關(guān)于公布正研級(jí)崗位設(shè)置情況的通知

1、PAGE PAGE 14關(guān)于公布布正研級(jí)級(jí)崗位設(shè)設(shè)置情況況的通知知按照半半導(dǎo)體研研究所研研究應(yīng)用用系統(tǒng)正正研級(jí)崗崗位聘用用辦法【半發(fā)人教字200739號(hào)】的相關(guān)要求，現(xiàn)將此次公開(kāi)招聘的正研級(jí)崗位設(shè)置情況公布如下：項(xiàng)目崗位名稱稱崗位職責(zé)責(zé)1研究員研究?jī)?nèi)容容：?jiǎn)喂庾舆^(guò)過(guò)程的物物理及其其器件，固固態(tài)量子子比特的的物理方方案、實(shí)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證證，量子子結(jié)構(gòu)中中自旋極極化流的的產(chǎn)生、操控及及其新概概念器件件探索，自自旋相干干過(guò)程、自旋相相干操作作及其它它半導(dǎo)體體中相干干超快研研究等。工作目標(biāo)標(biāo)：能夠承擔(dān)擔(dān)、參與與國(guó)家重重點(diǎn)基礎(chǔ)礎(chǔ)研究任任務(wù)，在在低維半半導(dǎo)體量量子調(diào)控控方向做做出國(guó)內(nèi)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先先進(jìn)的基基礎(chǔ)研

2、究究成果。2高質(zhì)量半半導(dǎo)體低低維材料料的可控控生長(zhǎng)及及器件應(yīng)應(yīng)用（支支撐類）研究?jī)?nèi)容容：研究半導(dǎo)導(dǎo)體低維維結(jié)構(gòu)材材料的可可控生長(zhǎng)長(zhǎng)技術(shù)，在在提高材材料質(zhì)量量的基礎(chǔ)礎(chǔ)上研制制出高性性能的低低維半導(dǎo)導(dǎo)體光電電器件。探索納納米尺度度圖形化化襯底模模板上半半導(dǎo)體低低維材料料的控位位生長(zhǎng)技技術(shù)，進(jìn)進(jìn)一步提提高量子子點(diǎn)、量量子線的的生長(zhǎng)可可控性。研究半半導(dǎo)體低低維結(jié)構(gòu)構(gòu)與光電電功能材材料的MMBE工工藝兼容容性，提提高超薄薄層微結(jié)結(jié)構(gòu)材料料的質(zhì)量量。工作目標(biāo)標(biāo)：1）實(shí)現(xiàn)現(xiàn)對(duì)自組組織量子子點(diǎn)、線線材料的的結(jié)構(gòu)、光電特特性的有有效生長(zhǎng)長(zhǎng)調(diào)控，研研制出室室溫連續(xù)續(xù)工作、閾值電電流密度度1000A/ccm2、最大

3、輸輸出功率率5W的的高性能能量子點(diǎn)點(diǎn)激光器器，以及及高性能能GaAAs基長(zhǎng)長(zhǎng)波長(zhǎng)量量子點(diǎn)激激光器和和超短脈脈沖量子子點(diǎn)激光光器。2）研制制出用于于單量子子點(diǎn)發(fā)光光等方面面研究的的高質(zhì)量量半導(dǎo)體體低維材材料。3）為本本單位其其它相關(guān)關(guān)研究方方向和崗崗位的工工作及時(shí)時(shí)提供充充足的高高質(zhì)量半半導(dǎo)體低低維材料料。2新型寬禁禁帶化合合物半導(dǎo)導(dǎo)體低維維結(jié)構(gòu)材材料與物物理研究?jī)?nèi)容容：研究寬禁禁帶半導(dǎo)導(dǎo)體低維維結(jié)構(gòu)材材料的生生長(zhǎng)機(jī)理理、p型型摻雜機(jī)機(jī)理；探探索寬禁禁帶低維維結(jié)構(gòu)材材料的MMOCVVD生長(zhǎng)長(zhǎng)技術(shù)；發(fā)展柔柔性襯底底理論與與襯底制制備技術(shù)術(shù)，探索索MOCCVD-HVPPE復(fù)合合工藝制制備無(wú)裂裂紋大尺

