于定位裝臵上并與試驗(yàn)裝臵對準(zhǔn)見圖 7.3，使得用經(jīng)校準(zhǔn)的功率計(jì)測量時(shí)獲得最大光功率。需要時(shí)，應(yīng)承受中性密度濾波器調(diào)整光源功率，以在短段試樣輸出端獲得不大于 1.0W 或按產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的光功率； 將試樣軸放于試驗(yàn)裝臵中，如圖 7.3 所示； 應(yīng)將試樣輸入端臵于定位裝臵上并進(jìn)展對準(zhǔn)，應(yīng)對輸出端進(jìn)展定位以使從試樣出射的全部光入射到探測器光敏面上； 試驗(yàn)前，應(yīng)對試樣在 255溫度箱內(nèi)預(yù)處理 1h； 輻射源關(guān)閉后，應(yīng)對試樣輸入端進(jìn)展定位，以在探測器上獲得最大光功率。一旦調(diào)好后，在輻照期間，不應(yīng)轉(zhuǎn)變輸