4、尺寸GaaN自支支撐襯底底技術(shù)。工作目標(biāo)標(biāo)：得到ZnnO、AAlN和和InNN單晶薄薄膜，獲獲得p型型ZnOO材料，并并實(shí)現(xiàn)ZZnO多多層結(jié)構(gòu)構(gòu)的室溫溫紫外發(fā)發(fā)光；發(fā)展可實(shí)實(shí)用的柔柔性（可可協(xié)變）襯襯底，并并GaNN、ZnnO和AAlN的的異質(zhì)外外延生長(zhǎng)長(zhǎng)；實(shí)現(xiàn)在SSi襯底底上用MMOCVVD-HHVPEE復(fù)合工工藝制備備2英寸寸GaNN自支撐撐襯底； 揭示ZnnO低維維結(jié)構(gòu)（如如一維納納米棒、零維量量子點(diǎn)）與與InNN新穎納納米結(jié)構(gòu)構(gòu)（如六六角納米米花、四四角納米米花結(jié)構(gòu)構(gòu)）材料料的生長(zhǎng)長(zhǎng)機(jī)理，發(fā)發(fā)現(xiàn)新規(guī)規(guī)律、新新現(xiàn)象和和新結(jié)構(gòu)構(gòu)，并探探索其在在新型量量子器件件方面的的應(yīng)用。3寬禁帶外外延材

5、料料及應(yīng)用用研究研究?jī)?nèi)容容：高性能SSiC外外延設(shè)備備研制與與改進(jìn)；高溫、大功率率、高反反壓SiiC材料料及器件件應(yīng)用研研究；新新型MEEMS用用高質(zhì)量量SiCC外延材材料的研研制工作目標(biāo)標(biāo)：SiC外外延設(shè)備備的主要要性能指指標(biāo)接近近或達(dá)到到國(guó)際商商用設(shè)備備的水平平；使得得SiCC外延材材料及相相關(guān)器件件在一定定領(lǐng)域占占有重要要地位。3寬禁帶單單晶材料料的研制制：研究?jī)?nèi)容容：ZnO、AlNN寬禁帶帶單晶材材料的研研制與開(kāi)開(kāi)發(fā)，包包括單晶晶生長(zhǎng)設(shè)設(shè)備研制制、晶體體生長(zhǎng)技技術(shù)研究究以及晶晶體加工工技術(shù)研研究。工作目標(biāo)標(biāo)：實(shí)現(xiàn)寬禁禁帶單晶晶的實(shí)用用化，使使其成為為半導(dǎo)體體照明及及其它光光電子器器件應(yīng)

6、用用領(lǐng)域的的重要基基礎(chǔ)支撐撐材料。4硅基低維維納米結(jié)結(jié)構(gòu)材料料生長(zhǎng)和高效發(fā)發(fā)光器件件與高速速光電探探測(cè)器研研制研究?jī)?nèi)容容：UHV/CVDD生長(zhǎng)SSi基（SSiGee/Sii、Gee/Sii等）應(yīng)應(yīng)變異質(zhì)質(zhì)低維納納米材料料及其生生長(zhǎng)動(dòng)力力學(xué)研究究；Si基納納米圖案案的制備備與轉(zhuǎn)移移技術(shù)及及大面積積高成品品率Sii基片低低溫鍵合合技術(shù)研研究；三維納米米結(jié)構(gòu)的的Si基基材料中中，激子子運(yùn)動(dòng)的的受限與與帶間輻輻射躍遷遷增強(qiáng)機(jī)機(jī)理和高高效發(fā)光光器件的的研究1.555微米波波長(zhǎng)響應(yīng)應(yīng)Si基基異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)高速速響應(yīng)光光電探測(cè)測(cè)器的設(shè)設(shè)計(jì)與研研制。工作目標(biāo)標(biāo)：理論和實(shí)實(shí)驗(yàn)研究究低位錯(cuò)錯(cuò)密度、高熒光光效率SSi基

7、納納米結(jié)構(gòu)構(gòu)異質(zhì)材材料生長(zhǎng)長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)學(xué)規(guī)律；實(shí)驗(yàn)掌握握200nm尺尺寸納米米圖案的的制備和和轉(zhuǎn)移技技術(shù)，SSiO22/Sii與Sii基片大大面積低低溫鍵合合成品率率達(dá)到550%；在低維SSi基異異質(zhì)納米米圖案結(jié)結(jié)構(gòu)中光光泵浦實(shí)實(shí)現(xiàn)光增增益并研研究實(shí)現(xiàn)現(xiàn)電注入入高效發(fā)發(fā)光的有有效途徑徑；研究出對(duì)對(duì)1.555微米米波長(zhǎng)響響應(yīng)，33dB帶帶寬為110GHHz的SSi基光光電探測(cè)測(cè)器，完完成8663和9973(1)的的課題任任務(wù)；研究出一一種有光光增益的的Si基基發(fā)光材材料并實(shí)實(shí)現(xiàn)電注注入高效效發(fā)光，完完成9773(22)課題題任務(wù)；培養(yǎng)碩士士和博士研研究生44-5名名。4Si基納納米線波波導(dǎo)電光光開(kāi)關(guān)

8、及及微納結(jié)結(jié)構(gòu)電動(dòng)動(dòng)力學(xué)問(wèn)問(wèn)題的研研究研究?jī)?nèi)容容理論模擬擬解決納納米線中中的模場(chǎng)場(chǎng)問(wèn)題；設(shè)計(jì)制造造單模波波導(dǎo)、彎彎曲波導(dǎo)導(dǎo)、MMMI、MMZI、 SSSC、AAIR、MRRR、OGGC等光光子元件件；開(kāi)展高分分辨率光光刻和干干法刻蝕蝕等工藝藝研究，解解決納米米量級(jí)工工藝制造造問(wèn)題；光子集成成：研究究集成技技術(shù)、工工藝兼容容性，在在同一SSOI基基片上制制備微納納波導(dǎo)光光開(kāi)關(guān)。工作目標(biāo)標(biāo)理論上解解決納米米線中的的模場(chǎng)問(wèn)問(wèn)題和器器件結(jié)構(gòu)構(gòu)，設(shè)計(jì)計(jì)制造出出微納尺尺寸開(kāi)關(guān)關(guān)；優(yōu)化工藝藝技術(shù)，解解決納米米量級(jí)工工藝制造造問(wèn)題，探探索材料料、結(jié)構(gòu)構(gòu)、電光光性能的的關(guān)系；最終指標(biāo)標(biāo)（9773和8863任任務(wù)

9、的最最終目標(biāo)標(biāo)）：222 SSOI電電光開(kāi)關(guān)關(guān)陣列：開(kāi)關(guān)時(shí)時(shí)間 1 ns、信道串串?dāng)_ 200 dBB、輸入入/輸出出插入損損耗 155 dBB、單元元功耗 330 mmW、單單元尺寸寸小于 5 m1000 m。培養(yǎng)養(yǎng)碩士、博士研研究生44-5名名。5氮化鎵基基藍(lán)紫光光激光器器的研制制與產(chǎn)品品開(kāi)發(fā)研究?jī)?nèi)容容：氮化鎵基基藍(lán)紫光光激光器器的結(jié)構(gòu)構(gòu)優(yōu)化設(shè)設(shè)計(jì)；激激光器結(jié)結(jié)構(gòu)材料料的MOOCVDD生長(zhǎng)技技術(shù)；PP型GaNN、Al11-xGGaxNN的活化化技術(shù)；激光器器的脊形形波導(dǎo)條條形結(jié)構(gòu)構(gòu)制備技技術(shù)；激激光器 F-PP腔的腔腔面的解解理技術(shù)術(shù)；P型GaNN和N型GaNN歐姆接接觸技術(shù)術(shù)；激光光器腔面

10、面鍍膜技技術(shù)；激激光器倒倒裝的熱熱沉設(shè)計(jì)計(jì)和制備備技術(shù)；激光器器的倒裝裝焊技術(shù)術(shù)。大功功率氮化化鎵基藍(lán)藍(lán)紫光激激光器的的研制和和應(yīng)用研研究。工作目標(biāo)標(biāo)：在研制成成功室溫溫連續(xù)工工作的氮氮化鎵激激光器的的基礎(chǔ)上上，進(jìn)一一步優(yōu)化化器件的的結(jié)構(gòu)設(shè)設(shè)計(jì)、材材料生長(zhǎng)長(zhǎng)工藝技技術(shù)和激激光器的的圖形化化工藝技技術(shù)等，激激光器連連續(xù)工作作的閾值值電壓小小于100伏，激激光器連連續(xù)工作作的輸出出功率大大于200毫瓦。氮化鎵鎵基藍(lán)紫紫光大功功率激光光器在脈脈沖條件件下單管管輸出功功率大于于1瓦，列列陣輸出出功率大大于100瓦，并并在某些些領(lǐng)域獲獲得應(yīng)用用。5GaAss基近紅紅外低維維光電子子器件與與光子集集成芯片

11、片研究?jī)?nèi)容容：以受限電電子、光光子體系系中的量量子物理理現(xiàn)象研研究為基基礎(chǔ)，開(kāi)開(kāi)辟低維維量子結(jié)結(jié)構(gòu)中新新現(xiàn)象、新效應(yīng)應(yīng)在新型型光電發(fā)發(fā)射和探探測(cè)器件件中的新新應(yīng)用，探探索寬帶帶光纖與與無(wú)線信信息網(wǎng)絡(luò)絡(luò)、量子子信息技技術(shù)所急急需的量量子光電電子材料料與器件件，研究究光子集集成關(guān)鍵鍵技術(shù)，研研制新一一代GaaAs基基1.001.555m波段光光電器件件及集成成芯片。工作目標(biāo)標(biāo)：1.555m波段段高速、窄帶響響應(yīng)、高高線形保保真度光光電探測(cè)測(cè)器，GGaAss基長(zhǎng)波波長(zhǎng)波長(zhǎng)長(zhǎng)可控垂垂直腔型型收發(fā)集集成芯片片，一體體化微弱弱信號(hào)接接收模塊塊，GaaAs基基1.00m1.555m波段量量子阱、量子點(diǎn)點(diǎn)及異

12、變變結(jié)構(gòu)激激光器，以以及高靈靈敏度量量子線FFET探探測(cè)器。6超高速光光電子器器件、多多波長(zhǎng)激激光器及及其集成成模塊研究?jī)?nèi)容容：研究以EEA調(diào)制制器為基基本單元元的高速速功能集集成器件件的結(jié)構(gòu)構(gòu)設(shè)計(jì)、工作機(jī)機(jī)理和特特性的優(yōu)優(yōu)化，研研究基于于EA調(diào)調(diào)制器和和探測(cè)器器全光邏邏輯信息息處理單單元；研究多種種單片集集成技術(shù)術(shù)的內(nèi)在在規(guī)律和和深層機(jī)機(jī)理,整整合和拓拓展這些些技術(shù)以以以完善善InPP基光電電子功能能材料集集成技術(shù)術(shù)平臺(tái)；研究實(shí)現(xiàn)現(xiàn)微波信信號(hào)與光光波信號(hào)號(hào)間匹配配，設(shè)計(jì)計(jì)出可在在40GGb/ss以上工工作的行行波電極極結(jié)構(gòu)高高頻光電電子集成成器件，研研究高性性能高速速率光模模塊，提提高模擬擬

13、光發(fā)射射器件的的工作頻頻率，研研制用于于產(chǎn)生微微波信號(hào)號(hào)的光外外差光源源；研究可調(diào)調(diào)諧、面面發(fā)射、環(huán)境監(jiān)監(jiān)測(cè)用激激光器以以及與其其它功能能器件的的集成。在現(xiàn)有高高速光電電子器件件測(cè)試平平臺(tái)的基基礎(chǔ)上，擴(kuò)擴(kuò)大測(cè)試試參數(shù)內(nèi)內(nèi)容和指指標(biāo)范圍圍；工作目標(biāo)標(biāo)：光“與門門”或“非門”邏輯功功能器件件,運(yùn)算算速度為為Gb/s量級(jí)級(jí)；研制400Gb/s行波波EAMM調(diào)制器器和400Gb/s行波波EMLL集成功功能器件件；研究究用于440Gbb/s光光信息處處理用電電吸收調(diào)調(diào)制器和和相關(guān)集集成器件件，研制制出用于于時(shí)鐘恢恢復(fù)的自自脈動(dòng)激激光器。研制毫米米波無(wú)線線通信和和微波產(chǎn)產(chǎn)生技術(shù)術(shù)的集成成光源，實(shí)實(shí)現(xiàn)頻率率

14、在122.5118GHHz范圍圍內(nèi)連續(xù)續(xù)可調(diào)，單單頻工作作時(shí)最高高工作頻頻率為660GHHz；研制符合合ITUU標(biāo)準(zhǔn)的的調(diào)諧范范圍為330440nmm的可調(diào)調(diào)諧激光光器，以以及多波波長(zhǎng)陣列列激光器器和1.662m波段環(huán)環(huán)境監(jiān)測(cè)測(cè)用激光光器, 研究100Gb/s長(zhǎng)波波長(zhǎng)面發(fā)發(fā)射激光光器測(cè)試試分析，等等效電路路模型，優(yōu)優(yōu)化設(shè)計(jì)計(jì)和器件件封裝；研制波段段為Kuu和K模模擬通信信用激光光器，形形成小批批量產(chǎn)品品生產(chǎn)和和銷售；建設(shè)高速速光電子子芯片和和器件測(cè)測(cè)試平臺(tái)臺(tái)，實(shí)現(xiàn)現(xiàn)光電子子器件112.55Gb/s大信信號(hào)和440GHHz小信信號(hào)相應(yīng)應(yīng)特性智智能化測(cè)測(cè)試分析析，光譜譜和頻譜譜分析，分分辨率達(dá)達(dá)到

15、1HHz。6可調(diào)諧激激光器和和可集成成全光邏邏輯信息息處理單單元7大面陣及及雙色量量子阱紅紅外焦平平面探測(cè)測(cè)器件技技術(shù)研究究研究?jī)?nèi)容容：（1）單單色量子子阱紅外外探測(cè)器器結(jié)構(gòu)設(shè)設(shè)計(jì)。針針對(duì)長(zhǎng)波波的高精精度、高高耦合效效率、高高均勻性性的光柵柵制備關(guān)關(guān)鍵技術(shù)術(shù)研究。（2）雙雙色疊層層長(zhǎng)波GGaAss/AllGaAAs多量量子阱結(jié)結(jié)構(gòu)和中中波InnGaAAs/AAlGaaAs多多量子阱阱器結(jié)構(gòu)構(gòu)設(shè)計(jì)。耦合光光柵的結(jié)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)計(jì)及工藝藝制作，雙光柵效應(yīng)研究、雙光柵的設(shè)計(jì)、雙光柵的制備。等平面互聯(lián)與電極引出技術(shù)研究：等平面化研究、高填充因子的電極引出方案設(shè)計(jì)大面陣陣芯片制制備的成成套工藝藝技術(shù)研研究32

16、002566像元長(zhǎng)長(zhǎng)波量子子阱紅外外焦平面面探測(cè)器器器件面面向工程程化的相相關(guān)技術(shù)術(shù)研究工作目標(biāo)標(biāo)：32002566像元長(zhǎng)長(zhǎng)波量子子阱紅外外焦平面面探測(cè)器器器件64005122像元長(zhǎng)長(zhǎng)波量子子阱紅外外焦平面面探測(cè)器器器件關(guān)關(guān)鍵技術(shù)術(shù)研究32002566像元中中波/長(zhǎng)長(zhǎng)波雙色色量子阱阱紅外焦焦平面探探測(cè)器關(guān)關(guān)鍵技術(shù)術(shù)的基礎(chǔ)礎(chǔ)研究7表面等離離子物理理、材料料和器件件崗位職責(zé)責(zé)：表面等離離子體物物理和器器件的研研究已經(jīng)經(jīng)成為國(guó)國(guó)際上的的研究熱熱點(diǎn)，原原因就是是通過(guò)亞亞波長(zhǎng)結(jié)結(jié)構(gòu)可以以控制和和導(dǎo)引光光波。從從而獲得得線度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于目目前技術(shù)術(shù)的由波波導(dǎo),開(kāi)開(kāi)關(guān),耦耦合器等等組成的的微型光光學(xué)系統(tǒng)統(tǒng)。使得

17、得傳統(tǒng)的的光學(xué)和和光子學(xué)學(xué)又有了了新的科科學(xué)內(nèi)容容和發(fā)展展的空間間。三期期創(chuàng)新研研究工作作期間，本本崗位的的職責(zé)就就要為這這樣的光光子探控控系統(tǒng)的的實(shí)現(xiàn)進(jìn)進(jìn)行理論論、材料料、器件件的研究究。為在在不久的的將來(lái)尋尋求光子子學(xué)研究究的突破破性進(jìn)展展打下基基礎(chǔ)。面面向微納納結(jié)構(gòu)對(duì)對(duì)傳統(tǒng)光光電子器器件的影影響以及及光子集集成的發(fā)發(fā)展，建建立表面面等離子子亞波長(zhǎng)長(zhǎng)光學(xué)的的理論研研究和模模擬平臺(tái)臺(tái)，突破破納米結(jié)結(jié)構(gòu)中的的關(guān)鍵技技術(shù)問(wèn)題題，以表表面等離離子體微微納周期期性結(jié)構(gòu)構(gòu)激光器器、微納納結(jié)構(gòu)光光子天線線、表面面等離子子體微納納周期性性結(jié)構(gòu)波波導(dǎo)、重重?fù)桨雽?dǎo)導(dǎo)體表面面等離子子效應(yīng)器器件等光光電子及及其集

18、成成的核心心器件為為主要研研究對(duì)象象，使表表面等離離子體效效應(yīng)的研研究水平平獲得顯顯著的提提升，探探索表面面等離子子亞波長(zhǎng)長(zhǎng)光學(xué)半半導(dǎo)體集集成器件件機(jī)理和和器件結(jié)結(jié)構(gòu)，獲獲得具有有自主知知識(shí)產(chǎn)權(quán)權(quán)的亞波波長(zhǎng)光子子學(xué)器件件。在器器件性能能上達(dá)到到國(guó)際先先進(jìn)水平平。7超高效率率大功率率激光二二極管列列陣技術(shù)術(shù)研究與與高可靠靠性大功功率半導(dǎo)導(dǎo)體激光光器批產(chǎn)產(chǎn)技術(shù)。研究方向向 超高效率率、超高高功率密密度大功功率激光光二極管管列陣技技術(shù)研究究，高可可靠性大大功率半半導(dǎo)體激激光器批批產(chǎn)技術(shù)術(shù)。崗位職責(zé)責(zé)：積極爭(zhēng)取取國(guó)家任任務(wù)，負(fù)負(fù)責(zé)超高高效率、超高功功率密度度大功率率激光二二極管列列陣技術(shù)術(shù)研究，負(fù)負(fù)責(zé)

19、高可可靠性大大功率半半導(dǎo)體激激光器批批產(chǎn)技術(shù)術(shù)研究及及大功率率半導(dǎo)體體激光二二極管列列陣貫標(biāo)標(biāo)線的質(zhì)質(zhì)量管理理，開(kāi)發(fā)發(fā)具有自自主知識(shí)識(shí)產(chǎn)權(quán)的的超高效效率、超超高功率率密度大大功率激激光二極極管技術(shù)術(shù)與產(chǎn)品品，協(xié)助助項(xiàng)目負(fù)負(fù)責(zé)人保保證本研研究方向向（1）相相關(guān)任務(wù)務(wù)的完成成；制定本研研究方向向（1）相相關(guān)任務(wù)務(wù)的實(shí)施施方案，分分解任務(wù)務(wù)；協(xié)助項(xiàng)目目負(fù)責(zé)人人培養(yǎng)研研究生；十一五期期間爭(zhēng)取取課題經(jīng)經(jīng)費(fèi)5000萬(wàn)元元以上。7超高功率率密度大大功率激激光二極極管列陣陣器件技技術(shù)及光光束整形形與應(yīng)用用技術(shù)研研究。研究方向向： 超高功率率密度大大功率激激光二極極管列陣陣器件技技術(shù)及光光束整形形與應(yīng)用用技術(shù)研

20、研究。崗位職責(zé)責(zé)：積極爭(zhēng)取取國(guó)家任任務(wù)，負(fù)負(fù)責(zé)超高高功率密密度大功功率激光光二極管管列陣器器件及光光束整形形與應(yīng)用用技術(shù)研研究及相相關(guān)產(chǎn)品品的研制制與開(kāi)發(fā)發(fā)，協(xié)助助項(xiàng)目負(fù)負(fù)責(zé)人保保證本研研究方向向（2）相相關(guān)任務(wù)務(wù)的完成成；負(fù)責(zé)列陣陣激光器器光束質(zhì)質(zhì)量檢測(cè)測(cè)技術(shù)研研究，實(shí)實(shí)現(xiàn)列陣陣器件的的光束合合束、偏偏振合束束以及多多波長(zhǎng)疊疊層器件件的合束束，研制制超高亮亮度器件件，達(dá)到到實(shí)用化化水平；負(fù)責(zé)大功功率光纖纖激光器器泵源的的研制與與開(kāi)發(fā)；協(xié)助項(xiàng)目目負(fù)責(zé)人人培養(yǎng)研研究生。十一五期期間爭(zhēng)取取課題經(jīng)經(jīng)費(fèi)5000萬(wàn)元元以上。9高功率全全固態(tài)激激光器研研究崗位職責(zé)責(zé)：開(kāi)展多級(jí)級(jí)激光模模塊串接接功率擴(kuò)擴(kuò)展技

21、術(shù)術(shù)、高功率率激光器器整機(jī)熱熱管理技技術(shù)等研研究，力力爭(zhēng)在短短期內(nèi)研研制出55kW級(jí)級(jí)高光束束質(zhì)量、高穩(wěn)定定性工業(yè)業(yè)級(jí)全固固態(tài)激光光器。并并在未來(lái)來(lái)355年里研研制出1101100 kW級(jí)級(jí)高光束束質(zhì)量、高穩(wěn)定定性全固固態(tài)激光光器。9高功率全全固態(tài)激激光器系系統(tǒng)工程程應(yīng)用研研究崗位職責(zé)責(zé)：研究大功功率激光光器的工工程化技技術(shù)、人人機(jī)界面面交互技技術(shù)、系系統(tǒng)化集集成技術(shù)術(shù)等，開(kāi)開(kāi)展以55kW級(jí)級(jí)高功率率全固態(tài)態(tài)激光器器為核心心的激光光工業(yè)加加工裝備備研究并并力爭(zhēng)產(chǎn)產(chǎn)業(yè)化；研究高高功率全全固態(tài)激激光器的的光束控控制技術(shù)術(shù)，開(kāi)展展以1001000kWW高光束束質(zhì)量、高可靠靠性激光光器為核核心的特特種

22、應(yīng)用用研究。10新型光電電傳感器器集成陣陣列的集集成技術(shù)術(shù)和工藝藝開(kāi)發(fā)崗位職責(zé)責(zé)建立適合合GaAAs集成成工藝的的全新SSiN薄薄膜淀積積設(shè)備開(kāi)發(fā)出適適合GaaAs集集成工藝藝的全新新SiNN薄膜淀淀積工藝藝，滿足足可室溫溫淀積、可兼容容lifftofff工藝藝的要求求按照新型型光電傳傳感器集集成陣列列的要求求, 設(shè)設(shè)計(jì)制定定集成工工藝方案案, 配配合工藝藝流程進(jìn)進(jìn)行優(yōu)化化參加新型型光電傳傳感器集集成陣列列的建模模工作專業(yè)要求求要求具有有低維半半導(dǎo)體量量子器件件物理方方面的堅(jiān)堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)礎(chǔ)，并具具有十年年以上從從事這方方面工作作的經(jīng)歷歷要求已掌掌握新型型量子倍倍增機(jī)制制的原理理要求己掌掌握適合合G

23、aAAs集成成工藝的的全新SSiN薄薄膜淀積積工藝和和集成工工藝方案案10新 新型光光電傳感感器單元元器件研研制、性性能測(cè)試試和結(jié)構(gòu)構(gòu)設(shè)計(jì)優(yōu)優(yōu)化崗位職責(zé)責(zé)新原理高高增益光光電傳感感器原理理、物理理過(guò)程的的研究新原理高高增益光光電傳感感器的結(jié)結(jié)構(gòu)優(yōu)化化新原理高高增益光光電傳感感器的特特性表征征方法和和測(cè)試分分析新原理高高增益光光電傳感感器的特特性模擬擬專業(yè)要求求要求具有有低維半半導(dǎo)體量量子器件件物理方方面的堅(jiān)堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)礎(chǔ)，并具具有十年年以上從從事這方方面工作作的經(jīng)歷歷要求已掌掌握新型型量子倍倍增機(jī)制制的原理理要求己掌掌握新原原理高增增益光電電傳感器器特性的的表征和和測(cè)試方方法12固 固態(tài)照照明關(guān)鍵

24、鍵材料外外延技術(shù)術(shù)開(kāi)發(fā)及及產(chǎn)業(yè)化化研究研究?jī)?nèi)容容：高效大功功率用高高質(zhì)量GGaN材材料的開(kāi)開(kāi)發(fā)，包包括藍(lán)寶寶石圖形形襯底制制備技術(shù)術(shù)及相關(guān)關(guān)外延技技術(shù)的開(kāi)開(kāi)發(fā)，垂垂直結(jié)構(gòu)構(gòu)大功率率的設(shè)計(jì)計(jì)和材料料外外延技術(shù)術(shù)的開(kāi)發(fā)發(fā)，大功功率材料料外外延的均均勻性、重復(fù)性性研究和和產(chǎn)業(yè)化化應(yīng)用。工作目標(biāo)標(biāo)：實(shí)現(xiàn)藍(lán)寶寶石圖形形襯底的的產(chǎn)業(yè)化化應(yīng)用，開(kāi)開(kāi)發(fā)出基基于垂直直結(jié)構(gòu)的的大功率率高效外外延材料料，與國(guó)國(guó)內(nèi)企業(yè)業(yè)合作為為實(shí)現(xiàn)1100llm/WW半導(dǎo)體體照明制制造技術(shù)術(shù)提供自自主研制制的圖形形襯底和和外外延技術(shù)術(shù)。12GaNGGaN基基材料MMOCVVD外延延及深紫紫外大功功率LEED技術(shù)術(shù)開(kāi)發(fā)研究?jī)?nèi)容容：藍(lán)寶

25、石襯襯底的高高質(zhì)量GGaN基基LEDD結(jié)構(gòu)材材料的MMOCVVD外延延技術(shù)研研究，高高Al組組份AllGaNN材料的的MOCCVD外外延及摻摻雜技術(shù)術(shù)研究，非非極性面面藍(lán)寶石石襯底及及SiCC、GaaN等新新型襯底底的GaaN材料料外延技技術(shù)研究究，深紫紫外毫瓦瓦級(jí)LEED的MMOCVVD材料料生長(zhǎng)及及器件制制備。工作目標(biāo)標(biāo)：獲得高質(zhì)質(zhì)量GaaN基LLED結(jié)結(jié)構(gòu)材料料，為1130llm/WW的半導(dǎo)導(dǎo)體照明明集成技技術(shù)提供供外延材材料支撐撐，開(kāi)發(fā)發(fā)出3000nmm深紫外外毫瓦級(jí)級(jí)LEDD器件材材料自主主外延技技術(shù)，培培養(yǎng)高水水平MOOCVDD外延技技術(shù)開(kāi)發(fā)發(fā)人才。13微納機(jī)械械系統(tǒng)集集成研究?jī)?nèi)容容：MEMSS/NEEMS薄薄膜材料料表征研研究新型超高高頻高品品質(zhì)因子子（Q）微微納共振振體的研研究新型RFF MEEMS開(kāi)開(kāi)關(guān)的研研究SiC基基高溫壓壓力傳感感器的研研究工作目標(biāo)標(biāo)：建立常用用MEMMS/NNEMSS薄膜材材料機(jī)械械性能及及其可靠靠性的數(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)，為為微納器器件的設(shè)設(shè)計(jì)提供供重要的的指導(dǎo)；研制出出122種具有有超高